JP5472231B2 - 携帯端末機器 - Google Patents
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Description
インダクタンス素子及びキャパシタンス素子を含む給電回路と、前記給電回路と電気的に接続された無線通信用回路と、前記給電回路のインダクタンス素子又はキャパシタンス素子と電磁界結合する放射板と、を備えた携帯端末機器であって、
前記放射板は、前記携帯端末機器の金属筺体部分であり、又は筺体に塗布された導電性塗料であり、かつ、前記給電回路の共振周波数で実質的に決まる周波数の送信信号を放射する、及び/又は、受け取った受信信号を前記電磁界結合を介して前記給電回路に供給すること、
を特徴とする。
本発明に係る携帯端末機器における基本回路構成は、図1(A)に示すように、給電回路16が無線通信用回路(モデム)4と電気的に導通するように接続され、給電回路16は放射板20と電磁界結合されている。放射板20は以下の実施例で説明する携帯端末機器が本来有している金属物あるいは物品に付与された金属板である。
図2は両者の組合せ例1を示し、給電回路16を含む給電回路基板10の裏面に設けた電極が無線通信用回路4と接続されるように無線通信用回路基板に形成されている電極3aと半田付けなどで接続されている。また、給電回路16は給電回路基板10の表面に設けた電極25及び導体22を介して放射板20と電磁界結合している。符号3bはグランド電極を示している。なお、電極25と導体22又は放射板20と導体22とは、導電性接着剤や半田などにより電気的に導通するように接続してもよく、あるいは、絶縁性接着剤などにより電気的に絶縁された状態で接続してもよい。
第1例である電磁結合モジュール1aは、モノポールタイプの放射板20と組み合わせたものであり、図6及び図7に示すように、無線通信用回路基板5と、上面に該回路基板5を搭載した給電回路基板10とで構成され、帯状の電極である放射板20上に貼着されている。無線通信用回路基板5は、図1(B)に示した無線通信用回路4を含み、給電回路基板10に内蔵された給電回路16と電気的に導通するように接続されている。
第2例である電磁結合モジュール1bは、図11に示すように、広い面積の絶縁性・可撓性を有するプラスチックフィルム21上に広い面積のアルミ箔などで形成した放射板20上に取り付けたもので、無線通信用回路基板5を搭載した給電回路基板10が放射板20の任意の位置に接着されている。
第3例である電磁結合モジュール1cは、図12に示すように、アルミ箔などで形成した広い面積の放射板20のメッシュ状部分に取り付けたものである。メッシュは放射板20の全面に形成されていてもよく、あるいは、部分的に形成されていてもよい。
第4例である電磁結合モジュール1dは、図13に示すように、フィルム21上の給電回路基板10との接合面を含めてそれ以外の面(ここでは全面)に放射板20を介して接着剤18が塗布されている。この接着剤18にて、電磁結合モジュール1dを備えた物品を他の物品に電磁結合モジュール1dを内側にして接着可能である。
第5例である電磁結合モジュール1eは、図14に等価回路として示すように、給電回路基板10に給電回路16としてコイル状電極からなるインダクタンス素子Lを内蔵したものである。LC並列共振回路を構成するキャパシタンス素子Cはインダクタンス素子Lのコイル状電極間の浮遊容量(分布定数型の容量)として形成される。
第6例である電磁結合モジュール1fは、図15に等価回路として示すように、ダイポールタイプの放射板20に対応した給電回路16を備えたものであり、給電回路基板に二つのLC並列共振回路からなる給電回路16を内蔵している。インダクタンス素子L1及びキャパシタンス素子C1は無線通信用回路基板5の第1ポート側に接続され、インダクタンス素子L2及びキャパシタンス素子C2は無線通信用回路基板5の第2ポート側に接続され、それぞれ、放射板20,20と対向している。インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C1の端部は開放端とされている。なお、第1ポートと第2ポートは差動回路のI/Oを構成している。
第7例である電磁結合モジュール1gは、図16に等価回路として示すように、ダイポールタイプの放射板20に対応した給電回路16を備えたものであり、給電回路基板に二つのLC直列共振回路からなる給電回路16を内蔵している。各インダクタンス素子L1,L2は放射板20,20と対向し、各キャパシタンス素子C1,C2はグランドに接続される。
第8例である電磁結合モジュール1hは、図17に示すように、モノポールタイプの放射板20と組み合わせたものであり、給電回路基板10に内蔵したインダクタンス素子Lとキャパシタンス素子CとでLC直列共振回路からなる給電回路16を構成したものである。図18に示すように、インダクタンス素子Lを構成するコイル状電極は、その巻回軸が放射板20と垂直に形成され、コイル状電極の巻回軸に平行にかつ放射板20に垂直な方向に磁界が発生する。この磁界により放射板20にうず電流が発生し、さらに、そのうず電流により発生した磁界が放射板20から放射される。
第9例である電磁結合モジュール1iは、図20に等価回路として示すように、前記第8例で示したインダクタンス素子Lのコイル状電極の巻回幅(コイル径)を放射板20に向かって徐々に大きく形成したものである。他の構成は前記第8例と同様である。
第10例である電磁結合モジュール1jは、図21に等価回路として示すように、ダイポールタイプの放射板20に対応したものであり、給電回路基板10に二つのLC直列共振回路からなる給電回路16を内蔵したものである。
第11例である電磁結合モジュール1kは、図23に示すように、セラミックあるいは耐熱性樹脂からなるリジッドな給電回路基板50の表面にコイル状電極、即ち、スパイラル型のインダクタンス素子からなる給電回路56を単層の基板50上に設けたものである。給電回路56の両端部は無線通信用回路基板5と半田バンプを介して直接的に接続され、給電回路基板50は放射板20を保持するフィルム21上に接着剤にて貼着されている。また、給電回路56を構成する互いに交差するインダクタ電極56aとインダクタ電極56b,56cは図示しない絶縁膜によって隔てられている。
第12例である電磁結合モジュール1lは、図24に示すように、給電回路56のコイル状電極を給電回路基板50に内蔵したものである。給電回路基板50は、図25に示すように、誘電体からなるセラミックシート51A〜51Dを積層、圧着、焼成したもので、接続用電極52とビアホール導体53aを形成したシート51A、インダクタ電極54aとビアホール導体53b,53cを形成したシート51B、インダクタ電極54bを形成したシート51C、無地のシート51D(複数枚)からなる。
第13例である電磁結合モジュール1mは、図26に等価回路として示すように、給電回路基板10と放射板20とを容量結合したものである。給電回路基板10には、二つのLC直列共振回路からなる給電回路16を内蔵している。インダクタンス素子L1,L2の一端は無線通信用回路基板5に接続され、他端は基板10の表面に設けられたキャパシタンス素子C1,C2を構成するキャパシタ電極72a,72b(図27参照)に接続されている。また、キャパシタンス素子C1,C2を構成するいま一つのキャパシタ電極は放射板20の端部20a,20bが担っている。
第14例である電磁結合モジュール1nは、図28に等価回路として示すように、給電回路16は互いに磁界結合するインダクタンス素子L1,L2を備え、インダクタンス素子L1はキャパシタンス素子C1a,C1bを介して無線通信用回路基板5と接続され、かつ、キャパシタンス素子C2a,C2bを介してインダクタンス素子L2と並列に接続されている。換言すれば、給電回路16は、インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C1a,C1bとからなるLC直列共振回路と、インダクタンス素子L2とキャパシタンス素子C2a,C2bとからなるLC直列共振回路を含んで構成されており、各共振回路は図28で相互インダクタンスMで示される磁界結合によって結合されている。そして、インダクタンス素子L1,L2の双方が放射板20と磁界結合している。
第15例である電磁結合モジュール1oは、図31に等価回路として示すように、給電回路16が互いに高い結合度をもって磁界結合するインダクタンス素子L1,L2を備えている。インダクタンス素子L1は無線通信用回路基板5に設けたインダクタンス素子L5と磁界結合し、インダクタンス素子L2はキャパシタンス素子C2とでLC直列共振回路を形成している。また、キャパシタンス素子C1は放射板20と容量結合し、キャパシタンス素子C1,C2の間にいま一つのキャパシタンス素子C3が挿入されている。
第16例である電磁結合モジュール1pは、図34に等価回路として示すように、給電回路16は互いに高い結合度をもって磁界結合するインダクタンス素子L1,L2,L3を備えている。インダクタンス素子L1は無線通信用回路基板5に設けたインダクタンス素子L5と磁界結合し、インダクタンス素子L2はキャパシタンス素子C1a,C1bとでLC直列共振回路を形成し、インダクタンス素子L3はキャパシタンス素子C2a,C2bとでLC直列共振回路を形成している。また、インダクタンス素子L1,L2,L3はそれぞれ放射板20と磁界結合している。
本第17例である電磁結合モジュール1qは、給電回路基板110を単層基板で構成したものであり、その等価回路は図8と同様である。即ち、給電回路16はインダクタンス素子Lの両端にキャパシタンス素子C1,C2が接続されたLC直列共振回路にて構成されている。給電回路基板110は、誘電体からなるセラミック基板であり、図36に示すように、表面にはキャパシタ電極111a,111bが形成され、裏面にはキャパシタ電極112a,112bとインダクタ電極113が形成されている。キャパシタ電極111a,112aにてキャパシタンス素子C1が形成され、キャパシタ電極111b,112bにてキャパシタンス素子C2が形成される。
本第18例である電磁結合モジュール1rは、インダクタンス素子Lをミアンダ状のライン電極で形成したものであり、その等価回路は図8と同様である。即ち、給電回路16はインダクタンス素子Lの両端にキャパシタンス素子C1,C2が接続されたLC直列共振回路にて構成されている。給電回路基板110は、誘電体からなるセラミックの単層基板であり、図40に示すように、表面にはキャパシタ電極121a,121bが形成され、裏面にはキャパシタ電極122a,122bとミアンダ状のインダクタ電極123が形成されている。キャパシタ電極121a,122aにてキャパシタンス素子C1が形成され、キャパシタ電極121b,122bにてキャパシタンス素子C2が形成される。
なお、本発明に係る携帯端末機器は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
4…無線通信用回路
5…無線通信用回路基板
10,50,110…給電回路基板
16,56…給電回路
20…放射板
21…フィルム
260…携帯電話
261…金属製筐体部分
L,L1,L2,L3…インダクタンス素子
C1,C2,C1a,C1b,C2a,C2b…キャパシタンス素子
Claims (12)
- インダクタンス素子及びキャパシタンス素子を含む給電回路と、前記給電回路と電気的に接続された無線通信用回路と、前記給電回路のインダクタンス素子又はキャパシタンス素子と電磁界結合する放射板と、を備えた携帯端末機器であって、
前記放射板は、前記携帯端末機器の金属筺体部分であり、又は筺体に塗布された導電性塗料であり、かつ、前記給電回路の共振周波数で実質的に決まる周波数の送信信号を放射する、及び/又は、受け取った受信信号を前記電磁界結合を介して前記給電回路に供給すること、
を特徴とする携帯端末機器。 - 前記給電回路はキャパシタンス素子とインダクタンス素子とで構成された集中定数型共振回路であることを特徴とする請求項1に記載の携帯端末機器。
- 前記集中定数型共振回路はLC直列共振回路又はLC並列共振回路であることを特徴とする請求項2に記載の携帯端末機器。
- 前記集中定数型共振回路は複数のLC直列共振回路又は複数のLC並列共振回路を含んで構成されていることを特徴とする請求項3に記載の携帯端末機器。
- 前記キャパシタンス素子は、前記無線通信用回路と前記インダクタンス素子との間に配置されていることを特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれかに記載の携帯端末機器。
- 前記給電回路は複数の誘電体層又は磁性体層を積層してなる多層基板にて構成されており、前記キャパシタンス素子と前記インダクタンス素子は前記多層基板の表面及び/又は内部に形成されていること、を特徴とする請求項2ないし請求項5のいずれかに記載の携帯端末機器。
- 前記給電回路は誘電体又は磁性体の単層基板にて構成されており、前記キャパシタンス素子及び/又はインダクタンス素子は前記単層基板の表面に形成されていること、を特徴とする請求項2ないし請求項5のいずれかに記載の携帯端末機器。
- 前記給電回路はリジッドな樹脂製又はセラミック製の基板にて構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の携帯端末機器。
- 前記放射板は帯状の電極であって、その帯状の電極の長さは共振周波数の半波長の整数倍であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の携帯端末機器。
- 前記インダクタンス素子はコイル状電極によって構成されており、前記コイル状電極の巻回軸は前記放射板と平行に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の携帯端末機器。
- 前記インダクタンス素子はコイル状電極によって構成されており、前記コイル状電極の巻回軸は前記放射板と垂直に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の携帯端末機器。
- 前記インダクタンス素子はコイル状電極によって構成されており、前記放射板には開口部が設けられており、前記コイル状電極は発生する磁束が前記開口部を抜けるように配置されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれかに記載の携帯端末機器。
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