JP4073968B2 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は、太陽電池に関するものである。
また、本発明は、コスト効果のある太陽電池の実現方法に関するものである。
背景技術
従来技術に記載されているほとんどの太陽電池は、その一般的構造からいくつかのカテゴリーに細分化されている。
前記カテゴリーの一つは、いわゆる背面接続型太陽電池のグループの一つであり、これは太陽電池の相対するドープされた領域についてのオーム接点が、太陽電池の背面、即ち、照射を受けない面に配置されていることを意味している。この構想は、一般的な太陽電池の前面における金属接点グリッドがもたらす影による損失を避けるためである。
背面接続型太陽電池を作製する最も簡単な方法は、電池の背面に近いドープされた相対する半導体領域の間にキャリア収集接合を設けることである（「背面接合型」電池）。「２７．５％ケイ素濃度の太陽電池」という文献（R.A. Sinton, Y.Kwark, J.Y. Gan, R.M. Swanson, IEEE Electron Device Letters, Vol.ED-7.No.10, October 1986）にはそのようなデバイスについて記載がある。
大多数の光子は通常、電池表面の近くで吸収されるため、これらの領域内で発生したキャリアは電池の全ベース領域を貫いて、背面に近いキャリア収集接合部へと拡散しなければならない。この構想のためには、少数キャリア（minoritycarrier）の拡散距離が電池厚さよりも長い高品質物質が必要とされているが、これは一般的に短い拡散距離を有するほとんどの太陽電池用物質を用いたものには適さないものである。加えて、背面の近くにキャリア収集接合部を有する電池では、前面を完全に不動態化することが必要である。
最も大きなグループにおける太陽電池では、前面の近くにキャリアが集まる接合部を有している。これらの太陽電池からの電流は、前面上のドープされた領域との金属接点と背面上の相対するドープされた領域との第２接点とによって集められる。しかし、この前面グリッド構造は高収集効率を得るために最適化するのは相対的容易ではあるが、抵抗損失と影による損失との兼ね合いによって、全面積の１０〜１５％にあたる前面を覆うことが必要となる。
その他の太陽電池のグループでは、これらの二つの方法を組み合わせている。それらの太陽電池では、背面上の相対するドープされた領域との外部接点及び前面に近いキャリア収集の接合部とをいずれも有している。前面から集められたキャリアは、ウエハー全体を貫いて背面に達している開口部を通って導かれる。この構造を用いることによって、通常は前面の金属化グリッドの影による損失の発生を大きく減らすことができる。
いくつかの特許がこの方法を利用している。
米国特許第4,227,942号及び米国特許第4,427,839号は、相対するドープされた両方の領域がデバイスの背面に配置された構成の太陽電池の構造を開示している。前面のキャリアが集まる接合点との接続は、化学的にエッチングされたバイア（vias）のアレーによって実現されている。金属グリッド及び化学エッチングマスクはフォトリソグラフィーによって画定される。しかし、フォトリソグラフィーは、不経済なプロセスステップであり、また太陽電池の産業上の製造への適用には困難なものである。
米国特許第4,838,952号にも同様な構造が開示されており、ここでは孔（holes）のアレーが化学エッチングを用いてリソグラフィー的に画定された領域によって作製される。この場合には、孔はデバイスの頂部面から背面まで達してはいない。これらはただ背面から接合領域まで達しているだけである。通常接点が配置されている面に比べて接合領域でのドープ濃度が低いことから、スクリーン印刷のような工業的金属化技術が用いると、このデバイスでは接触抵抗がより高くなるものと思われる。前述したフォトリソグラフィーの問題点がこの方法にもあてはまる。米国特許第3,903,427号においてもまた、孔のアレーを持つ太陽電池が開示されており、太陽電池の前面から集められた電流を背面に導くために、孔のアレーを機械的、或いは、電子ビーム又はレーザードリルを利用して作製している。この場合には、相対する極性の領域との金属接点は、誘電体層によって分離されている側ではなく背面に配置される。このデバイスにおいては孔の壁に沿って絶縁的な誘電体層を有している必要がある。この層は、金属ペーストのスクリーン印刷や金属ペーストの焼成などの工業的金属化技術が誘電体層を溶かしてしまうことから、これらと組み合わせることは困難である。
米国特許第4,626,613号には、背面上の接点と前面及び背面と接続している孔のアレーの両方を持つ電池が開示されている。孔は、前面から適当な極性を持つ背面上の金属グリッドへの電流を伝導するために用いられる。孔はレーザードリルやスクライブ（scribing）によって機械的に作製され、前面及び背面上に間隔を空けた並列のみぞをなしている。両面上の二組のみぞは互いに垂直に向けられており、それによって適切なエッチングの後、孔は交差点により形成される。
同様な構造は米国特許第5,468,652号にも示されており、ここでは電池構造体はレーザードリルによって作製された孔を用いており、これによって前面上に集められた電流を相対するドープされた領域との金属接点が配置されている背面へ伝導させている。しかし、この後者の場合はまた、上記で示されたものと比べて電池の製造方法でいくらか簡易化しているが、電池の二つの面の電気的な接続のために多数の孔を利用する電池構造体としては、なおいくつかの共通する短所がある。
電池の孔周辺の多量のドープがされた表面層内での電流のクラウディング効果（crowding effects）によって引き起こされる抵抗損失を避けるためには、２方向のいずれについても孔が１〜１．５ｍｍの間隔で配置される必要がある。太陽電池（１０×１０ｃｍ²）の大きな面積上では総数１００００以上の孔が必要となる。そのため金属化の観点からはもう一つの困難性が上がってくる。孔を互いに密に接して配置するには、背面における二つの金属グリッドに対するアライソメント許容度を非常に狭くする必要がある。米国特許中で開示されている電池構造体で考えられている非常に多数の孔は、これらの電池構造体を高価なものとし、大量生産には適さない。
米国特許第3,903,428号には、中央に位置する孔と電池の前面上の金属グリッドと組み合わせたものを用いており、これによって集められた電流を前面から背面へ導いている。開示された構造は、中央に位置する孔の周囲の電流が込み合うことによって抵抗損失が増加することから、小さい面積の輪形のデバイスとしては最適なものである。幾つかの前記構造では考えられる、電池の背面上にキャリア収集のための第２の接合点を設けることが、この米国特許第3,903,428号では許されない。
日本国特許公開公報昭６３−２１１７７３号には、前面から外部接点を除いた電池構造体が開示されており、これによって活性領域を増加させ、背面から近づきやすい両方の極性の接点を持つことができる。入射光は構造体のバルク内で電子とホールの対を生成させる。過剰の少数キャリアは前面にエピタキシャル成長によって形成された収集接合点に向って拡散する。いったんこれらが接合点で交差したならば、これらは多数キャリア（majority carrier）として、電池の背面の外部接点に向う導電路の一部をなす金属接点に向って拡散する。前面と背面との間の導電路は、有限数の孔を通ると考えられている。少数キャリアが全ウエハを介して拡散することから、この方法において低品質の物質を用いるのを困難にしている。少数キャリアが再結合の前にバルク領域を通って拡散する距離は、物質の品質によって制限される。高品質物質の場合には、少数キャリアは再結合するまでにベース幅の数倍を移動することができる。しかし、低級な物質の拡散距離は電池構造体よりも小さくなってしまう。この場合には、構造体の深いところで発生したキャリアが、収集することができる前面まで達する機会はほとんどない。
本発明の目的
本発明は、産業上の利用性を維持するとともに、上述の従来構造体の制約を克服した、太陽電池用物質に適する太陽電池構造体を実現することを提供することを目的としている。
本発明は、コスト効果のある太陽電池の実現方法を提案することを目的とする。
本発明の主たる特徴
本発明の第１の目的は、半導体基板内に照射受光前面と第２面とを少なくとも有する太陽電池であって、前記基板が第１型導電性の第１領域と前記第１型とは反対型の第２型導電性の第２領域からなり、前記第２領域が前記前面に隣接して配置されている第１部分と前記第２面と隣接して配置されている第２部分とを少なくとも有し、前記前面が前記第２領域との導電性接点を有しており、前記第２面が前記第１領域と前記第２領域の第２部分とに分れた導電性接点を有しており、前記第２面上の前記第２領域との前記接点が前記前面上の前記接点と有限数のバイアを通して接続していることよりなる太陽電池を提供することにある。
有限数のバイアとは、多数のバイアが工業的に実現できる（十分短い）時間枠で作製できる数のバイアを意味する。そこで、バイアの数としては１０ｃｍ×１０ｃｍの太陽電池について、およそ１００又はそれ以下、例えば１０〜２０の範囲である。
もし、前記第２面が基板の背面であれば、前記第１領域と前記第２領域とに分離された接点は背面に作製する。
第２領域は基板のドープされた領域により形成され、第１領域がｐ型導電性又はｎ型導電性をとるならば第２領域はｎ型導電性又はｐ型導電性のいずれかをとることとなる。
好ましくは、バイアは基板の前面から背面まで延在しており、円錐形状又は円柱形状を呈するのが望ましい。
前面上の導電性接点は多数の狭い金属線から形成されており、導電性経路の各部分は前面の開口部を経由して前記部分の少なくとも一つに向っている。
背面の両方の接点はデバイスにおいて外部接点として利用することができる。背面の第２領域への接点は、領域間についての前面の接合点において収集されたキャリアを拾い集めて移送するのに役立ち、それはバイアを介して前面の接点へと接続することによって行なわれ、加えて背面に近い接合点において収集されたキャリアを拾い集めて移送するのに役立つ。
本発明の第２の目的は、第１型導電性の第１領域と前記第１型とは反対型の第２型導電性の第２領域とを有する半導体基板内に本質的に設けられた太陽電池であって、前記基板が照射受光前面及び前記第１領域と前記第２領域との接点を設けることとなっている第２面とによって形成されるものである太陽電池の少なくとも以下のステップからなる実現方法であって、
前記基板を貫いて多数のバイアを機械的に形成するステップと、
前記バイアを化学的にエッチング処理するステップと、
前記バイアの壁を含めた前記基板内にリン又はその他のドーパンド（dopand）を導入して前記第２領域を作製するステップと、
前記太陽電池の前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれに接点を設けるステップであって、前記接点を少なくとも前記前面上の前記第２領域と経絡させると共に、外部接点を前記第２面上に設けるステップと、
前記バイアをある程度金属化して、前記金属化によって前記前面上の前記第２領域との前記接点と前記第２面上の前記外部接点の少なくとも一つとの間に導電性の経路を形成するステップとからなる太陽電池の実現方法を提供することである。
接点の形成ステップ及びバイアの金属化ステップは実質的に同時に行なうのが好ましい。
基板へのドーパンドの導入は、例えば基板へのドーパンドの拡散、イオン注入によって行なうことができる。
金属接点の形成は、例えば、スクリーン印刷、焼成、蒸着及び金属積層方法のその他の技術を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、実際のプロセスでの種々のプロセス段階における電池の等角断面図。
図２及び図３とは、前面を金属化した金属グリッド概念の可能性を示している。
図４は、本発明の好ましい態様による太陽電池の背面での考えられる金属的接続方法を示している。
図５は、本発明の好ましい態様による太陽電池の背面での２つの太陽電池の直列接続を示している。
発明の好ましい実施の形態の詳細な説明
本太陽電池は、２つのダイオードを並列接続した、背面接続型二重結合太陽電池（back contacted double junction solar cell）を構成しているものと説明できる。電池の前面から金属フィンガーで集めた電流は、有限数のバイアを介して背面より外部接点へと導かれる。背面にある接合点は、発生させたキャリアの収集量を増し、デバイスの出力電流を増加させる。
以下の記載において、図１を参照しながら同種のエミッタを持つ太陽電池の製造方法を説明する。
背面接続型二重結合太陽電池の製造過程は、以下の好ましい実施の態様によれば、下記の通りである。
出発材料はｐ型導電性基板１であり、図１ａに示されたようにその前面２及び背面３を有している。
図１ｂにおいて、多数のバイア４が基板を貫いて機械で作製される。適当な方法を用いることによって、バイアの開き角αを変えることができる。α＞０°の孔を機械によって作製する方法には、機械的ドリルによる方法や火花放電腐食による方法も含まれる。また、これらの方法は円柱状の孔（α＝０°）を作製するのにも適している。加えて、レーザードリル、ウオータージェットドリル、電子ビームドリル及び超音波ドリルによっても円柱状の孔を作製することができる。また、化学エッチングも利用できるが、この場合には、通常、開口部をはっきりさせるマスクが必要とされるため、工業的な応用としては適当な方法ではない。
円錐状バイア（開き角α＞０°）を作ることによって、以下に記載するように、金属を焼き付けたスクリーンのように商業的生産技術の応用を容易にすることができる。バイアは、基板１を完全に貫いて背面３から前面２まで延在してもよく、また基板１の前面２から短い深さ（２５μｍ以下）だけ延在するようにしてもよい。次に、ウエハを切断し、或いは研削加工で孔を作製した結果として損傷を受けた表面層を化学エッチングステップによって除去する。もし、バイア４が前面２まで達していない場合には、前面２に開口部１１を作製するように、開口部１１を通って十分な量の物質をエッチングするべきである。
上記ステップの後、ｎ型エミッタ領域８が、図１ｄに示されるようにバイアの壁７を含む電池の両面上に形成される。電池の主たる基板部分はバルクのｐ型シリコンのままである。光によって発生したキャリアは、ｎ型エミッタ領域とｐ型バルクの間に形成された接合点に向って拡散していく。さらに、孔の壁にあるｎ型エミッタはまた、基板のｐ型バルクと孔を通っているｎ型接点の間の電気的絶縁を確実なものとしている。
ｎ型エミッタを形成することができる方法には以下のものが含まれる。
（１°）エミッタを作製しようとする電池の地域にリン含有のペーストをスクリーン印刷し、ペーストを乾燥させ、高温炉を用いて形成されたリンケイ酸ガラス（phosphorsilicate glass（ＰＳＧ））を基板表面から内部へ拡散させるステップを行なう。
（２°）三塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ₃）のようなガス状出発物質を用いて基板表面上にＰＳＧを形成し、表面領域への拡散を行なわせる。
（３°）スピン−オンおよびスプレー−オンデポジション法。
（４°）イオン注入のようなその他の方法もまた可能であるが、未だ工業的レベルにないものである。
背面においてのｐ型バルク領域との接続は予定されたものである。一つについては記載されているように太陽電池の製造プロセスにおいて上げられる重要な問題として、短絡コンダクタンスを避けるためのｐ型及びｎ型接点との間の絶縁にある。それゆえ、背面の部分にはｎ型エミッタを設けないか又はｎ型エミッタ領域のみを分離して形成されるべきである。利用可能な方法としては、図１ｃに記載されているように適当なマスク層を用いることによって背面の部分を拡散から締め出す方法から、ｐ型バルク接点への予定された地域への拡散の後にｎ型エミッタ領域を除去する方法まである。
太陽電池には最終的に金属接点が使用される。その実現にはスクリーン印刷のようによく知られた金属化手法を用いることができる。スクリーン印刷によって、背面にｎ型接点を形成し、バイア４の金属化を行なうという組み合わせができる。バイアはある程度金属化されるべきであり、それによって金属は少なくとも前面と背面のｎ型接点間の導電路を形成する。採りうるものとしては、図１ｅに表現されたように、バイアはバイア内を完全に満たして前面に達するまで延ばして金属化される。
ｎ型接点が電池の前面２上に形成され、図１ｆに示したように、すでに金属化されたバイアとの接点が形成される。前面上のこのｎ型接点は、狭い金属フィンガーからなり、すなわち導電性経路の各部分は、図２及び図３に示したように前面の開口部を経由して少なくとも前記部分の一つへと向っているものである。
電池のｐ型接点は背面に形成され、それによって上述した背面上のｎ型接点から分離された背面上に金属線の第２グリッドを形成する。金属接点の使用によって適切な実現が可能となる。
上述したような最も本質的なプロセスステップを基礎として、電池の性能を改良するために、当業者に知られたさらなるプロセスのステップを付加することができる。
（１°）バイア形成後のエッチングステップの後に、表面構造化ステップを用いてもよい。表面構造化の目的は、電池の前面からの反射を減らすことであり、電池内に入れるためにより軽くすることができ、そうして電池のより高い出力電流を導くことができる。表面構造化の種々の技術は当業者に知られたものである。
（２°）電池の表面を不動態化するために、エミッタ拡散ステップの後、酸化を行なってもよい。その結果としてできるＳｉＯ２層は、シリコンへの金属接点を作製するにあたっていかなる障壁ともならない。金属グリッドの酸化物を通ってシリコンと接続するための技術は十分に確立されている。
（３°）太陽電池の前面は、反射損失をさらに減らすために反射防止被覆（ＡＲＣ）層で被覆してもよい。
以下に、上述の前面金属グリッドの考えられる形成方法を述べる。
（１°）バイアの数はフィンガーの数と一致する必要はない。一つ又は複数のフィンガーが前記フィンガーの一つと接続する構成は、図３に示されているようにして実現できる。このレイアウトの利点は、バイアの総数をさらに減少させることができることであり、これによって孔の製造プロセスのスピードアップを可能にする。
（２°）並列のフィンガーとは別の異なる前面接点グリッドもまた、バイアと結合でき、背面に収集された電流を導くことができる。
（３°）バイアは２つの線に沿って配置される必要はない。バイアの代替の配置として前面を金属化することを選択することができる。
本発明により開示された太陽電池構造体はまた、選択的エミッタを持つ電池にも用いることができる。選択的エミッタを持つ電池においては、金属接点に隣接するドーパンド濃度は、入射光を受光する電池の開放地域よりも高い。
出発物質としてｐ型基板を用いる代わりに、上述されたｎ型基板のプロセスステップを適用することも可能であり、これは上述の記載について一定の導電性電池における各領域の逆転したものに一致するからである。
図４は、背面の金属化構成の例を示している。電池及び基板本体の背面上のエミッタは互いに接触しており、接合点は、前面上の第１キャリア収集接合点に加えて第２キャリア収集接合点として用いられる。この構成では、バルク１５との接点フィンガー及び背面エミッタ１６との接点フィンガーとからなる櫛形交差構造（interdigitated structure）を結果として生じさせる。
ここに記述された背面金属化構造は、単一の太陽電池内での電気的な内部接続を容易なものにしてくれる。その例としては、図５に二つの電池の直列接続を示しており、これは、第１電池の端のｎ型接続器と隣接する第２電池の端のｐ型接続器について、互いに並べて配置することによって実現できる。電気的接続は、両方の接続器にまたがる広い伝導性リード１７を適用することによって容易に確立される。このような電池の内部接続の方法によって、モジュール内の電池が密集した充填を得ることができ、また、従来の電池の接続では一つの電池の前面から次の電池の背面へ接続ワイヤーを延ばす必要があったが、本発明により従来の電池の接続よりも簡素化できる。

Claims (21)

1. 半導体基板内に設けられた太陽電池であって、
   前記基板は、放射線を受取る前面と背面とを少なくとも有すると共に、前記前面から前記背面まで延在している複数のバイアを有し、
   前記基板は、第１型導電性の第１領域と前記第１型とは反対型の第２型導電性の第２領域からなり、
   前記第２領域は、前記前面の表面と、前記背面の表面と、前記バイアの内壁とにわたって連続するエミッタ領域であり、
   前記前面が、前記第２領域との第１導電性接点を有しており、
   前記背面が、前記第１領域との第２導電性接点と、前記第２領域との第３導電性接点とを有しており、
   前記背面上の前記第２領域との前記第３導電性接点が、前記前面上の前記第２領域との前記第１導電性接点と前記バイアを介して接続している太陽電池。
2. 前記基板の前記第１領域がｐ型導電性であるのに対して前記第２領域がｎ型導電性である請求項１に記載の太陽電池。
3. 前記基板の前記第１領域がｎ型導電性であるのに対して前記第２領域がｐ型導電性である請求項１に記載の太陽電池。
4. 前記バイアが円錐形状又は円柱形状のいずれかである請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽電池。
5. 前記前面上にある前記第１導電性接点が多数の狭い金属フィンガーからなると共に、前記金属フィンガーである導電性経路の各部分が前記前面上の開口部を経由して前記導電性経路の部分の少なくとも一つに向っている請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。
6. 前記前面上の前記第１導電性接点が多数の狭い金属フィンガーからなるとともに、前記金属フィンガーの総数が前記バイアの一つの列内のバイア数よりも多い、請求項５に記載の太陽電池。
7. 前記前面上の前記第１導電性接点が多数の並列に配置された金属フィンガーからなるとともに、前記金属フィンガーの総数が前記バイアの一つの列内のバイア数とちょうど一致する請求項６に記載の太陽電池。
8. 前記電池が約１０ｃｍ×１０ｃｍよりも小さい面積を有するものであって、前記バイアの数が電池当り１００以下である請求項１から７のいずれか一項に記載の太陽電池。
9. 前記前面上に反射防止被覆層が積層されている請求項１から８のいずれか一項に記載の太陽電池。
10. 第１型導電性の第１領域と前記第１型とは反対型の第２型導電性の第２領域とを有する半導体基板内に設けられた太陽電池であって、前記基板が放射線を受取る前面及び前記第１領域と前記第２領域との各導電性接点を設ける背面とによって形成される、太陽電池の製造方法であって、
    前記基板を貫いて多数のバイアを機械的に作成するステップと、
    前記バイアを化学的にエッチング処理するステップと、
    前記バイアの壁を含めた前記基板内にリン又はその他のドーパンドを導入して、さらに前記前面及び前記背面の少なくとも部分を覆うように延在させて、前記前面の表面と、前記背面の表面と、前記バイアの内壁とにわたって連続するエミッタ領域であり、キャリアを収集する接合点として機能する、前記第２領域を作製するステップと、
    前記太陽電池の前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれに導電性接点を設けるステップであって、前記前面上の前記第２領域との第１導電性接点を設け、前記背面の第１領域との第２導電性接点を設けると共に、前記背面の第２領域との第３導電性接点を設ける、複数の導電性接点を設けるステップと、
    前記バイアを金属化して、前記金属化によって前記前面上の前記第２領域との前記第１導電性接点と、前記背面上の前記第３導電性接点の少なくとも一つとの間に導電性の経路を形成するステップと、
    を含む、太陽電池の製造方法。
11. 前記接点を形成するステップと、前記バイアを金属化するステップと、を実質的に同時に行なう請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
12. 前記金属接点を焼成するステップと、
    ベース接点を形成しようとする前記背面上の箇所にマスク層を積層するステップと、
    前記バイアの壁を含めた前記基板の前記マスク層によって被覆されていない面内にドーパンドを拡散させて、前記第２領域を作製するステップと、
    前記基板内への前記ドーパンドの導入ステップ後に前記電池の面上にある被覆マスク層を除去するステップと、
    をさらに含む請求項１０又は１１の太陽電池の製造方法。
13. 前記バイアが、前記背面から前記前面まで達していない場合であって、前記前面から十分な量の物質をエッチングして、前記前面に前記バイアの開口部を作製する請求項１０から１２のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
14. 前記リン拡散が、リン含有ペーストをスクリーン印刷して前記エミッタを作製すると共に、前記ペーストを乾燥させ、次いで高温炉を使用して形成されたリンケイ酸ガラスを前記基板の表面領域内に拡散させる請求項１０から１３のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
15. 前記リン拡散が、出発物資としてガス状物質を用いて行なわれ、前記基板の表面上にリンケイ酸ガラスを作製して表面領域内に拡散させる請求項１０から１４のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
16. 前記リン拡散が、スピン−オン又はスプレー−オンデポジション法により行なわれる請求項１０から１５のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
17. 前記リン拡散が、イオン注入法により行なわれる、請求項１０から１６のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
18. 前記保護マスク層の除去が、前記基板を希薄フッ化水素ＨＦ中に浸し、その後、酸化剤により酸化させた前記マスク層を希釈させたフッ化水素中で除去する二段階洗浄の組み合わせにより行なう請求項１０から１７のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
19. 前記金属接点の積層をスクリーン印刷法により行なうことよりなる請求項１０から１８のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。
20. 金属接点を焼成するステップをさらに含む、請求項１９に記載の太陽電池の製造方法。
21. 前記基板として、その厚さが少数キャリアの拡散距離より大きい基板を用いる、請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。

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