JP4325912B2 - 太陽電池素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池素子に関し、特に一主面側に多数の微細な突起を有する太陽電池素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の太陽電池素子を図3に示す。図3において、1は半導体基板、2は微細な突起、4は拡散層、5は反射防止膜、6は表面電極、7は裏面電極(銀電極)、8は裏面電極(アルミニウム電極)を示す。
【0003】
例えばP型半導体基板1の一主面側に反射防止のための多数の微細な突起2を形成し、表面近傍の全面に一定の深さまでN型不純物を拡散させてN型を呈する拡散層4を設け、半導体基板1の一主面側に窒化シリコン膜などから成る反射防止膜5を設け、一主面側に表面電極6を設けるとともに、他の主面側にアルミニウム電極8と銀電極7とで構成される裏面電極7、8を設けている。また、半導体基板1の他の主面側には高濃度のP型拡散層(図不示)が形成される。
【0004】
これらの太陽電池素子を形成するには反応性イオンエッチング法を用いて一主面側に多数の微細な突起2を形成して反射防止膜5を成膜した後、この反射防止膜5の上に表面電極材料を塗布して焼成することによって、電極材料の下の反射防止膜5を溶融させて半導体基板1と直接接触させる方法が一般的である(例えば特許文献1参照)。
【0005】
図3に示すような太陽電池は、一導電型の半導体基板1の一主面側に逆の導電型不純物を均一に拡散することにより拡散層2が形成されている。太陽光の照射により半導体基板1内部で発生した電子−正孔対はP型半導体基板1とN型拡散層4の界面である接合の電界により、N型及びP型領域に分離される。これを両面の電極から取り出すことで電力を得ることができる。しかし、光照射により半導体基板1の内部で発生した電子と正孔は不純物拡散層2の表面で一部が再結合してしまう。したがって太陽電池の変換効率を向上させるためにはこの表面再結合を低減することが重要である。表面再結合を低減するためには表面の不純物濃度が低い方がよい。
【0006】
しかし、表面電極6と拡散層4の接触部分では不純物濃度が低い場合、接触抵抗が増大して太陽電池の変換効率が低下してしまう。また、電極の突抜けによるリーク電流増大を防ぐためにも電極6下部の拡散層4は深い、即ち高濃度の方が好ましい。これらの相反する条件を満足する方法として、一主面側の電極下部に当たる部分に高濃度拡散層を形成し、それ以外の受光領域を低濃度とする選択的不純物拡散法が考案されている(例えば、非特許文献1参照)。
【0007】
図4はこのような太陽電池素子を示す図である。図4において1は半導体基板、4は拡散層、5は反射防止膜、6は表面電極、7は銀電極、8はアルミニウム電極、9は高濃度拡散層を示す。
【0008】
例えばP型半導体基板1の表面近傍の全面にN型不純物を拡散させてN型を呈する拡散層4を設け、半導体基板1の一主面側に窒化シリコン膜などから成る反射防止膜5を設け、一主面側に表面電極6を設けるとともに、表面電極6下の半導体基板1には高濃度拡散層9が形成されている。さらに、他の主面側にはアルミニウム電極8と銀電極7とで構成される裏面電極7、8を設けている。また、半導体基板1の他の主面側には高濃度のP型拡散層(図不示)が形成される。
【0009】
従来、この方法を実現するには拡散を二度行う方法が行われてきた。すなわち、まず高濃度拡散層9を形成した後、電極のパターンにマスキングを施し、マスク部以外の高濃度拡散層をエッチングして除去する。その後、エッチングされた部分に拡散層4を形成する方法である。
【0010】
【特許文献1】
特開平11−307792号公報
【非特許文献1】
Jianhua Zhao,etc."22.3% EFFICIENT SILICON SOLAR CELL MODULE" 25th Photovoltaic Specialists Conf.(1996) P.1203-1206
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法によると拡散の高温熱処理工程を二回行うため、熱衝撃により基板が割れやすいという問題があった。
【0012】
また、図2に示すような一主面側に凹凸を有する太陽電池素子で、高濃度拡散層9を形成した後、電極のパターンにマスキングを施し、マスク部以外の高濃度拡散層をエッチングして除去するという方法を行うと、先に形成した半導体基板1の一主面側の微細な凹凸2の形状が崩れてしまい、充分に反射防止の効果を得られなくなるという問題も発生する。
【0013】
本発明は、このような従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、半導体基板の一主面側に多数の微細な突起を有する太陽電池素子において、熱処理工程を追加せずに表面電極6下に高濃度拡散層を形成した太陽電池素子を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る太陽電池素子は、一主面に多数の微細突起が形成された一導電型半導体基板と、前記多数の微細突起のうちの一部の微細突起上に設けられた表面電極と、を備え、前記多数の微細突起は、他の導電型不純物が拡散された拡散層を有しており、前記多数の微細突起のうちの前記表面電極下の前記一部の微細突起は、それ以外の他の前記微細突起よりもアスペクト比が大きいことを特徴とする。
【0015】
上記目的を達成するために、本発明に係る太陽電池素子の製造方法は、一導電型半導体基板の一主面に多数の微細突起を形成するとともに、一部の前記微細突起のアスペクト比が、それ以外の他の前記微細突起のアスペクト比よりも大きくなるように前記多数の微細突起を形成する工程と、前記多数の微細突起に他の導電型不純物を熱処理によって拡散して拡散層を形成する工程と、前記多数の微細突起のうちのアスペクト比が大きい前記一部の微細突起上に表面電極を設ける工程と、を備えることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。図1に本発明に係る太陽電池素子を示す。図1において1は半導体基板、2は微細な突起、3は電極下の微細な突起、4は拡散層、5は反射防止膜、6は表面電極、7は裏面電極(銀電極)、8は裏面電極(アルミニウム電極)を示す。
【0018】
本発明に係る太陽電池素子も従来の太陽電池素子と略同様である。すなわち、例えばP型半導体基板1の一主面側に反射防止のための多数の微細な突起2を形成し、表面近傍の全面に一定の深さまでN型不純物を拡散させてN型を呈する拡散層4を設け、半導体基板1の一主面側に窒化シリコン膜などから成る反射防止膜5を設け、一主面側に表面電極6を設けるとともに、他の主面側にアルミニウム電極8と銀電極7とで構成される裏面電極7、8を設けている。また、半導体基板1の他の主面側には高濃度のP型拡散層(図不示)が形成される。
【0019】
本発明においては、表面電極6下の微細な突起3は、それ以外の領域の微細な突起2よりもアスペクト比(突起の高さ/突起の幅)が大きくなるように形成する。このようにすることにより、アスペクト比の大きい表面電極6下の微細な突起3のほうが、表面電極6下以外のアスペクト比の小さい微細な突起2よりもN型不純物が高濃度に拡散されることになり、一回の熱拡散で表面電極6下に高濃度拡散層9を形成することができる。
【0020】
これについて図を用いてさらに詳しく説明する。図2はアスペクト比の異なる突起への拡散状態を説明するための模式図であり、(a)はアスペクト比の大きい突起、(b)はアスペクト比の小さい突起を示す図である。図において、2は微細な突起、4は拡散層を示す。拡散層4の濃度と深さはたとえばシリコン基板1中に不純物としてリンを拡散させる場合、シリコンに対するリンの拡散係数、シリコン中のリンの最大溶解度、拡散温度および拡散時間などによって決まる。このことから、同時に拡散を行えば(a)のようにアスペクト比の大きい突起はその左右から拡散が進み、やがて突起の全てがリンの拡散層となり、それがさらに進めば徐々に高濃度になる。一方(b)のようにアスペクト比の小さい突起は、その表面に均一に拡散層4が形成されていくことになる。
【0021】
また、本発明においては、表面電極6下の微細な突起3はそれ以外の領域の微細な突起2よりも高さが高いほうがよい。このようにすることにより、一回の熱拡散でより有効に表面電極6下に高濃度拡散層9を形成することができる。また、表面電極6を形成するために銀粉末を主成分とする電極材料を塗布しても、銀粉末の粒径以下の隙間に電極材料が入り込むことはないので、表面電極6は微細な突起3の頂上部の特に高濃度の拡散層を有する部分のみと接触し、拡散層4は微細な突起2の高さ分さらに深いものとなる。
【0022】
また、本発明においては、表面電極6下の互いに隣り合う微細な突起3の頂点の距離はそれ以外の領域の互いに隣り合う微細な突起2の頂点の距離より短くてもよい。このようにすることにより、一回の熱拡散でより有効に表面電極6下に高濃度拡散層9を形成することができる。また、微細な突起3の間で電極材料が入り込む深さが浅くなり、表面電極6は微細な突起3の頂上部の特に高濃度の拡散層を有する部分のみと接触し、拡散層4は微細な突起2の高さ分深いものとなる。
【0023】
本発明に係る太陽電池素子の製造方法の一例を説明する。まず、半導体基板1としてP型を呈する板状のシリコン基板1の一主面側に、反応性イオンエッチング法などを用いて全面に微細な突起2を多数形成する。微細な突起2は入射光を閉じこめて反射率を低減させ、太陽電池素子の短絡電流を増大させる。なお、前記微細な突起2の幅は2μm以下が望ましい。2μm以上であるとエッチングの処理時間が長くなる反面、シリコン基板1の一主面側での反射率はさほど低減されない。
【0024】
次に、電極形成予定領域以外の受光予定領域の部分に耐プラズマ性レジストをプリントし、再び反応性イオンエッチング法などで電極形成予定領域に表面電極6下の微細な突起3を形成する。このとき、形成する微細な突起3の幅は1μm以下が望ましい。なぜなら、この後に行う不純物拡散で形成される拡散層4の深さはおよそ0.5μm以下であるため、突起の幅が1μm以上であると不純物の集中が起こらず、高濃度に拡散された突起が形成し難いからである。
【0025】
また、突起のアスペクト比は0.5以上であることが望ましい。アスペクト比が0.5未満であると、表面電極6下の微細な突起3の根元部分が太くなり、高濃度に拡散されない部分が出来る。この部分に表面電極6が形成されると接合の突抜けが起こり易く、リーク電流が増大して太陽電池素子の出力特性が低下する。
【0026】
また、微細な突起2、3の形成は反応性イオンエッチング法で行うことが望ましい。反応性イオンエッチング法は、ガスの成分比やエッチング時間を調整することで突起の形状を任意に変えることが可能であり、本発明に係る太陽電池素子の微細な突起2、3の形状を比較的容易に形成出来る。微細な突起2を形成する際の3〜5倍の流量の塩素を流すことにより、微細な突起3を形成することができる。
【0027】
その後、例えばPOCl3など不純物元素を含むガス中で熱処理を行ったり、不純物元素を含む薬液を基板表面に塗布した後、熱処理を行うなどにより拡散処理を行う。これにより一回の拡散で、表面電極6下以外の領域の微細な突起2の下には拡散層4が形成され、表面電極6下の微細な突起3の下には局部的に高濃度拡散層9が形成される。
【0028】
次に、半導体基板1の一主面側にCVD装置などで反射防止膜6を形成し、拡散層4を分離する。
【0029】
その後、表面電極6下の微細な突起3の上に銀などからなる電極材料を塗布するとともに、他の主面側にはアルミニウムを主成分とする電極材料と、銀を主成分とする電極材料を塗布して焼き付けることにより、表面電極6および裏面電極7、8を形成して図1に示す太陽電池素子を得ることができる。
【0030】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。例えば本発明に係る太陽電池素子の製造方法はこれに限定されるものではなく、例えば微細な突起を形成する順番や形成方法はその一例である。
【0031】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る太陽電池素子においては、一導電型半導体基板の一主面側に多数の微細な突起と他の導電型不純物の拡散層と表面電極を有するとともに、他の主面側に裏面電極を有する太陽電池素子において、上記一主面側の表面電極下の微細な突起はそれ以外の領域の微細な突起よりもアスペクト比を大きくする。このようにすることにより、アスペクト比の大きい表面電極下の微細な突起のほうがそれ以外の領域のアスペクト比の小さい微細な突起よりも高濃度に拡散されることになり、一回の熱拡散で表面電極下に高濃度拡散層を形成することができる。つまり、表面再結合を低減するために表面の不純物濃度を下げると同時に、接触抵抗を低減し、電極の突抜けによるリーク電流の増大抑制するための、高濃度拡散層を表面電極下に有する太陽電池素子を一回の熱拡散によって得ることができる。
【0032】
また、表面電極下の微細な突起の高さをそれ以外の領域の微細な突起の高さよりも高くする。このようにすることにより、一回の熱拡散でより有効に表面電極下に高濃度拡散層を形成することができるとともに、表面電極を形成するために銀粉末を主成分とする電極材料を塗布しても、銀粉末の粒径以下の隙間に電極材料が入り込むことはないので、表面電極は微細な突起の頂上部の特に高濃度の拡散層を有する部分のみと接触し、拡散層は微細な突起の高さ分さらに深いものとなる。
【0033】
さらに、表面電極下の互いに隣り合う微細な突起の頂点の距離はそれ以外の領域の互いに隣り合う微細な突起の頂点の距離よりも短くしてもよい。このようにすることにより、一回の熱拡散でより有効に表面電極下に高濃度拡散層を形成することができる。また、微細な突起の間で電極材料が入り込む深さが浅くなり、表面電極は微細な突起の頂上部の特に高濃度の拡散層を有する部分のみと接触し、拡散層は微細な突起の高さ分深いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る太陽電池素子の一実施例を示した図である。
【図2】本発明に係る太陽電池素子のアスペクト比の異なる突起への拡散状態を説明するための模式図であり、(a)はアスペクト比の大きい突起、(b)はアスペクト比の小さい突起を示す図である
【図3】従来の太陽電池素子の一実施例を示した図である。
【図4】従来の太陽電池素子の他の実施例を示した図である。
1・・・半導体基板、2・・・微細な突起、3・・・表面電極下の微細な突起、4・・・拡散層、5・・・反射防止膜、6・・・表面電極、7・・・裏面電極(銀電極)、8・・・裏面電極(アルミニウム電極)、9・・・高濃度拡散層
Claims (8)
- 一主面に多数の微細突起が形成された一導電型半導体基板と、
前記多数の微細突起のうちの一部の微細突起上に設けられた表面電極と、
を備え、
前記多数の微細突起は、他の導電型不純物が拡散された拡散層を有しており、
前記多数の微細突起のうちの前記表面電極下の前記一部の微細突起は、それ以外の他の前記微細突起よりもアスペクト比が大きいことを特徴とする、太陽電池素子。 - 前記多数の微細突起のうちの前記表面電極下の前記一部の微細突起における前記拡散層は、それ以外の他の前記微細突起における前記拡散層よりも、前記他の導電型不純物の濃度が高くなっていることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記拡散層の前記他の導電型不純物は、熱処理によって拡散されていることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池素子。
- 前記多数の微細突起のうちの前記表面電極下の前記一部の微細突起は、それ以外の他の前記微細突起よりも高さが高いことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の太陽電池素子。
- 前記多数の微細突起のうちの前記表面電極下の前記一部の微細突起における隣り合う微細突起の頂点間の距離は、それ以外の他の前記微細突起における隣り合う微細突起の頂点間の距離よりも短いことを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池素子。
- 一導電型半導体基板の一主面に多数の微細突起を形成するとともに、一部の前記微細突起のアスペクト比が、それ以外の他の前記微細突起のアスペクト比よりも大きくなるように前記多数の微細突起を形成する工程と、
前記多数の微細突起に他の導電型不純物を熱処理によって拡散して拡散層を形成する工程と、
前記多数の微細突起のうちのアスペクト比が大きい前記一部の微細突起上に表面電極を設ける工程と、
を備えることを特徴とする、太陽電池素子の製造方法。 - 前記多数の微細突起を形成する工程において、前記多数の微細突起のうちのアスペクト比が大きい前記一部の微細突起の高さが、それ以外の他の前記微細突起の高さよりも高くなるように前記多数の微細突起を形成することを特徴とする、請求項6に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記多数の微細突起を形成する工程において、前記多数の微細突起のうちのアスペクト比が大きい前記一部の微細突起における隣り合う微細突起の頂点間の距離が、それ以外の他の前記微細突起における隣り合う微細突起の頂点間の距離よりも短くなるように前記多数の微細突起を形成することを特徴とする、請求項6又は7に記載の太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003037067A JP4325912B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 太陽電池素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003037067A JP4325912B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 太陽電池素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004247595A JP2004247595A (ja) | 2004-09-02 |
JP4325912B2 true JP4325912B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=33021989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003037067A Expired - Fee Related JP4325912B2 (ja) | 2003-02-14 | 2003-02-14 | 太陽電池素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4325912B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101181820B1 (ko) | 2005-12-29 | 2012-09-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 |
JP5165906B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2013-03-21 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
JP4974756B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池素子の製造方法 |
KR20090091562A (ko) * | 2008-02-25 | 2009-08-28 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101010286B1 (ko) | 2008-08-29 | 2011-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 |
DE112010005695T5 (de) * | 2010-06-25 | 2013-04-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Solarbatteriezelle und Verfahren zum Herstellen der Solarbatteriezelle |
KR101680384B1 (ko) * | 2010-10-21 | 2016-11-28 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 |
KR101642153B1 (ko) * | 2010-10-21 | 2016-07-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
JP6392717B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2018-09-19 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
CN113284957B (zh) | 2021-04-21 | 2022-09-23 | 华为技术有限公司 | 太阳能电池和电子设备 |
-
2003
- 2003-02-14 JP JP2003037067A patent/JP4325912B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004247595A (ja) | 2004-09-02 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051114 |
|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090605 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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