JPS63211773A - 化合物半導体太陽電池 - Google Patents

化合物半導体太陽電池

Info

Publication number
JPS63211773A
JPS63211773A JP62045636A JP4563687A JPS63211773A JP S63211773 A JPS63211773 A JP S63211773A JP 62045636 A JP62045636 A JP 62045636A JP 4563687 A JP4563687 A JP 4563687A JP S63211773 A JPS63211773 A JP S63211773A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
electrode
crystal substrate
electrodes
conductivity type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62045636A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Murotani
室谷　利夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62045636A priority Critical patent/JPS63211773A/ja
Publication of JPS63211773A publication Critical patent/JPS63211773A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0693—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells the devices including, apart from doping material or other impurities, only AIIIBV compounds, e.g. GaAs or InP solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、ｐ、ｎ両電極を結晶基板の裏面に形成し、
両電極を同一方向から取り出せるようにした高性能の化
合物半導体太陽電池に関するものである。
（従来の技術） 第２図は従来のＧａＡｓ太陽電池のセル構造を示す図で
ある。この図において、１はｎ形ＧａＡｓ結晶基板、２
はこのｎ形ＧａＡｓ結晶基板１の表面にエピタキシャル
成長したｎ形ＧａＡｓ層、３はｐ形ＧａＡｓ層、４は前
記ｐ形ＧａＡｓ層３で発生した電子が表面再結合により
消滅するのを防ぐためのｐ形ＡｌＧａＡｓ層、５は前記
ｐ形ＧａＡｓ層３表面より太陽光の反射を防ぐための反
射防止膜、６はグリッド電極、７は前記ｎ形ＧａＡｓ結
晶基板１の裏面全面に形成されたｎ電極、１１はバス電
極で、アセンブリ時にワイヤをハンダ付けしたり、溶接
したりするための電極である。
次に動作について説明する。
表面より入射した太陽光によって、ｐ形ＧａＡＳ層３．
　ｎ形ＧａＡｓ層２．およびｎ形ＧａＡｓ結晶基板１の
各半導体層中に電子と正孔が発生し、電子はｎ形ＧａＡ
ｓ層２の方へ、正孔はｐ形ＧａＡｓ層３の方へ、それぞ
れ逆方向に拡散し、太陽光による光起電力が発生する。
ここで、ｐ形Ａ　Ｉ　ＧａＡｓ層４の役割は、ＧａＡｓ
よりバンドギャップの大きい半導体をペテロ接合するこ
とにより表面への電子の拡散を防止して、ｐ形ＧａＡｓ
層３で発生した電子が表面再接合により消滅してしまう
ことを防ぐためのものである。
また、反射防止膜５の役割は、太陽光が半導体表面より
反射されることを防いで、有効に太陽光を半導体層中に
入射させることを助けるためのものである。太陽光電流
はグリッド電極６およびｎ電極７より取り出す。この時
、グリッド電極６の真下の半導体層では太陽光が遮蔽さ
れるので無効部分となる。したがって、抵抗が増加しな
いように、かつグリッド電極６の面積をできるだけ少な
くして、有効に太陽光電流を捕集するためのグリッドパ
ターンの設計が種々なされている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のＧａＡｓ太陽電池は以上のように両面から電極を
取り出すように構成されているため、これを実際のシス
テム、例えば人工衛星の太陽電池パドルに実装する際に
は多数のＧａＡｓ太陽電池セルを配置し、セル間をワイ
ヤで接続するので、配線が複雑であり、実装する時の作
業が煩雑であったり、レイダウンの自動化が容易でなく
、アセンブリコストが大きくなったり、また、パドルの
展開時のワイヤ断線などの事故にたいしても特別の配慮
を払う必要があるなど多くの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、太陽電池セルをパドルに実装する際、ワイ
ヤ接続の代わりにインタコネクタのプリント化を行うこ
とができる化合物半導体太陽電池を得ることを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る化合物半導体太陽電池は、第１導電形の
結晶基板表面上に順次エピタキシャル成長した第１導電
形の化合物半導体層、第２導電形の第１の化合物半導体
層、および第２導電形の第２の化合物半導体層と、第２
導電形の第１の化合物半導体層あるいは第２導電形の第
２の化合物半導体層上に形成されたグリッド電極を備え
、第１導電形の結晶基板裏面の区画化された一部に一方
の電極を設け、第１導電形の結晶基板裏面の他の部分に
他方の電極を備え、前記他方の電極と表面のグリッド電
極とを第１導電形の結晶基板に形成したスルーホールを
通してそれぞれ電気的に接続したものである。
〔作用〕
この発明においては、両電極を第１導電形の結晶基板の
裏面に配置し、区画化された他の部分に設けられた電極
を第１導電形の結晶基板表面に形成したグリッド電極に
接続したことから、両電極とも第１導電形の結晶基板の
同一方向から取り出すことができる。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１〜６は第２図と同じものであり、１
６は前記ｎ形ＧａＡｓ結晶基板１の裏面の一部分に区画
化されて形成されたｎ電極、１７は前記ｎ形ＧａＡｓ結
晶基板１の裏面の他の部分に配置されたｐ電極、１８は
前記ｎ形ＧａＡｓ結晶基板１に、インタコネクタのため
に開けられたスルーホールで、所要°数が形成される。
１日は前記各スルーホール１日からｐ形ドーパントを拡
散してｎ形結晶をｐ反転させた拡散層であり、ｐ電極１
７はこの拡散層１９に接触してグリッド電極６と接続さ
れる。
この発明のＧａＡｓ太陽電池の動作は、従来例と同様に
、表面より入射した太陽光によって、ｐ形ＧａＡｓ層３
．　ｎ形ＧａＡｓ層２．およびｎ形ＧａＡｓ結晶基板１
の各半導体層中に電子と正孔が発生し、電子はｎ形Ｇａ
Ａｓ層２の方へ、正孔はｐ形ＧａＡｓ層３の方へ、それ
ぞれ逆方向に拡散し、正負両電荷が分離されて光起電力
を発生する。ここで、ｐ形ＡｌＧａＡｓ層４および反射
防止膜５の役割は従来例と同じである。
電流の取り出しは、発生した電荷をグリッド電極６およ
びｎ電極１６で捕集するが、グリッド電極６はｎ形Ｇａ
Ａｓ結晶基板１に形成された複数のスルーホール１８を
通してｐ電極１７と電気的に接続されているため、裏面
より取り出すことができる。拡散層１９はｐ電極１６が
ｎ形半導体結晶に接触して、電流リークの原因となるの
を防ぐ目的で設けたものである。
このように構成することにより、従来のＧａＡｓ太陽電
池で給電点の役割を果していたバス電極１１は不要とな
る。また、グリッド電極６の極めて近くに複数の給電点
を設けているので、グリッド電極６の一本一本を細かく
しても抵抗増加の心配はなくなり、グリッド電極６全体
の面積を著しく減らすことができ、極めて変換効率の高
い高性能なＧａＡｓ太陽電池が同時に得られる。
なお、上記実施例では、ｎ形ＧａＡｓ結晶基板１上にｎ
形ＧａＡｓ層、ｐ形ＧａＡｓ層およびｐ形ＡＪＺＧａＡ
Ｓ層を順次成長した結晶上に太陽電池を形成したものに
ついて示したが、ｐ形ＧａＡＳ結晶基板上に太陽電池を
形成してもよく、この場合には、上記実施例においてｎ
形とｐ形を入れ替えた構造となり、上記実施例と同様の
効果を奏する。
また、上記実施例では、化合物半導体としてＧａＡｓを
用いたものを示したが、他の化合物半導体を用いること
もできる。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、第１導電形の結晶基板
表面上に順次エピタキシャル成長した第１導電形の化合
物半導体層、第２導電形の第１の化合物半導体層、およ
び第２導電形の第２の化合物半導体層と、第２導電形の
第１の化合物半導体層あるいは第２導電形の第２の化合
物半導体層上に形成されたグリッド電極を備え、第１導
電形の結晶基板裏面の区画化された一部に一方の電極を
設け、第１導電形の結晶基板裏面の他の部分に他方の電
極を備え、この他方の電極と表面のグリッド電極とを第
１導電形の結晶基板に形成したスルーホールを通してそ
れぞれ電気的に接続したので、第１導電形の結晶基板裏
面から両電極を取り出すことができる。したがって、化
合物半導体太陽電池セルを多数配置し、各セル間をワイ
ヤで接続するような場合でも、その配線作業等が極めて
容易となり、また、自動化も容易となる等の効果が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示すＧａＡｓ太陽電池の
斜視図、第２図は従来のＧａＡｓ太陽電池の斜視図であ
る。 図において、１はｎ形ＧａＡｓ結晶基板、２はｎ形Ｇａ
Ａｓ層、３はｐ形ＧａＡｓ層、４はｐ形ＡｌＧａＡｓ層
、５は反射防止膜、６はグリッド電極、１６はｎ電極、
１７はｐ電極、１Ｂはスルーホール、１９は拡散層であ
る。 第１図 第２図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）第１導電形の結晶基板表面上に順次エピタキシャ
    ル成長した第１導電形の化合物半導体層、第２導電形の
    第１の化合物半導体層、および第２導電形の第２の化合
    物半導体層と、前記第２導電形の第１の化合物半導体層
    あるいは前記第２導電形の第２の化合物半導体層上に形
    成されたグリッド電極を備え、前記第１導電形の結晶基
    板裏面の区画化された一部に一方の電極を設け、前記第
    １導電形の結晶基板裏面の他の部分に他方の電極を備え
    、前記他方の電極と表面の前記グリッド電極とを前記第
    １導電形の結晶基板に形成したスルーホールを通してそ
    れぞれ電気的に接続したことを特徴とする化合物半導体
    太陽電池。
  2. （２）スルーホールを介してグリッド電極と接続される
    電極は、ドーパントを選択拡散して形成した拡散層に接
    触するように形成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第（１）項記載の化合物半導体太陽電池。
JP62045636A 1987-02-27 1987-02-27 化合物半導体太陽電池 Pending JPS63211773A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62045636A JPS63211773A (ja) 1987-02-27 1987-02-27 化合物半導体太陽電池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62045636A JPS63211773A (ja) 1987-02-27 1987-02-27 化合物半導体太陽電池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63211773A true JPS63211773A (ja) 1988-09-02

Family

ID=12724849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62045636A Pending JPS63211773A (ja) 1987-02-27 1987-02-27 化合物半導体太陽電池

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63211773A (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4897123A (en) * 1987-11-28 1990-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cells and method for producing solar cells
US5100480A (en) * 1990-04-18 1992-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell and method for manufacturing the same
US5425816A (en) * 1991-08-19 1995-06-20 Spectrolab, Inc. Electrical feedthrough structure and fabrication method
EP0881694A1 (en) * 1997-05-30 1998-12-02 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Solar cell and process of manufacturing the same
JP2002350844A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子、その反射透過層の製造方法、および携帯型電子機器
JP2005510885A (ja) * 2001-11-26 2005-04-21 シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー 背面接点を有する太陽電池の製造
WO2008078741A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 太陽電池モジュール
WO2008078771A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
EP1953828A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-06 Emcore Corporation Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts
JP2008227269A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Sharp Corp 光電変換素子、太陽電池モジュール、太陽光発電システム
JP2008282926A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
WO2009081684A1 (ja) * 2007-12-25 2009-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
DE102008021355A1 (de) 2008-03-14 2009-10-01 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung monokristalliner Solarzellen mit rückseitiger Kontaktstruktur
WO2009123149A1 (ja) 2008-03-31 2009-10-08 京セラ株式会社 太陽電池素子及び太陽電池モジュール
JP2009283479A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Sharp Corp 太陽電池セル、太陽電池モジュール、および、太陽電池セルの製造方法
KR101108474B1 (ko) 2009-05-14 2012-01-31 엘지전자 주식회사 태양 전지
EP2028696A3 (en) * 2007-08-24 2012-02-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and solar cell module

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4897123A (en) * 1987-11-28 1990-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cells and method for producing solar cells
US5100480A (en) * 1990-04-18 1992-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell and method for manufacturing the same
US5425816A (en) * 1991-08-19 1995-06-20 Spectrolab, Inc. Electrical feedthrough structure and fabrication method
EP0881694A1 (en) * 1997-05-30 1998-12-02 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Solar cell and process of manufacturing the same
WO1998054763A1 (en) * 1997-05-30 1998-12-03 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Solar cell and process of manufacturing the same
EP0985233A1 (en) 1997-05-30 2000-03-15 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Solar cell and process of manufacturing the same
US6384317B1 (en) * 1997-05-30 2002-05-07 Imec Vzw Solar cell and process of manufacturing the same
AU751678B2 (en) * 1997-05-30 2002-08-22 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Solar cell and process of manufacturing the same
JP2002350844A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子、その反射透過層の製造方法、および携帯型電子機器
JP2005510885A (ja) * 2001-11-26 2005-04-21 シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー 背面接点を有する太陽電池の製造
WO2008078741A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 太陽電池モジュール
WO2008078771A1 (ja) 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
US9093590B2 (en) 2006-12-26 2015-07-28 Kyocera Corporation Solar cell and solar cell manufacturing method
US8575475B2 (en) 2006-12-26 2013-11-05 Kyocera Corporation Solar cell module with rear contacts
JP5091161B2 (ja) * 2006-12-26 2012-12-05 京セラ株式会社 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
JPWO2008078771A1 (ja) * 2006-12-26 2010-04-30 京セラ株式会社 太陽電池素子及び太陽電池素子の製造方法
JPWO2008078741A1 (ja) * 2006-12-26 2010-04-30 京セラ株式会社 太陽電池モジュール
EP1953828A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-06 Emcore Corporation Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts
EP2290699A3 (en) * 2007-02-02 2014-06-25 Emcore Solar Power, Inc. Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts
JP2008227269A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Sharp Corp 光電変換素子、太陽電池モジュール、太陽光発電システム
JP2008282926A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
EP2028696A3 (en) * 2007-08-24 2012-02-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and solar cell module
JP2009158575A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Sharp Corp 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
WO2009081684A1 (ja) * 2007-12-25 2009-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
DE102008021355A1 (de) 2008-03-14 2009-10-01 Ersol Solar Energy Ag Verfahren zur Herstellung monokristalliner Solarzellen mit rückseitiger Kontaktstruktur
DE102008021355B4 (de) * 2008-03-14 2020-08-20 Solarworld Industries Gmbh Verfahren zur Herstellung monokristalliner Solarzellen mit rückseitiger Kontaktstruktur
WO2009123149A1 (ja) 2008-03-31 2009-10-08 京セラ株式会社 太陽電池素子及び太陽電池モジュール
US9209332B2 (en) 2008-03-31 2015-12-08 Kyocera Corporation Solar cell element and solar cell module
JP2009283479A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Sharp Corp 太陽電池セル、太陽電池モジュール、および、太陽電池セルの製造方法
KR101108474B1 (ko) 2009-05-14 2012-01-31 엘지전자 주식회사 태양 전지
US8288648B2 (en) 2009-05-14 2012-10-16 Lg Electronics Inc. Solar cell
US8999740B2 (en) 2009-05-14 2015-04-07 Lg Electronics Inc. Solar cell

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63211773A (ja) 化合物半導体太陽電池
US4133698A (en) Tandem junction solar cell
JP5302500B2 (ja) 一体型バイパスダイオードを含む太陽電池における信頼性のある内部接続
US5616185A (en) Solar cell with integrated bypass diode and method
US5034068A (en) Photovoltaic cell having structurally supporting open conductive back electrode structure, and method of fabricating the cell
US6359210B2 (en) Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode
US4110122A (en) High-intensity, solid-state-solar cell device
EP1788628B1 (en) Via structures in solar cells with bypass diode
JP2837296B2 (ja) 太陽電池
JP2001189483A (ja) バイパス機能付太陽電池セルおよびバイパス機能付き多接合積層型太陽電池セルおよびそれらの製造方法
EP1443566B1 (en) Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode
JPH0747878Y2 (ja) 太陽電池セル
JPS63211775A (ja) 化合物半導体太陽電池
US4162174A (en) Solar cell array
US4575576A (en) Three-junction solar cell
US4935067A (en) Solar cell and fabrication method thereof
JP4606959B2 (ja) バイパスダイオードを有する太陽電池
JPS60234381A (ja) 太陽電池
JPH06318727A (ja) 太陽電池素子
CN212542456U (zh) 电池组件
JPS6482571A (en) Solar cell and manufacture thereof
TWM542250U (zh) 太陽能電池模組及其佈局結構
JPH0548134A (ja) 太陽電池とその製造方法
US4348545A (en) Process for mounting a protection diode on a vertical multijunction photovoltaic cell structure and photovoltaic cells obtained
JPS58157176A (ja) 太陽電池素子