JP2018137435A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 一部の第１表面に対する前記一部の第２表面上での選択的堆積の方法であって、前記第１および第２表面は、異なる組成物を有し、前記方法は、
   前記第２表面にパッシベーション層がないまま、触媒剤なしで前記第１表面上に気相反応物質から前記パッシベーション層を選択的に形成することと、
   前記パッシベーション層に対して、前記第２表面上に気相反応物質より対象の層を選択的に堆積させることと、を含む、方法。
2. 前記パッシベーション層を選択的に形成することは、前記第１表面上に有機層を選択的に蒸着させることを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記パッシベーション層を選択的に形成することは、前記第１表面上にポリマー層を選択的に堆積させることを含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記パッシベーション層を選択的に形成することは、前記第１表面上にいくらかポリマーを残したまま、前記第２表面からいかなるポリマーをもエッチングすることをさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記パッシベーション層を選択的に形成することは、ポリイミドを堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記第１表面は、金属製材料を備え、前記第２表面は、無機誘電材料を備える、請求項１に記載の方法。
7. 前記対象の層を選択的に堆積させることは、前記第２表面上に誘電材料を堆積させることを含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記第１表面は、無機誘電材料を備え、前記第２表面は金属製材料を備える、請求項１に記載の方法。
9. 前記パッシベーション層を選択的に形成することは、前記第２表面上にパッシベーション遮断層を形成することと、続いて、前記パッシベーション遮断層に対して、前記第１表面上にポリマー層を選択的に蒸着することと、を含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記第１表面から前記パッシベーション層を除去せずに、前記第２表面からパッシベーション遮断層を除去することと、続いて、前記パッシベーション層に対して、第２表面上に前記対象の層を選択的に堆積させることと、をさらに含む、請求項８に記載の方法。
11. 前記対象の層を選択的に堆積させることは、前記第２表面上に誘電材料を堆積させることを含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記対象の層を選択的に堆積させることは、金属層を堆積させることを含む、請求項８に記載の方法。
13. 前記パッシベーション層に対して、前記金属層上に誘電層を選択的に堆積させることをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記第２表面上に前記対象の層を選択的に堆積させた後、前記対象の層を除去せずに、前記第１表面から前記パッシベーション層を選択的に除去することを、さらに含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記対象の層の端部が、前記第１および第２表面の境界と並ぶ、請求項３に記載の方法。
16. 前記対象の層は、前記第１表面と重複する、請求項３に記載の方法。
17. 前記第１表面は、前記第２表面より隆起している、請求項１６に記載の方法。
18. 前記パッシベーション層を除去した後に、前記第２表面を曝露する間隙が、前記対象の層の端部と、前記第１および第２表面の境界との間に存在する、請求項３に記載の方法。
19. 空洞を形成するように、前記間隙の中の前記第２表面を選択的にエッチングすることをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
20. 前記空洞内に空隙を残すように、空洞充填材料を堆積させることをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
    
21. 前記対象の層を選択的に堆積した後、前記対象の層を除去せずに、前記第１表面から前記パッシベーション層を選択的に除去することをさらに含み、前記パッシベーション層を選択的に除去した後、前記パッシベーション層が直接堆積された前記第１表面上に材料が残る、請求項１に記載の方法。
22. 前記対象の層が誘電材料を含み、
    方法は、前記パッシベーション層をエッチバックすることをさらに含み、前記パッシベーション層は先細りの端部形状を有し、これによりエッチバックは、前記パッシベーション層の端部形状の形成を制御して前記第１表面および前記第２表面間の境界に対する前記対象の層の端部位置を制御する、請求項１に記載の方法。
23. 前記対象の層が、前記第２表面に対して４５度未満の傾斜で先細りになっている、請求項２２に記載の方法。