JP2018032874A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
間において、ばらつきが大きく、熱、バイアスまたは光などの影響で変動が起こる場合が
ある。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体
装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、膜中および膜と膜との界面の
水素を排除する。膜と膜との界面の水素を排除するためには、成膜と成膜との間で、基板
を真空下で搬送する。また、大気暴露された表面を持つ基板は、熱処理またはプラズマ処
理によって、表面の水素を除去する。
【選択図】図1
Description
般をいい、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
注目されている。該トランジスタは集積回路(IC)や画像表示装置(表示装置)のよう
な電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜の材料とし
てシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目
されている。
インジウム(In)、ガリウム(Ga)、および亜鉛(Zn)を含む酸化物半導体を用い
たトランジスタが開示されており、酸化物半導体膜の成膜方法としてはスパッタリング法
が最適とされている(特許文献1参照。)。
て、ばらつきが大きく、熱、バイアスまたは光などの影響で変動が起こる場合がある。そ
こで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作
製することを目的とする。
ことが知られている。電子が発生すると、ゲート電圧を印加しなくてもドレイン電流が流
れてしまう。そのため、しきい値電圧がマイナスシフトする。酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタはn型を示すことが多く、しきい値電圧のマイナスシフトによってノーマリーオ
ンの特性となる。ここで、「ノーマリーオン」とは、ゲート電極に電圧を印加しなくても
チャネルが存在し、トランジスタに電流が流れてしまう状態のことをいう。
ランジスタのしきい値電圧が変動する場合がある。しきい値電圧の変動は、トランジスタ
の信頼性を著しく損なう。
、本明細書において「水素」は水素原子または水素イオンを指し、例えば「水素を含む」
と記載した場合、水素分子、炭化水素、水酸基および水などに由来する水素も含む。
界面の水素を排除する半導体装置の作製方法である。膜と膜との界面の水素を排除するた
めには、成膜と成膜との間で、基板を大気に暴露しなければよい。好ましくは基板を真空
下で搬送する。また、大気暴露された表面を持つ基板は、熱処理またはプラズマ処理によ
って、該基板の表面の水素を除去してもよい。
素を低減すればよい。
たはプラズマ処理を行ってもよい。
行う。不活性雰囲気とは、不活性ガス(窒素、希ガス(ヘリウム、ネオン、アルゴン、ク
リプトン、キセノン)など)を主成分とする雰囲気をいい、水素が含まれないことが好ま
しい。例えば、導入する不活性ガスの純度を、8N(99.999999%)以上、好ま
しくは9N(99.9999999%)以上とする。また、不活性雰囲気とは、不活性ガ
スを主成分とする雰囲気で、反応性ガスが0.1ppm未満である雰囲気のことをいう。
反応性ガスとは、半導体や金属などと反応するガスのことをいう。減圧雰囲気とは、圧力
が10Pa以下のことをいう。乾燥空気雰囲気は、露点−40℃以下、好ましくは露点−
50℃以下とすればよい。
きる。特に、基板表面に強く結合している水素の除去に効果的である。
入を抑制することができる。
つきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供される。
酸化物半導体膜への水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高い
トランジスタを有する半導体装置が提供される。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば
容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈され
るものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符
号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを
同じくし、特に符号を付さない場合がある。
を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名
称を示すものではない。
本実施の形態では、膜中および膜と膜との界面への水素の混入が少ないトップゲートトッ
プコンタクト構造の酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方法について説明する。
1のフローと対応した半導体装置の作製方法を示す断面図である。
ート14を3つ有する基板供給室11と、ロードロック室12a及びロードロック室12
bと、搬送室13と、基板処理室15と、リークレートが1×10−10Pa・m3/秒
以下である成膜室10aと、リークレートが1×10−10Pa・m3/秒以下である成
膜室10bと、リークレートが1×10−10Pa・m3/秒以下である成膜室10cと
、を有する。基板供給室は、ロードロック室12a及びロードロック室12bと接続する
。ロードロック室12a及びロードロック室12bは、搬送室13と接続する。基板処理
室15、成膜室10a、成膜室10b及び成膜室10cは、搬送室13とのみ接続する。
各室の接続部にはゲートバルブが設けられており、各室を独立して真空状態に保持するこ
とができる。なお、成膜室10a、成膜室10b及び成膜室10cは、純度が99.99
9999%以上の成膜ガスを導入することができる。図示しないが、搬送室13は一以上
の基板搬送ロボットを有する。ここで、基板処理室15は、水素をほとんど含まない雰囲
気(不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気など)下に制御することができる。
例えば、露点−40℃以下、好ましくは露点−50℃以下の乾燥窒素雰囲気にすることが
できる。ここで、基板処理室15は、基板加熱室とプラズマ処理室を兼ねると好ましい。
枚葉式マルチチャンバーの成膜装置は、処理と処理の間で基板を大気暴露する必要がなく
、基板に水素が吸着することを抑制できる。また、成膜や熱処理などの順番を自由に構築
することができる。なお、成膜室、ロードロック室及び基板処理室の数は、上述の数に限
定されるわけではなく、設置スペースやプロセスに併せて適宜決めればよい。
ト14にセットする。
トバルブを開放し、カセットポート14から基板100をロードロック室12aへ第1の
搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
状態にする。図1の工程S503で示すように、真空状態のロードロック室12aと真空
状態の搬送室13の間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロ
ボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
真空状態の基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を基板処理室15へ
第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
(図2(A)参照。)。基板100を熱処理またはプラズマ処理することによって、基板
100を脱水化または脱水素化処理できる。熱処理の温度は300℃以上基板の歪み点未
満、好ましくは400℃以上550℃以下とし、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空
気雰囲気で行う。抵抗加熱方式などを用いて加熱してもよい。あるいは、加熱されたガス
などの媒体からの熱伝導または熱輻射による加熱(RTA(Rapid Thermal
Anneal)しても用いてもよい。例えば、RTAとして、GRTA(Gas Ra
pid Thermal Anneal)、LRTA(Lamp Rapid Ther
mal Anneal)などを用いることができる。LRTAは、ハロゲンランプ、メタ
ルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムラン
プ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱
する。GRTAは、高温のガスを用いて熱処理を行う。ガスとしては、不活性ガスが用い
られる。RTAによる短時間の熱処理では、基板の歪み点以上の温度でも基板を歪ませな
いことができるため、効率よく脱水化または脱水素化処理できる。例えば、基板温度を5
00℃以上650℃以下とし、処理時間を1分以上10分以下とすればよい。プラズマ処
理は、希ガス、酸素、窒素などの雰囲気で生成したプラズマで基板表面の吸着水素を除去
することができる。また、プラズマ処理では、基板100と強く結合した水素を効率よく
除去することができる。例えば、逆スパッタリング法によってアルゴンプラズマ処理を行
えばよい。
室13と基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の
搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
トバルブを開放し、図1の工程S506で示すように、基板100を成膜室10cへ第2
の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
以上500nm以下の厚さで成膜する(図2(B)参照。)。下地絶縁膜102は、スパ
ッタリング法、分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epit
axy)法、CVD法、パルスレーザ堆積法、原子層堆積(ALD:Atomic La
yer Deposition)法などの成膜方法で成膜する。
化シリコン、酸化ガリウム、酸化ガリウムアルミニウム(GaxAl2−xO3+y(x
は0以上2以下、yは0超過1未満))、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒
化酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムなどを単層または積層して用いる。例えば、
下地絶縁膜102を窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層構造とすると、基板などから
トランジスタ150への水分の混入を防ぐことができる。下地絶縁膜102を積層構造で
形成する場合、後に成膜する酸化物半導体膜106と接する側の膜を加熱により酸素放出
する絶縁膜(酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなど)とするとよい。
こうすることで、下地絶縁膜102から酸化物半導体膜106へ酸素が供給され、酸化物
半導体膜106の酸素欠損、および下地絶縁膜102と酸化物半導体膜106の界面準位
を低減することができる。酸化物半導体膜106の酸素欠損はしきい値電圧のマイナスシ
フトの原因となり、また、下地絶縁膜102と酸化物半導体膜106の界面準位はトラン
ジスタの信頼性を低下させる。
いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford
Backscattering Spectrometry)および水素前方散乱法(
HFS:Hydrogen Forward Scattering Spectrom
etry)を用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50原子%〜70原子%、窒
素が0.5原子%〜15原子%、およびシリコンが25原子%〜35原子%の範囲で含ま
れるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有
量が多いものであって、好ましくは、RBSおよびHFSを用いて測定した場合に、組成
範囲として酸素が5原子%〜30原子%、窒素が20原子%〜55原子%、シリコンが2
5原子%〜35原子%、水素が10原子%〜30原子%の範囲で含まれるものをいう。た
だし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子%と
したとき、窒素、酸素、シリコンおよび水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものと
する。
。また、窒化酸化アルミニウムとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量の多いも
のをいう。
pectroscopy:昇温脱離ガス分光法)分析にて、酸素原子に換算したときの酸
素の放出量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは1.0×1020a
toms/cm3以上、さらに好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上であ
ることをいう。
、以下に説明する。
膜のスペクトルの積分値と、標準試料の基準値に対する比とにより、気体の放出量を計算
することができる。標準試料の基準値とは、所定の原子を含む試料の、スペクトルの積分
値に対する原子の密度の割合である。
び絶縁膜のTDS分析結果から、絶縁膜の酸素分子の放出量(NO2)は、数式1で求め
ることができる。ここで、TDS分析で得られる質量数32で検出されるスペクトルの全
てが酸素分子由来と仮定する。質量数32のものとしてCH3OHがあるが、存在する可
能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数17の
酸素原子および質量数18の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比
率が極微量であるため考慮しない。
料をTDS分析したときのスペクトルの積分値である。ここで、標準試料の基準値を、N
H2/SH2とする。SO2は、絶縁膜をTDS分析したときのスペクトルの積分値であ
る。αは、TDS分析におけるスペクトル強度に影響する係数である。数式1の詳細に関
しては、特開平6−275697公報を参照する。なお、上記絶縁膜の酸素の放出量は、
電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置EMD−WA1000S/Wを用い、標準試料と
して1×1016atoms/cm3の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した
。
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量につ
いても見積もることができる。
酸素の放出量は、酸素分子の放出量の2倍となる。
OX(X>2))であってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン(SiOX(X>2))と
は、シリコン原子数の2倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものをいう。単位体
積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法により測定した
値である。
て、酸素と希ガスの混合ガスを用いる場合、希ガスに対して酸素の混合割合を高めるとよ
い。例えば、全ガス中の酸素の濃度を6%以上100%以下にするとよい。好ましくは酸
化物ターゲットを用いる。
室13と成膜室10cの間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬
送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
放し、基板100を基板処理室15へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブ
を閉じ、その後、基板100を熱処理してもよい。該熱処理は、不活性雰囲気、減圧雰囲
気または乾燥空気雰囲気において150℃以上280℃以下、好ましくは200℃以上2
50℃以下で行う。これにより、基板100および下地絶縁膜102から水素を除去する
ことができる。なお、下地絶縁膜102から水素を除去するが、酸素を極力放出させない
温度であることが好ましい。基板100を熱処理した後、搬送室13と基板処理室15の
間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2の搬送ロボットで搬送した後
、該ゲートバルブを閉じる。
真空状態の成膜室10aの間のゲートバルブを開放し、基板100を成膜室10aへ第2
の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
3nm以上50nm以下の厚さで成膜する(図2(C)参照。)。酸化物半導体膜106
は、スパッタリング法、MBE法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD法などの成膜
方法で成膜する。
−Zn−O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系の材料、In−
Sn−Zn−O系の材料、In−Al−Zn−O系の材料、Sn−Ga−Zn−O系の材
料、Al−Ga−Zn−O系の材料、Sn−Al−Zn−O系の材料や、二元系金属酸化
物であるIn−Zn−O系の材料、Sn−Zn−O系の材料、Al−Zn−O系の材料、
Zn−Mg−O系の材料、Sn−Mg−O系の材料、In−Mg−O系の材料、In−G
a−O系の材料や、In−O系の材料、Sn−O系の材料、Zn−O系の材料などを用い
てもよい。また、上記の材料に酸化シリコンを含ませてもよい。ここで、例えば、In−
Ga−Zn−O系の材料は、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)を有
する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、InとGaとZn以
外の元素を含んでいてもよい。
材料を用いた薄膜により形成してもよい。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoか
ら選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、
GaおよびMnまたはGaおよびCoなどを用いてもよい。
少ないほうがよい。Naは5×1016cm−3以下、好ましくは1×1016cm−3
以下、さらに好ましくは1×1015cm−3以下とする。また、Liは5×1015c
m−3以下、好ましくは1×1015cm−3以下とする。また、Kは5×1015cm
−3以下、好ましくは1×1015cm−3以下とする。特にアルカリ金属のうち、ナト
リウムは酸化物半導体に接する絶縁膜が酸化物であった場合、絶縁膜中に拡散し、Na+
となる。また、酸化物半導体内において、金属と酸素の結合を分断し、または結合中に割
り込む。その結果、トランジスタ特性の劣化(例えば、ノーマリオン化(しきい値電圧の
マイナスシフト)、電界効果移動度の低下等)をもたらす。加えて、特性のばらつきの原
因ともなる。このような問題は、特に酸化物半導体中の水素の濃度が十分に低い場合にお
いて顕著となる。したがって、酸化物半導体中の水素の濃度が5×1019cm−3以下
、特に5×1018cm−3以下である場合には、アルカリ金属の濃度を上記の値にする
ことが強く求められる。
いたスパッタリング法によって成膜する。
3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の酸化物ターゲットを用いる。なお
、ターゲットの材料および組成を上述したものに限定する必要はない。例えば、In2O
3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比の酸化物ターゲットを用い
ることもできる。
9%以下とする。相対密度の高い酸化物ターゲットを用いることによって、成膜する酸化
物半導体膜を緻密な膜とすることができるためである。
はない。
直流(DC)電源を0.5kW、成膜雰囲気をアルゴンと酸素の混合雰囲気(酸素流量比
率33%)とする。なお、パルスDCスパッタリング法を用いると、成膜時に発生する粉
状物質(パーティクル、ごみともいう)が軽減でき、厚さの分布も均一となるため好まし
い。
搬送室13と成膜室10aの間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室13へ第2
の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
真空状態の基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を基板処理室15へ
第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
。熱処理またはプラズマ処理することによって、酸化物半導体膜106を脱水化または脱
水素化処理できる。熱処理の温度は150℃以上基板の歪み点未満、好ましくは250℃
以上470℃以下、とし、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲
気で行う。このとき、酸化物半導体膜106中から水素を除去すると同時に下地絶縁膜1
02から酸化物半導体膜106に酸素を供給してもよい。なお、該熱処理は、図1の工程
S507および図1の工程S508の間に行う熱処理よりも5℃以上高い温度で行うと好
ましい。このような温度範囲とすることで、下地絶縁膜102から酸化物半導体膜106
へ効率よく酸素を供給することができる。
または亜酸化窒素などであって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、熱
処理装置に導入する酸素、オゾン、亜酸化窒素の純度を、8N(99.999999%)
以上、好ましくは9N(99.9999999%)以上とする。酸化性雰囲気には、酸化
性ガスを不活性ガスと混合して用いてもよく、酸化性ガスが少なくとも10ppm以上含
まれるものとする。
うに、搬送室13と基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板100を搬送室1
3へ第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
真空状態の成膜室10bの間のゲートバルブを開放し、基板100を成膜室10bへ第2
の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
を3nm以上30nm以下の厚さで成膜する(図2(D)参照。)。酸化物導電膜128
は、スパッタリング法、MBE法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD法などの成膜
方法で成膜する。
108bとの間に設けることで、ソース領域およびドレイン領域と酸化物半導体膜106
のコンタクト抵抗を低くすることができ、トランジスタを高速動作させることができる。
nO)、インジウムスズ酸化物(In2O3―SnO2、ITOと略記する)、インジウ
ム亜鉛酸化物(In2O3―ZnO)またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含
ませたものを用いることができる。
たは、酸化物半導体膜106と同様の材料をターゲットに用いて、成膜ガスに窒素を含む
スパッタリング法によって成膜しても構わない。
い。例えば、図1の工程S504、図1の工程S510および図1の工程S512のいず
れか一以上を省略しても構わない。その場合、以降の工程も適宜変更してよい。
室13およびロードロック室12bを介して、基板供給室11にあるカセットポート14
に戻せばよい。
マスクを形成し、酸化物半導体膜106および酸化物導電膜128を島状に加工した後、
該レジストマスクを除去する(図4(A)参照。)。
上700nm以下の厚さで成膜し、フォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形
成し、導電膜を加工してソース電極108aおよびドレイン電極108bを形成する。こ
の際、酸化物導電膜128も同時に加工し、該レジストマスクを除去する(図4(B)参
照。)。なお、図示しないが、酸化物導電膜128を加工する際に、酸化物半導体膜10
6の一部がソース電極108aおよびドレイン電極108bの間の領域でエッチングされ
ることがある。その場合、酸化物半導体膜106がソース電極108aおよびドレイン電
極108bの間の領域で消失しないように加工条件を決めるとよい。
Cr、Cu、Ta、Ti、MoおよびWから選ばれた元素を含む金属膜または上述した元
素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜な
ど)を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側および上側の一方また
は双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはこれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜
、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜など)を積層させた構成を用いてもよい。なお
、ソース電極108aおよびドレイン電極108bとなる導電膜を、図3に示すマルチチ
ャンバーの成膜装置を用いて成膜してもよい。
ッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレ
ーザ光などを用いるとよい。
数十nmと極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviolet)を用
いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く
焦点深度も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを短くする
ことが可能であり、回路の動作を速くすることができる。
ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の厚さを有する形
状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパター
ンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調
マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形
成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。
物半導体膜106および酸化物導電膜128と一部が接するゲート絶縁膜112を成膜す
る(図4(C)参照。)。
している酸化物半導体膜106の表面を酸化し、酸素欠損を埋めてもよい。プラズマ処理
を行った場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体膜1
06の一部に接するゲート絶縁膜112を成膜することが好ましい。ゲート絶縁膜112
を、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置を用いて成膜すればよい。
出する絶縁膜であることが好ましい。このとき、トランジスタのゲート絶縁膜として機能
することを考慮して、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムまたは酸化
アルミニウムなどの比誘電率が高い材料を採用してもよい。また、ゲート耐圧や酸化物半
導体との界面状態などを考慮し、酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンに
、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウムなどの
比誘電率の高い材料を積層してもよい。ゲート絶縁膜112の合計の膜厚は、好ましくは
1nm以上300nm以下、より好ましくは5nm以上50nm以下とする。ゲート絶縁
膜が厚いほど短チャネル効果が顕著となり、しきい値電圧がマイナスシフトしやすい傾向
となる。また、ゲート絶縁膜が5nm以下となるとトンネル電流によるリークが増大する
ことがわかっている。
マスクを用いて加工してゲート電極114を形成し、該レジストマスクを除去する(図4
(D)参照。)。ゲート電極114は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、
アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウムなどの金属材料、これらの窒化物、またはこ
れらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、ゲート電極114は
、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。また、導電膜にAlを含む材料を用
いる場合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を380℃以下とすることが好まし
く、特に好ましくは350℃以下とする。また、導電膜にCuを用いる場合も、マイグレ
ーションによる不良やCu元素の拡散を防ぐため、Mo、Ti、Wなどの、Cuよりも融
点の高い金属材料を積層することが好ましい。また、導電膜にCuを含む材料を用いる場
合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を450℃以下とすることが好ましい。ゲ
ート電極114となる導電膜を、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置で成膜してもよ
い。
までを、大気に暴露せずに行うと好ましい。より好ましくは、図3のマルチチャンバーの
成膜装置を用いる。大気に暴露しないことで、膜中および膜と膜との界面の水素を排除す
ることができる。
)のC−D断面における断面図である。なお、図5(A)では、煩雑になることを避ける
ため、トランジスタ150の構成要素の一部(例えば、ゲート絶縁膜112など)を省略
している。
でき、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供
される。また、酸化物半導体膜に接する膜中の水素を低減できるため、酸化物半導体膜へ
の水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有
する半導体装置が提供される。
な装置を少なくすることができる。
本実施の形態では、膜中および膜と膜との界面への水素の混入が少ないボトムゲートトッ
プコンタクト構造の酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方法について説明する。
6の作製フローと対応した断面図である。マルチチャンバーの成膜装置は実施の形態1と
同様の成膜装置を用いる。
ト14にセットする。
トバルブを開放し、カセットポート14から基板200をロードロック室12aへ第1の
搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
状態にする。図6の工程S603で示すように、真空状態のロードロック室12aと真空
状態の搬送室13の間のゲートバルブを開放し、基板200を搬送室13へ第2の搬送ロ
ボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
真空状態の基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板200を基板処理室15へ
第2の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
(図7(A)参照。)。熱処理およびプラズマ処理は、実施の形態1と同様の方法で行え
ばよい。
室13と基板処理室15の間のゲートバルブを開放し、基板200を搬送室13へ第2の
搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
真空状態の成膜室10cの間のゲートバルブを開放し、基板200を成膜室10cへ第2
の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
図7(B)参照。)。下地絶縁膜202は、下地絶縁膜102と同様の構成にすればよい
。
室13と成膜室10cの間のゲートバルブを開放し、基板200を搬送室13へ第2の搬
送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
真空状態の成膜室10aの間のゲートバルブを開放し、基板200を成膜室10aへ第2
の搬送ロボットで搬送した後、該ゲートバルブを閉じる。
(C)参照。)。導電膜213は、ゲート電極114となる導電膜と同様の構成にすれば
よい。
い。例えば、図6の工程S604を省略しても構わない。その場合、以下の工程も適宜変
更してよい。
ロードロック室12bを介して、基板供給室11にあるカセットポート14に戻せばよい
。
板200をプラズマ処理または熱処理し、続いて基板200を搬送室13を介して成膜室
10bに搬送し、絶縁膜を成膜してもよい。該絶縁膜は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリ
コン膜、酸化ガリウム膜、酸化ガリウムアルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化
アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜で構成する。その後
、搬送室13を介して成膜室10aに基板200を搬送し、導電膜213を成膜する。な
お、以上の工程を大気に暴露することなく行う。こうすることで、より膜中および膜と膜
との界面に存在する水素を排除することができる。
して、ゲート電極214を形成する(図8(A)参照。)。
成膜し、続いてゲート絶縁膜212上に酸化物半導体膜206を成膜する(図8(B)参
照。)。ゲート絶縁膜212および酸化物半導体膜206は、それぞれゲート絶縁膜11
2および酸化物半導体膜106と同様の構成とすればよい。
によって、酸化物半導体膜206を脱水化または脱水素化処理できる。熱処理の温度は1
50℃以上基板の歪み点未満、好ましくは250℃以上470℃以下とし、酸化性雰囲気
、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で行う。ゲート絶縁膜212に酸素放
出する絶縁膜を用いる場合、該熱処理によって、ゲート絶縁膜212から酸化物半導体膜
206に酸素を供給することができる。
。酸化物導電膜228は酸化物導電膜128と同様の構成とすればよい。ただし、酸化物
導電膜228を設けない構成としても構わない。
うことが好ましい。膜中および膜と膜との界面の水素を排除でき、トランジスタの電気特
性および信頼性を向上させることができる。なお、ゲート絶縁膜212乃至酸化物導電膜
228の成膜には、図3に示したマルチチャンバーの成膜装置を用いることができる。
、酸化物導電膜228および酸化物半導体膜206を島状に加工する(図8(D)参照。
)。
膜を成膜し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、加
工してソース電極208aおよびドレイン電極208bを形成する。ここで、ソース電極
208aおよびドレイン電極208bの間の酸化物導電膜228も同時に加工し、酸化物
半導体膜206の表面に接して、ソース電極およびドレイン電極の一部と接続するように
酸化物導電膜228を設ける(図8(E)参照。)。ソース電極208aおよびドレイン
電極208bは、ソース電極108aおよびドレイン電極108bと同様の構成とすれば
よい。
とができる。
体膜206およびゲート絶縁膜212に対し、プラズマ処理または熱処理を行ってもよい
。例えば、逆スパッタ処理を行うことでソース電極208aおよびドレイン電極208b
の上端部が曲面を持ち、トランジスタ動作時の電界集中を緩和することができる。また、
酸化性雰囲気のプラズマ処理または熱処理によって、酸化物半導体膜206の膜中または
表面近くの欠陥を修復し、酸素欠損を低減できる。該熱処理は、200℃以上500℃以
下で行えばよい。
化物半導体膜206およびゲート絶縁膜212と一部が接する層間絶縁膜216を成膜し
、続いて層間絶縁膜216上に導電膜222を成膜する(図9(A)参照。)。なお、層
間絶縁膜216は、下地絶縁膜202と同様の構成とすればよい。例えば、層間絶縁膜2
16の一部を窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ガリウムアル
ミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜ま
たは窒化アルミニウム膜とすることで、外部から入り込む水素を低減することができて好
ましい。導電膜222は、ゲート電極214または酸化物導電膜228と同様の材料を用
いればよい。なお、層間絶縁膜216を成膜した後、熱処理を酸化性雰囲気、不活性雰囲
気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で250℃以上350℃以下で行ってもよい。該熱
処理を行うことで、層間絶縁膜216に酸素放出する絶縁膜を用いる場合、層間絶縁膜2
16から酸化物半導体膜206に酸素を供給することができる。また、供給された酸素は
、酸化物半導体膜206と層間絶縁膜216との界面またはその近傍の酸素欠損を低減し
、かつ層間絶縁膜216の一部を窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜
、酸化ガリウムアルミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸
化アルミニウム膜または窒化アルミニウム膜とすることによって、供給された酸素が外方
拡散することを防ぐことができる。即ち、酸化物半導体膜206およびその近傍に新たな
酸素欠損が生じにくいことにより、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを作製す
ることができる。
体膜206およびゲート絶縁膜212に対するプラズマ処理または熱処理から導電膜22
2の成膜までを大気に暴露せず行うと好ましい。膜中および膜と膜との界面の水素を排除
でき、トランジスタの電気特性および信頼性を向上させることができる。なお、図3に示
したマルチチャンバーの成膜装置を用いればよい。
膜222をバックゲート電極224に加工する(図9(B)参照。)。
ジスタ252を作製することができる。
てもよい(図9(C)参照。)。保護絶縁膜226は、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコ
ン膜または酸化アルミニウム膜を、スパッタリング法またはCVD法で成膜すればよい。
保護絶縁膜226を設けることで、トランジスタ252内へ外部からの水素の混入を抑制
できる。
でき、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供
される。また、酸化物半導体膜に接する膜中の水素を低減できるため、酸化物半導体膜へ
の水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有
する半導体装置が提供される。
な装置を少なくすることができる。
本実施の形態では、実施の形態2とは異なる膜中および膜と膜との界面への水素の混入が
少ないボトムゲートトップコンタクト構造の酸化物半導体を用いたトランジスタの作製方
法について図10を用いて説明する。なお、図6のフローおよび図7までは、実施の形態
2と同様の作製工程である。
作製工程と同様である。
たはプラズマ処理することによって、酸化物半導体膜206を脱水化または脱水素化処理
できる。熱処理の温度は150℃以上基板の歪み点未満、好ましくは250℃以上470
℃以下とし、酸化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気で行う。
図10(C)参照。)。酸化物導電膜328は酸化物導電膜128と同様の構成とすれば
よい。なお、酸化物導電膜328を設けない構成としても構わない。また、導電膜308
は、後に加工してソース電極308aおよびドレイン電極308bとなる。導電膜308
は、ソース電極108aおよびドレイン電極108bとなる導電膜と同様の構成とすれば
よい。
く行うことが好ましい。なお、ゲート絶縁膜212の成膜から導電膜308の成膜までの
工程には、図3に示したマルチチャンバーの成膜装置を用いることができる。
膜308、酸化物導電膜328および酸化物半導体膜206を加工する(図10(D)参
照。)。
うレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程によってレジストマスクを形成し、導電膜
308および酸化物導電膜328を加工してソース電極308aおよびドレイン電極30
8bを形成する。このとき、酸化物導電膜328は、ソース電極308aおよび酸化物半
導体膜206の間、ならびにドレイン電極308bおよび酸化物半導体膜206の間に設
けられる(図10(E)参照。)。図示しないが、ソース電極308aおよびドレイン電
極308bの間の酸化物半導体膜206の一部がエッチングされていても構わない。
とができる。
しても構わない。なお、層間絶縁膜の成膜前に露出した酸化物半導体膜206に対し、酸
化性雰囲気、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において、200℃以上5
00℃以下で熱処理を行ってもよい。その後、大気に暴露することなく層間絶縁膜を成膜
する。
暴露せずに行うことができるため、膜中および膜と膜との界面の水素を排除でき、実施の
形態2よりも、さらにトランジスタの電気特性および信頼性を向上させることができる。
な装置を少なくすることができる。
本実施の形態では、酸素放出する絶縁膜の形成方法について図2および図18を用いて説
明する。
ができる。
可能な限り真空状態のまま連続で行う。以下に図18の成膜装置を用いて酸素放出する絶
縁膜を形成する方法を説明する。
、基板処理室15で基板100に吸着している水素を第1の熱処理またはプラズマ処理な
どで除去する。ここで、第1の熱処理は、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲
気にて、100℃以上基板の歪み点未満で行う。また、プラズマ処理は、希ガス、酸素、
窒素または酸化窒素(亜酸化窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素など)を用いる。その後、成
膜室10aに基板100を移動させ、厚さ50nm以上500nm以下、好ましくは20
0nm以上400nm以下の下地絶縁膜102をスパッタリング法によって成膜する(図
2(B)参照。)。その後、下地絶縁膜102に対し、イオンドーピング法またはイオン
インプランテーション法によって質量数が16の酸素(16O)、質量数が18の酸素(
18O)または16Oと18Oの両方を注入する。このとき、イオンドーピング法を用い
ると、下地絶縁膜102中に水素を同時に注入してしまう。そのため、イオンインプラン
テーション法を用いることが好ましい。その後、基板処理室15に基板100を移動させ
、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において150℃以上280℃以下、
好ましくは200℃以上250℃以下で第2の熱処理を行ってもよい。第2の熱処理によ
って、基板100および下地絶縁膜102から水素を除去することができる。なお、第2
の熱処理は、下地絶縁膜102から水素を除去するが、酸素を極力放出させない温度で行
う。そして、成膜室10bに基板100を移動させ、酸化物半導体膜106をスパッタリ
ング法によって成膜する(図2(C)参照。)。その後、基板処理室15に基板100を
移動させ、不活性雰囲気、減圧雰囲気または乾燥空気雰囲気において250℃以上470
℃以下で第3の熱処理を行い、酸化物半導体膜中から水素を除去すると同時に下地絶縁膜
102から酸化物半導体膜に酸素を供給してもよい。なお、第3の熱処理は、第2の熱処
理よりも5℃以上高い温度で行う。このように、図18の成膜装置を用いることによって
成膜時に水素の混入が少ない作製プロセスを進めることができる。
半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、フォトマスク数およびフォトリソグラフィ工程数を削減した液晶表示
装置の画素に用いるトランジスタの作製方法について、図11乃至図13を用いて説明す
る。
液晶素子446と、容量素子448を有している。トランジスタ450のゲート電極は配
線444に電気的に接続され、トランジスタ450のソース電極またはドレイン電極の一
方は配線440に電気的に接続されている。また、トランジスタ450のソース電極また
はドレイン電極の他方は、液晶素子446の一方の電極と、容量素子448の一方の電極
に電気的に接続されている。液晶素子446の他方の電極と、容量素子448の他方の電
極は、電極445に電気的に接続されている。電極445の電位は、0Vや、GNDや、
共通電位などの固定電位としておけばよい。
るか否かを選択する機能を有する。配線444にトランジスタ450をオン状態とする信
号が供給されると、トランジスタ450を介して配線440の画像信号が液晶素子446
に供給される。液晶素子446は、供給される画像信号(電位)に応じて、光の透過率が
制御される。容量素子448は、液晶素子446に供給された電位を保持するための保持
容量(Cs容量ともいう)としての機能を有する。容量素子448は、必ずしも設ける必
要はないが、容量素子448を設けることにより、トランジスタ450がオフ状態の時に
ソース電極とドレイン電極間に流れる電流(オフ電流)に起因する、液晶素子446に印
加された電位の変動を抑制することができる。
ルギーギャップが3.0eV以上の酸化物半導体は、酸化物半導体を適切な条件で加工し
て得られたトランジスタにおいては、オフ電流を使用時の温度条件下(例えば、25℃)
において、100zA(1×10−19A/μm)以下、もしくは10zA(1×10−
20A/μm)以下、さらには1zA(1×10−21A/μm)以下とすることができ
る。このため、容量素子448を設けなくても液晶素子446に印加された電位の保持が
可能となる。また、消費電力の小さい液晶表示装置を実現することができる。
A)は、画素442の平面構成を示す上面図であり、図12(B)は、トランジスタ45
0の積層構成を示す断面図である。なお、図12(B)におけるA1−A2は、図12(
A)におけるA1−A2断面に相当する。
コの字型、または馬蹄型)のソース電極408aで囲む形状としている。このような形状
とすることで、トランジスタの面積が小さくても、十分なチャネル幅を確保でき、トラン
ジスタのオン電流を大きくすることができる。
間に生じる寄生容量が大きいと、フィードスルーの影響を受けやすくなるため、液晶素子
446に供給された電位が正確に保持できず、表示品位悪化の要因となる。本実施の形態
に示すように、ソース電極408aをU字型としてドレイン電極408bを囲む形状とす
ることで、十分なチャネル幅を確保しつつ、ドレイン電極408bとゲート電極414間
に生じる寄生容量を小さくすることができるため、液晶表示装置の表示品位を向上させる
ことができる。
2上にゲート電極414が形成されている。また、ゲート電極414上に、ゲート絶縁膜
412と酸化物半導体膜406が形成されている。また、酸化物半導体膜406上にソー
ス電極408aおよびドレイン電極408bが形成されている。また、酸化物半導体膜4
06の一部に接し、ソース電極408aおよびドレイン電極408b上に層間絶縁膜41
6が形成されている。層間絶縁膜416上には画素電極431が形成され、層間絶縁膜4
16に形成されたコンタクトホール415を介してドレイン電極408bに電気的に接続
されている。
され、画素電極431が、ゲート絶縁膜412と、酸化物半導体膜406と、層間絶縁膜
416の側面に接して形成されている。本実施の形態では酸化物半導体膜406にi型化
(真性化)または実質的にi型化された酸化物半導体を用いる。i型化または実質的にi
型化された酸化物半導体は、ほぼ絶縁物とみなすことができるため、画素電極431と酸
化物半導体膜406の端部が接しても、漏れ電流等の問題は生じない。
いて説明する。
は、それぞれ基板100および下地絶縁膜102と同様の構成とすればよい。
スクを形成し、導電膜を加工してゲート電極414を形成する(図13(A)参照。)。
なお、図示しないが、容量配線447、配線444も同時に形成する。ゲート電極414
はゲート電極114と同様の構成とすればよい。
ト絶縁膜112と同様の構成とすればよい。
窒化シリコンを含む絶縁膜で覆う構成とすることで、ゲート電極414からのCu拡散を
防ぐことができる。
は酸化物半導体膜106と同様の構成とすればよい。
基板400をプラズマ処理または熱処理することで、酸化物半導体膜406中の水素を排
除することができるため好ましい。プラズマ処理は酸化性雰囲気で行うことが好ましい。
または、熱処理は不活性雰囲気、減圧雰囲気または酸化性雰囲気で行う。熱処理の温度は
、100℃以上400℃以下とする。好ましくは200℃以上350℃以下、さらに好ま
しくは250℃以上300℃以下とする。
膜408はソース電極108aおよびドレイン電極108bとなる導電膜と同様の構成と
すればよい。
。大気に暴露しないことで、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができる。
なお、酸化物半導体膜406の成膜から導電膜408の成膜までを、図3に示すマルチチ
ャンバーの成膜装置を用いて行ってもよい。
408を加工して、ソース電極408aおよびドレイン電極408bを形成する。図示し
ないが、配線440も同時に形成する(図13(C)参照。)。
(図13(D)参照)。層間絶縁膜416は層間絶縁膜216と同様の構成とすればよい
。
間絶縁膜416、酸化物半導体膜406およびゲート絶縁膜412を加工する。この時、
ドレイン電極408b上では、層間絶縁膜416のみが除去され、コンタクトホール41
5を形成する(図13(E)参照)。
絶縁膜416、酸化物半導体膜406、およびゲート絶縁膜412は残してもかまわない
。ただし、画素開口部の層間絶縁膜416および酸化物半導体膜406を可能な範囲で除
去することで、液晶表示装置を透過型の液晶表示装置として用いた場合の、画素の透過率
が向上する。このため、バックライトからの光が効率良く画素を透過し、低消費電力化や
、輝度向上による表示品位の向上が可能となるため好ましい。
ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、または両方を用いてもよい。ドライ
エッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス(塩素系ガス、例えば塩素
(Cl2)、三塩化硼素(BCl3)、四塩化珪素(SiCl4)、四塩化炭素(CCl
4)など)を用いることができる。
ng)法や、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結
合型プラズマ)エッチング法を用いることができる。
ソグラフィ工程およびエッチング工程により別々に実施されるが、本実施の形態に示す作
製工程によれば、一回のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、同時に実施す
ることが可能となる。よって、フォトマスクの削減のみならず、フォトリソグラフィ工程
そのものを削減することができる。すなわち、少ないフォトリソグラフィ工程により、低
コストで、生産性よく液晶表示装置を作製することができる。
形成されることがない。また、酸化物半導体膜406のチャネル形成領域が層間絶縁膜4
16で保護されているため、フォトレジストの剥離洗浄工程においても、酸化物半導体膜
406のチャネル形成領域に水分が付着することがないため、トランジスタ450の特性
ばらつきが低減され、信頼性が向上する。
りレジストマスクを形成し、加工して画素電極431を形成する(図13(F)参照)。
画素電極431はバックゲート電極224と同様の構成とすることができる。なお、該導
電膜を加工してバックゲート電極を設けても構わない。バックゲート電極を設けることに
より、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。
続される。
画素を作製することが可能となる。よって、液晶表示装置を低コストで、生産性よく作製
することができる。
でき、しきい値電圧のばらつきの少ない、安定した電気特性を有するトランジスタが提供
される。また、酸化物半導体膜に接する膜中の水素を低減できるため、酸化物半導体膜へ
の水素の混入を抑制できる。そのため、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有
する半導体装置が提供される。
な装置を少なくすることができる。
本実施の形態では、高速動作が可能で、かつ信頼性の高いトランジスタの一例を図17を
用いて示す。
ンジスタ550は、基板500と、基板500上に設けられた下地絶縁膜502と、下地
絶縁膜502上に設けられたゲート電極514と、ゲート電極514を覆うゲート絶縁膜
512と、ゲート電極514上にゲート絶縁膜512を介して設けられた酸化物半導体膜
506と、酸化物半導体膜506と酸化物導電膜528を介して接続されるソース電極5
08aおよびドレイン電極508bと、ソース電極508aおよびドレイン電極508b
と層間絶縁膜516に設けられたコンタクトホールを介して接続される配線518と、配
線518と同一表面に設けられ、酸化物半導体膜506を介してゲート電極514と対向
するバックゲート電極524と、バックゲート電極524および配線518を覆い、層間
絶縁膜516と一部が接する保護絶縁膜526を有する。なお、酸化物導電膜528およ
び/または下地絶縁膜502を含まない構成としても構わない。
電膜528および層間絶縁膜516は、それぞれ基板200、ゲート電極214、ゲート
絶縁膜212、酸化物半導体膜206、酸化物導電膜228および層間絶縁膜216と同
様の構成とすればよい。
さは50nm以上150nm以下とする。
、Mo膜でAl膜を挟持した積層構造とすればよい。こうすることで、配線518の抵抗
を低くすることができ、トランジスタ550の動作速度を高めることができる。
ため、層間絶縁膜516の、ソース電極508aおよびドレイン電極508bによって形
成される段差部における被覆性を高めることができる。そのため、トランジスタの信頼性
を高めることができる。
ン膜を含む構成とすればよい。こうすることで、外部からトランジスタ550への水素の
入り込みを低減できる。
ができる。
実施の形態1乃至実施の形態6において、トランジスタの半導体膜に用いることのできる
酸化物半導体膜の成膜方法の一形態を説明する。
の酸化物半導体膜を成膜する。酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用いる。成
膜時の基板温度は100℃以上500℃以下とする。好ましくは200℃以上400℃以
下とする。さらに好ましくは250℃以上300℃以下とする。
ターゲット(In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])を用いて、
基板とターゲットとの間の距離を60mm、基板温度300℃、圧力0.4Pa、直流(
DC)電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、またはアルゴンおよび酸素雰囲気下で
膜厚25nmの酸化物半導体膜を成膜する。
よい。熱処理の温度は、200℃以上750℃以下とする。好ましくは250℃以上40
0℃以下とする。熱処理によって結晶性酸化物半導体膜の結晶性を向上させることができ
る。
に示すマルチチャンバーの成膜装置を用いて、大気に暴露せずに行うと好ましい。大気に
暴露しないことで、膜中および膜と膜との界面の水素を排除することができる。
近傍(界面からプラスマイナス5nm)に拡散させて、結晶性酸化物半導体膜の酸素欠損
、および下地絶縁膜と結晶性酸化物半導体膜との界面準位を低減することができる。
向を有した結晶(C Axis Aligned Crystal:CAAC)を含む酸
化物を有する。なお、結晶性酸化物半導体膜は、一部に結晶粒界を有している。
ジスタにおいては、酸化物半導体膜の一方の面から他方の面に電界が印加されることはな
く、また、電流が酸化物半導体の厚さ方向に流れる構造ではない。そのため、電流は、主
として酸化物半導体の界面を流れるトランジスタ構造であるため、トランジスタに光照射
が行われ、またはバイアス−熱(BT:Bias−Temperature)ストレスが
与えられても、電気特性の劣化は抑制または低減される。
、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
である。
実施の形態1乃至実施の形態6において、トランジスタの半導体膜に用いることのできる
酸化物半導体膜の成膜方法の一形態を、図14を用いて説明する。
半導体膜よりも厚い第2の結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造である。
する。第1の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用いる。成膜時の基板温度は
100℃以上500℃以下とする。好ましくは200℃以上400℃以下とする。さらに
好ましくは250℃以上300℃以下とする。
ターゲット(In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])を用いて、
基板とターゲットとの間の距離を60mm、基板温度300℃、圧力0.4Pa、直流(
DC)電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、またはアルゴンおよび酸素雰囲気下で
膜厚5nmの第1の酸化物半導体膜を成膜する。
理を行う。第1の結晶化熱処理の温度は、400℃以上750℃以下とする。第1の結晶
化熱処理によって第1の結晶性酸化物半導体膜606aを形成する(図14(A)参照。
)。
が起こり、膜の表面から内部に向かって結晶成長し、c軸配向した結晶が得られる。第1
の結晶化熱処理によって、膜表面の亜鉛と酸素の割合が多くなり、上平面が六角形をなす
亜鉛と酸素からなるグラフェンタイプの二次元結晶が最表面に1層または複数層形成され
、これが膜厚方向に成長して重なる。結晶化熱処理の温度を上げると表面から内部、そし
て内部から底部へと結晶成長が進行する。
606aとの界面またはその近傍(界面からプラスマイナス5nm)に拡散させて、第1
の結晶性酸化物半導体膜の酸素欠損、および下地絶縁膜602と第1の結晶性酸化物半導
体膜606aとの界面準位を低減することができる。
膜を成膜する。第2の酸化物半導体膜の成膜は、スパッタリング法を用い、成膜時の基板
温度は100℃以上500℃以下とする。好ましくは200℃以上400℃以下とする。
さらに好ましくは250℃以上300℃以下とする。成膜時の基板温度を100℃以上5
00℃以下とすることにより、第1の結晶性酸化物半導体膜の表面上に接して成膜する酸
化物半導体膜にプリカーサの整列が起き、所謂、秩序性を持たせることができる。
ターゲット(In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])を用いて、
基板とターゲットとの間の距離を60mm、基板温度400℃、圧力0.4Pa、直流(
DC)電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、またはアルゴンおよび酸素雰囲気下で
膜厚25nmの第2の酸化物半導体膜を成膜する。
以下とする。第2の結晶化熱処理によって第2の結晶性酸化物半導体膜606bを形成す
る(図14(B)参照。)。ここで、第2の結晶化熱処理は、窒素雰囲気下、酸素雰囲気
下、あるいは窒素と酸素の混合雰囲気下で行うことにより、第2の結晶性酸化物半導体膜
の高密度化および欠陥数の低減を図れるため好ましい。第2の結晶化熱処理によって、第
1の結晶性酸化物半導体膜606aを核として膜厚方向、即ち底部から内部に結晶成長が
進行して第2の結晶性酸化物半導体膜606bが形成される。
く連続的に行うことが好ましい。例えば、図3に示すマルチチャンバーの成膜装置を用い
ればよい。成膜室10a、10b、10c、搬送室13、および基板処理室15は、水素
および水分をほとんど含まない雰囲気(不活性雰囲気、減圧雰囲気、乾燥空気雰囲気など
)下に制御することが好ましく、例えば、水分については露点−40℃以下、好ましくは
露点−50℃以下の乾燥窒素雰囲気とする。図3の成膜装置を用いた作製工程の手順の一
例は、まず、基板供給室11から基板600を搬送し、ロードロック室12aと搬送室1
3を経て基板処理室15に移動させ、基板処理室15で基板600に付着している水素を
真空ベークなどで除去し、その後、搬送室13を経て成膜室10cに基板600を移動さ
せ、成膜室10c内で下地絶縁膜602を成膜する。そして、大気に触れることなく、搬
送室13を経て成膜室10aに基板600を移動させ、成膜室10a内で膜厚5nmの第
1の酸化物半導体膜を成膜する。そして、大気に触れることなく、搬送室13を経て基板
処理室15に基板600を移動させ、第1の結晶化熱処理を行う。そして、大気に触れる
ことなく、搬送室13を経て成膜室10aに基板600を移動させ、成膜室10a内で膜
厚10nmよりも厚い第2の酸化物半導体膜を成膜する。そして、大気に触れることなく
、搬送室13を経て基板処理室15に基板600を移動させ、第2の結晶化熱処理を行う
。このように、図3の成膜装置を用いることによって大気に触れることなく、作製プロセ
スを進めることができる。また、下地絶縁膜602、第1の結晶性酸化物半導体膜および
第2の結晶性酸化物半導体膜の積層を形成した後、大気に触れることなく、成膜室10b
内で金属ターゲットを用いてソース電極およびドレイン電極を形成するための導電膜を第
2の結晶性酸化物半導体膜上に成膜することもできる。なお、スループットの向上のため
に、第1の結晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜を別々の成膜室で成
膜しても構わない。
なる酸化物半導体積層を加工して島状の酸化物半導体積層からなる酸化物半導体膜606
を形成する(図14(C)参照。)。図では、第1の結晶性酸化物半導体膜606aと第
2の結晶性酸化物半導体膜606bの界面を点線で示し、酸化物半導体積層と説明してい
るが、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示
している。
該酸化物半導体積層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、
フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット
法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。
化物半導体膜は、c軸配向を有していることを特徴の一つとしている。ただし、第1の結
晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜は、CAACである。なお、第1
の結晶性酸化物半導体膜および第2の結晶性酸化物半導体膜は、一部に結晶粒界を有して
いる。
あり、四元系金属酸化物であるIn−Al−Ga−Zn−O系の材料や、In−Sn−G
a−Zn−O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系の材料、In
−Al−Zn−O系の材料、In−Sn−Zn−O系の材料、Sn−Ga−Zn−O系の
材料、Al−Ga−Zn−O系の材料、Sn−Al−Zn−O系の材料や、二元系金属酸
化物であるIn−Zn−O系の材料、Sn−Zn−O系の材料、Al−Zn−O系の材料
、Zn−Mg−O系の材料や、Zn−O系の材料などがある。また、In−Si−Ga−
Zn−O系の材料や、In−Ga−B−Zn−O系の材料や、In−B−Zn−O系の材
料を用いてもよい。また、上記の材料にSiO2を含ませてもよい。ここで、例えば、I
n−Ga−Zn−O系の材料は、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)
を有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、InとGaとZ
n以外の元素を含んでいてもよい。
に限定されず、第2の結晶性酸化物半導体膜の形成後に第3の結晶性酸化物半導体膜を形
成するための成膜と結晶化熱処理のプロセスを繰り返し行って、3層以上の積層構造とし
てもよい。
に開示する半導体装置に適用できるトランジスタ(例えば、トランジスタ150、トラン
ジスタ250、トランジスタ252、トランジスタ350、トランジスタ450)に、適
宜用いることができる。
1におけるトランジスタ150においては、酸化物半導体膜の一方の面から他方の面に電
界が印加されることはなく、また、電流が酸化物半導体積層の厚さ方向(一方の面から他
方の面に流れる方向、具体的に図4(B)では上下方向。)に流れる構造ではない。電流
は、主として、酸化物半導体積層の界面を流れるトランジスタ構造であるため、トランジ
スタに光照射が行われ、またはBTストレスが与えられても、電気特性の劣化は抑制また
は低減される。
膜の積層をトランジスタに用いることで、安定した電気的特性を有し、かつ、信頼性の高
いトランジスタを実現できる。
である。
な装置を少なくすることができる。
実施の形態1乃至実施の形態6で例示したトランジスタを用いた表示装置の一形態を図1
5に示す。
2の基板706との間にシール材705によって封止したパネルの上面図であり、図15
(B)は、図15(A)のM−Nにおける断面図に相当する。
られ、画素部702上に第2の基板706が設けられている。よって画素部702は、第
1の基板701とシール材705と第2の基板706とによって、液晶層708と共に封
止されている。
、入力端子720を有し、FPC(Flexible printed circuit
)718a、FPC718bが接続されている。FPC718aは、別途異なる基板に作
製された信号線駆動回路703と電気的に接続され、FPC718bは、別途異なる基板
に作製された走査線駆動回路704と電気的に接続されている。画素部702に与えられ
る各種信号および電位は、FPC718aおよびFPC718bを介して、信号線駆動回
路703および走査線駆動回路704から供給される。
、COG(Chip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、TCP(Ta
pe Carrier Package)方法、またはTAB(Tape Automa
ted Bonding)方法などを用いることができる。
とができる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体
も適用することができる。
および配線716はFPC718aが有する端子と異方性導電膜719を介して、電気的
に接続されている。
タ750のソース電極およびドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。
タ450と同様の構造を図示しているが、当然ながらトランジスタの構造は上記に限られ
ない。適宜、実施の形態1乃至実施の形態6で作製したトランジスタに置き換えてもよい
。画素部702に設けられたトランジスタ750は表示素子と電気的に接続し、表示パネ
ルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を用
いることができる。
、表示素子である液晶素子713は、第1の電極730、第2の電極731、および液晶
層708を含む。なお、液晶層708を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜73
2、733が設けられている。第2の電極731は第2の基板706側に設けられ、第1
の電極730と第2の電極731とは液晶層708を介して積層する構成となっている。
層708の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお球状のスペーサ
を用いても良い。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す
液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1ミリ秒以下と短く、光学的等方性
であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよ
いのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を
防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
1Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明
細書における固有抵抗率の値は、20℃で測定した値とする。
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。チャネル領域
が形成される半導体膜に、酸化物半導体を用いたトランジスタを用いることにより、各画
素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する
保持容量を設ければ充分である。
(オフ電流値)を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長
くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッ
シュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また
、酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、保持容量を設けなくても、液晶素子に印加さ
れた電位の保持が可能となる。
果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記
トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トラン
ジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することもできるため
、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
lane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Swit
ching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液
晶分子の配列を制御する方式の一種をいい、電圧が印加されていないときにパネル面に対
して液晶分子が垂直方向を向く方式をいう。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられ
るが、例えば、MVA(Multi−Domain Vertical Alignme
nt)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)
モード、ASV(Advanced Super−View)モードなどを用いることが
できる。また、画素(ピクセル)をいくつかの領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別
の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計と
いわれる方法を用いることができる。
反射防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位
相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトな
どを用いてもよい。
(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うこ
とができる。
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは
赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)
、またはRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお
、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカ
ラー表示の液晶表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の液晶表示装置に適用
することもできる。
、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板など
を用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fiberglass−Rei
nforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、
ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミ
ニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いるこ
ともできる。
る画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に
対して透光性とする。
などともいう)においては、取り出す光の方向、電極が設けられる場所、および電極のパ
ターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化
チタンを含むインジウムスズ酸化物、ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加
したインジウムスズ酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また
、1枚乃至10枚のグラフェンシートよりなる材料を用いてもよい。
ブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオ
ブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)
、チタン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の
金属、またはその合金、もしくはその窒化物から一つ、または複数種を用いて形成するこ
とができる。
いう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわ
ゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその
誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、または、
アニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体もしくはその誘導体な
どがあげられる。
ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。なお、実施の形態1乃至実施の形態
7で例示したトランジスタは上述の表示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に
搭載されるパワーデバイス、LSI等の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメー
ジセンサ機能を有する半導体装置など様々な機能を有する半導体装置に適用することが可
能である。
本発明の一態様である半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用するこ
とができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビまたはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともい
う)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機な
どが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について
説明する。
表示部803、キーボード804などによって構成されている。実施の形態1乃至実施の
形態8で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコ
ンピュータとすることができる。
インターフェイス815と、操作ボタン814などが設けられている。また操作用の付属
品としてスタイラス812がある。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を
適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末(PDA)とすることができる。
及び筐体822の2つの筐体で構成されている。筐体821及び筐体822は、軸部82
5により一体とされており、該軸部825を軸として開閉動作を行うことができる。この
ような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
いる。表示部823及び表示部824は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異な
る画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右
側の表示部(図16(C)では表示部823)に文章を表示し、左側の表示部(図16(
C)では表示部824)に画像を表示することができる。実施の形態1乃至実施の形態8
で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍とすることができる。
体821において、電源826、操作キー827、スピーカー828などを備えている。
操作キー827により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボー
ドやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に
、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成
としてもよい。さらに、電子書籍820は、電子辞書としての機能を持たせた構成として
もよい。
子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも
可能である。
いる。筐体831には、表示パネル832、スピーカー833、マイクロフォン834、
ポインティングデバイス836、カメラ用レンズ837、外部接続端子838などを備え
ている。また、筐体830には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル840、外部
メモリスロット841などを備えている。また、アンテナは筐体831内部に内蔵されて
いる。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を適用することにより、信頼性
の高い携帯電話とすることができる。
いる複数の操作キー835を点線で示している。なお、太陽電池セル840で出力される
電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
32と同一面上にカメラ用レンズ837を備えているため、テレビ電話が可能である。ス
ピーカー833及びマイクロフォン834は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生
などが可能である。さらに、筐体830と筐体831は、スライドし、図16(D)のよ
うに展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可
能である。
あり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メ
モリスロット841に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
よい。
部853、操作スイッチ854、表示部(B)855、バッテリー856などによって構
成されている。実施の形態1乃至実施の形態8のいずれかで示した半導体装置を適用する
ことにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
体861に表示部863が組み込まれている。表示部863により、映像を表示すること
が可能である。また、ここでは、スタンド865により筐体861を支持した構成を示し
ている。実施の形態1乃至実施の形態8で示した半導体装置を適用することにより、信頼
性の高いテレビジョン装置860とすることができる。
操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力
する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
り一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向(
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
宜組み合わせて用いてもよい。
10b 成膜室
10c 成膜室
11 基板供給室
12a ロードロック室
12b ロードロック室
13 搬送室
14 カセットポート
15 基板処理室
100 基板
102 下地絶縁膜
106 酸化物半導体膜
108a ソース電極
108b ドレイン電極
112 ゲート絶縁膜
114 ゲート電極
128 酸化物導電膜
150 トランジスタ
200 基板
202 下地絶縁膜
206 酸化物半導体膜
208a ソース電極
208b ドレイン電極
212 ゲート絶縁膜
213 導電膜
214 ゲート電極
216 層間絶縁膜
222 導電膜
224 バックゲート電極
226 保護絶縁膜
228 酸化物導電膜
250 トランジスタ
252 トランジスタ
308 導電膜
308a ソース電極
308b ドレイン電極
328 酸化物導電膜
350 トランジスタ
400 基板
402 下地絶縁膜
406 酸化物半導体膜
408 導電膜
408a ソース電極
408b ドレイン電極
412 ゲート絶縁膜
414 ゲート電極
415 コンタクトホール
416 層間絶縁膜
431 画素電極
440 配線
442 画素
444 配線
445 電極
446 液晶素子
447 容量配線
448 容量素子
450 トランジスタ
500 基板
502 下地絶縁膜
506 酸化物半導体膜
508a ソース電極
508b ドレイン電極
512 ゲート絶縁膜
514 ゲート電極
516 層間絶縁膜
518 配線
524 バックゲート電極
526 保護絶縁膜
528 酸化物導電膜
550 トランジスタ
600 基板
602 下地絶縁膜
606 酸化物半導体膜
606a 結晶性酸化物半導体膜
606b 結晶性酸化物半導体膜
701 基板
702 画素部
703 信号線駆動回路
704 走査線駆動回路
705 シール材
706 基板
708 液晶層
713 液晶素子
715 電極
716 配線
718a FPC
718b FPC
719 異方性導電膜
720 入力端子
730 電極
731 電極
732 絶縁膜
733 絶縁膜
750 トランジスタ
801 本体
802 筐体
803 表示部
804 キーボード
811 本体
812 スタイラス
813 表示部
814 操作ボタン
815 外部インターフェイス
820 電子書籍
821 筐体
822 筐体
823 表示部
824 表示部
825 軸部
826 電源
827 操作キー
828 スピーカー
830 筐体
831 筐体
832 表示パネル
833 スピーカー
834 マイクロフォン
835 操作キー
836 ポインティングデバイス
837 カメラ用レンズ
838 外部接続端子
840 太陽電池セル
841 外部メモリスロット
851 本体
860 テレビジョン装置
861 筐体
863 表示部
865 スタンド
Claims (1)
- 酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極との間に設けられ、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、金属窒化物膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル長が25nm未満であることを特徴とする半導体装置。
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