JP2016131245A5 - - Google Patents
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- 貫通電極を有する半導体基板が積層されている多層基板であって、
多層基板の平面視において、貫通電極が対向する位置に少なくとも導電粒子が存在し、
対向する貫通電極が導電粒子により接続され、該貫通電極が形成されている半導体基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する多層基板。 - 貫通電極を有する第1半導体基板と、貫通電極を有する第2半導体基板とが積層されている多層基板であって、
第1半導体基板の貫通電極と第2半導体基板の貫通電極が、それらの間に配置された導電粒子により接続されている接続構造を有する請求項1記載の多層基板。 - 貫通電極を有する第3半導体基板が第2半導体基板に積層されており、
第1半導体基板の貫通電極と接続している第2半導体基板の貫通電極と第3半導体基板の貫通電極とが対向し、それらの間に配置された導電粒子により接続され、
第2半導体基板と第3半導体基板が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する請求項2記載の多層基板。 - 第1半導体基板と第2半導体基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が第1半導体基板と第2半導体基板の間に存在する導電粒子の総数の5%以下である請求項1〜3のいずれかに記載の多層基板。
- 多層基板の最外層にヒートシンクを有し、ヒートシンクと、導電粒子で接続されることにより多層基板の積層方向に繋がった貫通電極とが接続している請求項1〜4のいずれかに記載の多層基板。
- 上記対向する貫通電極に捕捉されている導電粒子が1個以上である請求項1〜5のいずれかに記載の多層基板。
- 半導体基板に形成された貫通電極同士を対向させて接合する多層基板の製造方法であって、貫通電極が対向する部分の多層基板の平面視における位置に対応して少なくとも導電粒子が絶縁接着剤層に配置された異方導電性フィルムを、貫通電極を有する半導体基板同士の間に挟み、該異方導電性フィルムを加熱加圧することによりこれら半導体基板を異方導電性接続する多層基板の製造方法。
- 貫通電極を有する第1半導体基板と、貫通電極を有する第2半導体基板を、それらの貫通電極同士を対向させて接合する多層基板の製造方法であって、第1半導体基板と第2半導体基板との間に、貫通電極の配置に対応して少なくとも導電粒子が絶縁接着剤層に配置された異方導電性フィルムを挟み、該異方導電性フィルムを加熱加圧することにより第1半導体基板と第2半導体基板を異方導電性接続する請求項7記載の多層基板の製造方法。
- 貫通電極を有する第3半導体基板を第2半導体基板に積層し、第1半導体基板の貫通電極と異方導電性接続した第2半導体基板の貫通電極と、第3半導体基板の貫通電極との間に、貫通電極の配置に対応して少なくとも導電粒子が絶縁接着剤層に配置された異方導電性フィルムを挟み、該異方導電性フィルムを加熱加圧することにより第2半導体基板と第3半導体基板を異方導電性接続する請求項7又8記載の多層基板の製造方法。
- 上記対向する貫通電極に捕捉されている導電粒子が1個以上である請求項7〜9のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
- 絶縁接着剤層と、該絶縁接着剤層に配置された導電粒子を含む異方導電性フィルムであって、異方導電性フィルムで接続する貫通電極の配置に対応して少なくとも導電粒子が絶縁接着剤層に配置されている異方導電性フィルム。
- 絶縁接着剤層と、該絶縁接着剤層に配置された導電粒子を含む異方導電性フィルムであって、3個以上の導電粒子が近接している導電粒子ユニットが形成されており、
該導電粒子ユニットにおいて、任意の導電粒子と、該導電粒子に最近接している導電粒子との距離が導電粒子径の0.2〜0.5倍である異方導電性フィルム。 - 導電粒子ユニットが、異方導電性フィルムで接続する貫通電極の配置に対応して配置されている請求項12記載の異方導電性フィルム。
- 絶縁接着剤層と、該絶縁接着剤層に配置された導電粒子を含む異方導電性フィルムであって、3個以上の導電粒子が近接している導電粒子ユニットが形成されており、
該導電粒子ユニットを構成する導電粒子数は30個以下である異方性導電フィルム。 - 導電粒子が、金属被覆樹脂粒子又は金属粒子である請求項11〜14のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
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