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前記の目的を達成するために、本発明の請求項に係る半導体装置の製造方法は、電子部品の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した半田粒子と前記回路基板の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、前記半田粒子が溶融した2個以上の微小半田接合体を介して前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
また、請求項に記載した半導体装置の製造方法は、回路基板の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の半田粒子を付与する工程と、前記回路基板の電極と電子部品の電極とを対向して配置する工程と、前記回路基板の電極表面に付与した半田粒子と前記電子部品の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、前記半田粒子が溶融した2個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
また、請求項に記載した半導体装置の製造方法は、電子部品の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の第1半田粒子を付与する工程と、回路基板の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の第2半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した第1半田粒子と前記回路基板の電極、または前記回路基板の電極表面に付与した第2半田粒子と前記電子部品の電極、または前記第1半田粒子と前記第2半田粒子を当接させる工程と、前記第1半田粒子および前記第2半田粒子を加熱する工程と、からなり、
前記第1半田粒子前記第2半田粒子のうち少なくとも一方の粒子が溶融した2個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする。
また、請求項に記載した発明は、請求項の半導体装置の製造方法であって、前記電子部品の電極表面に付与した第1半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第2半田粒子とは粒子間隔が異なることを特徴とする。
また、請求項に記載した発明は、請求項の半導体装置の製造方法であって、前記電子部品の電極表面に付与した第1半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第2半田粒子とは粒子径が異なることを特徴とする。
また、請求項に記載した発明は、請求項の半導体装置の製造方法であって、前記電子部品の電極表面に形成した第1半田粒子の粒子間隔が、前記回路基板の電極表面に形成した第2半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする。
また、請求項に記載した発明は、請求項の半導体装置の製造方法であって、前記回路基板の電極表面に形成した第2半田粒子の粒子間隔が、前記電子部品の電極表面に形成した第1半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする。

Claims (9)

  1. 電子部品の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の第1半田粒子を付与する工程と、回路基板の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の第2半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した第1半田粒子と前記回路基板の電極、または前記回路基板の電極表面に付与した第2半田粒子と前記電子部品の電極、または前記第1半田粒子と前記第2半田粒子を当接させる工程と、前記第1半田粒子および前記第2半田粒子を加熱する工程と、からなり、
    前記第1半田粒子前記第2半田粒子のうち少なくとも一方の粒子が溶融した2個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記電子部品の電極表面に付与した第1半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第2半田粒子とは粒子間隔が異なることを特徴とする請求項記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記電子部品の電極表面に付与した第1半田粒子と、前記回路基板の電極表面に付与した第2半田粒子とは粒子径が異なることを特徴とする請求項または記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記電子部品の電極表面に形成した第1半田粒子の粒子間隔が、前記回路基板の電極表面に形成した第2半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする請求項のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記回路基板の電極表面に形成した第2半田粒子の粒子間隔が、前記電子部品の電極表面に形成した第1半田粒子の粒子径より大きいことを特徴とする請求項のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 電子部品の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の半田粒子を付与する工程と、前記電子部品の電極と回路基板の電極とを対向して配置する工程と、前記電子部品の電極表面に付与した半田粒子と前記回路基板の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、
    前記半田粒子が溶融した2個以上の微小半田接合体を介して前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 回路基板の複数の電極の少なくとも1つの電極に対して2個以上の半田粒子を付与する工程と、前記回路基板の電極と電子部品の電極とを対向して配置する工程と、前記回路基板の電極表面に付与した半田粒子と前記電子部品の電極とを当接させる工程と、前記半田粒子を加熱する工程と、からなり、
    前記半田粒子が溶融した2個以上の微小半田接合体を介して前記回路基板の電極と前記電子部品の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 電子部品の電極と、該電極に対向して配置された回路基板の電極が、半田を介して接合される半導体装置において、
    前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とが対向して配置された少なくとも1つの電極組は、前記半田を溶融した2個以上の微小半田接合体を介して接合されたことを特徴とする半導体装置。
  9. 前記電子部品の電極と前記回路基板の電極とが対向して配置された電極組は、前記電極組の複数の中で間隔の最も大きい電極同士は2個以上の微小半田接合体を介して接合されたことを特徴とする請求項8記載の半導体装置。
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