JP2018110149A5 - - Google Patents

Description

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子、緩衝部材、および回路基板を準備する工程を備える。半導体素子は、第１面および第１面の反対側に位置する第２面を有し、第１面上に形成されている少なくとも１つの第１電極および第２面上に形成されている第２電極とを含む。本発明に係る半導体装置の製造方法は、粒径が１００ｎｍ以下である焼結性金属粒子を含む第１接合部材および第２接合部材を準備する工程と、半導体素子の第１電極と緩衝部材との間に第１接合部材を配置し、半導体素子の第２電極と回路基板との間に第２接合部材とを配置して、緩衝部材、第１接合部材、半導体素子、第２接合部材および回路基板が順に積層された積層体を準備する工程と、第１接合部材および第２接合部材が焼結性金属粒子の焼結温度未満の第１温度にある積層体の緩衝部材と回路基板との間に第１圧力を印加する工程と、第１圧力を印加する工程の後に、第１接合部材および第２接合部材が焼結性金属粒子の焼結温度以上の第２温度にある積層体の緩衝部材と回路基板との間に第１圧力越えの第２圧力を印加して、第１接合部材から第１焼結金属層を形成し、かつ第２接合部材から第２焼結金属層を形成する工程とをさらに備える。

Claims (6)

1. 半導体素子、緩衝部材、および回路基板を準備する工程を備え、
   前記半導体素子は、第１面および前記第１面の反対側に位置する第２面を有し、前記第１面上に形成されている少なくとも１つの第１電極および前記第２面上に形成されている第２電極とを含み、
   粒径が１００ｎｍ以下である焼結性金属粒子を含む第１接合部材および第２接合部材を準備する工程と、
   前記半導体素子の前記第１電極と前記緩衝部材との間に前記第１接合部材を配置し、前記半導体素子の前記第２電極と前記回路基板との間に前記第２接合部材とを配置して、前記緩衝部材、前記第１接合部材、前記半導体素子、前記第２接合部材および前記回路基板が順に積層された積層体を準備する工程と、
   前記第１接合部材および前記第２接合部材が前記焼結性金属粒子の焼結温度未満の第１温度にある前記積層体の前記緩衝部材と前記回路基板との間に第１圧力を印加する工程と、
   前記第１圧力を印加する工程の後に、前記第１接合部材および前記第２接合部材が前記焼結性金属粒子の焼結温度以上の第２温度にある前記積層体の前記緩衝部材と前記回路基板との間に前記第１圧力越えの第２圧力を印加して、前記第１接合部材から第１焼結金属層を形成し、かつ前記第２接合部材から第２焼結金属層を形成する工程とをさらに備える、半導体装置の製造方法。
2. 前記第１接合部材および前記第２接合部材は第１有機高分子を含み、
   前記第１接合部材および前記第２接合部材を準備する工程では、
   前記第１有機高分子よりも分子量の小さい第２有機高分子により被覆された前記焼結性金属粒子を含む第３接合部材および第４接合部材を準備する工程と、
   前記第３接合部材および前記第４接合部材を前記焼結温度未満の第３温度に加熱して前記第２有機高分子の少なくとも一部を前記第１有機高分子に変換する工程とを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第１温度は１３５℃以上１５５℃以下であり、前記第１圧力は４ＭＰａ以上５ＭＰａ以下であり、
   前記第２温度は２４５℃以上２７５℃以下であり、前記第２圧力は２０ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下の圧力である、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１焼結金属層および前記第２焼結金属層を形成する工程では、前記第１焼結金属層および前記第２焼結金属層の各厚みが３０μｍ以上５０μｍ以下とされる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記緩衝部材はリードフレームを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記緩衝部材は板状部材を有し、
   前記焼結金属層を形成する工程の後に、前記板状部材に配線部材をボンディングする工程をさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。