JP2015029079A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015029079A5 JP2015029079A5 JP2014128490A JP2014128490A JP2015029079A5 JP 2015029079 A5 JP2015029079 A5 JP 2015029079A5 JP 2014128490 A JP2014128490 A JP 2014128490A JP 2014128490 A JP2014128490 A JP 2014128490A JP 2015029079 A5 JP2015029079 A5 JP 2015029079A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- metal film
- emitting device
- metal
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 7
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000003213 activating Effects 0.000 claims 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Description
本発明に係る発光装置の製造方法は、半導体層を有する発光素子の光出射面に光学部材が接合された発光装置を製造するものである。本発明に係る発光装置の製造方法は、前記光学部材および前記発光素子の少なくとも一方の接合面に、金属膜を成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径以下の厚さに成膜する金属膜成膜工程と、前記接合面同士を接合する接合工程とを不活性ガス雰囲気で連続して行うことを特徴とする。
Claims (15)
- 半導体層を有する発光素子、および光学部材を備える発光装置であって、
前記光学部材が、前記発光素子の光出射面に、金属膜を介在して接合され、
前記金属膜は、厚さが、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径の２倍以下であることを特徴とする発光装置。 - 前記金属膜の厚さが、成膜速度換算で当該金属膜を形成する金属原子の原子径の２倍未満であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
- 前記金属膜の厚さが、成膜速度換算で当該金属膜を形成する金属原子の原子径以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
- 前記金属膜は、互いに分離された複数の金属部からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記発光素子は、前記半導体層、または前記半導体層を積層した基板が、前記金属膜又は金属部を介して前記光学部材に接合されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記金属膜又は金属部は、Ａｌ，Ｔｉ，Ａｕから選択される１種または２種以上の合金からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記発光素子と前記光学部材間の一部は、表面活性化接合により接合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記金属膜は、Ａｌを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
- 前記金属膜は、Ａｕを含み、
前記光学部材は、前記発光素子からの光を５００〜６００ｎｍにピーク波長を有する光に変換する波長変換部材であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光装置。 - 前記発光素子の光出射面とは反対側の面に、反射層を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
- 半導体層を有する発光素子の光出射面に光学部材が接合された発光装置の製造方法であって、
前記光学部材および前記発光素子の少なくとも一方の接合面に、金属膜を、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径以下の厚さに成膜する金属膜成膜工程と、
前記接合面同士を接合する接合工程と、を不活性ガス雰囲気で連続して行うことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記金属膜成膜工程の前に、前記発光素子および前記光学部材のそれぞれの接合面の算術平均粗さＲａを１ｎｍ以下にする接合面平滑化工程を行うことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
- 前記金属膜成膜工程において、前記金属膜を、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径未満の厚さに成膜することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。
- 前記金属膜成膜工程における前記金属膜は、成膜速度換算で０．０５ｎｍ以上、かつ当該金属膜を形成する金属原子の原子径の半分以下の厚さに成膜することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の発光装置の製造方法。
- 前記接合工程の前に、前記発光素子の接合面及び／又は前記光学部材の接合面を活性化する接合面活性化工程を含む請求項１１〜１４のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014128490A JP6299478B2 (ja) | 2013-06-26 | 2014-06-23 | 発光装置およびその製造方法 |
| US14/315,059 US9257619B2 (en) | 2013-06-26 | 2014-06-25 | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| EP14173810.4A EP2819188B1 (en) | 2013-06-26 | 2014-06-25 | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013134358 | 2013-06-26 | ||
| JP2013134358 | 2013-06-26 | ||
| JP2014128490A JP6299478B2 (ja) | 2013-06-26 | 2014-06-23 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015029079A JP2015029079A (ja) | 2015-02-12 |
| JP2015029079A5 true JP2015029079A5 (ja) | 2017-03-16 |
| JP6299478B2 JP6299478B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=50980212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014128490A Active JP6299478B2 (ja) | 2013-06-26 | 2014-06-23 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9257619B2 (ja) |
| EP (1) | EP2819188B1 (ja) |
| JP (1) | JP6299478B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6668608B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2020-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6604786B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-11-13 | 三星電子株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| KR20170050729A (ko) * | 2015-10-30 | 2017-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US10451508B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-10-22 | Schlumberger Technology Corporation | Pressure transducer and method for fabricating the same |
| JP6724639B2 (ja) | 2016-08-01 | 2020-07-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6443426B2 (ja) | 2016-11-08 | 2018-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6870304B2 (ja) * | 2016-12-05 | 2021-05-12 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2018110316A1 (ja) * | 2016-12-13 | 2019-10-24 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
| EP3572853B1 (en) * | 2017-01-18 | 2022-12-28 | NGK Insulators, Ltd. | Optical component and lighting device |
| CN108511575B (zh) | 2017-02-28 | 2023-03-17 | 日亚化学工业株式会社 | 光学部件的制造方法 |
| JP6579141B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2019-09-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP7111939B2 (ja) | 2017-04-28 | 2022-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US11348906B2 (en) * | 2018-03-21 | 2022-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device comprising a phosphor plate and method of manufacturing the optoelectronic device |
| JP7011195B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| EP4138116B1 (en) * | 2020-04-13 | 2024-03-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor element |
| US11646392B2 (en) | 2020-06-09 | 2023-05-09 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting device |
| CN113808925A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-17 | 包头稀土研发中心 | 一种复合结构荧光衬底、复合方法及倒装led结构 |
| JP7448833B2 (ja) | 2022-03-17 | 2024-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び検査方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3230638B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2001-11-19 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| JP4315774B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2009-08-19 | 日立金属株式会社 | 異種材料複合体およびその製造方法 |
| US8748923B2 (en) | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| US7341878B2 (en) | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| TWI253770B (en) * | 2005-07-11 | 2006-04-21 | Univ Nat Central | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
| JP5070557B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-11-14 | 武仁 島津 | 常温接合方法 |
| TW200912053A (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-16 | Sino American Silicon Prod Inc | Method of fabricating semiconductor substrate by use of heterogeneous substrate and recycling heterogeneous substrate during fabrication thereof |
| JP5401661B2 (ja) | 2008-08-22 | 2014-01-29 | 株式会社ムサシノエンジニアリング | 原子拡散接合方法及び前記方法により接合された構造体 |
| JP2010186829A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Toshiba Corp | 発光素子の製造方法 |
| US8206601B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-06-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Supporting membranes on nanometer-scale self-assembled films |
| BR112012025660B1 (pt) * | 2010-04-08 | 2021-12-21 | Nichia Corporation | Dispositivo emissor de luz e método de fabricar o dispositivo emissor de luz |
| JP5569964B2 (ja) | 2010-05-07 | 2014-08-13 | 株式会社ムサシノエンジニアリング | 原子拡散接合方法 |
| CN102918662B (zh) * | 2010-05-31 | 2015-11-25 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| JP6089162B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2017-03-08 | 株式会社ムサシノエンジニアリング | 原子拡散接合方法及び前記方法で封止されたパッケージ型電子部品の製造方法 |
| KR20140090346A (ko) * | 2013-01-07 | 2014-07-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
-
2014
- 2014-06-23 JP JP2014128490A patent/JP6299478B2/ja active Active
- 2014-06-25 US US14/315,059 patent/US9257619B2/en active Active
- 2014-06-25 EP EP14173810.4A patent/EP2819188B1/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015029079A5 (ja) | ||
| JP2010231172A5 (ja) | ||
| JP2017163169A5 (ja) | 複層ワイヤ | |
| JP2016538689A5 (ja) | ||
| JP2015088521A5 (ja) | ||
| JP2015173249A5 (ja) | 剥離方法 | |
| JP2005503947A5 (ja) | ||
| WO2012092614A3 (en) | Abrasive article and method of forming | |
| JP2010192629A5 (ja) | ||
| JP2016029161A5 (ja) | ||
| JP2016095504A5 (ja) | ||
| JP2012500325A5 (ja) | ||
| JP2017125837A5 (ja) | ||
| JP2014110390A5 (ja) | ||
| JP2017510431A5 (ja) | ||
| JP2014534336A5 (ja) | ||
| JP2014504333A5 (ja) | ||
| JP2020516015A5 (ja) | ||
| JP2006110626A5 (ja) | ||
| EP2642516A3 (en) | Method of manufacturing semiconductor element | |
| JP2011138913A5 (ja) | ||
| JP2011198962A5 (ja) | ||
| JP2013524493A5 (ja) | ||
| JP2017181146A5 (ja) | ||
| JP2016503961A5 (ja) |