JP2011138913A5 - - Google Patents
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- 基板と、該基板上に形成され発光層を含む半導体層と、該半導体層に接続するバンプとを備える半導体発光素子において、前記バンプは前記半導体層側から金バンプ部、錫層、金層が積層したものであることを特徴とする半導体発光素子。
- 前記錫層の厚さが１〜２μｍであり、前記金層の厚さが０．５〜１μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
- 基板と、該基板上に形成され発光層を含む半導体層と、該半導体層に接続するバンプとを備え、
前記バンプが前記半導体層側から金バンプ部、錫層、金層が積層したものである半導体発光素子の、
前記金バンプ部、前記錫層、及び前記金層をそれぞれ順番に電解メッキ法で形成したことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記錫層の厚さが１〜２μｍであり、前記金層の厚さが０．５〜１μｍであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2009297736A JP2011138913A (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009297736A JP2011138913A (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Publications (2)
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| JP2011138913A JP2011138913A (ja) | 2011-07-14 |
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| JP2009297736A Pending JP2011138913A (ja) | 2009-12-28 | 2009-12-28 | 半導体発光素子とその製造方法 |
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