JP2012009848A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 回路基板にフリップチップ実装する半導体発光素子であって、
   発光層を含む半導体層と、
   前記半導体層を保護するための保護層と、
   前記半導体層を回路基板と接続するためのＮ側バンプ電極と、
   前記半導体層を回路基板と接続するためのＰ側バンプ電極と、を有し、
   前記Ｎ側バンプ電極及び前記Ｐ側バンプ電極のそれぞれが、アンダーバンプメタル層及び電界メッキ法によって形成されたメッキ金属層を含み、
   前記アンダーバンプメタル層が、前記半導体層側に配置された高反射性金属層及び前記半導体層と反対側に配置された金属層を含み、
   前記メッキ金属層の厚さが３μｍ以上、３０μｍ以下であり、
   前記発光層と前記保護層との間に配置された材料は透明であり、
   前記Ｎ側バンプ電極及び前記Ｐ側バンプ電極は、前記発光層の上に配置されている、
   ことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記メッキ金属層の厚さが１０μｍ以上、３０μｍ以下である、請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記高反射性金属層はＡｌ層またはＡｇ層である、請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
4. 前記Ｐ側バンプ電極及び前記Ｎ側バンプ電極の平面形状と、前記Ｐ側バンプ電極及び前記Ｎ側バンプ電極に含まれるそれぞれの前記アンダーバンプメタル層の平面形状が等しい、請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体発光素子。
5. 前記アンダーバンプメタル層は前記メッキ金属層が占める領域よりも広い面積を占める、請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体発光素子。
6. 前記保護層は開口部を有し、
   前記開口部において前記Ｎ側バンプ電極及び前記Ｐ側バンプ電極のそれぞれが前記半導体層と電気的に接続される、請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体発光素子。
7. 前記Ｎ側バンプ電極が前記発光層と平面的に重なるように配置されている、請求項１〜６の何れか一項に記載の半導体発光素子。
8. 前記金属層は、原子拡散防止用金属層である、請求項１〜７の何れか一項に記載の半導体発光素子。