JP2013519995A5

JP2013519995A5 -

Info

Publication number: JP2013519995A5
Application number: JP2012552248A
Authority: JP
Filing date: 2011-02-10
Publication date: 2013-10-10

Claims

第１溝及び第２溝を有し、透光性を有さない基板と、
前記基板上に設けられ、互いに電気的に絶縁される２つの第１導電層と、
前記基板上に設けられ、第１導電部分及び第２導電部分を有し、互いに電気的に絶縁される複数の第２導電層と、
前記第１溝内に配置され、前記第１導電層と電気的に接続される発光チップと、
前記第２溝内で前記複数の第２導電層の前記第１導電部分上に配置され、前記複数の第２導電層と電気的に接続されるセンサチップと、
前記発光チップ及び前記センサチップ上にそれぞれ設けられる２つの封止体と
を備え、
前記第１溝及び前記第２溝はそれぞれ、底面、及び、前記基板の下面から上面へと延在する内側側壁により画定され、
前記２つの第１導電層はそれぞれ、前記第１溝の底面から、前記第１溝の前記内側側壁に沿って、前記２つの第１導電層の他方に対して反対の方向に、前記基板の外側側壁まで延在し、
前記複数の第２導電層の前記第１導電部分は、前記第２溝の底面の中央領域に設けられ、前記複数の第２導電層の前記第２導電部分は、前記第２溝の前記底面から、前記第２溝の前記内側側壁に沿って、前記基板の前記外側側壁まで延在する近接センサパッケージ構造。
前記基板は、前記基板の１以上の表面上に、レーザー照射によって活性化されることにより前記第１導電層及び前記複数の第２導電層を形成可能な複合材料によって形成される請求項１に記載の近接センサパッケージ構造。
前記基板は更に、前記第１溝の前記内側側壁から前記基板の前記上面へと延在する第３溝を備え、
前記２つの第１導電層のうちの一方は、前記第１溝に設けられ、
前記２つの第１導電層のうちの他方は、前記第３溝に設けられる請求項２に記載の近接センサパッケージ構造。
前記第１導電層は、前記第１溝の前記内側側壁及び前記底面を完全に覆う請求項２または３に記載の近接センサパッケージ構造。
前記第３溝の深さは、前記第１溝の深さよりも小さい請求項３に記載の近接センサパッケージ構造。
前記センサチップは、近接センサデバイス及び前記近接センサデバイス上に設けられるフィルタ被覆層を有し、
前記センサチップ上の前記封止体は、透明なコロイドを含む請求項１から５の何れか１項に記載の近接センサパッケージ構造。
前記センサチップ上の前記封止体は、フィルタ封止剤を含む請求項６に記載の近接センサパッケージ構造。
前記基板上、及び、前記第１導電層及び前記複数の第２導電層の間に設けられる２つの第３導電層を更に備える請求項１から７の何れか１項に記載の近接センサパッケージ構造。
前記第３導電層上に設けられ、前記第３導電層と電気的に接続される環境光センサチップを更に備える請求項８に記載の近接センサパッケージ構造。
前記基板上の前記第１導電層に対して前記複数の第２導電層の反対側に設けられる２つの第３導電層を更に備える請求項１から７の何れか１項に記載の近接センサパッケージ構造。
前記第３導電層上に設けられ、前記第３導電層と電気的に接続される環境光センサチップを更に備える請求項１０に記載の近接センサパッケージ構造。
前記発光チップは、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを含む請求項１から１１の何れか１項に記載の近接センサパッケージ構造。
第１溝及び第２溝を有し、透光性を有さない基板を用意する段階と、
パターニングされたトレンチの各々内の前記基板の対応する部分が粗面となるように、前記基板の１以上の面上に、前記パターニングされたトレンチを複数形成する段階と、
前記基板の複数の前記パターニングされたトレンチ内の部分に、２つの第１導電層及び複数の第２導電層を形成する段階と、
光発光チップ及びセンサチップをそれぞれ、前記基板の前記第１溝及び前記第２溝内に接着する段階と、
前記２つの第１導電層の間に前記発光チップを電気的に接続する段階と、
前記センサチップを前記複数の第２導電層に電気的に接続する段階と
を備える近接センサパッケージ構造の製造方法。
前記基板は、前記基板の１以上の表面上に、レーザー照射によって活性化されることにより前記第１導電層及び前記複数の第２導電層を形成可能な複合材料によって形成される請求項１３に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。
前記基板の１以上の面にパターニングされたトレンチを複数形成する段階は、
前記基板の前記１以上の面をレーザー照射することにより活性化させる段階を有する請求項１３または１４に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。
前記２つの第１導電層及び複数の第２導電層を形成する段階は、
前記基板の前記パターニングされたトレンチ内の部分に第１めっき層を形成するべく、化学めっきプロセスを実行する段階と、
前記第１めっき層上に少なくとも１つの第２めっき層を形成するべく、無電解めっきプロセスを実行する段階とを有し、
前記第１導電層及び前記複数の第２導電層は、第１めっき層及び第２めっき層からなる請求項１３から１５の何れか１項に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。
前記２つの第１導電層の間に前記発光チップを電気的に接続する段階、及び、前記センサチップを前記複数の第２導電層に電気的に接続する段階の後に、
前記発光チップ及び前記センサチップ上にそれぞれ設けられる２つの封止体を形成するべく、接着剤を塗布する段階を更に備える請求項１３から１６の何れか１項に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。