JP2013519995A - 近接センサパッケージ構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、基板、基板上に配置される２つの第１電気導電層及び複数の第２電気導電層を備える近接センサパッケージ構造に関する。基板は、それぞれ底面及び内側内壁によって画定される第１溝及び第２溝を有する。導電層はそれぞれ、第１溝の底面から、第１溝の内側側壁に沿って、もう一方の第１導電層に対して反対側の方向に、基板の外側側壁まで延在する。第２導電層は、第１導電部分及び第２導電部分を含む。第１導電部分は、第２溝の底面の中央領域に設けられる。第２導電部分は、第２溝の底面から、第２溝の内側側壁に沿って、基板の外側内壁まで延在する。
【選択図】図６
【選択図】図６
Description
本発明は、近接センサパッケージ構造及びその製造方法に関する。より詳細には、本発明は、センサチップ及び発光チップを備えた近接センサパッケージ構造及びその製造方法に関する。
最近、携帯電話及び携帯デバイスのような数多くのアプリケーションに、赤外線（ＩＲ）近接センサが実装されるようになってきている。例えば、このようなアプリケーションの１つとして、ＩＲ近接センサを使用した、デジタルカメラのディスプレイの制御及び／又はＯＮ／ＯＦＦスイッチが挙げられる。ユーザの目のような物体が、ＩＲ近接センサの側に設けられたファインダに近づくと、ＩＲ近接センサが物体の存在を検出して、ディスプレイをＯＦＦにするコマンドを実行して、ディスプレイが消費する電力分を節約することができる。
図１には、従来の近接センサのパッケージ構造が示されている。図１に示されるように、従来の近接センサパッケージ構造１０は、従来の近接センサパッケージ構造１０の規定された距離ｄ内に物体１２が位置することを検出するのに使用されている。従来の近接センサパッケージ構造１０は、ＩＲ発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１４、センサチップ１６、プリント回路基板１８及び透光性を有するカバー２０を備える。ＩＲ ＬＥＤチップ１４及びセンサチップ１６はそれぞれ、プリント回路基板１８上に配置されて、外部と電気的に接続される。従来の近接センサパッケージ構造１０が動作を開始すると、ＩＲ ＬＥＤチップ１４によって生成され特定の信号を搬送する光が、発散する態様で上方向に出射し、出射した光は、検出されるべき物体１２によってセンサチップ１６の方向に反射される。特定の信号を搬送する光を受信すると、センサチップ１６は、物体１２が近くに存在すると判断する。また、プリント回路基板１８は、ＩＲ ＬＥＤチップ１４とセンサチップ１６との間に設けられ、ＩＲ ＬＥＤチップ１４によって生成され特定の信号を搬送する光が直接センサチップ１６によって受光されるのを防ぐパーティション２２を有する。また、半透明カバー２０は、保護のために、ＩＲ ＬＥＤチップ１４、センサチップ１６及びプリント回路基板１８を覆う。
ＩＲ ＬＥＤチップによって放射される光は発散するが、透光性を有するカバーは部分的に反射性を有し、ＩＲ ＬＥＤチップが放射する光の一部は、光が透光性カバーを通過する時に、透光性カバーによって反射されてセンサチップによって受光され手しまう場合がある。その結果、検出すべき物体から反射された光と、透光性を有するカバーから反射された光との干渉が発生し、センサチップが誤検出してしまう場合がある。さらに、パッケージ構造から光が出射する前に、ＩＲ ＬＥＤチップからの光をセンサチップが検出してしまうのを防ぐべく、ＩＲ ＬＥＤチップ及びセンサチップは、従来の近接センサパッケージ構造内において、可能な限り離れて配置されるが、これは、従来の近接センサパッケージ構造のサイズが大きくなってしまうことを意味する。このように当分野では、構成要素の小型化の傾向を満足し、透光性カバーからの反射光によるＩＲ ＬＥＤチップから出射した光の干渉を防ぐべく、ＩＲ近接センサの構造に改善が求められていた。
本発明の主な課題は、上記のような問題を解決し、近接センサパッケージ構造の検出能力を改善させる、近接センサパッケージ構造及びその製造方法を提供することである。
上記の課題を達成するべく、本発明は、透光性を有さない基板と、基板上に設けられる２つの第１導電層と、基板上に設けられる複数の第２導電層と、発光チップと、センサチップと、２つの封止体とを備える近接センサパッケージ構造を提供する。基板は、第１溝及び第２溝を有する。第１溝及び第２溝はそれぞれ、下面、及び、基板の下面から上面と延在する内側側壁により画定される。２つの第１導電層は、電気的に互いに絶縁される。２つの第１導電層はそれぞれ、第１溝の底面から、第１溝の内側側壁に沿って反対の方向に、基板の外側側壁まで延在する。複数の第２導電層は、互いに電気的に絶縁される。複数の第２導電層は、第１導電部分及び第２導電部分を有する。第１導電部分は、第２溝の底面の中央領域に設けられる。第２導電部分は、第２溝の底面から、第２溝の内側側面沿って、基板の外側側壁まで延在する。発光チップは、第１溝内に配置され、第１導電層と電気的に接続される。センサチップは、第２溝内に配置され、第２導電層と電気的に接続される。封止体は、発光チップ及びセンサチップ上にそれぞれ設けられる。
上記の課題を達成するべく、本発明は、近接センサパッケージ構造を製造する方法を提供する。まず、基板を用意する。基板は第１溝及び第２溝を有する。基板は、透光性を有さない。複数のパターニングされたトレンチが、基板の１以上の面上に形成される。基板のパターニングされたトレンチ内の部分は、粗面を有する。次に、２つの第１導電層及び複数の第２導電層が、基板のパターニングされたトレンチの部分に形成される。その後、発光チップ及びセンサチップがそれぞれ、基板の第１溝及び第２溝内に接着される。発光チップは２つの第１導電層の間に電気的に接続され、センサチップは、第２導電層に電気的に接続される。
既存の技術に対して、本発明が提供する技術的に優位な効果は以下の通りである。本発明の近接センサパッケージ構造の製造方法では、導電層を直接基板上に形成し、発光チップ及びセンサチップを基板の上に配置して、発光チップ及びセンサチップが同じパッケージ構造に内包されるため、近接センサを小型化することができる。また、本発明の近接センサパッケージ構造の基板は、透光性を有さないので、第１溝に配置された発光チップから出射して基板を通過する光を、第２溝に配置されたセンサが誤検出することを防ぐことができる。
図２−６は、本発明の第１実施形態に係る近接センサパッケージ構造を製造する方法を示した図である。図６は、本発明の一実施形態に係る近接センサパッケージ構造の側面図である。図２に示すように、基板１０２が用意される。基板１０２は、第１溝１０４及び第２溝１０６を有し、これら溝は、下面１００ａ、及び、基板１０２の下面１００ａから上面へと延びる内部側壁１００ｂによって画定されている。一実施形態において、第１溝１０４は、例えば、お椀形のような、放射形状の溝であるが、これに限定されない。基板１０２は、非透光性の、例えば、ポリイミド、熱可塑性ポリエステル、架橋ＰＢＴ、又は、液晶ポリマー等の複合材料によって形成される。複合材料は、レーザーによって活性化され、次の処理の間に、１以上の電気導電層を、複合材料の１以上の表面の上に形成することができる。また、複合材料は、例えば、二酸化チタン、窒化アルミニウム、又は、二酸化ジルコニウムのようなドーパントを含む。レーザー照射によって活性化されると、ドーパントは、金属触媒となる。一実施形態において、基板１０２を形成する方法は、射出成型であるが、これに限定されない。その他の成形プロセスを使用して、基板１０２を形成してもよい。
次に、図３に示すように、レーザービームを直接基板１０２の表面に照射して、基板１０２の表面の一部を浸食させて、複数のパターンニングされたトレンチを形成するレーザー活性化プロセスが実行される。基板１０２の表面上のドーパントは、レーザーによって活性化されて、金属触媒となる。一実施形態において、パターニングされたトレンチ１０８は、２つの第１パターントレンチ１０８ａ、複数の第２パターントレンチ１０８ｂ、及び、第３パターントレンチ１０８ｃに分けることができる。第１パターントレンチ１０８ｃは、第１溝１０４の下面１００ａから、第１溝１０４の内側の側壁１００ｂに沿って反対の方向に、基板１０２の外側の側壁１０２ａへと延在する。第２パターントレンチ１０８ｂは、第２溝１０６の下面１００ａから、第２溝１０４の内側の側壁１００ｂに沿って、基板１０２の外側の側壁１０２ａへと延在する。第３パターントレンチ１０８ｃは、第２溝１０６の下面１００ａの中央領域に配置される。レーザー照射により、基板１０２、特に、基板１０２のパターニングされたトレンチ１０８に位置する部分が、粗面となる。
図３から図５に示すように、基板１０２が、金属イオンを有する化学めっき溶液内に配置され、基板１０２のパターニングされたトレンチ１０８部分における金属イオンが、金属触媒によって金属原子へと変化し、パターニングされたトレンチ１０８内の基板１０２部分上に第１めっき層１１０が形成される無電解めっきプロセスが実行される。基板１０２の粗面により、第１めっき層１１０が、基板１０２に高い接着力を伴って、基板１０２上に埋め込まれる。次に、第１めっき層１１０上に第２めっき層１１２を形成するべく、電気めっきプロセスが実行される。その後、第２めっき層１１２上に第３めっき層１１４を形成するべく、更なる電気めっきプロセスが実行されて、基板１０２のパターニングされたトレンチにおける部分に、２つの第１導電層１１６及び複数の第２導電層１１８が形成される。第１導電層１１６の各々及び第２導電層１１８の各々はそれぞれ、第１めっき層１１０、第２めっき層１１２及び第３めっき層１１４から構成される。第１導電層１１６は、互いに電気的に絶縁されている。導電層１１６の各々は、レーザーで活性化された対応する第１パターントレンチ１０８ａ内に形成され、第１パターントレンチ１０８ａと同じパターンを有する。すなわち、導電層１１６の各々は、第１溝１０４の下面１００ａから、第１溝１０４の内側側壁１００ｂに沿って反対方向に、基板１０２の外側側壁１０２ａまで延在する。第２導電層１１８は、互いに電気的に絶縁されている。第２導電層１１８は、第１導電部分１１８ａ及び第２導電部分１１８ｂを含む。第１導電部分１１８ａは、第２パターントレンチ１０８ｂに形成され、第２パターントレンチ１０８ｂと同じパターンを有する。
すなわち、第１導電部分１１８ａは、第２溝１０６の下面１００ａの中央領域に配置される。第２導電部分１１８ｂは、第３パターントレンチ１０８ｃ内に形成され、第３パターントレンチ１０８ｃと同じパターンを有する。第２導電部分１１８ｂは、第２溝１０６の下面１００ａから、第２溝１０６の内側側壁１００ｂに沿って、基板１０２の外側側壁１０２ａまで延在する。一実施形態において、第１めっき層１１０は、銅によって形成されるので、金属イオンは銅イオンであり、第２めっき層１１２及び第３めっき層１１４が、基板１０２上に設けられるのを補助する。第２めっき層１１２はニッケルで形成され、第３めっき層１１４は金で形成される。これにより、第１めっき層１１０が、雰囲気中の酸素と反応して酸化してしまうのを防ぐことができ、次に実行される金属ワイヤ溶接及びチップボンディングを補助する。しかしながら、第２めっき層１１２及び第３めっき層１１４は、上記の金属材料に限定されない。第２めっき層１１２は、銅、スズ、銀、プラチナ、金、又は、これらの組み合わせから形成されてもよい。第３めっき層１１４は、スズ、銀、プラチナ、銀、又は、これらの組み合わせから形成されてもよい。また、本発明は、２つのめっき層で、第１めっき層１１０を覆う構成に限定されない。本発明は、第１めっき層１１０上に、例えば、金の第２めっき層１１２を形成するべく、１つの電気めっきプロセスを実行してもよい。これに替えて、本発明は、例えば、銅、スズ、銀、プラチナ、金、又は、これらの組み合わせを使用して、第１めっき層１１０上に複数のめっき層を形成するべく、複数の電気めっきプロセスを実行してもよい。第１めっき層１１０上に第２めっき層１１２を形成する方法は、電気めっきに限定されず、スパッタリング、物理的気相成長法等であってもよい。
次に、図６に示すように、チップボンディングプロセスが実行される。導電接着剤を使用して、発光チップ１２０が基板１０２の第１溝１０４内に接着され、センサチップ１２２が基板１０２の第２溝１０６内に接着される。その後、例えば、ワイヤ溶接のような電気接続プロセスを実行して、複数の第１金属ワイヤ１２４と発光チップ１２０とを第１導電層１１６の間に電気的に接続し、センサチップ１２２を第２導電部分１１８ｂに電気的に接続する。しかしながら、本発明は、チップボンディング及びワイヤ溶接プロセスに限定されず、チップボンディングと電気接続を同時に行うフリップチッププロセスを実行してもよい。接着剤塗布プロセスが実行され、センサチップ１２２及び発光チップ１２０上にそれぞれ配置され第１金属ワイヤ１２４を覆う２つの封止体１２６を形成して、発光チップ１２０、センサチップ１２２及び第１金属ワイヤ１２４を外部接触により損傷から保護する。以上の工程により、本実施形態の近接センサパッケージ構造１００が完成する。一実施形態において、センサチップ１２２は、近接センサデバイス１２８及びフィルタ被覆層１３０を含む。近接センサデバイス１２８は、発光チップ１２０から出射し特定の信号を搬送する光を検出する。フィルタ被覆層１３０は、近接センサデバイス１２８の光検出面に設けられ、発光チップ１２２によって生成された以外の光をフィルタして、例えば、赤外光を透過可能とする。このような構成により、近接センサデバイス１２８が、外部の日光から干渉を受けることなく、動作可能とする。さらに、一実施形態では、封止体１２６は、例えば、エポキシ樹脂のような透明なコロイドから形成される。一実施形態において、発光チップ１２０は、赤外光を生成するＬＥＤであるが、これに限定されず、その他の波長のＬＥＤであってもよい。さらに、本発明のセンサチップ１２２は、近接センサデバイス１２８に限定されず、環境中の光強度を検出する環境光センサが光センサデバイスに一体化されているものであってもよい。
また、センサチップ１２２及び環境光センサデバイスは、別個に設けられてもよい。図７は、本発明の第２実施形態に係る近接センサパッケージの上面図である。図７に示すように、第１実施形態とは異なり、第１導電層１１６及び第２導電層１１８を形成するプロセスの間に、近接センサパッケージ構造２００を製造する方法は、基板１０２上の第１導電層１１６に対して第２導電層１１８の反対側に、２つの第３導電層２０２を形成する段階を備える。チップボンディングプロセスの間に、本実施形態の方法は更に、第３導電層２０２上に環境光センサチップ２０４を配置する段階を備える。電気接続プロセスの間に、本実施形態の方法は更に、環境光センサチップ２０４及び第３導電層２０２を、第２金属ワイヤ２０６と電気的に接続する段階を備える。本実施形態では、センサチップ１２２はフィルタ被覆層を含む必要がなく、近接センサパッケージ構造２００の封止体１２６はフィルタ材料でドープされて、封止体１２６が、センサチップ１２２上に配置され発光チップが生成した光以外の光をフィルタするフィルタ封止剤として機能してもよい。本実施形態では、環境光センサチップ２０４は、センサチップ１２２に対して発光チップ１２０の反対側に配置される。本発明は、これに限定されない。本発明の環境光センサチップは、センサチップと発光チップとの間に配置されてもよい。図８は、本発明の第２実施形態に係る近接センサパッケージ構造の別の実装形態を示した上面図である。図８に示すように、一実施形態において、第３導電層２０２は、第１導電層１１６及び第２導電層１１８の間に配置され、環境光センサチップ２０４は、第３導電層２０２上に配置されて第３導電層と電気的に接続される。
本発明の近接センサパッケージ構造と検出すべき物体との間の位置関係、及び、センサチップと発光チップとの間の相対的な位置を理解するべく、図９を参照する。図９には、本発明の近接センサパッケージ構造が異なる距離に配置された物体を検出する場合の、センサチップと発光チップとの間の相対的な位置関係が示されている。図９に示すように、物体１３２が近接センサパッケージ１００に近づき、両者の距離が第１距離ｄ１になる場合、発光チップ１２０が、特定の信号を搬送する光を生成し、第１光路１３４に沿って第１角度で出射し、物体１３２によってセンサチップ１２２に向かう方向に反射される。この時、センサチップ１２２は、発光チップ１２０から第２距離ｄ２だけ離れて配置されている。物体１３２が更に近接センサパッケージ構造１００に近づいて、両者の距離が第３距離ｄ３になる場合、発光チップ１２０から生成された光は、第２光路１３６に沿って第１角度で出射し、物体１３２によってセンサチップ１２２に向かう方向に反射される。この時、センサチップ１２２は、発光チップ１２０から第４距離ｄ４だけ離れて配置されている。お椀型の構造の焦点距離を変更することにより、生成される光を異なる角度で出射させることができる。物体１３２が近接センサパッケージ構造１００に近づいて、両者の距離が第１距離ｄ１になる場合、発光チップ１２０から生成された光は、第３光路１３８に沿って第２角度で出射し、物体１３２によってセンサチップ１２２に向かって反射される。この時、センサチップ１２２は、発光チップ１２０から第４距離ｄ４だけ離れて配置されている。このように、お椀型の構造の焦点距離を変更することにより、又は、センサチップ１２２と発光チップ１２０との間の距離を変更することにより、近接センサパッケージ構造１００と物体１３２の間の検出距離を調整することができる。更に、センサチップと発光チップとの間の距離を決定した後に、環境光センサチップの位置を決定することができる。
さらに、本発明の基板及び導電層は、上記の実施形態に限定されない。図１０は、本発明の第３実施形態に係る近接センサパッケージ構造の上面図である。図１０に示すように、第１実施形態とは異なり、本実施形態では、近接センサパッケージ構造２５０の基板１０２は更に、第１溝１０４の側に配置された第３溝２５２を備える。第３溝２５２は、第１溝１０４の内側側壁１００ｂから基板１０２の上面に向かって延在して、第１溝１０４と連結されている。また、第３溝２５２は、下面１００ａ、及び、下面１００ａから基板１０２の上面へと延びる内側側壁１００ｂによって規定される。更に、第１導電層１１６の一方が第１溝１０４内に設けられ、内側側壁１００ｂ及び下面１００ａを完全に覆っている。第１導電層１１６の他方は、第３溝２５２内に設けられている。第１溝１０４の内側側壁１００ｂ及び下面１００ａを完全に覆っている一方の第１導電層１１６は、第１溝１０４内の発光チップ１２０の反射層であってもよく、発光チップ１２０から出射した光線をより効率的に集光して、発光チップ１２０によって生成されセンサチップ１２２によって検出される光信号を増強してもよい。更に、第３溝２５２の深さは、第４溝１０４の深さよりも小さくなっており、第３溝２５２によって、第１溝１０４のお椀形状構造が集光効果を失うことがないようにしている。
上記したように、本発明の近接センサパッケージ構造の製造方法では、レーザーを使用して直接基板上に導電層が形成され、基板表面の粗面化により、基板上に導電層を埋め込む。発光チップ及びセンサチップは基板上に配置されて、発光チップ及びセンサチップが、同じパッケージ構造に内包されるので、近接センサのサイズを小さくすることができる。また、本発明の近接センサパッケージ構造の基板は透光性を有さないので、発光チップから出射して基板を通過する光のセンサチップにより誤検出を防ぐことができる。椀形状の第１溝の側壁及び下面を部分的に又は完全に第１導電層で覆って反射性を付与することにより、第１溝に配置された発光チップから出射した光線を椀形状構造により集光することができ、検出されるべき物体によって反射されセンサチップによって検出される光の信号強度を高めることができる。更に、椀形状反射層が光を集光するので、透光性を有するカバーから出射した光の一部の反射だけでなく、検出されるべき物体によって反射されていない光信号のセンサチップによる受光を防ぐことができ、発光チップから出射しセンサチップによって受信される光信号を増強させることができる。これにより、近接センサパッケージ構造の検出能力を向上させることができる。
上記では、本発明の望ましい実施形態について説明が行われた。しかしながら、本発明の範囲に基づく改良及び変形も、本発明の範囲内に含まれる。
Claims (17)
- 第１溝及び第２溝を有し、透光性を有さない基板と、
前記基板上に設けられ、互いに電気的に絶縁される２つの第１導電層と、
前記基板上に設けられ、第１導電部分及び第２導電部分を有し、互いに電気的に絶縁される複数の第２導電層と、
前記第１溝内に配置され、前記第１導電層と電気的に接続される発光チップと、
前記第２溝内で前記第２導電層の前記第１導電部分上に配置され、前記第２導電層と電気的に接続されるセンサチップと、
前記発光チップ及び前記センサチップ上にそれぞれ設けられる２つの封止体と
を備え、
前記第１溝及び前記第２溝はそれぞれ、底面、及び、前記基板の下面から上面へと延在する内側側壁により画定され、
前記２つの第１導電層はそれぞれ、前記第１溝の底面から、前記第１溝の前記内側側壁に沿って、前記２つの第１導電層の他方に対して反対の方向に、前記基板の外側側壁まで延在し、
前記第２導電層の前記第１導電部分は、前記第２溝の底面の中央領域に設けられ、前記第２導電層の前記第２導電部分は、前記第２溝の前記底面から、前記第２溝の前記内側側壁に沿って、前記基板の前記外側側壁まで延在する近接センサパッケージ構造。 - 前記基板は、前記基板の１以上の表面上に、レーザー照射によって活性化されることにより前記第１導電層及び前記第２導電層を形成可能な複合材料によって形成される請求項１に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記基板は更に、前記第１溝の前記内側側壁から前記基板の前記上面へと延在する第３溝を備え、
前記２つの第１導電層のうちの一方は、前記第１溝に設けられ、
前記２つの第１導電層のうちの他方は、前記第３溝に設けられる請求項２に記載の近接センサパッケージ構造。 - 前記第１導電層は、前記第１溝の前記内側側壁及び前記底面を完全に覆う請求項２に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記第３溝の深さは、前記第１溝の深さよりも小さい請求項３に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記センサチップは、近接センサデバイス及び前記近接センサデバイス上に設けられるフィルタ被覆層を有し、
前記センサチップ上の前記封止体は、透明なコロイドを含む請求項１に記載の近接センサパッケージ構造。 - 前記センサチップ上の前記封止体は、フィルタ封止剤を含む請求項６に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記基板上、及び、前記第１導電層及び前記第２導電層の間に設けられる２つの第３導電層を更に備える請求項１に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記第３導電層上に設けられ、前記第３導電層と電気的に接続される環境光センサチップを更に備える請求項８に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記基板上の前記第１導電層に対して前記第２導電層の反対側に設けられる２つの第３導電層を更に備える請求項１に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記第３導電層上に設けられ、前記第３導電層と電気的に接続される環境光センサチップを更に備える請求項１０に記載の近接センサパッケージ構造。
- 前記発光チップは、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを含む請求項１に記載の近接センサパッケージ構造。
- 第１溝及び第２溝を有し、透光性を有さない基板を用意する段階と、
パターニングされたトレンチの各々内の前記基板の対応する部分が粗面となるように、前記基板の１以上の面上に、前記パターニングされたトレンチを複数形成する段階と、
前記基板の複数の前記パターニングされたトレンチ内の部分に、２つの第１導電層及び複数の第２導電層を形成する段階と、
光発光チップ及びセンサチップをそれぞれ、前記基板の前記第１溝及び前記第２溝内に接着する段階と、
前記２つの第１導電層の間に前記発光チップを電気的に接続する段階と、
前記センサチップを前記第２導電層に電気的に接続する段階と
を備える近接センサパッケージ構造の製造方法。 - 前記基板は、前記基板の１以上の表面上に、レーザー照射によって活性化されることにより前記第１導電層及び前記第２導電層を形成可能な複合材料によって形成される請求項１３に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。
- 前記基板の１以上の面にパターニングされたトレンチを複数形成する段階は、
前記基板の前記１以上の面をレーザー照射することにより活性化させる段階を有する請求項１３に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。 - 前記２つの第１導電層及び複数の第２導電層を形成する段階は、
前記基板の前記パターニングされたトレンチ内の部分に第１めっき層を形成するべく、化学めっきプロセスを実行する段階と、
前記第１めっき層上に少なくとも１つの第２めっき層を形成するべく、無電解めっきプロセスを実行する段階とを有し、
前記第１導電層及び前記第２導電層は、第１めっき層及び第２めっき層からなる請求項１３に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。 - 前記２つの第１導電層の間に前記発光チップを電気的に接続する段階、及び、前記センサチップを前記第２導電層に電気的に接続する段階の後に、
前記発光チップ及び前記センサチップ上にそれぞれ設けられる２つの封止体を形成するべく、接着剤を塗布する段階を更に備える請求項１３に記載の近接センサパッケージ構造の製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019145586A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | 受発光素子モジュールおよびセンサー装置 |
| JP2020072119A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 近接センサ用パッケージ、近接センサ装置および電子モジュール |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969388A (zh) * | 2011-09-02 | 2013-03-13 | 光宝新加坡有限公司 | 整合式感测封装结构 |
| TWI458113B (zh) * | 2012-05-04 | 2014-10-21 | Taiwan Ic Packaging Corp | Proximity sensor and its manufacturing method |
| TWI512313B (zh) * | 2012-11-09 | 2015-12-11 | Upi Semiconductor Corp | 接近感測器及其運作方法 |
| TWI490521B (zh) * | 2012-11-14 | 2015-07-01 | Pixart Imaging Inc | 近接式光感測器及製作方法 |
| CN103837174B (zh) * | 2012-11-23 | 2017-10-03 | 原相科技股份有限公司 | 近接式光传感器及制作方法 |
| CN103066087B (zh) * | 2012-12-20 | 2016-03-02 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器模组和手持式电子装置 |
| US9018645B2 (en) * | 2013-08-29 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Optoelectronics assembly and method of making optoelectronics assembly |
| CN104332524B (zh) * | 2014-08-26 | 2018-01-09 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 电子装置、光学模块及其制造方法 |
| TWI587003B (zh) * | 2014-10-15 | 2017-06-11 | 昇佳電子股份有限公司 | 內建光障元件之封裝結構、形成光學封裝結構之方法與所形成之光學封裝結構 |
| US10672937B2 (en) * | 2015-09-02 | 2020-06-02 | Pixart Imaging Inc. | Optical sensor module and sensor chip thereof |
| CN206602107U (zh) * | 2016-11-23 | 2017-10-31 | 创智能科技股份有限公司 | 指纹感测辨识封装结构 |
| CN110098180B (zh) * | 2018-01-31 | 2023-10-20 | 光宝新加坡有限公司 | 晶圆级感应模块及其制造方法 |
| JP2021515983A (ja) * | 2018-03-06 | 2021-06-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 回路ダイと相互接続部との間の自動位置合わせ |
| KR102068161B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2020-01-20 | (주)파트론 | 광학 센서 패키지 및 그 제조 방법 |
| CN109346534B (zh) * | 2018-11-23 | 2024-05-07 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种陶瓷管壳结构及其封装结构 |
| IT201900022632A1 (it) * | 2019-12-02 | 2021-06-02 | St Microelectronics Srl | Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente |
| CN111935939B (zh) * | 2020-09-03 | 2021-01-22 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 密封结构、密封方法、传感器和电子设备 |
| KR102546105B1 (ko) * | 2020-12-15 | 2023-06-21 | (주)파트론 | 광학 센서 패키지 |
| US11715753B2 (en) * | 2020-12-30 | 2023-08-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for integration of light emitting diodes and image sensors |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878457A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08130325A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-05-21 | Sharp Corp | 反射型フォトインタラプタおよびその製造方法 |
| JPH0983011A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
| JPH1041539A (ja) * | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Shichizun Denshi:Kk | 赤外線送受信モジュールの構造 |
| JP2000205951A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Seitai Hikari Joho Kenkyusho:Kk | 光測定装置 |
| JP2004022588A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | New Japan Radio Co Ltd | 光半導体素子 |
| JP2009088435A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ及びその製造方法 |
| JP2010021301A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Kaneka Corp | 絶縁材料、ならびにプリント配線板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004066398A1 (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | 光センサフィルタ用の透明樹脂組成物、光センサおよびその製造方法 |
| JP2005317878A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ装置及びその製造方法 |
| JP2006135090A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Seiko Epson Corp | 基板の製造方法 |
-
2010
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878457A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08130325A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-05-21 | Sharp Corp | 反射型フォトインタラプタおよびその製造方法 |
| JPH0983011A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
| JPH1041539A (ja) * | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Shichizun Denshi:Kk | 赤外線送受信モジュールの構造 |
| JP2000205951A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Seitai Hikari Joho Kenkyusho:Kk | 光測定装置 |
| JP2004022588A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | New Japan Radio Co Ltd | 光半導体素子 |
| JP2009088435A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ及びその製造方法 |
| JP2010021301A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Kaneka Corp | 絶縁材料、ならびにプリント配線板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019145586A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | 受発光素子モジュールおよびセンサー装置 |
| JP2020072119A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 近接センサ用パッケージ、近接センサ装置および電子モジュール |
| JP7072486B2 (ja) | 2018-10-29 | 2022-05-20 | 京セラ株式会社 | 近接センサ用パッケージ、近接センサ装置および電子モジュール |
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