JP2014029897A - 導電性接合体およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体チップ2と、表面に電極板3を有する絶縁基板11を有し、前記半導体チップと前記電極板とを酸化銀または酸化銅の金属粒子を焼結して接合する半導体装置の製造方法で、前記酸化銀または酸化銅の還元反応開始温度までの昇温速度の方が、前記酸化銀または酸化銅の還元反応開始温度以上での昇温速度よりも遅いことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
以下、本実施形態に関わる第一の実施形態について説明する。
本実施形態では第一の実施形態と異なる焼結接合層を形成した。
本実施例では、第一、第二の実施形態の焼結接合層を適用した半導体装置を作製した。
本実施例では、第二の実施形態の焼結接合層を適用した半導体装置を作製した。
1a 焼結接合層端部
1b 焼結接合層内部
2 半導体チップ
3 電極板
11 絶縁基板
13 金属板
Claims (10)
- 半導体チップと、表面に電極板を有する絶縁基板を有し、前記半導体チップと前記電極板とを酸化銀または酸化銅の金属粒子を焼結して接合する半導体装置の製造方法において、
前記酸化銀または酸化銅の還元反応開始温度までの昇温速度の方が、前記酸化銀または酸化銅の還元反応開始温度以上での昇温速度よりも遅いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
さらに加圧して焼結することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記酸化銀または酸化銅の還元反応開始温度までの加圧は、前記酸化銀または酸化銅の還元反応開始温度以上で行なう加圧よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップと、表面に電極板を有する絶縁基板を有し、前記半導体チップと前記電極板とを酸化銀または酸化銅の金属粒子を焼結して接合する半導体装置の製造方法において、
前記酸化銀または酸化銅の100%重量減少温度と前記酸化銀または酸化銅の10%重量減少温度の差をΔTとした場合に、ΔTの1/2の温度までの昇温速度の方がΔTの1/2の温度以上での昇温速度よりも遅いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体チップと、
前記半導体チップを搭載し、表面に電極板を有する絶縁基板を有する半導体装置に置いて、
前記半導体チップと前記電極板は焼結金属層を介して接合され、
前記半導体チップ端部から0.5mm未満の領域の前記焼結金属層における空隙率が、前記半導体チップ端部から0.5mm以上内部の領域の前記焼結金属層における空隙率よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記半導体チップ端部から0.5mm未満の領域の前記焼結金属層における空隙率は15%以上35%未満であり、
前記半導体チップ端部から0.5mm以上内部の領域の前記焼結金属層における空隙率は15%未満であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5または6に記載の半導体装置において、
前記焼結金属層は、銀で構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5または6に記載の半導体装置において、
前記焼結金属層は、銅で構成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5乃至8のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体チップには、前記半導体チップ端部から0.5mm未満の領域に溝が設けられていること特徴とする半導体装置。 - 請求項5乃至8のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電極板には、前記半導体チップ端部から0.5mm未満の領域と対向する領域に溝が設けられていることを特徴とする半導体装置。
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