WO2023153163A1 - フリップチップ実装構造およびフリップチップ実装方法 - Google Patents

Abstract

フリップチップ実装構造は、第１の電極パッドを備えた第１の部材と、第１の電極パッド上に形成されたバンプと、第２の電極パッドを備えた第２の部材と、第２の電極パッド上に形成された接続部と、を備える。第１の部材と第２の部材は、フリップチップ実装され、第１の電極パッドと第２の電極パッドとは、バンプと、接合部とを介して電気的に接続されている。接合部は、少なくとも、バンプの頭頂部と第２の電極パッドとの間に挟まれた領域に形成された第１の接合部と、第１の接合部の周辺を囲む領域であって、少なくとも、バンプの側面を囲む領域に形成された第２の接合部とで構成されている。第１の接合部および第２の接合部の各々は、金属粉末の焼結体からなる。

Description

フリップチップ実装構造およびフリップチップ実装方法

　本発明は、フリップチップ実装構造、及び、フリップチップ実装方法に関する。

　半導体装置の実装基板への実装技術の１つとして、フリップチップ実装が知られている。フリップチップ実装においては、突起電極が、半導体装置の電極端子上に形成され、実装基板の電極パッドに対して圧接・加熱することにより、電極端子が実装基板の電極パッドにバンプ接続され、半導体装置が実装基板にフリップチップ実装される。

　電極端子上に形成される突起電極には、はんだバンプが多く採用されている。しかしながら、電極端子間の狭ピッチ化に伴い、フリップチップ実装時の圧接・加熱工程において、溶融し変形したはんだバンプが、その表面張力により他のはんだバンプと繋がるブリッジ不良が発生し易くなる。

　そこで、電極端子上に形成される突起電極に、はんだバンプに代えて、例えば、銅などからなる柱状の微細金属バンプを採用する工法が知られている。この工法においては、フリップチップ実装時の圧接・加熱工程において、突起電極の先端を塑性変形させ、固相拡散により突起電極を電極パッドに接合する。この工法によれば、フリップチップ実装時の圧接・加熱工程において、微細金属バンプを溶融させないので、微細金属バンプの溶融及び変形に起因するブリッジ不良の発生を防ぐことができる。

　しかしながら、半導体装置が高温下や低温下で繰り返し使用された場合、熱ストレスにより、微細金属バンプの根元部分にクラックが入ったり断線したりする問題が生じる。このような問題を解決する方法として、特許文献１には、微細金属バンプの根元部分にテーパ部を設ける構造が開示されている。

特開２０１４－３２０１号公報

　図１１は、半導体装置１１０を、実装基板１２０にフリップチップ実装したときの従来の構造を示した図である。半導体装置１１０の電極パッド１１１と、実装基板１２０の電極パッド１２１とは、金属バンプ１３０を介して接合されている。ここで、金属バンプ１３０は、テーパ部１３０ａと柱状部１３０ｂとを備えた構造を有している。

　図１１に示すように、実装基板１２０の電極パッド１２１と、金属バンプ１３０の柱状部１３０ｂとの接合面積は、半導体装置１１０の電極パッド１１１と、金属バンプ１３０のテーパ部１３０ａとの接合面積より小さい。そのため、フリップチップ実装時に、電極パッド１２１と柱状部１３０ｂとの接合部には、過大な荷重が加わる。

　通常、実装基板１２０の電極パッド１２１の下には、絶縁膜１２２が形成されているが、実装基板１２０に搭載した電子部品の微細化や高速伝送化が進むと、絶縁膜１２２の脆弱化が顕著になる。そのため、電極パッド１２１と柱状部１３０ｂとの接合部には、過大な荷重が加わると、電極パッド１２１の下にある脆弱な絶縁膜１２２にも、局所的な圧縮応力が働く。かかる圧縮応力が絶縁膜１２２の破壊応力を上回ると、絶縁膜１２２に破断や亀裂等が生じたり、絶縁膜１２２の下にあるトランジスタ等と電子部品の電気特性が変動したりするという問題が発生する。

　本発明は、上記の課題に鑑み、フリップチップ実装時において、実装基板側に与える応力を緩和し得るフリップチップ実装構造、およびフリップチップ実装方法を提供することを目的とする。

　本発明に係るフリップチップ実装構造は、第１の電極パッドを備えた第１の部材と、第１の電極パッド上に形成されたバンプと、第２の電極パッドを備えた第２の部材と、第２の電極パッド上に形成された接続部と、を備える。第１の部材と第２の部材は、フリップチップ実装され、第１の電極パッドと第２の電極パッドとは、バンプと、接合部とを介して電気的に接続されている。接合部は、少なくとも、バンプの頭頂部と第２の電極パッドとの間に挟まれた領域に形成された第１の接合部と、第１の接合部の周辺を囲む領域であって、少なくとも、バンプの側面を囲む領域に形成された第２の接合部とで構成されている。第１の接合部および第２の接合部の各々は、金属粉末の焼結体からなり、第１の接合部の焼結体は、第２の接合部の焼結体よりも緻密であり、第２の接合部の焼結体は、多孔質である。

　本発明に係るフリップチップ実装方法は、第１の電極パッドを備えた第１の部材と、第２の電極パッドを備えた第２の部材とを、フリップチップ実装するフリップチップ実装方法であって、第１の電極パッド上に、バンプを形成する工程と、第２の電極パッド上に、バンプの径よりも大きな領域に、金属粉末を含むペースト状の接合層を形成する工程と、第１の部材を、バンプの一部が前記接合層内に埋設するように、第２の部材上に配置する工程と、接合層を、多孔質な焼結体からなる第１の接合層に変換する第１の変換工程と、バンプと第２の電極パッドとの間に存在する前記第１の接合層の一部を、第１の接合層の焼結体よりも緻密な焼結体からなる第２の接合層に変換する第２の変換工程と、第１の電極パッドと第２の電極パッドとの間に圧力を加えて、第１の部材と第２の部材とを、バンプ及び第２の接合層を介して接続する接続工程とを含む。

　本発明によれば、フリップチップ実装時において、実装基板側に与える応力を緩和し得るフリップチップ実装構造、およびフリップチップ実装方法を提供することができる。

本発明の第１の実施形態におけるフリップチップ実装構造を模式的に示した断面図である。 図１のＡに示した領域の拡大図である。 図２のＢ－Ｂ´断面図である。 第１の実施形態の変形例におけるフリップチップ実装構造を模式的に示した断面図である。 第１の実施形態の他の変形例におけるフリップチップ実装構造を模式的に示した断面図である。 （Ａ）～（Ｄ）は、本発明の第２の実施形態におけるフリップチップ実装方法を模式的に示した断面図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態におけるフリップチップ実装方法を模式的に示した断面図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、圧縮工程の他の実施形態を示した図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例２におけるフリップチップ実装方法を模式的に示した断面図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例２におけるフリップチップ実装方法を模式的に示した断面図である。 半導体装置を回路基板にフリップチップ実装したときの従来の構造を示した図である。

　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本発明の効果を奏する範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。

　（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態におけるフリップチップ実装構造を模式的に示した断面図である。また、図２は、図１のＡに示した領域の拡大図である。また、図３は、図２のＢ－Ｂ´断面図である。

　図１に示すように、本実施形態におけるフリップチップ実装構造は、第１の電極パッド２を備えた第１の部材１と、第２の電極パッド６を備えた第２の部材５とが、フリップチップ実装された構造を有する。

　なお、本実施形態における第１の部材１及び第２の部材５は、互いにフリップチップ実装する対象を総称してもので、特に、その対象は限定されず、例えば、半導体装置、回路基板、電子部品、フレキシブル配線基板等が挙げられる。

　図１に示すように、第１の電極パッド２と第２の電極パッド６とは、第１の電極パッド２側に形成されたバンプ４と、第２の電極パッド側に形成された接合部８とを介して電気的に接続されている。第１の電極パッド２は、絶縁膜３の開口部で露出し、この開口部で、バンプ４と接続されている。また、第２の電極パッド６は、レジスト７の開口部で露出し、この開口部で、接合部８に接続されている。

　図２に示すように、バンプ４は、第１の電極パッド２側から順に、テーパ部４ａ、柱状部４ｂ、及び頭頂部４ｃを備えた構造をなす。テーパ部４ａは、第１の電極パッド２側から柱状部４ｂに向かって、サイズが小さくなっている。テーパ部４ａと柱状部４ｂは同一材料からなり、界面は存在しない。また、頭頂部４ｃは、柱状部４ｂの先端周辺を示し、柱状部４ｂの下面、及び、下面に近い側壁部を指す。バンプ４の材料は特に限定されないが、例えば、銅、コバルト、金、銀等が挙げられる。

　本実施形態において、接合部８は、金属粉末の焼結体からなり、図２及び図３に示すように、緻密な焼結体からなる第１の接合部８ａと、多孔質な焼結体からなる第２の接合部８ｂとで構成されている。すなわち、第１の接合部８ａの焼結体は、第２の接合部８ｂの焼結体よりも緻密である。第１の接合部８ａは、少なくとも、バンプ４の頭頂部４ｃと第２の電極パッド６との間に挟まれた領域に形成されている。第２の接合部８ｂは、第１の接合部８ａの周辺を囲む領域であって、少なくとも、バンプ４の柱状部４ｂの側面を囲む領域に形成されている。なお、第１の接合部８ａ及び第２の接合部８ｂは、同一材料からなる。

　ここで、「緻密な焼結体」とは、金属粉末同士の結合が密で、空隙の少ないバルク金属に近い状態の焼結体を言い、「多孔質な焼結体」とは、金属粉末同士の結合が粗く、空隙が残っている状態の焼結体を言う。当然に、「緻密な焼結体」の硬度は、「多孔質な焼結体」の硬度よりも大きい。

　接合部８の材料は、融点より低い温度で焼結（金属間結合）が進む金属粉末であれば、特に限定されないが、例えば、銀、銅、金、はんだ等の材料からなる、ナノ金属粒子またはマイクロ金属粒子が挙げられる。

　本実施形態によれば、バンプ４は、剛性の高い緻密な焼結体からなる第１の接合部８ａを介して、第２の電極パッド６に接続されているため、強固で、かつ低電気抵抗での接続が可能となる。

　また、第１の接合部８ａの周辺を、剛性の低い多孔質な焼結体からなる第２の接合部８ｂで取り囲むことにより、第１の接合部８ａとバンプ４の頭頂部４ｃとの界面、及び、第１の接合部８ａと第２の電極パッド６との界面にかかる応力を分散させることができる。これにより、フリップチップ実装時に、バンプ４に過大な荷重が加わっても、第２の電極パッド６の下にある脆弱な絶縁膜（不図示）に加わる応力を緩和することができる。その結果、絶縁膜に破断や亀裂等が生じたり、絶縁膜の下にあるトランジスタ等と電子部品の電気特性が変動したりするのを防止することがきる。

　加えて、第２の接合部８ｂを、バンプ４の柱状部４ｂの側面を囲む領域に形成することによって、フリップチップ実装時に、第２の接合部８ｂが支えとなって、柱状部４ｂが倒れるのを防止することができる。

　ところで、図２に示した接合部８では、緻密な焼結体からなる第１の接合部８ａと、多孔質な焼結体からなる第２の接合部８ｂとの境界を明確に示したが、必ずしも、当該境界が明確でなくてもよく、緻密な領域から多孔質な領域に、焼結体の空隙が徐々に変化している領域になっていてもよい。すなわち、第１の接合部８ａおよび第２の接合部８ｂの焼結体の空隙の体積比率は、第１の接合部８ａから第２の接合部８ｂに向けて、徐々に大きくなっていてもよい。より具体的には、第１の接合部８ａおよび第２の接合部８ｂの焼結体の空隙は、第１の接合部８ａから第２の接合部８ｂに向けて、徐々に大きくなっていてもよい。また、第１の接合部８ａおよび第２の接合部８ｂの焼結体の空隙の個数は、第１の接合部８ａから第２の接合部８ｂに向けて、徐々に多くなっていてもよい。これにより、応力のかかりやすい第１の接合部８ａと、第２の接合部８ｂの界面が曖昧となり、応力集中を緩和することができる。

　なお、本実施形態では、より信頼性を高めるために、バンプ４は、テーパ部４ａ、柱状部４ｂ、頭頂部４ｃを設けた形状としているが、特に本構造に限定する必要はなく、例えば柱状、球状などでも構わない。

　（第１の実施形態の変形例）
　図４は、第１の実施形態の変形例におけるフリップチップ実装構造を模式的に示した断面図である。

　図４に示すように、本変形例では、バンプ４（柱状部４ｂ）の側面に接する領域にも、緻密な集結体からなる第１の接合部８ａの一部が形成されている。図２に示したように、バンプ４（柱状部４ｂ）の側面が、物性の異なる第１の接合部８ａと第２の接合部８ｂに接していると、その界面に応力が集中する。本変形例では、バンプ４（柱状部４ｂ）の側面が、第１の接合部８ａのみで接することにより、応力集中を緩和することができ、これにより、より信頼性の高い実装構造が得られる。

　また、図５に示すように、図２に示した接合部８を囲むレジスト７はなくてもよい。

　（第２の実施形態）
　図６（Ａ）～（Ｄ）、及び図７（Ａ）～（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態におけるフリップチップ実装方法を模式的に示した断面図である。本実施形態におけるフリップチップ実装方法は、図１に示したフリップチップ実装構造を製造する方法で、第１の電極パッド２を備えた第１の部材１と、第２の電極パッド６を備えた第２の部材５とを、フリップチップ実装する。

　図６（Ａ）に示すように、第１の部材１の表面に形成された第１の電極パッド２上に、バンプ４を形成する。ここで、第１の電極パッド２の一部は、絶縁膜３に形成された開口部で露出している。バンプ４の形成は、スタッドバンプボンディング法や、メッキによるセミアディティブ法やフルアディティブ法等の方法で行うことができる。

　次に、図６（Ｂ）に示すように、第２の部材５の表面に形成された第２の電極パッド６上に、バンプ４の径よりも大きな領域に、金属粉末を含むペースト状の接合層８ｃを形成する。具体的には、第２の電極パッド６上に、第２の電極パッド６の一部が露出するような開口部を有するレジスト７を形成し、レジスト７の開口部に、ペースト状の接合層８ｃを充填する。充填する方法としては、印刷法や、転写法、インクジェット法を用いることができる。ここで、接合層８ｃは、例えば、金属粉末を分散剤や溶剤に混ぜた焼結前のペースト状態である。

　次に、図６（Ｃ）に示すように、第２の部材５を、高温炉内や、ホットプレート上でペースト状の接合層８ｃを加熱する。このときの加熱温度は、ペースト状の接合層８ｃ内に含まれる金属粉末が焼結せずに、溶剤のみを気化する温度である。こうすることで、金属粉末を含むペースト状の接合層８ｃは、仮乾燥状態の接合層８ｄとなる。

　なお、この仮乾燥工程は、必ずしも必要ではなく、省いても構わない。

　次に、図６（Ｄ）に示すように、コレット９に吸着された第１の部材１を、バンプ４の一部が接合層８ｄ内に埋設するように、ステージ１０上に保持された第２の部材５上に配置する。このとき、バンプ４の頭頂部４ｃと、第２の電極パッド６との間には、一定の隙間が設けられている。また、ステージ１０及びコレット９は、あらかじめ予熱しておいても良い。

　次に、図７（Ａ）に示すように、仮乾燥状態の接合層８ｄを、金属粉末の焼結温度より高い温度（第１の温度）に加熱して、多孔質な焼結体からなる接合層（第１の接合層）８ｂに変換する。

　加熱方法としては、ステージ１０からの伝熱による方法、加熱エリア１１全体を高温炉内に入れる方法、コレット９からの伝熱による方法や、これらを組合せた方法などを用いることができる。本加熱工程により、仮乾燥状態の接合層８ｄの焼結反応が進み、接合層８ｄの全体が、多孔質な焼結体からなる第１の接合層８ｂへと変換していく。

　次に、図７（Ｂ）に示すように、第１の接合層８ｂのうち、少なくとも、バンプ４と第２の電極パッド６との間に存在する第１の接合層８ｂの一部を、緻密な焼結体からなる接合層（第２の接合層）８ａに変換する。具体的には、第１の部材１を、第２の部材５の方向に押し付け、バンプ４と第２の電極パッド６との間に存在する第１の接合層８ｂに、所定の圧縮応力を加えることにより行われる。本圧縮工程により、圧縮応力が加わった領域にある第１の接合層８ｂにおいて、金属粉末同士の金属結合がさらに進み、当該領域にある第１の接合層８ｂは、空隙が少なく、バルク金属に近い状態の焼結体からなる第２の接合層８ａへと変換していく。

　最後に、第１の電極パッド２と第２の電極パッド６との間に、所定の圧力を加えることにより、第１の部材１と第２の部材５とを、バンプ４及び第１の接合層８ｂを介して接続し、図１に示したフリップチップ実装構造を得る。ここで、図１における第１の接合部８ａ及び第２の接合部８ｂが、本実施形態における第２の接合層８ａ及び第１の接合層８ｂに相当する。

　なお、上記圧縮工程は、第１の接合層８ｂに加える圧縮応力を徐々に高めながら行ってもよい。これにより、緻密な焼結体からなる第２の接合層８ａと、多孔質な焼結体からなる第１の接合層８ｂとの境界を、緻密な領域から多孔質な領域に、焼結体の空隙が徐々に変化している領域とすることができる。その結果、応力のかかりやすい第２の接合層８ａと、第１の接合層８ｂの界面が曖昧となり、応力集中を緩和することができる。

　また、上記圧縮工程は、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、バンプ４を塑性変形させながら行ってもよい。

　図８（Ａ）に示すように、バンプ４と第２の電極パッド６との間の領域に存在する第１の接合層８ｂに、圧縮応力を加えると、当該領域に存在する第１の接合層８ｂは、徐々に緻密な焼結体からなる第２の接合層８ａに変換していく。このとき、緻密な焼結体からなる第２の接合層８ａの硬度は、徐々に高くなっていく。

　第２の接合層８ａの硬度がある程度高くなってくると、図８（Ｂ）に示すように、バンプ４が次第に塑性変形を起こし、柱状部４ｂが次第につぶれて、頭頂部４ｃの面積が広がっていく。これに伴い、広がった頭頂部４ｃ部分と第２の電極パッド６との間の領域も、より緻密な焼結体からなる第２の接合層８ａへと徐々に変化し、その領域を広げていく。また、バンプ４のつぶれに伴い、柱状部４ｂの側面方向にも圧縮応力が加わるため、柱状部４ｂの側面方向にも、緻密な焼結体からなる第２の接合層８ａが形成される。なお、バンプ４が塑性変形するためには、第２の接合層８ａの硬度が、バンプ４の硬度よりも大きくなっていることが好ましい。

　また、バンプ４の塑性変形を伴う圧縮工程は、第１の電極パッド２と、第２の電極パッド６との間に圧力を加えて、第１の部材１と第２の部材５とを、バンプ４及び第２の接合層８ａを介して接続する加圧工程を兼ねていてもよい。

　（第２の実施形態の変形例１）
　図９（Ａ）、（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例１におけるフリップチップ実装方法を模式的に示した断面図である。なお、図６（Ａ）～（Ｄ）に示した工程は、本変形例においても同じであるので、説明は省略する。

　第２の実施形態では、第１の接合層８ｂを第２の接合層８ａに変換する工程を、バンプ４と第２の電極パッド６との間の領域に存在する第１の接合層８ｂに、圧縮応力を加える圧縮工程により行ったが、本変形例では、当該領域に存在する第１の接合層８ｂを、所定の温度に加熱する加熱工程によって行うものである。

　図９（Ａ）は、図７（Ａ）に示した工程と同じで、仮乾燥状態の接合層８ｄを、金属粉末の焼結温度より高い温度（第１の温度）に加熱して、多孔質な焼結体からなる第１の接合層８ｂに変換する。ここでの加熱は、仮乾燥状態の接合層８ｄ全体が加熱される方法で行われる。

　次に、図９（Ｂ）に示すように、バンプ４と接触している領域近傍に存在する第１の接合層８ｂを、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する。当該領域を局所的に加熱するためには、図９（Ｂ）に示すように、コレット９を介して、第１の部材１を加熱することが好ましい。これにより、第１の部材１から、第１の電極パッド２を介してバンプ４に伝達した熱により、バンプ４と接触している近傍の領域に存在する第１の接合層８ｂを局所的に加熱することができる。本加熱工程により、局所的に加熱された領域にある第１の接合層８ｂにおいて、金属粉末同士の金属結合がさらに進み、当該領域にある第１の接合層８ｂが、空隙の少ないバルク金属に近い状態の焼結体からなる第２の接合層８ａへと変換していく。

　なお、本加熱工程の後、バンプ４と第２の電極パッド６との間に存在する第２の接合層８ａに、圧縮応力を加える工程をさらに行ってもよい。

　（第２の実施形態の変形例２）
　図１０（Ａ）、（Ｂ）は、第２の実施形態の変形例２におけるフリップチップ実装方法を模式的に示した断面図である。なお、図６（Ａ）～（Ｃ）に示した工程は、本変形例においても同じであるので、説明は省略する。

　図１０（Ａ）は、第１の部材１と第２の部材５とを、第１の電極パッド２と第２の電極パッド６とが対向するように配置した状態を示した図である。

　図１０（Ａ）に示すように、コレット９を介して、第１の部材１を、金属粉末の焼結温度より高い温度（第１の温度）に加熱する。これにより、第１の部材１からの熱が、第１の電極パッド２を介してバンプ４に伝達し、バンプ４の温度が第１の温度となる。なお、このとき、ステージ１０を介して、第２の部材５を、金属粉末の焼結温度より低い温度に加熱しておいてもよい。

　次に、図１０（Ｂ）に示すように、第１の部材１を、バンプ４の一部が接合層８ｄ内に埋設する位置に、第２の部材５上に配置する。これにより、接合層８ｄは、バンプ４が接した領域から、徐々に金属粉末の焼結温度以上に加熱され、接合層８ｄの全体が、多孔質な焼結体からなる第１の接合層８ｂに変換される。

　次に、図７（Ｂ）に示したのと同様に、第１の部材１を、第２の部材５の方向に押し付け、バンプ４と第２の電極パッド６との間の領域に存在する第１の接合層８ｂに、所定の圧縮応力を加えることによって、当該領域にある第１の接合層８ｂが、緻密な焼結体からなる第２の接合層８ａに変換する。

　以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、もちろん、種々の改変が可能である。

　　１　　　第１の部材
　　２　　　第１の電極パッド
　　３　　　絶縁膜
　　４　　　バンプ
　　４ａ　　テーパ部
　　４ｂ　　柱状部
　　４ｃ　　頭頂部
　　５　　　第２の部材
　　６　　　第２の電極パッド
　　７　　　レジスト
　　８　　　接合部
　　８ａ　　第１の接合部（第２の接合層）
　　８ｂ　　第２の接合部（第１の接合層）
　　８ｃ　　ペースト状の接合層
　　８ｄ　　仮乾燥状態の接合層
　　９　　　コレット
　　１０　　ステージ
　　１１　　加熱エリア

Claims (15)

1. 　第１の電極パッドを備えた第１の部材と、
   　前記第１の電極パッド上に形成されたバンプと、
   　第２の電極パッドを備えた第２の部材と、
   　前記第２の電極パッド上に形成された接続部と、を備えるフリップチップ実装構造であって、
   　前記第１の部材と前記第２の部材は、フリップチップ実装され、
   　前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとは、前記バンプと、前記接合部とを介して電気的に接続されており、
   　前記接合部は、
   　　少なくとも、前記バンプの頭頂部と前記第２の電極パッドとの間に挟まれた領域に形成された第１の接合部と、
   　　前記第１の接合部の周辺を囲む領域であって、少なくとも、前記バンプの側面を囲む領域に形成された第２の接合部とで構成されており、
   　前記第１の接合部および前記第２の接合部の各々は、金属粉末の焼結体からなり、
   　前記第１の接合部の焼結体は、前記第２の接合部の焼結体よりも緻密であり、
   　前記第２の接合部の焼結体は、多孔質である、フリップチップ実装構造。
2. 　前記第１の接合部と、前記第２の接合部との境界は、前記第１の接合部および前記第２の接合部の焼結体の空隙が徐々に変化している領域となっている、請求項１に記載のフリップチップ実装構造。
3. 　前記バンプの側面に接する領域に、前記第１の接合部の一部が形成されている、請求項１に記載のフリップチップ実装構造。
4. 　前記バンプは、テーパ部を備えており、
   　前記テーパ部の断面積は、前記第１の電極パッドから前記第２の電極パッドに向けて、徐々に小さくなる、請求項１に記載のフリップチップ実装構造。
5. 　前記第１の接合部の硬度は、前記バンプの硬度よりも大きい、請求項１に記載のフリップチップ実装構造。
6. 　第１の電極パッドを備えた第１の部材と、第２の電極パッドを備えた第２の部材とを、フリップチップ実装するフリップチップ実装方法であって、
   　前記第１の電極パッド上に、バンプを形成する工程と、
   　前記第２の電極パッド上に、前記バンプの径よりも大きな領域に、金属粉末を含むペースト状の接合層を形成する工程と、
   　前記第１の部材を、前記バンプの一部が前記接合層内に埋設するように、前記第２の部材上に配置する工程と、
   　前記接合層を、多孔質な焼結体からなる第１の接合層に変換する第１の変換工程と、
   　前記バンプと前記第２の電極パッドとの間に存在する前記第１の接合層の一部を、前記第１の接合層の焼結体よりも緻密な焼結体からなる第２の接合層に変換する第２の変換工程と、
   　前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間に圧力を加えて、前記第１の部材と前記第２の部材とを、前記バンプ及び前記第２の接合層を介して接続する接続工程と、を含む、フリップチップ実装方法。
7. 　前記第１の変換工程は、前記接合層を、前記金属粉末の焼結温度より高い第１の温度に加熱することにより行われる、請求項６に記載のフリップチップ実装方法。
8. 　前記第２の変換工程は、前記バンプと前記第２の電極パッドとの間に存在する前記第１の接合層の一部に、圧縮応力を加える圧縮工程により行われる、請求項６に記載のフリップチップ実装方法。
9. 　前記第２の変換工程は、前記バンプと前記第２の電極パッドとの間に存在する前記第１の接合層の一部を、前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する加熱工程により行われる、請求項７に記載のフリップチップ実装方法。
10. 　前記加熱工程は、前記第１の部材を加熱して、該第１の部材から前記バンプに伝達される熱により行われる、請求項９に記載のフリップチップ実装方法。
11. 　前記圧縮工程の後、前記第１の部材を加熱して、該第１の部材から前記バンプに伝達される熱により、前記バンプの側面に接する前記第１の接合層の一部を、前記第２の接合層に変換する工程をさらに含む、請求項８に記載のフリップチップ実装方法。
12. 　前記加熱工程の後、前記バンプと前記第２の電極パッドとの間に存在する前記第１の接合層の一部に、圧縮応力を加える工程をさらに含む、請求項９に記載のフリップチップ実装方法。
13. 　前記圧縮工程は、前記第１の接合層の一部に加える圧縮応力を徐々に高めながら行われる、請求項８に記載のフリップチップ実装方法。
14. 　前記圧縮工程は、前記バンプを塑性変形させながら行われる、請求項８に記載のフリップチップ実装方法。
15. 　前記バンプの塑性変形に伴う前記バンプの側面方向への圧縮応力により、前記バンプの側面に接する前記第１の接合層の一部を、前記第２の接合層に変換する工程をさらに含む、請求項１４に記載のフリップチップ実装方法。