JP2013179322A - 熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 - Google Patents
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- Y02W10/37—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies using solar energy
Abstract
【課題】高純度シリコンを原料にして、約300〜600℃において安定して高い熱電変換性能を発揮でき、高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性の高い熱電変換材料および熱電変換素子および熱電変換材料の製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とする熱電変換材料により課題を解決できる。
【選択図】なし
【解決手段】ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とする熱電変換材料により課題を解決できる。
【選択図】なし
Description
本発明は、熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子に関するものである。
従来、熱電材料として、MgSiA(AはP,As、Sb等のドーパンと元素)であって、Si粒子の一部が非凝固体状態で分散されたしたものが提案されている(例えば、特許文献6参照)。
この提案は、非凝固体状態でSi粒子が分散されているため、安定した性能の熱電変換材料を得ることが困難になるものと考えられる。
近年、環境問題の高まりに応じて、各種のエネルギーを効率的に利用するさまざまな手段が検討されている。
この提案は、非凝固体状態でSi粒子が分散されているため、安定した性能の熱電変換材料を得ることが困難になるものと考えられる。
近年、環境問題の高まりに応じて、各種のエネルギーを効率的に利用するさまざまな手段が検討されている。
特に、産業廃棄物の増加などに伴って、これらを焼却する際に生じる排熱の有効利用が課題となっている。例えば、大型廃棄物焼却設備では、排熱でボイラーを焚き、蒸気タービンにより発電するなどの排熱回収が行われているが、大多数を占める中・小型廃棄物焼却設備では、スケールメルット依存性が高いためにタービンにより発電する方法が採れない。
従って、このような排熱を利用した発電方法としてスケールメリット依存性の無い、ゼーベック効果あるいはペルチェ効果を利用して可逆的に熱電変換を行う熱電変換材料を用いた熱電変換素子が提案されている。
熱電変換素子は、例えば、熱伝導率の小さいn型半導体、p型半導体をそれぞれn型熱電変換部、p型熱電変換部の熱電変換材料として用い、図3、図4に示すように、並置されたn型熱電変換部101、p型熱電変換部102の上端部および下端部にそれぞれ電極5、6が設けられ、各熱電変換部101,102の上端の電極5が接続されて一体化されるとともに、各熱電変換部101、102 の下端の電極6、6は分離されて構成されている熱電変換素子を挙げることができる。
そして、電極5,6間に温度差を生じさせることで、電極5、6間に起電力を生じさせることができる。
そして、電極5,6間に温度差を生じさせることで、電極5、6間に起電力を生じさせることができる。
一方、各熱電変換部101,102の下端の電極6,6間に直流電流を流すことで、各電極5、6において発熱作用や吸熱作用を生じさせるようになっている。
熱電変換素子の他の例としては、例えば、熱伝導率の小さいn型半導体のみを熱電変換材料として用い、図5、図6に示すように、n型熱電変換部103の上端部および下端部にそれぞれ電極5、6が設けられて構成されている熱電変換素子を挙げることができる(特許文献5参照)。
そして、電極5、6間に温度差を生じさせることで、電極5、6間に起電力を生じさせることができる。
一方、図6に示すようにn型熱電変換部103の電極5,6間に直流電流を流すことで、各電極5、6において発熱作用や吸熱作用を生じさせることができる。
つまり、図3に示すように、電極5側を加熱しあるいは電極6側を放熱することで電極5、6間に正の温度差(Th−Tc)が生じると、熱励起されたキャリアによってp型熱電変換部102がn型熱電変換部101よりも高電位となり、左右の電極6、6間に負荷としての抵抗3を接続することで、p型熱電変換部102からn型熱電変換部101側へ電流が流れる。
一方、図6に示すようにn型熱電変換部103の電極5,6間に直流電流を流すことで、各電極5、6において発熱作用や吸熱作用を生じさせることができる。
つまり、図3に示すように、電極5側を加熱しあるいは電極6側を放熱することで電極5、6間に正の温度差(Th−Tc)が生じると、熱励起されたキャリアによってp型熱電変換部102がn型熱電変換部101よりも高電位となり、左右の電極6、6間に負荷としての抵抗3を接続することで、p型熱電変換部102からn型熱電変換部101側へ電流が流れる。
一方、図4に示すように、直流電源4によってp型熱電変換部102からn型熱電変換部101に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ吸熱作用、発熱作用が生じる。
逆に、n型熱電変換部101からp型熱電変換部102に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ発熱作用、吸熱作用を生じさせることができる。
逆に、n型熱電変換部101からp型熱電変換部102に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ発熱作用、吸熱作用を生じさせることができる。
また、図5に示すように、電極5側を加熱しあるいは電極6側を放熱することで電極5、6間に正の温度差(Th−Tc)が生じると、電極5側が電極6側よりも高電位となり、電極5、6間に負荷としての抵抗3を接続することで、電極5側から電極6側へ電流が流れる。
一方、図6に示すように、直流電源4によって電極6からn型熱電変換部103を経て電極5に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ吸熱作用、発熱作用が生じる。
一方、図6に示すように、直流電源4によって電極6からn型熱電変換部103を経て電極5に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ吸熱作用、発熱作用が生じる。
逆に、直流電源4によって電極5からn型熱電変換部103を経て電極6に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ発熱作用、吸熱作用を生じさせることができる。
このように極めてシンプルな構成で効率的に熱電変換を行うことのできる熱電変換素子は、従来より特殊な用途を中心に応用展開されている。
このように極めてシンプルな構成で効率的に熱電変換を行うことのできる熱電変換素子は、従来より特殊な用途を中心に応用展開されている。
ところで、このような熱電変換部の熱電変換性能は、一般に[数1]で表される性能指数Z(単位:K−1)によって評価される。
[数1]
Z=α2/(κρ)
[数1]において、α、κ、ρはそれぞれゼーベック係数(熱起電力)、熱伝導率、比抵抗を表わしている。
[数1]
Z=α2/(κρ)
[数1]において、α、κ、ρはそれぞれゼーベック係数(熱起電力)、熱伝導率、比抵抗を表わしている。
この性能指数Zに温度Tを乗じて無次元化した無次元性能指数 ZTが、例えば0.5以上、好ましくは1以上となることが実用化の目安とされている。
つまり、優れた熱電変換性能を得るには、ゼーベック係数αが大きく、熱伝導率κおよび比抵抗ρの小さい材料を選定すればよい。
つまり、優れた熱電変換性能を得るには、ゼーベック係数αが大きく、熱伝導率κおよび比抵抗ρの小さい材料を選定すればよい。
このため、従来より、熱電変換材料としてBi−Te系、Co−Sb系、Zn−Sb系、Pb−Te系、Ag−SB−Ge−Te系などが燃料電池、自動車、ボイラー・焼却炉・高炉などの約200℃〜800℃程度の排熱源を利用して電気に変換する試みが行われてきたが、有害物質が含まれるので環境負荷が大きくなる問題があった。
また高温用途で用いるものでは、B4Cなどのホウ素リッチなホウ化物、LaSなどのレアアース金属カルコゲナイドなどが研究されているが、B4CやLaS などの金属間化合物を主体とする非酸化物系の材料は、真空中で比較的高い性能を発揮するものの、高温下で結晶相の分解が生じるなど、高温領域での安定性が劣る問題があった。
一方、環境負荷が少ないMg2Si(例えば、非特許文献1、2、3参照)、Mg2Si(1−X)CX(例えば、非特許文献4参照)、MnSi1.75などのシリサイド(珪化物)系の材料が研究されているが、Mgの高い化学反応性のため危険であるなど製造に難点があったり、製造した材料が脆くて、風化してしまうので使用に耐えない問題や、熱電変換性能が低いなどの問題があった。
特許文献5:特開平11−274578号公報
特許文献6:特開2002−285274号公報
非特許文献1:Semiconducting Properties of Mg2Si Single Crystals Physical Review Vol.109,No.6 March 15,1958,P.1909〜1915
非特許文献2:Seebeck Effect In Mg2Si Single Crystals J.Phys.Chem.Solids Pergamon Press 1962.Vol.23,pp.601-610
非特許文献3:Bulk crystal growth of Mg2Si by the vertical Bridgman method Science Direct Thin Solid Films 461(2004)86-89
非特許文献4:Thermoelectric properties of Mg2Si crystal grown by the Bridgman method
特許文献6:特開2002−285274号公報
非特許文献1:Semiconducting Properties of Mg2Si Single Crystals Physical Review Vol.109,No.6 March 15,1958,P.1909〜1915
非特許文献2:Seebeck Effect In Mg2Si Single Crystals J.Phys.Chem.Solids Pergamon Press 1962.Vol.23,pp.601-610
非特許文献3:Bulk crystal growth of Mg2Si by the vertical Bridgman method Science Direct Thin Solid Films 461(2004)86-89
非特許文献4:Thermoelectric properties of Mg2Si crystal grown by the Bridgman method
本発明の第1の課題は、高純度シリコンを原料にして、約300〜600℃において安定して高い熱電変換性能を発揮でき、高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性の高い熱電変換材料および熱電変換素子を提供することである。
本発明の第2の課題は、高純度シリコンを原料にして、上記の熱電変換材料を製造できる方法を提供することである。
本発明の第2の課題は、高純度シリコンを原料にして、上記の熱電変換材料を製造できる方法を提供することである。
本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、ドーパントとしてAs、Sb、P、AlおよびBの少なくとも1つの元素を含有するマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分として焼結体が所期の性能を有する優れた熱電変換材料であり、上記第1の課題を解決し、さらに、一連の工程からなる特殊な製造方法が上記の第2の課題を解決できることを見出し、以下の発明を創出するに至った。
即ち、上記課題は、以下の本発明より解決される。
即ち、上記課題は、以下の本発明より解決される。
すなわち本発明の第1は、(1)「ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とする熱電変換材料」である。
本発明の第2は、(2)「本発明の第1において、AsとSbの含有量がそれぞれ1〜1000ppm、PとBの含有量がそれぞれ0.1〜100ppm、Alの含有量が10〜10,000ppmであることを特徴とする熱電変換材料」である。
本発明の第3は、(3)「本発明の第1又は2において、AsとBiを含有することを特徴とする熱電変換材料」である。
本発明の第4は、(4)「本発明の第1乃至第3において、前記焼結体の、密度が理論値の70%以上、作動温度 300〜600℃における無次元性能指数 ZTが0.5以上であることを特徴とする熱電変換材料」である。
本発明の第5は、(5)「本発明の第1乃至第4において、該焼結体が、マグネシウムシリサイド粒子同士が接して、少なくともその一部が融着状態を形成していることを特徴とする熱電変換材料」である。
本発明の第6は、(6)「本発明の第1乃至第5のいずれかの熱電変換材料を構成成分とする熱電変換部が2つの電極間に設置されてなることを特徴とする熱電変換素子」である。
また、本発明の上記課題は、以下の発明により解決される。
すなわち、本発明の第7は、(7)「シリコンとマグネシウムとを混合する混合工程、得られた混合物を密閉状態かつ還元雰囲気下で溶融してマグネシウムシリサイドを合成する合成工程及び合成した前記マグネシウムシリサイドを加圧圧縮焼結する焼結工程を順次行なう熱電変換材料の製造方法であって、前記シリコンとして、高純度シリコンを用い、必要に応じて前記混合工程、合成工程および/または焼成工程においてドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を添加して、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しない熱電変換材料を製造することを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
すなわち、本発明の第7は、(7)「シリコンとマグネシウムとを混合する混合工程、得られた混合物を密閉状態かつ還元雰囲気下で溶融してマグネシウムシリサイドを合成する合成工程及び合成した前記マグネシウムシリサイドを加圧圧縮焼結する焼結工程を順次行なう熱電変換材料の製造方法であって、前記シリコンとして、高純度シリコンを用い、必要に応じて前記混合工程、合成工程および/または焼成工程においてドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を添加して、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しない熱電変換材料を製造することを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
本発明の第8は、(8)「本発明の第7において、前記合成工程の後にマグネシウムシリサイドを粉砕する粉砕工程を行ない、その後に前記焼結工程を行なうことを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
本発明の第9は、(9)「本発明の第7又は8において、前記混合工程で得られた混合物を減圧下80〜500℃で脱水した後に、前記合成工程を行なうことを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
本発明の第10は、(10)「本発明の第7乃至9のいずれか1項において、前記合成工程が、水素ガスを含み必要に応じて不活性ガスを含む還元雰囲気で減圧下マグネシウムの融点を越えシリコンの融点の間の温度で熱処理してマグネシウムとシリコンを溶融しマグネシウムシリサイドを生成することを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
本発明の第11は、(11)「本発明の第7乃至10のいずれか1項において、前記合成工程が、前記混合工程によって得られた混合物をAl元素を含有する材料からなるルツボ内で溶融して行なわれることを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
本発明の第12は、(12)「本発明の第7乃至11のいずれか1項において、前記焼結工程が、粉砕して得られるMg2Si粉末に加圧圧縮焼結法により減圧下で焼結圧力5〜60MPa、焼結温度600〜1000℃で焼結して行われることを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
本発明の第13は、(13)「本発明の第7乃至12のいずれか1項において、前記合成工程においてシリコンに対してマグネシウムを元素比でMg:Si=2.2:0.8〜1.8:1.2となるように混合することを特徴とする熱電変換材料の製造方法」である。
本発明の熱電変換材料は、ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、
前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とするものであり、環境負荷が少ないシリサイド(珪化物)系の熱電変換材料であって、約300〜600℃において安定して高い熱電変換性能を発揮でき、かつ高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高いという顕著な効果を奏する。
前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とするものであり、環境負荷が少ないシリサイド(珪化物)系の熱電変換材料であって、約300〜600℃において安定して高い熱電変換性能を発揮でき、かつ高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高いという顕著な効果を奏する。
本発明の前記熱電変換材料に少なくとも1つ含有するAs、Sb、P、Al、Bは、焼結体の熱電変換材料においてキャリアの発生を助長する機能を有するものと推察され、安定して高い熱電変換性能を発揮させ,As、SbおよびPはSiと置換してn型の熱電変換材料、BはSiと置換してp型の熱電変換材料、AlはMgと置換してn型の熱電変換材料とするのに寄与しているものと考えられる。
本発明の熱電変換材料が、所期の性能を有するものであるためには、AsとSbの含有量がそれぞれ1〜1000ppm、PとBの含有量がそれぞれ0.1〜100ppm、Alの含有量が10〜10,000ppmであることが好ましい。
また、本発明者等は、AsとBiとを同時に含有させると、特に性能が向上した熱電変換材料が得られることを検証した。
本発明のマグネシウムシリサイドを主成分とする焼結体からな前記熱電変換材料は、原料として高純度シリコンを用い、必要に応じてドーパントを所定量添加して製造するものである。
本発明に用いられる高純度シリコンとは、純度が7ナイン(99.99999%)以上の高純度のものである。また、シリコンスラッジとは一般的には3ナイン(99.9%)程度のものを言うが、本発明においてはシリコンスラッジとは、純度が7ナイン(99.99999%)未満の低純度のものが全て含まれるものとする。
本発明の前記熱電変換材料に含有する前記元素の含有量としては、前述のように、AsとSbの含有量がそれぞれ1〜1000ppm、PとBの含有量がそれぞれ0.1〜100ppm、Alの含有量が10〜10,000ppmであることが好ましい。
これらの4種の元素は、As、Sb、P、Alがn型で、Bがp型であるが、2種以上の元素を含み、しかもn型とp型が混在する場合には、含有量(の総量)が高い方の元素がn型かp型かによって、n型かp型のいずれかの熱電変換材料が得られることになる。
これらの4種の元素は、As、Sb、P、Alがn型で、Bがp型であるが、2種以上の元素を含み、しかもn型とp型が混在する場合には、含有量(の総量)が高い方の元素がn型かp型かによって、n型かp型のいずれかの熱電変換材料が得られることになる。
本発明の前記熱電変換材料は、As、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有した多結晶構造のマグネシウムシリサイドからなる焼結体であって、焼結工程後得られる焼結体はマグネシウムシリサイド同士が融着していて空隙(ボイド)のない緻密体であるために、理論値の70%以上の密度を有し、しかも未反応のSiとMgおよび酸化シリコンと酸化マグネシウムが存在しないものである。
従って、本発明の前記熱電変換材料が、作動温度300〜600℃において0.5以上の無次元性能指数(ZT)を示し、さらに、物理的強度がより高く、約300〜600℃において安定してより高い熱電変換性能を発揮でき、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性がより高い特性を有するのは、このような構成と性状に起因するものと考えられる。
次に、本発明の熱電変換材料の製造方法は、シリコンとして、高純度シリコンとを用い、シリコンとマグネシウムとを混合する混合工程と、得られた混合物を密閉状態の還元雰囲気中で溶融・反応させて多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を合成する合成工程と、合成したマグネシウムシリサイドを焼成する焼成工程とを順次行ない、前記混合工程、合成工程および/または焼成工程において必要に応じてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を添加して、
未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しない熱電変換材料を製造することを特徴とするものである。
未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しない熱電変換材料を製造することを特徴とするものである。
さらに、合成された前記マグネシウムシリサイドを粉砕微粒子化する粉砕工程を、焼成工程の前に行なうと、安定した高い熱電変換性能、高い物理的強度および風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高い本発明の熱電変換材料を製造するのに一層効果的である。
本発明の前記製造方法の特徴に1つとして、最終物を一工程で行なわずに、合成工程と焼成工程の2つに分けて、一旦マグネシウムシリサイドを合成しておいて、その後焼成することによって、高度の緻密体が生成され、その結果、所望の熱電変換特性をもたらしめたものと考えられる。
高純度シリコンを用いる場合には、As、Sb、P及びBのうちの少なくとも1つの元素を十分量を添加することが必要である。
本発明の前記熱電変換材料の製造方法の混合工程におけるシリコンとマグネシウムの混合比としては、化学量論的に元素比でMg:Si=2:1を基本とし、2つの元素の飛散等を考慮して、Mg:Si=2.2:0.8〜1.8:1.2となるように混合して反応させることが実用的であり、所定の純度のMg2Siを合成するのに有効である。
なお、ドーパントの添加は、混合工程、合成工程、焼成工程のうち、混合工程で行なうのが、熱電変換材料の中でドーパントが均一に分散している状態を形成するのに好ましい。
本発明の製造方法においては、先述したように、酸化シリコンは、マグネシウムシリサイドを合成する際の妨げとなり、さらに熱電変換材料の性能を低下させる要因となるため、酸化シリコンの生成を防止するために、可能な限り全工程において極力水分を除去することが好ましく、混合工程後に得られた混合物を脱水処理することが好ましく、特に減圧下 80〜500℃で行なうのが好ましく、処理時間は限定的でないが、2〜3時間程度である。
混合工程の次に行なう合成工程は、水素ガスを含み必要に応じて不活性ガスを含む還元雰囲気で行なうことが好ましく、また、減圧下マグネシウムの融点を越えシリコンの融点の間の温度で行なうのが好ましく、こうしてマグネシウムとシリコンとが安全に確実に溶融・反応して、多結晶構造のマグネシウムシリサイド を合成することができる。
還元雰囲気で行なう理由は、熱電変換材料として所期の特性を有するマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の焼結体としては、酸化マグネシウムの含有を極力避ける必要があり、酸化マグネシウムの生成を避けるために、酸素に触れない雰囲気で行なうことが重要である。
還元雰囲気で行なう理由は、熱電変換材料として所期の特性を有するマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の焼結体としては、酸化マグネシウムの含有を極力避ける必要があり、酸化マグネシウムの生成を避けるために、酸素に触れない雰囲気で行なうことが重要である。
なお、該合成工程において、マグネシウムとシリコンとの混合物を供給して溶融・反応に使用する容器としては、例えば、酸化アルミニウム製、ボロンナイトライト製、シリコンカーバイト製、メノウ製、ボロンナイトライトで表面がコートされたもの等を挙げることができる。
容器として酸化アルミニウム製のものを使用する場合には、反応中に容器のAl元素が分離して、Alがドーパントとなって含有するマグネシウムシリサイドが生成される。
容器として酸化アルミニウム製のものを使用する場合には、反応中に容器のAl元素が分離して、Alがドーパントとなって含有するマグネシウムシリサイドが生成される。
合成されたマグネシウムシリサイドは、次に加圧圧縮焼結法による焼結工程にかけて、焼結体として所期の性能を有する本発明の前記熱電変換材料が得られる。
しかしながら、合成されたマグネシウムシリサイドを粉砕して、一旦粒子状にした後に焼結工程にかけた方が、はるかに優れた性能を有する緻密体の熱電変換材料を得ることができる。
しかしながら、合成されたマグネシウムシリサイドを粉砕して、一旦粒子状にした後に焼結工程にかけた方が、はるかに優れた性能を有する緻密体の熱電変換材料を得ることができる。
本発明のAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有するマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体からなる熱電変換材料は、マグネシウムシリサイド粒子同士間で融着状態が形成されたボイドのほとんどない緻密体で、未反応のシリコンとかマグネシウムおよび酸化シリコンとか酸化マグネシウムが存在しないため、約300〜600℃において安定した高い熱電変換性能を発揮でき、かつ高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高いものである。
また、本発明の熱電変換材料の製造方法は、シリコンとマグネシウムとを均一に混合した混合物を溶融させ、シリコンとマグネシウムとをほぼ完全に反応させることによって、先ず多結晶構造のマグネシウムシリサイドを作製し、その後に該マグネシウムシリサイドを焼結させる2段階方式であるために、得られる焼結体には未反応のシリコンとマグネシウムはほとんど存在しない上に、焼結によって空隙(ボイド)のない焼結体が作製され、また、特殊な前処理によって酸化シリコンをシリコンスラッジから除去して、上記シリコンとして、シリコンスラッジを使用可能にしたものである。
次に本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1(a)は、参考例1でMg2Si粒子を焼結圧力30MPaで焼結して得られた焼結体からなる熱電変換材料の顕微鏡写真である。また図1(b)は、参考例1でMg2Si粒子を焼結圧力17MPaで焼結して得られた焼結体からなる熱電変換材料の顕微鏡写真である。
図1(a)は、参考例1でMg2Si粒子を焼結圧力30MPaで焼結して得られた焼結体からなる熱電変換材料の顕微鏡写真である。また図1(b)は、参考例1でMg2Si粒子を焼結圧力17MPaで焼結して得られた焼結体からなる熱電変換材料の顕微鏡写真である。
図1(a)に示した熱電変換材料(以下、参考例1(a)と称する)は、粒子同士が接する表面の大部分が融着して形成されており、密度が理論密度の99%と理論密度に近い密度を有しており、物理的強度が高く、作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数 ZTが約0.5以上最高0.8の高い熱電変換性能を発揮し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性に優れていた。
図1(b)に示した熱電変換材料(以下、参考例1(b)と称する)は、粒子同士が接する表面の少なくとも一部が融着して形成されており、理論密度の約88%の密度を有し、物理的強度が高く、作動温度 約400〜600℃において無次元性能指数 ZTが約0.4以上最高0.7の高い熱電変換性能を発揮し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性に優れていた。
本発明で使用する高純度シリコンは、純度が7ナイン以上のもので、半導体や太陽電池などのシリコン製品の製造に用いられる高純度シリコンである。
高純度シリコンとしては、具体的には、例えばLSI用高純度シリコン原料、太陽電池高純度シリコン原料、高純度金属シリコンなどや高純度シリコンインゴット、高純度ウエハなどを挙げることができる。
高純度シリコンを原料として本発明の熱電変換材料を製造する際には、必要に応じてドーピングを行う。
高純度シリコンとしては、具体的には、例えばLSI用高純度シリコン原料、太陽電池高純度シリコン原料、高純度金属シリコンなどや高純度シリコンインゴット、高純度ウエハなどを挙げることができる。
高純度シリコンを原料として本発明の熱電変換材料を製造する際には、必要に応じてドーピングを行う。
マグネシウムを高純度シリコン中のシリコンに対して所定の混合比で混合する混合工程、合成したMg2Siを焼成する焼成工程から選ばれる少なくとも1工程において必要に応じてドーパントを所定量添加する。
ドーパントは、Mg2Siを溶融合成する際および/または加圧圧縮焼結する際に使用する反応装置などから溶け込んでドープされるドーパントが、焼結体のドーパントの全部あるいは焼結体のドーパントの一部であっても、加圧圧縮焼結して安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体が得られる場合は差し支えない。
高純度シリコンを原料として本発明の熱電変換材料を製造するについては、シリコンスラッジを使用する場合の純化精製工程を行なわないこと以外は、シリコンスラッジを使用する場合と同じである。
また、混合工程の後、脱水処理工程を行う場合の減圧下の加熱条件としては80〜500℃が好ましく、さらに200〜300℃が特に好ましい。80℃未満の温度では、含有水分が十分に除去できず、その後の工程において酸化シリコンの生成やマグネシウムシリサイドの酸化を助長し熱電特性を低下させるような問題が発生する傾向があり、また500℃より高くなると、含有水分が十分に除去される前に温度の上昇による酸化シリコンの形成が助長されるような傾向が観られ、好ましくない。
混合工程において、高純度シリコンにマグネシウムを混合し、さらにマグネシウムシリサイドの特性を上げる必要がある場合には、ドーパントを適宜添加する。
混合工程において、高純度シリコンに対して混合するマグネシウムの量は、元素比でMg:Si=2.2:0.8〜1.8:1.2の混合比となるように混合することが好ましい。
混合工程において、高純度シリコンに対して混合するマグネシウムの量は、元素比でMg:Si=2.2:0.8〜1.8:1.2の混合比となるように混合することが好ましい。
次に、混合工程で得られた混合物から、MgとSiとの反応を妨げる酸化被膜の厚化を進める水分を除去する必要があり、容易に確実に脱水するために、混合物を減圧下80〜500℃、好ましくは、200〜300℃で2〜3時間脱水処理することが好ましい。
熱処理温度が80℃未満では水分除去が不十分となる恐れがあり、500℃を超えて急激に上げるとSiの酸化被膜の厚化を進めるので好ましくない。
真空度は、確実に脱水するためとして、10−2〜10−6Paの範囲が好ましく、150℃以上、2時間以上脱水することがより好ましい。
熱処理温度が80℃未満では水分除去が不十分となる恐れがあり、500℃を超えて急激に上げるとSiの酸化被膜の厚化を進めるので好ましくない。
真空度は、確実に脱水するためとして、10−2〜10−6Paの範囲が好ましく、150℃以上、2時間以上脱水することがより好ましい。
こうして脱水処理した混合物を、次に、還元雰囲気で溶融してMgとSiを反応させてマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を合成する。
合成工程としては、脱水処理した混合物を還元雰囲気で減圧下マグネシウムの融点を越えシリコンの融点の間の温度で熱処理してMg2Siを溶融合成することが好ましく、特に水素ガスが5容量%以上含み必要に応じて不活性ガスを含む還元雰囲気下で行なうことが好ましい。
この方法によると、SiをMgと安全に確実に反応させてマグネシウムシリサイドを合成できる。
合成工程としては、脱水処理した混合物を還元雰囲気で減圧下マグネシウムの融点を越えシリコンの融点の間の温度で熱処理してMg2Siを溶融合成することが好ましく、特に水素ガスが5容量%以上含み必要に応じて不活性ガスを含む還元雰囲気下で行なうことが好ましい。
この方法によると、SiをMgと安全に確実に反応させてマグネシウムシリサイドを合成できる。
圧力はやや加圧するか、大気圧でもよく、安全性を考慮してやや減圧、例えば0.08MPa程度で行うことが好ましい。
熱処理温度は700℃〜1410(シリコンの融点)℃、好ましくは1085℃(Mg2Siの融点)〜1410℃(シリコンの融点)で、例えば約3時間程度熱処理する。
Mgの融点(693℃)以上に加熱してMgを溶融するとSiがその中に溶け込み反応が開始するが、反応速度がやや遅い。
しかしMgの沸点(1090℃)を超えると急激にMgが蒸気になり飛散する恐れがあるので注意して合成する必要がある。
使用する水素ガスは水素ガス100容量%でもよいが、水素ガス5容量%以上含む窒素やアルゴンなどの不活性ガスとの混合ガスを好ましく使用できる。
熱処理温度は700℃〜1410(シリコンの融点)℃、好ましくは1085℃(Mg2Siの融点)〜1410℃(シリコンの融点)で、例えば約3時間程度熱処理する。
Mgの融点(693℃)以上に加熱してMgを溶融するとSiがその中に溶け込み反応が開始するが、反応速度がやや遅い。
しかしMgの沸点(1090℃)を超えると急激にMgが蒸気になり飛散する恐れがあるので注意して合成する必要がある。
使用する水素ガスは水素ガス100容量%でもよいが、水素ガス5容量%以上含む窒素やアルゴンなどの不活性ガスとの混合ガスを好ましく使用できる。
合成工程を還元雰囲気で行なう理由は、熱電変換材料として所期の特性を有するものであるマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の焼結体としては、酸化ケイ素(SiO2)のみならず、酸化マグネシウムの含有を極力避ける必要があることから、マグネシウムが酸化されて酸化マグネシウムの生成を避ける条件として、合成工程を還元雰囲気で行なうことにしたものである。
マグネシウムシリサイドを合成後、冷却して多結晶マグネシウムシリサイドが得られる。冷却は自然冷却でも強制冷却でもこれらの組み合わせでも良い。
マグネシウムシリサイドを合成後、冷却して多結晶マグネシウムシリサイドが得られる。冷却は自然冷却でも強制冷却でもこれらの組み合わせでも良い。
本発明においては、合成工程で得られたマグネシウムシリサイドを直接焼結処理し、所期の熱電変換材料を得ることができるが、焼結処理する前にMg2Siを粉砕して粒子化し、この粒子を焼結し焼結体を生成すると、より特性の優れた熱電変換材料を得ることができる。以下に、焼結工程について説明する。
粉砕は、細かくて、よく揃った粒度を有し、狭い粒度分布を有するマグネシウムシリサイドの粒子とすることが好ましい。細かくて、よく揃った粒度を有し、狭い粒度分布を有する粒子を次の加圧圧縮焼結法により焼結すると、粒子同士がその表面の少なくとも1部が融着して、空隙(ボイド)の発生がほとんど観察されない程に良好に焼結でき、理論値の約70%から理論値とほぼ同等の密度を持つ焼結体を得ることができる。
得られた焼結体は、高い物理的強度を有し、かつ安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体であり、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性に優れた熱電変換材料として使用できる。
粉砕したマグネシウムシリサイドは、平均粒径が0.1〜100μm、好ましくは5〜50μm、より好ましくは0.1〜0.2μmであり、具体的には、例えば、篩75μmパスで65μmオン、篩30μmパスで20μmオンの粒度の粒子を使用することができる。
粉砕工程で得られた0.1〜0.2μm粉末に、必要に応じてドーパントを所定量添加した後、加圧圧縮焼結法により焼結することができる。
粉砕工程で得られた0.1〜0.2μm粉末に、必要に応じてドーパントを所定量添加した後、加圧圧縮焼結法により焼結することができる。
合成工程におけるドーパントの添加は、熱平衡状態下での固溶限界濃度まで可能であるが、固溶限界濃度を越えてドーパントの添加を行なう必要が生じた場合には、非熱平衡状態環境である焼結工程で行うことができ、本発明者等の観察によると、焼結圧力と温度が、粒のサイズにほとんど依存しないものであり、純化精製シリコンにも高純度シリコンにも共通に言えることである。
焼結工程として、下記のような方法を用いると、良好に焼結させて理論密度の約70%からほぼ理論密度の焼結体を得ることができ、高い物理的強度を有し、かつ安定して高い熱電変換性能を発揮でき、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高い熱電変換材料を製造できるので好ましい。
マグネシウムシリサイドが粉砕工程を経たものかどうかに関係なく、焼結工程は、マグネシウムシリサイドに、必要に応じてドーパントを所定量添加した後、加圧圧縮焼結法により減圧雰囲気で焼結圧力5〜60MPa、焼結温度600〜1000℃で焼結する方法である。
焼結圧力が5MPa未満では、理論密度の約70%以上の十分な密度を有する焼結体を得ることが難しくなり、試料強度的に実用に供すことができないものであり、60MPa程度でほぼ理論密度の焼結体を得ることができるが、60MPaを超える焼結圧力になると装置がコスト高になり実用的でない。
焼結圧力が5MPa未満では、理論密度の約70%以上の十分な密度を有する焼結体を得ることが難しくなり、試料強度的に実用に供すことができないものであり、60MPa程度でほぼ理論密度の焼結体を得ることができるが、60MPaを超える焼結圧力になると装置がコスト高になり実用的でない。
また、焼結温度600℃未満では、粒子同士が接する少なくとも一部が融着して焼成された理論密度の密度70%から理論密度に近い密度を有する焼結体を得ることが難しくなり、試料強度的に実用に供することができない恐れがあり、1000℃を超え1090℃(Mgの沸点)を超えると、温度が高すぎて試料の損傷が生じるばかりでなく、急激にMgが蒸気になり飛散する恐れがある。
例えば、焼結温度を600〜800℃の範囲とし、焼結温度が600℃サイドで低い場合は焼結圧力を60MPaサイドと高く設定し、焼結温度が800℃サイドで高い場合は焼結圧力を5MPaサイドと低く設定して、5〜60分程度、通常10分程度焼結することにより良好に焼結でき、高い物理的強度を有し、かつほぼ理論密度を有し、安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体を得ることができる。
加圧圧縮焼結する際の雰囲気は空気が存在すると酸化されるので好ましくなく、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましいが、10Pa程度の真空度の雰囲気で行うことがより好ましい。
例えば、焼結温度を600〜800℃の範囲とし、焼結温度が600℃サイドで低い場合は焼結圧力を60MPaサイドと高く設定し、焼結温度が800℃サイドで高い場合は焼結圧力を5MPaサイドと低く設定して、5〜60分程度、通常10分程度焼結することにより良好に焼結でき、高い物理的強度を有し、かつほぼ理論密度を有し、安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体を得ることができる。
加圧圧縮焼結する際の雰囲気は空気が存在すると酸化されるので好ましくなく、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましいが、10Pa程度の真空度の雰囲気で行うことがより好ましい。
前記焼結工程に用いる加圧圧縮焼結法としては、好ましくはホットプレス焼結法(HP)、熱間等方圧焼結法(HIP)であり、より好ましくは、放電プラズマ焼結法である。
放電プラズマ焼結法は、直流パルス通電法を用いた加圧圧縮法の一種で、パルス大電流を種々の材料に通電することによって加熱・焼結する方法であり、原理的には金属・グラファイトなどの導電性材料に電流を流し、ジュール加熱により材料を加工・処理する方法である。
ドーパントの具体例としては、例えば、2価のMgサイトにドープするB、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、n型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できる。
放電プラズマ焼結法は、直流パルス通電法を用いた加圧圧縮法の一種で、パルス大電流を種々の材料に通電することによって加熱・焼結する方法であり、原理的には金属・グラファイトなどの導電性材料に電流を流し、ジュール加熱により材料を加工・処理する方法である。
ドーパントの具体例としては、例えば、2価のMgサイトにドープするB、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、n型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できる。
他の具体例としては、例えば4価のSiサイトにドープするP、Biなどの5価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、n型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できる。
他の具体例としては、例えば、2価のMgサイトにドープするAg、Cu、Auなどの1価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、p型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できる。
他の具体例としては、例えば4価のSiサイトにドープするB、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントを挙げることができる。これらのドーパントの1種以上を必要量添加して、p型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できる。
B、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントドーパントは、2価のMgサイトにドープしてn型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できるほか、4価のSiサイトにドープすることでp型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できる。しかし、これら3価のドーパントドーパントが2価のMgサイトと置換するか、4価のSiサイトに置換するかは、合成プロセスや得られる試料の結晶性に依存している。
B、Al、Ga、Inなどの3価のドーパントドーパントは、2価のMgサイトにドープしてn型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できるほか、4価のSiサイトにドープすることでp型熱電変換材料として用いられるMg2Siを製造できる。しかし、これら3価のドーパントドーパントが2価のMgサイトと置換するか、4価のSiサイトに置換するかは、合成プロセスや得られる試料の結晶性に依存している。
またドーパントは、Mg2Siを溶融合成する際および/または加圧圧縮焼結する際に使用する反応装置などから溶け込んでドープされるドーパントが、焼結体のドーパントの全部あるいは焼結体のドーパントの一部であっても、加圧圧縮焼結して安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体が得られる場合は差し支えない。
次に、本発明の少なくともAsまたはSbまたはPまたはBを含有するマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分として含む熱電変換材料用粉体について説明する。
高純度シリコンを原料とし、必要に応じてドーパントを所定量添加してMg2Siを合成した後、冷却し、得られたMg2Siを、粉砕せずに焼結することにより、本発明の少なくともAsまたはSbまたはPまたはBを含有するマグネシウムシリサイドを主成分として含む熱電変換材料用粉体を製造することができる。
マグネシウムを高純度シリコン中のシリコンに対して所定の混合比で混合する混合工程などにおいて必要に応じてドーパントを所定量添加する。
ドーパントは、Mg2Siを溶融合成する際などに使用する反応装置などから溶け込んでドープされるドーパントが、焼結体のドーパントの全部あるいは焼結体のドーパントの一部であっても、溶融成型したり、あるいは加圧圧縮焼結することにより安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体が得られる場合は差し支えない。
高純度シリコンを原料とし、必要に応じてドーパントを所定量添加してMg2Siを合成した後、冷却し、得られたMg2Siを、粉砕せずに焼結することにより、本発明の少なくともAsまたはSbまたはPまたはBを含有するマグネシウムシリサイドを主成分として含む熱電変換材料用粉体を製造することができる。
マグネシウムを高純度シリコン中のシリコンに対して所定の混合比で混合する混合工程などにおいて必要に応じてドーパントを所定量添加する。
ドーパントは、Mg2Siを溶融合成する際などに使用する反応装置などから溶け込んでドープされるドーパントが、焼結体のドーパントの全部あるいは焼結体のドーパントの一部であっても、溶融成型したり、あるいは加圧圧縮焼結することにより安定して高い熱電変換性能を発揮できる焼結体が得られる場合は差し支えない。
本発明の熱電変換材料用粉体を原料として、溶融成型したり、あるいは加圧圧縮焼成することにより、高い熱電変換性能を発揮でき、かつ高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高い、環境負荷が少ないシリサイド(珪化物)系の本発明の熱電変換材料を製造することができる。
粉砕したMg2Si粉体は溶融成型に供する場合は顆粒状のものから粉粒体までよく、その粒度も特に限定されないが、焼成に供する場合は、Mg2Si粉体の粒度は例えば、篩75μmパスで65μmオンとか、篩30μmパスで20μmオンとか、あるいは平均粒径5〜10μm、好ましくは0.1〜0.2μmなどの粒度があるいはこれらの2つ以上の組み合わせが好ましい。
本発明のn型熱電変換材料として用いられるマグネシウムシリサイドおよびp型熱電変換材料として用いられるマグネシウムシリサイドあるいはマグネシウムシリサイド以外の他のp型熱電変換材料を組み合わせて使用して、図3、図4に示すように、並置されたn型熱電変換部101、p型熱電変換部102の上端部および下端部にそれぞれ電極5、6が設けられ、各熱電変換部101、102の上端の電極5が接続されて一体化されるとともに、各熱電変換部101、102の下端の電極6、6は分離されて構成されている熱電変換素子を製造することができる。
そして、電極5,6間に温度差を生じさせることで、電極5,6間に起電力を生じさせることができる。
一方、各熱電変換部101、102の下端の電極6,6間に直流電流を流すことで、各電極5、6において発熱作用や吸熱作用を生じさせることができる。
そして、電極5,6間に温度差を生じさせることで、電極5,6間に起電力を生じさせることができる。
一方、各熱電変換部101、102の下端の電極6,6間に直流電流を流すことで、各電極5、6において発熱作用や吸熱作用を生じさせることができる。
本発明のn型熱電変換材料として用いられるマグネシウムシリサイドを使用して、図5に示すように、n型熱電変換部103の上端部および下端部にそれぞれ電極5、6が 設けられて構成されている熱電変換素子を製造することができる。
そして、電極5、6間に温度差を生じさせることで、電極5、6間に起電力を生じさせることができる。
そして、電極5、6間に温度差を生じさせることで、電極5、6間に起電力を生じさせることができる。
一方、図6に示すように、直流電源4によって電極6からn型熱電変換部103を経て電極5に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ吸熱作用、発熱作用が生じる。
逆に、直流電源4によって電極5からn型熱電変換部103を経て電極6に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ発熱作用、吸熱作用を生じさせることができる。
逆に、直流電源4によって電極5からn型熱電変換部103を経て電極6に直流電流を流すことで、電極5、6にそれぞれ発熱作用、吸熱作用を生じさせることができる。
図5に示したn型熱電変換部103の上端部および下端部にそれぞれ電極5、6を設けて構成した熱電変換素子の変形として、n型熱電変換部103を並列に多数配置し、その上端部および下端部にそれぞれ電極5、6を設けて構成した熱電変換素子を図7に示した。
そして、電極5、6間に温度差を生じさせることで、電極5、6間に起電力を生じさせることができる。
図7に示した熱電変換素子は、高い電流量が得られるとともに、多数配置した熱電変換素子の1つが例えば損傷を受けて作動しなくなったとしても、それ以外の多数の熱電変換素子が作動するので、熱電変換性能をあまり低下させずに連続して使用し続けることができるという効果がある。
そして、電極5、6間に温度差を生じさせることで、電極5、6間に起電力を生じさせることができる。
図7に示した熱電変換素子は、高い電流量が得られるとともに、多数配置した熱電変換素子の1つが例えば損傷を受けて作動しなくなったとしても、それ以外の多数の熱電変換素子が作動するので、熱電変換性能をあまり低下させずに連続して使用し続けることができるという効果がある。
なお、上記実施形態の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮するものではない。又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。
次に実施例および比較例により本発明を詳しく説明するが、本発明の主旨を逸脱しない限りこれらの実施例に限定されるものではない。
(参考例1)
半導体製造会社の半導体組み立てのダイシング工程で排出・生成されたシリコンスラッジを、回収装置(三洋電機社製・アクアクローザ)とフィルタープレス機(パーカーエンジニアリング社製)を用いて濾過分離処理することによって、シリコン濃度95質量%、含水率5質量%の(3)クラスシリコンスラッジが得られ、分析の結果、B濃度100ppm、P濃度1000ppmを含有するものであることを確認した。
次に、純化精製工程における脱水処理工程に移し、市販の電気炉に前記(3)クラスシリコンスラッジを投入後、水素ガス5容量%を含むアルゴンガスを流量3000l/minで供給しながら大気中で250℃に設定して3時間、熱処理して水分を除去した。
その後、純化精製工程における酸化シリコン除去工程に移し、脱水処理された前記シリコンスラッジを同じ前記電気炉中で、水素ガス5容量%含むアルゴンガスを500l/minで供給しながら、大気中で500℃に設定して2時間、熱処理して酸化シリコンを除去してシリコンに還元し、純化精製シリコンを得た。
半導体製造会社の半導体組み立てのダイシング工程で排出・生成されたシリコンスラッジを、回収装置(三洋電機社製・アクアクローザ)とフィルタープレス機(パーカーエンジニアリング社製)を用いて濾過分離処理することによって、シリコン濃度95質量%、含水率5質量%の(3)クラスシリコンスラッジが得られ、分析の結果、B濃度100ppm、P濃度1000ppmを含有するものであることを確認した。
次に、純化精製工程における脱水処理工程に移し、市販の電気炉に前記(3)クラスシリコンスラッジを投入後、水素ガス5容量%を含むアルゴンガスを流量3000l/minで供給しながら大気中で250℃に設定して3時間、熱処理して水分を除去した。
その後、純化精製工程における酸化シリコン除去工程に移し、脱水処理された前記シリコンスラッジを同じ前記電気炉中で、水素ガス5容量%含むアルゴンガスを500l/minで供給しながら、大気中で500℃に設定して2時間、熱処理して酸化シリコンを除去してシリコンに還元し、純化精製シリコンを得た。
次に、こうして得られた純化精製シリコンにマグネシウムを該シリコンに対して元素比でMg:Si=2:1の混合比となるように混合し、総重量1.4gの混合物とした。なお、使用したマグネシウム原料は、フルウチ化学社製の純度が99.95%で形態がフレーク(2〜5mmサイズ)のものであった。
該混合物を、前記電気炉内で10−4Pa及び250℃の条件下で、2時間かけて脱水処理を行なった。
次に、合成工程に移して、脱水処理された混合物をAl2O3製溶融ルツボに入れて、1100℃に設定した水素ガス5容量%含むアルゴンガス還元雰囲気下かつ大気中で3時間溶融・反応させて、マグネシウムシリサイド(Mg2Si)を合成した。
合成後自然冷却した後、分析の結果、図8に示されるX線回折データから明らかなように、多結晶マグネシウムシリサイドが得られていることを確認した。
該混合物を、前記電気炉内で10−4Pa及び250℃の条件下で、2時間かけて脱水処理を行なった。
次に、合成工程に移して、脱水処理された混合物をAl2O3製溶融ルツボに入れて、1100℃に設定した水素ガス5容量%含むアルゴンガス還元雰囲気下かつ大気中で3時間溶融・反応させて、マグネシウムシリサイド(Mg2Si)を合成した。
合成後自然冷却した後、分析の結果、図8に示されるX線回折データから明らかなように、多結晶マグネシウムシリサイドが得られていることを確認した。
さらに、こうして得られた多結晶マグネシウムシリサイドを粉砕し、30μメッシュを通して、平均粒径0.1μmの細かくかつ狭い粒度分布を有する粉末が得られた。
粉砕して得られた多結晶マグネシウムシリサイドの前記粉末1.400gを、放電プラズマ焼結装置(エレニック社製のED−PASIIIs)を用い、10Paの真空雰囲気で焼結圧力30MPaおよび17MPa、焼結温度800℃、保持時間10分間かけて放電プラズマ焼結して、直径15mm、高さ10mmの焼結体を得た。
得られた焼結体の密度は、焼結圧力30MPaの場合は理論密度の99%、焼結圧力17MPaの場合は理論密度の88%であった。
得られた焼結体をダイヤモンド砥粒9μm、3μm、1μmの順で研磨し、金属顕微鏡により結晶粒の凝集度を観察した。
粉砕して得られた多結晶マグネシウムシリサイドの前記粉末1.400gを、放電プラズマ焼結装置(エレニック社製のED−PASIIIs)を用い、10Paの真空雰囲気で焼結圧力30MPaおよび17MPa、焼結温度800℃、保持時間10分間かけて放電プラズマ焼結して、直径15mm、高さ10mmの焼結体を得た。
得られた焼結体の密度は、焼結圧力30MPaの場合は理論密度の99%、焼結圧力17MPaの場合は理論密度の88%であった。
得られた焼結体をダイヤモンド砥粒9μm、3μm、1μmの順で研磨し、金属顕微鏡により結晶粒の凝集度を観察した。
焼結圧力30MPaで作製した試料の顕微鏡観察結果を図1(a)に、焼結圧力17MPaで作製した試料の顕微鏡観察結果を図1(b)に示した。得られた試料は、それぞれ参考例1(a)、参考例1(b)である。
得られた焼結体をグロー放電マス分析法(GDMS法)によって分析した結果、Al2O3製溶融るつぼ由来のAlが540ppm、Asが250ppm、Pが60ppm含有されていた。
なお、該分析結果によると、以下の不純物元素が微量含有していることを確認した。
B:2ppm、Sb:20ppm、Fe:3ppm、Ti:0.5ppm、
Ni:0.3ppm、Cu:5ppm、Ca:0.2ppm
なお、該分析結果によると、以下の不純物元素が微量含有していることを確認した。
B:2ppm、Sb:20ppm、Fe:3ppm、Ti:0.5ppm、
Ni:0.3ppm、Cu:5ppm、Ca:0.2ppm
得られた焼結体を用い、熱起電力・電気伝導率測定装置(アルバック理工社ZEM2)およびレーザフラッシュ法熱伝導率測定装置(アルバック理工社TC・7000H)を用いて、動作温度50〜600℃の範囲で、α,κ,ρ(それぞれゼーベック係数(熱起電力)、熱伝導率、比抵抗)を測定した。
測定して得られたα、κ、ρを用いて、前記式(1)により性能指数Zを計算し、得られたZに温度Tを乗じて無次元性能指数 ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
なお、得られた焼結体に不純物として含有する上記各元素は、これらのデータに何ら影響がないことを確認した。
測定して得られたα、κ、ρを用いて、前記式(1)により性能指数Zを計算し、得られたZに温度Tを乗じて無次元性能指数 ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
なお、得られた焼結体に不純物として含有する上記各元素は、これらのデータに何ら影響がないことを確認した。
(参考例2)
半導体製造会社のウエハ加工(鏡面研磨、バックグラインド工程)で排出・生成されたシリコンスラッジを濾過分離処理してシリコン濃度 92質量%、含水率 8質量%のスラッジとし、分析結果、B濃度が6ppm、P濃度が70ppmの(2)クラス・シリコンスラッジであることを確認した。
得られたシリコンスラッジ用い、焼結圧力30MPaを用いた以外は参考例1と同様にして、焼結体(ドーピングなし)を得た。
得られた焼結体を参考例1と同様にして分析した結果、Al2O3製溶融ルツボ由来のAlが90ppm、Asが240ppm、Pが8ppm、Bが4ppmで含有されていた。
得られた焼結体の密度は、理論密度の99%であった。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
半導体製造会社のウエハ加工(鏡面研磨、バックグラインド工程)で排出・生成されたシリコンスラッジを濾過分離処理してシリコン濃度 92質量%、含水率 8質量%のスラッジとし、分析結果、B濃度が6ppm、P濃度が70ppmの(2)クラス・シリコンスラッジであることを確認した。
得られたシリコンスラッジ用い、焼結圧力30MPaを用いた以外は参考例1と同様にして、焼結体(ドーピングなし)を得た。
得られた焼結体を参考例1と同様にして分析した結果、Al2O3製溶融ルツボ由来のAlが90ppm、Asが240ppm、Pが8ppm、Bが4ppmで含有されていた。
得られた焼結体の密度は、理論密度の99%であった。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
(参考例3)
半導体製造会社のウエハ加工(鏡面研磨、バックグラインド工程)で排出・生成されたシリコンスラッジを濾過分離処理してシリコン濃度 92質量%、含水率 8質量%のスラッジとし、分析の結果、B濃度が6ppm、P濃度が70ppmの(2)クラス・シリコンスラッジであることを確認した。
次に、純化精製工程における脱水処理工程に移し、市販の電気炉を用い、シリコンスラッジを水素ガス5容量%含むアルゴンガスを3000l/minで供給しながら、大気中で250℃に設定して、3時間熱処理して水分を除去した。
その後、純化精製工程における酸化シリコン除去工程に移し、脱水処理された前記シリコンスラッジを同じ前記電気炉中で、水素ガス5容量%を含むアルゴンガスを流量500l/minで供給しながら、大気中かつ減圧下500℃に設定して、2時間熱処理して、酸化シリコンを除去し、還元し、純化精製シリコンを生成した。
こうして得られた純化精製シリコンにマグネシウムを、シリコンに対して元素比でMg:Si=2:1の混合比となるように混合した。
さらにこの混合した粉末にn型ドーパントとしてBiを3原子%添加した。
次に、前記混合工程で得られた混合物を10−4Pa、250℃の条件で、2時間かけて脱水した。
半導体製造会社のウエハ加工(鏡面研磨、バックグラインド工程)で排出・生成されたシリコンスラッジを濾過分離処理してシリコン濃度 92質量%、含水率 8質量%のスラッジとし、分析の結果、B濃度が6ppm、P濃度が70ppmの(2)クラス・シリコンスラッジであることを確認した。
次に、純化精製工程における脱水処理工程に移し、市販の電気炉を用い、シリコンスラッジを水素ガス5容量%含むアルゴンガスを3000l/minで供給しながら、大気中で250℃に設定して、3時間熱処理して水分を除去した。
その後、純化精製工程における酸化シリコン除去工程に移し、脱水処理された前記シリコンスラッジを同じ前記電気炉中で、水素ガス5容量%を含むアルゴンガスを流量500l/minで供給しながら、大気中かつ減圧下500℃に設定して、2時間熱処理して、酸化シリコンを除去し、還元し、純化精製シリコンを生成した。
こうして得られた純化精製シリコンにマグネシウムを、シリコンに対して元素比でMg:Si=2:1の混合比となるように混合した。
さらにこの混合した粉末にn型ドーパントとしてBiを3原子%添加した。
次に、前記混合工程で得られた混合物を10−4Pa、250℃の条件で、2時間かけて脱水した。
次いで、合成工程に移して、脱水処理した前記混合物をAl2O3製溶融ルツボに入れて、水素ガス5容量%含むアルゴンガス還元雰囲気で大気中、1100℃に設定して、3時間、溶融・反応させて、マグネシウムシリサイドを合成した。
得られたマグネシウムシリサイドを自然冷却後、分析した結果、多結晶Mg2Siが生成されていることを確認した。
その後、得られた多結晶マグネシウムシリサイドを焼結工程に移し、焼結圧力30MPaを用いた以外は参考例1と同様にして焼結体を得た。
得られたマグネシウムシリサイドを自然冷却後、分析した結果、多結晶Mg2Siが生成されていることを確認した。
その後、得られた多結晶マグネシウムシリサイドを焼結工程に移し、焼結圧力30MPaを用いた以外は参考例1と同様にして焼結体を得た。
得られた焼結体の密度は、理論密度の99%であった。
参考例1と同様にして分析した結果、Alが240ppm、Asが240ppm、Pが70ppm、Bが6ppm、Biが3原子%含有することが確認された。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
参考例1と同様にして分析した結果、Alが240ppm、Asが240ppm、Pが70ppm、Bが6ppm、Biが3原子%含有することが確認された。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
(参考例4)
シリコンウエハ製造会社において、シリコンインゴットの両端切断加工、インゴット粗研磨工程、スライス工程、面取り工程で排出・生成されたシリコンスラッジを参考例1と同様にして濾過分離処理して、シリコン濃度が93質量%、含水率が7質量%のスラッジとし、得られたスラッジを分析した結果、Bが0.2ppm、Pが0.1ppm含有することを確認した。
この(1)クラスのシリコンスラッジを使用し、焼結圧力30MPaを用いた以外は、参考例1と同様にして焼結体(ドーピングなし)を生成した。
得られた焼結体の密度は、理論密度の99%であった。
得られた焼結体を分析した結果、Al2O3製溶融ルツボ由来のAlが70ppm、Pが0.1ppm、Bが0.01ppm含有されていることが確認された。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数 ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
シリコンウエハ製造会社において、シリコンインゴットの両端切断加工、インゴット粗研磨工程、スライス工程、面取り工程で排出・生成されたシリコンスラッジを参考例1と同様にして濾過分離処理して、シリコン濃度が93質量%、含水率が7質量%のスラッジとし、得られたスラッジを分析した結果、Bが0.2ppm、Pが0.1ppm含有することを確認した。
この(1)クラスのシリコンスラッジを使用し、焼結圧力30MPaを用いた以外は、参考例1と同様にして焼結体(ドーピングなし)を生成した。
得られた焼結体の密度は、理論密度の99%であった。
得られた焼結体を分析した結果、Al2O3製溶融ルツボ由来のAlが70ppm、Pが0.1ppm、Bが0.01ppm含有されていることが確認された。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数 ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が300〜600℃において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
(実施例1)
高純度シリコン粉末100%を用いた以外は参考例3と同様にして焼結体(ドーピングあり)を得た。
得られた焼結体の密度は、理論密度の99%であった。
得られた焼結体を分析した結果、Al2O3製溶融るつぼ由来のAlが70ppm、Pが0.1ppm、Bが0.01ppm、Biが3原子%含有されていた。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が500℃以上において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
高純度シリコン粉末100%を用いた以外は参考例3と同様にして焼結体(ドーピングあり)を得た。
得られた焼結体の密度は、理論密度の99%であった。
得られた焼結体を分析した結果、Al2O3製溶融るつぼ由来のAlが70ppm、Pが0.1ppm、Bが0.01ppm、Biが3原子%含有されていた。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は作動温度が500℃以上において、実用的なn型熱電変換材料であることを確認した。
(比較例1)
シリコンウエハ製造会社において使用するシリコンウエハ(育成結晶で高純度シリコン原料使用)を粉砕して得た高純度シリコン粉末100%を用いてマグネシウムを該シリコンに対して元素比でMg:Si=2:1の混合比となるように混合した。参考例1と同様にして該混合物について電気炉により10−4Pa及び250℃の条件下で、2時間かけて脱水処理を行なった。次に合成工程に移して、脱水処理された混合物をAl2O3製溶融ルツボに入れて、水素ガス5容量%含むアルゴンガス還元雰囲気で、1100℃設定で3時間、溶融してマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を合成し、多結晶マグネシウムシリサイドが得られた。
こうして得られた多結晶マグネシウムシリサイドを粉砕して−200μmパスの多結晶マグネシウムシリサイドの粉末を得た。
粉砕して得られた多結晶マグネシウムシリサイドの前記粉末15gをAl2O3製育成ルツボに入れて水素ガス5容量%含むアルゴンガス還元雰囲気で0.08MPa下で密封した。
密封後、電気炉による垂直ブリッジマン結晶育成法により、1100℃設定で2時間保持した後、3mm/hの割合で育成ルツボ先端より冷却して結晶育成を 行い、直径18mm、高さ30mmの育成多結晶マグネシウムシリサイド(ドーピングなし)を得た。
得られた焼結体を分析した結果、Al2O3製溶融ルツボ由来のAlが80ppmドープされており、その他P 9ppm、B 1ppm、As 0.05ppm、Sb 0.01ppmドープされているマグネシウムシリサイドであった。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数 ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は熱電変換性能が低く、実用性は低いことを確認した。
シリコンウエハ製造会社において使用するシリコンウエハ(育成結晶で高純度シリコン原料使用)を粉砕して得た高純度シリコン粉末100%を用いてマグネシウムを該シリコンに対して元素比でMg:Si=2:1の混合比となるように混合した。参考例1と同様にして該混合物について電気炉により10−4Pa及び250℃の条件下で、2時間かけて脱水処理を行なった。次に合成工程に移して、脱水処理された混合物をAl2O3製溶融ルツボに入れて、水素ガス5容量%含むアルゴンガス還元雰囲気で、1100℃設定で3時間、溶融してマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を合成し、多結晶マグネシウムシリサイドが得られた。
こうして得られた多結晶マグネシウムシリサイドを粉砕して−200μmパスの多結晶マグネシウムシリサイドの粉末を得た。
粉砕して得られた多結晶マグネシウムシリサイドの前記粉末15gをAl2O3製育成ルツボに入れて水素ガス5容量%含むアルゴンガス還元雰囲気で0.08MPa下で密封した。
密封後、電気炉による垂直ブリッジマン結晶育成法により、1100℃設定で2時間保持した後、3mm/hの割合で育成ルツボ先端より冷却して結晶育成を 行い、直径18mm、高さ30mmの育成多結晶マグネシウムシリサイド(ドーピングなし)を得た。
得られた焼結体を分析した結果、Al2O3製溶融ルツボ由来のAlが80ppmドープされており、その他P 9ppm、B 1ppm、As 0.05ppm、Sb 0.01ppmドープされているマグネシウムシリサイドであった。
得られた焼結体を用い、参考例1と同様にして無次元性能指数 ZTを算出し、その結果を図2に示した。
このZTの値から得られた焼結体は熱電変換性能が低く、実用性は低いことを確認した。
ここで、図2から参考例1(a)の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数 ZT=0.5〜0.8で高い熱電変換性能を有することが判る。
同様にして、図2から、参考例2の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.5〜0.8で高い熱電変換性能を有することが判る。
また、図2から参考例3の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.5〜1.0で高い熱電変換性能を有することが判る。
一方、図2から参考例1(b)の焼結体は作動温度 約400〜600℃において無次元性能指数ZT=0.4〜0.7の高い熱電変換性能を有することが判る。この値は作動温度 約400〜600℃において実用上n型熱電変換材料として十分なMg2Siである。
また、図2から参考例4の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.3〜0.5の熱電変換性能を有することが判る。この値は作動温度 約500℃以上においては実用上n型熱電変換材料として十分なMg2Siである。
また、図2から実施例1の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.2〜0.4の熱電変換性能を有することが判る。この値は作動温度 約500℃以上においては実用上n型熱電変換材料として十分なMg2Siである。
それに対して、比較例1の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.2〜0.3であり、熱電変換性能が低く、実用性は低い。
同様にして、図2から、参考例2の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.5〜0.8で高い熱電変換性能を有することが判る。
また、図2から参考例3の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.5〜1.0で高い熱電変換性能を有することが判る。
一方、図2から参考例1(b)の焼結体は作動温度 約400〜600℃において無次元性能指数ZT=0.4〜0.7の高い熱電変換性能を有することが判る。この値は作動温度 約400〜600℃において実用上n型熱電変換材料として十分なMg2Siである。
また、図2から参考例4の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.3〜0.5の熱電変換性能を有することが判る。この値は作動温度 約500℃以上においては実用上n型熱電変換材料として十分なMg2Siである。
また、図2から実施例1の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.2〜0.4の熱電変換性能を有することが判る。この値は作動温度 約500℃以上においては実用上n型熱電変換材料として十分なMg2Siである。
それに対して、比較例1の焼結体は作動温度 約300〜600℃において無次元性能指数ZT=0.2〜0.3であり、熱電変換性能が低く、実用性は低い。
本発明の熱電変換材料は、ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とするものであり、
高純度シリコンを原料として製造して得られる環境負荷が少ないシリサイド(珪化物)系の熱電変換材料であって、約300〜600℃において安定して高い熱電変換性能を発揮でき、かつ高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高いという顕著な効果を奏するので、産業上の利用価値が高い。
高純度シリコンを原料として製造して得られる環境負荷が少ないシリサイド(珪化物)系の熱電変換材料であって、約300〜600℃において安定して高い熱電変換性能を発揮でき、かつ高い物理的強度を有し、風化せず耐久性に優れ安定性および信頼性が高いという顕著な効果を奏するので、産業上の利用価値が高い。
3 抵抗(負荷)
4 直流電源
5、6 電極
101、103 n型熱電変換部
102 p型熱電変換部
4 直流電源
5、6 電極
101、103 n型熱電変換部
102 p型熱電変換部
Claims (13)
- ドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を含有する多結晶構造のマグネシウムシリサイド(Mg2Si)を主成分とする焼結体から構成される熱電変換材料であって、
前記マグネシウムシリサイドのシリコン成分が高純度シリコンであり、未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しないことを特徴とする熱電変換材料。 - AsとSbの含有量がそれぞれ1〜1,000ppm、PとBの含有量がそれぞれ0.1〜100ppm、Alの含有量が10〜10,000ppmであることを特徴とする請求項1記載の熱電変換材料。
- AsとBiを含有することを特徴とする請求項1又は請求項2記載の熱電変換材料。
- 前記焼結体の、密度が理論値の70%以上、作動温度300〜600℃における無次元性能指数ZTが0.5以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱電変換材料。
- 該焼結体が、マグネシウムシリサイド粒子同士が接して少なくともその一部が融着状態を形成していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の熱電変換材料。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の熱電変換材料を構成成分とする熱電変換部が2つの電極間に設置されてなることを特徴とする熱電変換素子。
- シリコンとマグネシウムとを混合する混合工程、得られた混合物を密閉状態かつ還元雰囲気下で溶融してマグネシウムシリサイドを合成する合成工程及び合成した前記マグネシウムシリサイドを加圧圧縮焼結する焼結工程を順次行なう熱電変換材料の製造方法であって、前記シリコンとして、高純度シリコンを用い、必要に応じて前記混合工程、合成工程および/または焼成工程においてドーパントとしてAs、Sb、P、Al及びBのうちの少なくとも1つの元素を添加して、
未反応シリコンおよびマグネシウムが検出されず、かつ酸化シリコンおよび酸化マグネシウムが存在しない熱電変換材料を製造することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。 - 前記合成工程の後にマグネシウムシリサイドを粉砕する粉砕工程を行ない、その後に前記焼結工程を行なうことを特徴とする請求項7に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 前記混合工程で得られた混合物を減圧下80〜500℃で脱水した後に、前記合成工程を行なうことを特徴とする請求項7又は8記載の熱電変換材料の製造方法。
- 前記合成工程が、水素ガスを含み必要に応じて不活性ガスを含む還元雰囲気で減圧下マグネシウムの融点を越えシリコンの融点の間の温度で熱処理してマグネシウムとシリコンを溶融しマグネシウムシリサイドを生成することを特徴とする7乃至9のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 前記合成工程が、前記混合工程によって得られた混合物をAl元素を含有する材料からなるルツボ内で溶融して行なわれることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 前記焼結工程が、粉砕して得られるMg2Si粉末に加圧圧縮焼結法により減圧下で焼結圧力5〜60MPa、焼結温度600〜1000℃で焼結して行われることを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1に項に記載の熱電変換材料の製造方法。
- 前記合成工程においてシリコンに対してマグネシウムを元素比でMg:Si=2.2:0.8〜1.8:1.2となるように混合することを特徴とする請求項7乃至12のいずれか1項に記載の熱電変換材料の製造方法。
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