JP4756282B2 - 硫化セリウム焼結体及びその製造方法 - Google Patents
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- MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ce+3].[Ce+3] MMXSKTNPRXHINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 42
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 24
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- YTYSNXOWNOTGMY-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[La+3].[La+3] YTYSNXOWNOTGMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Description
本発明は、特に、熱電変換材料として有用な、大きな熱起電力を有する硫化セリウム焼結
体及びその製造方法に関する。
体及びその製造方法に関する。
熱電変換材料の応用は、多岐に亘っている。熱エネルギーを電気エネルギーに変換するク
リーンエネルギー源としての利用が最も期待されるところであるが、ペルチェ効果を利用
するものとして小型冷凍器、放熱板、高温槽、電熱用等が考えられ、また実現されている
。
リーンエネルギー源としての利用が最も期待されるところであるが、ペルチェ効果を利用
するものとして小型冷凍器、放熱板、高温槽、電熱用等が考えられ、また実現されている
。
熱起電力は、２種の電気伝導体を接合したとき２接点間の温度差ΔＴにより発生する電圧
Ｖで、それらの間にはＶ＝αΔＴの関係がある。このαのことをゼーベック係数という。
この熱起電力を利用して、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する際に、熱電材料の有
効性を示す指標として、電気伝導度σ、熱伝導度κを使って、式、Ｚ＝α2 σ／κ、で示
される性能指数Ｚが用いられている。このＺの値の大きい材料ほど優れた熱電材料となる
。
Ｖで、それらの間にはＶ＝αΔＴの関係がある。このαのことをゼーベック係数という。
この熱起電力を利用して、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する際に、熱電材料の有
効性を示す指標として、電気伝導度σ、熱伝導度κを使って、式、Ｚ＝α2 σ／κ、で示
される性能指数Ｚが用いられている。このＺの値の大きい材料ほど優れた熱電材料となる
。
既に報告され、又は利用されている熱電材料は多く、現在最も大きい性能指数が得られて
いるのはＢｉ−Ｔｅ系の物質で、約３×１０-3（／Ｋ）の値を示しているが、それらの物
質のゼーベック係数の値は、約２００（μＶ／Ｋ）程度である（非特許文献１）。
いるのはＢｉ−Ｔｅ系の物質で、約３×１０-3（／Ｋ）の値を示しているが、それらの物
質のゼーベック係数の値は、約２００（μＶ／Ｋ）程度である（非特許文献１）。
希土類元素の硫化物は、大きなゼーベック係数を持ち、ランタノイド三二硫化物の中でも
ＬａからＮｄまでの硫化物は、低温安定相である斜方晶のα相から正方晶のβ相、さらに
、高温安定相である立方晶Ｔｈ3 Ｐ4 型のγ相へと不可逆変態し、特に、Ｌａ2 Ｓ3 は、
３７３Ｋで＋３５４μｖ・ｄｅｇ-1、Ｃｅ2 Ｓ3 は、３７３Ｋで＋５７４μｖ・ｄｅｇ-1
のゼーベック係数を有する熱電材料であることが報告されている（非特許文献２）。
ＬａからＮｄまでの硫化物は、低温安定相である斜方晶のα相から正方晶のβ相、さらに
、高温安定相である立方晶Ｔｈ3 Ｐ4 型のγ相へと不可逆変態し、特に、Ｌａ2 Ｓ3 は、
３７３Ｋで＋３５４μｖ・ｄｅｇ-1、Ｃｅ2 Ｓ3 は、３７３Ｋで＋５７４μｖ・ｄｅｇ-1
のゼーベック係数を有する熱電材料であることが報告されている（非特許文献２）。
また、硫化ランタンＬａ3-x Ｓ4 及びＬａ−Ａ−Ｓ系（ＡはＣａ又はＢａ）において、最
大２．９×１０-4（／Ｋ）の性能指数が得られたことが報告されている（非特許文献３）
。しかし、そこで報告されているゼーベック係数は最大値で約１００（μＶ／Ｋ）である
。なお、本発明者らは、Ｃｅ2 Ｓ3 粉末の結晶構造、化学分析値、粒度分布等に関して先
に発表した（非特許文献４）。
大２．９×１０-4（／Ｋ）の性能指数が得られたことが報告されている（非特許文献３）
。しかし、そこで報告されているゼーベック係数は最大値で約１００（μＶ／Ｋ）である
。なお、本発明者らは、Ｃｅ2 Ｓ3 粉末の結晶構造、化学分析値、粒度分布等に関して先
に発表した（非特許文献４）。
「実用新素材技術便覧」通産資料調査会、１９９６、９０４
ゲ・ヴェ・サムソノフ他：「硫化物便覧」、日・ソ通信社、１９７４、ｐ１０８
勝山 茂 他 「熱電変換シンポジウム´９９論文集」、１９９９、５６
Ｓ．Ｈｉｒａｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，８１，１９９８，１４５
熱電変換材料の上述の性能指数Ｚを求める式において、３種の物理的性質がその値を決定
しているが、ゼーベック係数αの値は２乗でＺの値を大きくすることから、このα値の大
きな物質がより優れた熱電材料となり得る。そこで、本発明は、大きなゼーベック係数α
を持ち、高い性能指数Ｚを持つ新規な材料の開発を目的とする。
しているが、ゼーベック係数αの値は２乗でＺの値を大きくすることから、このα値の大
きな物質がより優れた熱電材料となり得る。そこで、本発明は、大きなゼーベック係数α
を持ち、高い性能指数Ｚを持つ新規な材料の開発を目的とする。
本発明者らは、Ｌａ2 Ｏ3 粉末を用いたＣＳ2 ガス硫化法によりＬａ2 Ｓ3 粉末を合成、
１０２３Ｋ以上の硫化温度ではβ−Ｌａ2 Ｓ3 （＝Ｌａ10Ｓ14Ｏ）単相が得られること確
認し、このβ相中の酸素濃度は、硫化時間を２８．８ｋｓ一定とした場合、１０２３Ｋで
は０．９１質量％（炭素不純物濃度は０．０２質量％）、１２７３Ｋでは０．１８質量％
となり、高温の硫化ほど酸素濃度が低下することを報告してきた（平井ら；「第１２４回
日本金属学会春期大会講演概要」、１９９９、１４９）。
１０２３Ｋ以上の硫化温度ではβ−Ｌａ2 Ｓ3 （＝Ｌａ10Ｓ14Ｏ）単相が得られること確
認し、このβ相中の酸素濃度は、硫化時間を２８．８ｋｓ一定とした場合、１０２３Ｋで
は０．９１質量％（炭素不純物濃度は０．０２質量％）、１２７３Ｋでは０．１８質量％
となり、高温の硫化ほど酸素濃度が低下することを報告してきた（平井ら；「第１２４回
日本金属学会春期大会講演概要」、１９９９、１４９）。
同様の方法によりセリウム硫化物粉末も合成できた。得られたセリウム硫化物粉末は、Ｘ
ＲＤ法により構造解析を、また化学分析によりその組成を決定した。セリウム硫化物粉末
は、αの結晶構造を持つＣｅ2 Ｓ3 であることを確認した。また、Ｃｅ2 Ｓ3 の酸素濃度
及び炭素不純物濃度は、例えば、硫化時間２８．８ｋｓ、９７３Ｋでは酸素濃度１．３０
質量％、炭素不純物濃度０．１０質量％であった。
ＲＤ法により構造解析を、また化学分析によりその組成を決定した。セリウム硫化物粉末
は、αの結晶構造を持つＣｅ2 Ｓ3 であることを確認した。また、Ｃｅ2 Ｓ3 の酸素濃度
及び炭素不純物濃度は、例えば、硫化時間２８．８ｋｓ、９７３Ｋでは酸素濃度１．３０
質量％、炭素不純物濃度０．１０質量％であった。
本発明者らは、上記のＣＳ2 ガス硫化法により合成した炭素不純物濃度が小さく、酸素濃
度が一定範囲の高純度のα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末、又はα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末をβ単相化し
た粉末を原料として、それらを適当な圧力、温度条件において真空中で焼結することによ
り、α相のＣｅ2 Ｓ3 粉末を用いた場合、焼結により生成したβ相とγ相との混合相の焼
結体、α相のＣｅ2 Ｓ3 粉末をβ単相化した粉末を用いた場合、焼結により生成したγ相
に焼結により消滅しなかったβ相が混合した相の焼結体となり、この混合相の焼結体は、
同一粉末を用いて焼結して生成したγ相単相の焼結体より大きなゼーベック係数を持ち、
原料粉末の酸素濃度と焼結温度の条件を選択することにより非常に大きなゼーベック係数
を持つ硫化セリウム 焼結体を作製できることを見出した。
度が一定範囲の高純度のα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末、又はα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末をβ単相化し
た粉末を原料として、それらを適当な圧力、温度条件において真空中で焼結することによ
り、α相のＣｅ2 Ｓ3 粉末を用いた場合、焼結により生成したβ相とγ相との混合相の焼
結体、α相のＣｅ2 Ｓ3 粉末をβ単相化した粉末を用いた場合、焼結により生成したγ相
に焼結により消滅しなかったβ相が混合した相の焼結体となり、この混合相の焼結体は、
同一粉末を用いて焼結して生成したγ相単相の焼結体より大きなゼーベック係数を持ち、
原料粉末の酸素濃度と焼結温度の条件を選択することにより非常に大きなゼーベック係数
を持つ硫化セリウム 焼結体を作製できることを見出した。
すなわち、本発明は、α相のＣｅ2 Ｓ3 粉末原料の焼結体であって、結晶構造が焼結によ
り生成したβ相とγ相との混合相からなり、ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／
Ｋ）以上の値を有することを特徴とする硫化セリウム焼結体である。
り生成したβ相とγ相との混合相からなり、ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／
Ｋ）以上の値を有することを特徴とする硫化セリウム焼結体である。
また、本発明は、α相のＣｅ2 Ｓ3 粉末をβ単相化した粉末原料の焼結体であって、結晶
構造が焼結により消滅しなかったβ相と焼結により生成したγ相との混合相からなり、ゼ
ーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上の値を有することを特徴とする硫化セ
リウム焼結体である。
構造が焼結により消滅しなかったβ相と焼結により生成したγ相との混合相からなり、ゼ
ーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上の値を有することを特徴とする硫化セ
リウム焼結体である。
また、本発明は、上記の硫化セリウム焼結体からなることを特徴とする熱電変換材料であ
る。
る。
また、本発明は、酸素濃度が０．９〜１．７質量％、炭素不純物濃度が０．１質量％以下
のα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末原料を、内面に六方晶層状型窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）を被覆した
炭素製型に入れ、真空中で１６００〜２０００Ｋで、β相とγ相とが生成し、かつβ相が
消滅しない処理時間内で加圧焼結することを特徴とする上記の硫化セリウム焼結体の製造
方法である。
のα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末原料を、内面に六方晶層状型窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）を被覆した
炭素製型に入れ、真空中で１６００〜２０００Ｋで、β相とγ相とが生成し、かつβ相が
消滅しない処理時間内で加圧焼結することを特徴とする上記の硫化セリウム焼結体の製造
方法である。
また、本発明は、酸素濃度が０．９〜１．７質量％、炭素不純物濃度が０．１質量％以下
のα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末原料を真空加熱によりβ単相化した粉末原料を、内面に六方晶層
状型窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）を被覆した炭素製型に入れ、真空中で１６００〜２０００Ｋ
で、γ相が生成し、かつβ相が消滅しない処理時間内で加圧焼結することを特徴とする上
記の硫化セリウム焼結体の製造方法である。
のα相のＣｅ2 Ｓ3 粉末原料を真空加熱によりβ単相化した粉末原料を、内面に六方晶層
状型窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）を被覆した炭素製型に入れ、真空中で１６００〜２０００Ｋ
で、γ相が生成し、かつβ相が消滅しない処理時間内で加圧焼結することを特徴とする上
記の硫化セリウム焼結体の製造方法である。
本発明の製造方法において、α相のＣｅ2 Ｓ3粉末原料中の酸素濃度は０．９〜１．７質
量％とする。このように酸素濃度範囲を規定するのは、粉末原料中の酸素濃度は、焼結体
の単相化やゼーベック係数に影響を及ぼすからである。例えば、焼結温度を１９７３Ｋ一
定とした場合、酸素濃度が０．１８質量％のβ単相粉末を出発原料に用いるとγ単相の焼
結体が得られ、一方、酸素濃度が０．９１質量％のβ単相粉末ではγとβの混合相の焼結
体が得られる。
量％とする。このように酸素濃度範囲を規定するのは、粉末原料中の酸素濃度は、焼結体
の単相化やゼーベック係数に影響を及ぼすからである。例えば、焼結温度を１９７３Ｋ一
定とした場合、酸素濃度が０．１８質量％のβ単相粉末を出発原料に用いるとγ単相の焼
結体が得られ、一方、酸素濃度が０．９１質量％のβ単相粉末ではγとβの混合相の焼結
体が得られる。
このような、γ相が安定な高温においてβ相のＣｅ2 Ｓ3が消滅せず、α相のＣｅ2 Ｓ3か
らβ相が生成することは、Ｎｄ2 Ｓ3 やＰｒ2 Ｓ3 の場合と同様に酸素に影響され、β相
が正方晶の単位格子の中心にＯ2-を配位しているためと推定される。上記の酸素濃度範囲
以外では、大きなゼーベック係数を得るのは困難である。
らβ相が生成することは、Ｎｄ2 Ｓ3 やＰｒ2 Ｓ3 の場合と同様に酸素に影響され、β相
が正方晶の単位格子の中心にＯ2-を配位しているためと推定される。上記の酸素濃度範囲
以外では、大きなゼーベック係数を得るのは困難である。
粉末原料中の不純物炭素濃度も焼結体の単相化やゼーベック係数に影響を及ぼす。炭素不
純物濃度が大きいと、炭素は焼結中に酸素と反応して気化し、酸素濃度が不足となる。粉
末原料中の炭素不純物濃度は、ＬＥＣＯ社製の同時分析装置により測定して検出されない
ことが望ましく、許容濃度は０．１質量％以下、より好ましくは０．０８質量％以下であ
る。
純物濃度が大きいと、炭素は焼結中に酸素と反応して気化し、酸素濃度が不足となる。粉
末原料中の炭素不純物濃度は、ＬＥＣＯ社製の同時分析装置により測定して検出されない
ことが望ましく、許容濃度は０．１質量％以下、より好ましくは０．０８質量％以下であ
る。
本発明によれば、硫化セリウム焼結体のゼーベック係数の最も大きい値は、９７００（μ
Ｖ／Ｋ）が得られる。ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上であれば、熱
電材料として有用性が大きい。
Ｖ／Ｋ）が得られる。ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上であれば、熱
電材料として有用性が大きい。
本発明の製造方法において、出発原料のＣｅ2 Ｓ3 粉末は、ＣＳ2 ガス硫化法によって製
造したものを用いる。Ｃｅ2 Ｓ3 粉末の粒径は７０μｍ以下が好ましい。粒径が７０μｍ
を超える粒子が存在すると焼結性が劣化する。粒子の小さい方は、焼結性に影響しないの
で粒径の下限は特に限定されない。
造したものを用いる。Ｃｅ2 Ｓ3 粉末の粒径は７０μｍ以下が好ましい。粒径が７０μｍ
を超える粒子が存在すると焼結性が劣化する。粒子の小さい方は、焼結性に影響しないの
で粒径の下限は特に限定されない。
粉末原料中の酸素濃度は、硫化時間を一定とした場合、高温の硫化ほど酸素濃度が低下す
る傾向があることが知られている（前記の平井ら；「第１２４回日本金属学会春期大会講
演概要」、１９９９、１４９）ので、硫化温度の調整により酸素濃度を調整できる。粉末
原料中の酸素濃度が多い場合には焼結温度は高めとする。
る傾向があることが知られている（前記の平井ら；「第１２４回日本金属学会春期大会講
演概要」、１９９９、１４９）ので、硫化温度の調整により酸素濃度を調整できる。粉末
原料中の酸素濃度が多い場合には焼結温度は高めとする。
加圧焼結によりβ相及びγ相の混合相の焼結体を作製するためには、内面にｈ−ＢＮを塗
布して被覆した炭素製型を用いる。炭素製型の内面に塗布したｈ−ＢＮは、炭素製型から
炭素が不純物として焼結体に侵入するのを防ぐとともに、炭素製型から焼結体を取り外す
際の離型剤としての働きがある。
布して被覆した炭素製型を用いる。炭素製型の内面に塗布したｈ−ＢＮは、炭素製型から
炭素が不純物として焼結体に侵入するのを防ぐとともに、炭素製型から焼結体を取り外す
際の離型剤としての働きがある。
真空中、好ましくは３×１０-4Ｐａ以下の真空雰囲気中にて黒鉛製型中で１６００〜２０
００Ｋまで一定の昇温速度で粉末原料を加熱し、続いて、０〜２．７ｋｓ保持して、所定
の圧力、例えば、２０ＭＰａ、又はそれ以下の圧力を加えながら焼結（ホットプレス）す
ることにより緻密な焼結体を作製する。加圧焼結の際の温度条件、保持時間は、β相とγ
相の混合相が形成される範囲で選択する。β相が無くならないでγ相が生成する温度領域
は１６００〜２０００Ｋ、より好ましくは１８００〜２０００Ｋの範囲であるが、高温で
長時間となるとβ相が消滅する。
００Ｋまで一定の昇温速度で粉末原料を加熱し、続いて、０〜２．７ｋｓ保持して、所定
の圧力、例えば、２０ＭＰａ、又はそれ以下の圧力を加えながら焼結（ホットプレス）す
ることにより緻密な焼結体を作製する。加圧焼結の際の温度条件、保持時間は、β相とγ
相の混合相が形成される範囲で選択する。β相が無くならないでγ相が生成する温度領域
は１６００〜２０００Ｋ、より好ましくは１８００〜２０００Ｋの範囲であるが、高温で
長時間となるとβ相が消滅する。
純度９９．９９％、平均粒径２．２５μｍの酸化セリウムＣｅ2Ｏ3粉末を石英ボートに乗
せて電気炉内に挿入し、Ａｒ雰囲気中で温度９７３Ｋに加熱し、ＣＳ2溶液中から気化さ
せたＣＳ2ガスをＡｒ搬送ガスを用いて導入し、８時間の硫化を行った。反応後の粉末は
Ｘ線回折法によりα相単相のＣｅ 2 Ｓ 3 であることを確認した。また、組成については、希
土類金属をキレート滴定法、硫黄、炭素、酸素をＬＥＣＯ社製の同時分析装置により決定
した。その結果、Ｃｅ1.65Ｓ3.00Ｏ0.18Ｃ0.027(酸素０．９質量％、炭素０．１質量％）
の組成を得た。
せて電気炉内に挿入し、Ａｒ雰囲気中で温度９７３Ｋに加熱し、ＣＳ2溶液中から気化さ
せたＣＳ2ガスをＡｒ搬送ガスを用いて導入し、８時間の硫化を行った。反応後の粉末は
Ｘ線回折法によりα相単相のＣｅ 2 Ｓ 3 であることを確認した。また、組成については、希
土類金属をキレート滴定法、硫黄、炭素、酸素をＬＥＣＯ社製の同時分析装置により決定
した。その結果、Ｃｅ1.65Ｓ3.00Ｏ0.18Ｃ0.027(酸素０．９質量％、炭素０．１質量％）
の組成を得た。
このα相のＣｅ2 Ｓ 3粉末をｈ−ＢＮで内面を被覆した黒鉛製型に入れ、２０ＭＰａの圧力
を加えながら１６７３Ｋまで加熱し、１１時間保持した後加熱を終了させ、焼結体を作成
した。得られた焼結体はＸ線回折法による構造解析からβ相とγ相の混合相であることを
確認した。得られた焼結体を３×３×５（ｍｍ3 ）に切り出して試料とし、ゼーベック係
数を測定し、６０℃で９７００（μＶ／Ｋ）の値を得た。
を加えながら１６７３Ｋまで加熱し、１１時間保持した後加熱を終了させ、焼結体を作成
した。得られた焼結体はＸ線回折法による構造解析からβ相とγ相の混合相であることを
確認した。得られた焼結体を３×３×５（ｍｍ3 ）に切り出して試料とし、ゼーベック係
数を測定し、６０℃で９７００（μＶ／Ｋ）の値を得た。
実施例１のα相のＣｅ2 Ｓ 3粉末をさらに１４７２Ｋ、７．２ｋｓの真空加熱を行うことに
よりβ単相化した後、このβ相のＣｅ2 Ｓ 3粉末をＢＮで内面を被覆した黒鉛製型に入れ、
２０ＭＰａの圧力を加えながら１６７３Ｋまで加熱し、１１時間保持した後加熱を終了さ
せ、焼結体を作成した。得られた焼結体はＸ線回折法による構造解析からβ相とγ相の混
合相であることを確認した。得られた焼結体を３×３×５（ｍｍ3 ）に切り出して試料と
し、ゼーベック係数を測定し、６０℃で１４５６（μＶ／Ｋ）の値を得た。
よりβ単相化した後、このβ相のＣｅ2 Ｓ 3粉末をＢＮで内面を被覆した黒鉛製型に入れ、
２０ＭＰａの圧力を加えながら１６７３Ｋまで加熱し、１１時間保持した後加熱を終了さ
せ、焼結体を作成した。得られた焼結体はＸ線回折法による構造解析からβ相とγ相の混
合相であることを確認した。得られた焼結体を３×３×５（ｍｍ3 ）に切り出して試料と
し、ゼーベック係数を測定し、６０℃で１４５６（μＶ／Ｋ）の値を得た。
実施例１と同様のＣｅ1.65Ｓ3.00Ｏ0.18Ｃ0.027(酸素０．９質量％、炭素０．１質量％）
の組成のα相のＣｅ2 Ｓ 3粉末を出発原料とした。ｈ−ＢＮで内面を被覆した黒鉛製型に入
れ、２０ＭＰａの圧力を加えながら１９７３Ｋまで加熱し、１１時間保持した後加熱を終
了させ、焼結体を作成した。得られた焼結体はγ相単相であることを確認した。β相は高
温での長時間保持により消滅したものと推定される。この試料を３×３×５（ｍｍ3 ）に
切り出してゼーベック係数を測定した結果、６０℃で２３４（μＶ／Ｋ）の値であった。
の組成のα相のＣｅ2 Ｓ 3粉末を出発原料とした。ｈ−ＢＮで内面を被覆した黒鉛製型に入
れ、２０ＭＰａの圧力を加えながら１９７３Ｋまで加熱し、１１時間保持した後加熱を終
了させ、焼結体を作成した。得られた焼結体はγ相単相であることを確認した。β相は高
温での長時間保持により消滅したものと推定される。この試料を３×３×５（ｍｍ3 ）に
切り出してゼーベック係数を測定した結果、６０℃で２３４（μＶ／Ｋ）の値であった。
本発明の硫化セリウム焼結体は、高温半導体特性と大きなゼーベック係数を持ち、特に、
熱電変換材料として優れた材料である。
熱電変換材料として優れた材料である。
Claims (5)
- α相のＣｅ２Ｓ３粉末原料の焼結体であって、結晶構造が焼結により生成したβ相とγ相
との混合相からなり、ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上の値を有する
ことを特徴とする硫化セリウム焼結体。 - α相のＣｅ２Ｓ３粉末をβ単相化した粉末原料の焼結体であって、結晶構造が焼結により
消滅しなかったβ相と焼結により生成したγ相との混合相からなり、ゼーベック係数が６
０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上の値を有することを特徴とする硫化セリウム焼結体。 - 請求項１乃至２のいずれかに記載の硫化セリウム焼結体からなることを特徴とする熱電変
換材料。 - 酸素濃度が０．９〜１．７質量％、炭素不純物濃度が０．１質量％以下のα相のＣｅ２Ｓ
３粉末原料を、内面に六方晶層状型窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）を被覆した炭素製型に入れ、
真空中で１６００〜２０００Ｋで、β相とγ相とが生成し、かつβ相が消滅しない処理時
間内で加圧焼結することを特徴とする請求項１に記載の硫化セリウム焼結体の製造方法。 - 酸素濃度が０．９〜１．７質量％、炭素不純物濃度が０．１質量％以下のα相のＣｅ２Ｓ
３粉末原料を真空加熱によりβ単相化した粉末原料を、内面に六方晶層状型窒化ホウ素（
ｈ−ＢＮ）を被覆した炭素製型に入れ、真空中で１６００〜２０００Ｋで、γ相が生成し
、かつβ相が消滅しない処理時間内で加圧焼結することを特徴とする請求項２に記載の硫
化セリウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007282146A JP4756282B2 (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 硫化セリウム焼結体及びその製造方法 |
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| JP2007282146A JP4756282B2 (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 硫化セリウム焼結体及びその製造方法 |
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| JP2000152779A Division JP4078414B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | 硫化ランタン焼結体およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008208018A JP2008208018A (ja) | 2008-09-11 |
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| JP2007282146A Expired - Fee Related JP4756282B2 (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 硫化セリウム焼結体及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN112456534B (zh) * | 2020-12-01 | 2022-12-16 | 景德镇陶瓷大学 | 一种不团聚的超细γ～Ce2S3红色色料的制备方法及其制得的产品 |
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2007
- 2007-10-30 JP JP2007282146A patent/JP4756282B2/ja not_active Expired - Fee Related
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