JP2009040649A - クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子 - Google Patents
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本発明は、クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子に関する。
ゼーベック効果を利用した熱電変換素子は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換することを可能とする。その性質を利用し、産業・民生用プロセスや移動体から排出される排熱を有効な電力に変換することができるため、環境問題に配慮した省エネルギー技術として注目されている。
ゼーベック効果を利用した熱電変換素子に用いられる熱電変換材料の性能指数ZTは、下記式(A)で表すことができる。
上記式(A)から明らかなように、熱電変換素子の性能を向上させるためには、素子に用いられる材料のゼーベック係数、電気伝導度を大きくすること、及び熱伝導度を小さくすることが重要である。
高い性能指数を示す熱電変換材料として、クラスレート化合物が知られている。クラスレート化合物の基本構造は、シリコン、ゲルマニウム、スズなどの4族元素から構成される篭格子の中にバリウムなどの2族元素が内包されたものである。篭格子を構成する4族元素の一部は、電荷補償のためにガリウムなどの3族元素で置換されている。熱電変換材料としての代表的な化学組成例は、Ba8Ga16Ge30である(例えば、非特許文献1)。これらのクラスレート化合物は、ビスマステルルや鉛テルルなどの従来の熱電変換材料と違い、重元素を含まず安全な元素で構成できるので、環境に配慮した素子を提供できる利点がある。
また、例えば、自動車などの移動体からの排熱回収に熱電変換素子を利用する際、その素子自体の重さが軽量な方が、移動体のエネルギー損失が少ないので、有利である。この観点からは、クラスレート化合物の中でも主成分はゲルマニウムやスズよりもシリコンの方が好ましい。シリコンが主成分のクラスレート化合物も数多く報告されている(例えば、特許文献1、同2)。しかし、それらのほとんどは篭格子に内包される元素はバリウムである。そこで、バリウムよりも軽量なストロンチウムを内包し、主成分がシリコンであるクラスレート化合物の方が有利である。その例はいくつか存在する(例えば、非特許文献2、同3、同4)。
例えば、非特許文献2には下記式Bで表される化合物が、また非特許文献3には下記式Cで表される化合物が、更に非特許文献4には、下記式Dで表される化合物が、それぞれ示されている。
例えば、非特許文献2には下記式Bで表される化合物が、また非特許文献3には下記式Cで表される化合物が、更に非特許文献4には、下記式Dで表される化合物が、それぞれ示されている。
本発明は、上記の如き問題点を克服した、軽量で且つ高い性能指数を有する新規な熱電変換素子用クラスレート化合物及び該クラスレート化合物を含む熱電変換素子を提供する。
すなわち、本発明は、ストロンチウムを内包し、かつ、シリコンを主成分とする新規なクラスレート化合物及び該クラスレート化合物を含む熱電変換素子である。
本発明の第1の態様は、下記組成式(1)よりなるクラスレート化合物である。
また、本発明の第2の態様は、上記クラスレート化合物を含む熱電変換素子である。
本発明によれば、自動車等の移動体に用いるのに好適な軽量で且つ効率の高い熱電変換素子用の新規なクラスレート化合物及びそれを含む熱電変換素子が得られる。
以下、本発明のクラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子について詳細に説明する。
<クラスレート化合物>
本発明のクラスレート化合物は、下記組成式(1)で表される。
<クラスレート化合物>
本発明のクラスレート化合物は、下記組成式(1)で表される。
本発明のクラスレート化合物は、その主成分の結晶構造がP−43n(No.218)であり、且つ、不純物相をほとんど含まない。そのため、ゼーベック係数は、一般に、温度700Kにおいて60μV/K以上であり、従来非特許文献2〜4等により提案されてきたストロンチウム型のクラスレート化合物に比べて格段に高性能な熱電素子とすることができる。
本発明において、組成式(1)に示されるxとyは、共に正の数であり、且つ−2<y−x<10の範囲、好ましくは0<y−x<8であることが必要である。すなわち、これらの範囲外であればP−43n(No.218)結晶構造にはなりにくい。さらに、14<x+y<18、特に、15<x+y<17の範囲であることも重要である。すなわち、これらの範囲を逸脱するとキャリア密度が大きくなりすぎて、ゼーベック係数が小さくなり、好ましくない。クラスレート化合物の原子濃度は約5×1022cm−3である。クラスレート化合物(例えば、Sr8Ga8Al8Si30など)の単位格子の構成元素は54個なので、54個中1個がドナー(アクセプタ)原子であれば、キャリア密度はおよそ1×1021cm−3となる。上記組成式(1)においては、xまたはyが1だけ増えると、単位格子当たり、シリコン原子1個の代わりに、ガリウム原子1個またはアルミニウム原子1個が増えることになり、正孔のキャリア密度はおよそ1×1021cm−3だけ増えることにある。逆に、xまたはyが1だけ減ると、電子のキャリア密度がおよそ1×1021cm−3だけ増えることにある。つまり、x+y<14及び18<x+yの範囲では、キャリア密度が2×1021cm−3よりも大きくなり、金属的な特性を示すようになる。
本発明のクラスレート化合物の製造方法は、該クラスレート化合物を構成する構成元素を溶融させる溶融工程を経て合成することができるが、この方法に限定されるものではない。溶融温度としては、1500〜2000℃が好ましく、1500〜1700℃がより好ましい。また、溶融時間としては、1〜100分が好ましく、5〜20分がより好ましい。溶融方法としては、アーク溶融法、高周波加熱法等を用いることができる。
<熱電変換素子>
本発明の熱電変換素子は、前記のクラスレート化合物を用いたものである。本発明の熱電変換素子は、前記溶融工程を経て合成されたクラスレート化合物のインゴットを適宜切り出し、そのまま熱電素子とすることもできるが、均質化を図るため、一旦微粒子にする微粒子化工程と、前記微粒子化工程により得られた微粒子を焼結する焼結工程とを経て製造することが好ましい。しかし、この方法に限定されるものではない。
<熱電変換素子>
本発明の熱電変換素子は、前記のクラスレート化合物を用いたものである。本発明の熱電変換素子は、前記溶融工程を経て合成されたクラスレート化合物のインゴットを適宜切り出し、そのまま熱電素子とすることもできるが、均質化を図るため、一旦微粒子にする微粒子化工程と、前記微粒子化工程により得られた微粒子を焼結する焼結工程とを経て製造することが好ましい。しかし、この方法に限定されるものではない。
前記微粒子化工程においては、ボールミル、ジェットミル、乳鉢等を用いてクラスレート化合物を粉砕することにより微粒子を得ることができる。前記微粒子の粒径としては、平均粒子径150μm 以下が好ましく、90μm以下がさらに好ましい。また、真空中でクラスレート化合物の蒸気を発生させ、前記蒸気を高圧の不活性ガスで吹き飛ばすことにより微粒子を得る、いわゆるフローイングガスエバポレーション法を用いることも好ましい。フローイングガスエバポレーション法の詳細は、特公平5−9483号公報等に詳しく記載されている。前記焼結工程においては、放電プラズマ焼結法、ホットプレス焼結法、熱間等方圧加圧焼結法等を用いて微粒子を焼結することができる。中でも放電プラズマ焼結法が好適に採用し得る。
放電プラズマ焼結法を用いる場合の焼結条件としては、温度は600〜900 ℃ が好ましく、700〜800℃がより好ましい。焼結時間は、10〜120分が好ましく、30〜90分がより好ましい。圧力は、20〜200MPaが好ましく、30〜50MPaがより好ましい。
本発明のクラスレート化合物の生成は、X線回折により確認することができる。具体的
には、焼成後のサンプルがX 線回折によりP−43n(No.218)結晶構造のみを示すものであれば、不純物相の少ない目的とするクラスレート化合物が合成されたことが確認できる。
には、焼成後のサンプルがX 線回折によりP−43n(No.218)結晶構造のみを示すものであれば、不純物相の少ない目的とするクラスレート化合物が合成されたことが確認できる。
すなわち、図1、2に示すとおり、本発明の組成式に示される範囲のクラスレート化合物は副生物であるGa4SrやSrAl2Si2などをほとんど含まない単相のP−43n(No.218)結晶構造のクラスレート化合物となることがわかる。
以上、熱電変換素子として好ましい例を示したが、勿論本発明は、これらの例に限定されるものではない。
以下、本発明を、実施例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例により
限定されるものではない。
<クラスレート化合物及び熱電変換素子の製造>
原材料として、Sr(99.9%)、Ga(99.999%)、Al(99.999%)及びSi(99.999%)を窒素雰囲気下で所定量秤量し、これをアルゴン雰囲気下においてアーク溶解(アーク温度1600
℃ 、アーク溶解時間20分)させて溶解、冷却させ目的のクラスレート化合物を得た。表1 に各クラスレート化合物に用いられたSr、Ga、Al及びSiの仕込量をまとめて示す。本実施例では、x+y=16の場合を説明する。
限定されるものではない。
<クラスレート化合物及び熱電変換素子の製造>
原材料として、Sr(99.9%)、Ga(99.999%)、Al(99.999%)及びSi(99.999%)を窒素雰囲気下で所定量秤量し、これをアルゴン雰囲気下においてアーク溶解(アーク温度1600
℃ 、アーク溶解時間20分)させて溶解、冷却させ目的のクラスレート化合物を得た。表1 に各クラスレート化合物に用いられたSr、Ga、Al及びSiの仕込量をまとめて示す。本実施例では、x+y=16の場合を説明する。
ウ乳鉢で粒径が106μm未満となるように粉砕して微粒子を得た。各クラスレート化合
物の微粒子を放電プラズマ焼結装置により、温度750℃ 、保持時間60分、焼結圧力40MPaの条件で焼成して各クラスレート化合物を用いた熱電変換素子を得た。
<X線回折測定>
得られたクラスレート化合物に対してX線回折測定を行った。その結果を図1及び2に示す。図1より、本発明の組成の範囲外であるGa組成xが0及び1の場合は、主成分は、SrAl2Si2(このシミュレーション結果は図1の下から3番目のパターンで表している)であることがわかる。少量だけ含まれているクラスレート化合物は、Pm−3n(No.223)(このシミュレーション結果は図1の最下段のパターンで表している)結晶構造であることがわかる。本発明の組成の範囲外であるGa組成xが2の場合は、主成分はPm−3n(No.223)結晶構造であるクラスレート化合物であることがわかる。この場合は、不純物相として、SrAl2Si2を含んでいる。また、本発明の組成の範囲外であるGa組成xが3の場合は、主成分はP−43n(No.218)(このシミュレーション結果は図1の下から2番目のパターンで表している)結晶構造であるクラスレート化合物であることがわかる。しかし、この場合も、不純物相として、SrAl2Si2を含んでいる。一方、本発明の組成の範囲内であるGa組成xが4以上8以下では、得られたクラスレート化合物は、結晶構造P−43n(No.218)のクラスレート構造であることがわかる。それに加えて、不純物相もほとんど含まないことがわかる。また、図2より、本発明の組成の範囲外であるGa組成xが9〜16の場合は、主成分はPm−3n(No.223)結晶構造であるクラスレート化合物であることがわかる。その中でGa組成xが12〜16の場合は不純物相であるGa4Sr(このシミュレーション結果は図2の下から2番目のパターンで表している)が含まれていることがわかる。以上の結果から、本発明のクラスレート化合物が単相のP−43n(No.218)結晶構造を有することがわかる。
<ゼーベック係数の測定>
各クラスレート化合物を幅1〜2mm 、厚さ1〜2mm、長さ15〜20mmに切り出してこれを測定試料として用いた。加熱炉内に設けられた温度傾斜機能がついたステージ上に載置された測定試料に、2対の熱電対を約10mmの間隔を開けるようにして接着した。熱電対の接着は、銀ペースト(徳力本店、導電性ペースト(シルベスト)
PS−769)を用い、180℃ ×15分で焼き付けることにより行った。2対の熱電対をそれぞれ温度計に接続した。温度傾斜機能により熱電変換素子に温度差ΔTをつけた。そのΔTはおよそ10℃に保持した。他方、前述の2対の熱電対のそれぞれのマイナス線を電圧計に接続した。それにより測定される電圧は、熱起電力Vに相当する。これらの結果から、ゼーベック係数Sを、S=V/ΔTにより算出した。得られた結果を図3に示す。表1には、温度700Kでのゼーベック係数の値を示している。得られた結果から、本発明のクラスレート化合物が大きいゼーベック係数をもつことがわかる。
Claims (2)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007209056A JP2009040649A (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子 |
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WO2012005323A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | 古河電気工業株式会社 | クラスレート化合物および熱電変換材料ならびに熱電変換材料の製造方法 |
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2007
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