JP6981094B2 - マグネシウム系熱電変換材料、マグネシウム系熱電変換素子、及び、マグネシウム系熱電変換材料の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のマグネシウム系熱電変換材料においては、マグネシウム系化合物の結晶粒界に、前記マグネシウム系化合物粒子の粒内よりもSi濃度が高いSiリッチ金属相が偏在しており、このSiリッチ金属相はMgOよりも電気伝導度が高いため、結晶粒界における電気抵抗が低くなる。よって、マグネシウム系熱電変換材料の熱電変換効率を向上させることが可能となる。
また、前記Siリッチ金属相の占める面積率が2.5%以上10%以下の範囲内とされ、面積が1μm2以上の前記Siリッチ金属相の個数密度が1800個/mm2以上14000個/mm2以下の範囲内とされているので、電気伝導度が比較的高いSiリッチ金属相が、マグネシウム系化合物の焼結体の全体で、均一に、かつ、十分に分散されており、マグネシウム系熱電変換材料の熱電変換効率を向上させることが可能となる。
この場合、MgxSiy、Mg2Si1−xGex、Mg2Si1−xSnxからなる焼結体の結晶粒界に、前記マグネシウム系化合物粒子の粒内よりもSi濃度が高いSiリッチ金属相が偏在することにより、熱電変換効率に優れたマグネシウム系熱電変換材料を得ることができる。
この場合、特定の半導体型(すなわち、n型又はp型)の熱電変換材料とすることができる。
本発明のマグネシウム系熱電変換素子によれば、上述したマグネシウム系熱電変換材料からなるので、結晶粒界における電気抵抗が低く、熱電変換効率に優れたマグネシウム系熱電変換素子を得ることができる。
この場合、通電加熱とともに、前記焼結原料粉の外周側に配置されたヒーターによって加熱しているので、焼結原料の内周側と外周側との温度差を小さくすることができ、焼結原料をさらに均一に加熱することができる。
このマグネシウム系熱電変換材料10は、本実施形態であるマグネシウム系熱電変換材料11と、このマグネシウム系熱電変換材料11の一方の面11aおよびこれに対向する他方の面11bに形成されたメタライズ層18a,18bと、このメタライズ層18a,18bに積層された電極19a,19bと、を備えている。
電極19a,19bは、導電性に優れた金属材料、例えば、銅やアルミニウムなどの板材から形成されている。本実施形態では、アルミニウムの圧延板を用いている。また、熱電変換材料11(メタライズ層18a,18b)と電極19a,19bとは、Agろう、Agめっき等によって接合することができる。
また、マグネシウム系熱電変換材料11をn型熱電変換素子とするためのドナーとしては、アンチモン(Sb)以外にも、ビスマス(Bi)、アルミニウム(Al)、リン(P)、ヒ素(As)などを用いることができる。
また、マグネシウム系熱電変換材料11をp型熱電変換素子にしてもよく、この場合、アクセプタとして、リチウム(Li)や銀(Ag)などのドーパントを添加することによって得ることができる。
ここで、焼結体の断面において、上述のSiリッチ金属相15の占める面積率が2.5%以上10%以下の範囲内とされている。
さらに、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相15の個数密度が1800個/mm2以上14000個/mm2以下の範囲内とされている。
本実施形態のマグネシウム系熱電変換材料11においては、上述のように、マグネシウム系化合物(マグネシウムシリサイド)の結晶粒界にSiリッチ金属相15が偏在することにより、結晶粒界の電気抵抗が低くすることが可能となる。
一方、Siの熱伝導率は室温で168W/(m・K)であり、マグネシウムシリサイド(Mg2Si)の熱伝導率は室温で9W/(m・K)である。このため、Siの含有量が多くなると、マグネシウム系熱電変換材料11の熱伝導率が高くなり、マグネシウム系熱電変換材料11の一端側と他端側とで温度差が小さくなり、熱電変換効率が低下するおそれがある。
一方、Siリッチ金属相15の面積率が10%を超えると、Siの含有量が多くなり、マグネシウム系熱電変換材料11の熱伝導率が高くなるおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Siリッチ金属相15の占める面積率を2.5%以上10%以下の範囲内に規定している。
なお、Siリッチ金属相15の面積率の下限は3.5%以上とすることが好ましく、4.5%以上とすることがさらに好ましい。また、Siリッチ金属相15の面積率の上限は9%以下とすることが好ましく、8%以下とすることがさらに好ましい。
一方、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相15の個数密度が14000個/mm2を超えると、Siの含有量が多くなり、マグネシウム系熱電変換材料11の熱伝導率が高くなるおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相15の個数密度を1800個/mm2以上14000個/mm2以下の範囲内に規定している。
なお、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相15の個数密度の下限は2500個/mm2以上とすることが好ましく、5000個/mm2以上とすることがさらに好ましい。また、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相15の個数密度の上限は12500個/mm2以下とすることが好ましく、10000個/mm2以下とすることがさらに好ましい。
まず、マグネシウム系熱電変換材料11である焼結体の母相となるマグネシウムシリサイド(Mg2Si)の粉末を製造する。
本実施形態では、マグネシウムシリサイド粉末準備工程S01は、塊状のマグネシウムシリサイドを得る塊状マグネシウムシリサイド形成工程S11と、この塊状のマグネシリサイド(Mg2Si)を粉砕して粉末とする粉砕工程S12と、を備えている。
なお、加熱時に少量のマグネシウムが昇華することから、原料の計量時にMg:Si=2:1の化学量論組成に対して例えば5at%ほどマグネシウムを多く入れることが好ましい。
ここで、マグネシウムシリサイド粉の平均粒径を、0.5μm以上100μm以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、得られたマグネシウムシリサイド粉に、シリコン酸化物を混合して、焼結原料粉を得る。
シリコン酸化物は、アモルファスSiO2、クリストバライト、クオーツ、トリディマイト、コーサイト、ステイショバイト、ザイフェルト石、衝撃石英等のSiOx(x=1〜2)を用いることができる。
シリコン酸化物の混合量は0.5mol%以上13.0mol%以下の範囲内である。より好ましくは、0.7mol%以上7.0mol%以下とするとよい。シリコン酸化物は、粒径0.5μm以上100μm以下の粉末状とするとよい。本実施形態では、シリコン酸化物として中心粒径20μmのSiO2粉末を用いている。
次に、上述のようにして得られた焼結原料粉を、加圧しながら加熱して焼結体を得る。
本実施形態では、焼結工程S03において、図4に示す焼結装置(通電焼結装置100)を用いている。
また、本実施形態においては、カーボンモールド103の外周側にヒーター109が配設されている。ヒーター109は、カーボンモールド103の外周側の全面を覆うように四つの側面に配置されている。ヒーター109としては、カーボンヒーターやニクロム線ヒーター、モリブデンヒーター、カンタル線ヒーター、高周波ヒーター等が利用できる。
これにより、焼結原料粉Qの自己発熱及びヒーター109からの熱と、加圧により、焼結原料粉Qを焼結させる。
また、耐圧筐体101内の雰囲気はアルゴン雰囲気などの不活性雰囲気や真空雰囲気とするとよい。真空雰囲気とする場合は、圧力5Pa以下とするとよい。
一方、焼結原料粉Qの焼結温度が1020℃を超える場合には、マグネシウムシリサイドの分解が短時間で進行してしまい、組成ずれが生じ、抵抗が上昇するとともにゼーベック係数が低下してしまうおそれがある。
このため、本実施形態では、焼結工程S03における焼結温度を800℃以上1020
℃以下の範囲内に設定している。
なお、焼結工程S03における焼結温度の下限は、850℃以上とすることが好ましく、900℃以上であることがさらに好ましい。一方、焼結工程S03における焼結温度の上限は、1000℃以下とすることが好ましく、980℃以下であることがさらに好ましい。
一方、焼結温度での保持時間が5分を超える場合には、マグネシウムシリサイドの分解が進行してしまい、組成ずれが生じ、抵抗が上昇するとともにゼーベック係数が低下してしまうおそれがある。
このため、本実施形態では、焼結工程S03における焼結温度での保持時間を0.15分以上5分以下の範囲内に設定している。
なお、焼結工程S03における焼結温度での保持時間の下限は、0.15分以上とすることが好ましく、0.5分以上であることがさらに好ましい。一方、焼結工程S03における焼結温度での保持時間の上限は、5分以下とすることが好ましく、3分以下であることがさらに好ましい。
一方、焼結工程S03における加圧荷重が50MPaを超える場合には、焼結体の作製に使用しているカーボンモールドの寿命が短くなったり、場合によっては破損してしまったりするおそれがある。
このため、本実施形態では、焼結工程S03における加圧荷重を20MPa以上50MPa以下の範囲内に設定している。
なお、焼結工程S03における加圧荷重の下限は、20MPa以上とすることが好ましく、25MPa以上であることがさらに好ましい。一方、焼結工程S03における加圧荷重の上限は、50MPa以下とすることが好ましく、40MPa以下であることがさらに好ましい。
また、Siリッチ金属相15の占める面積率が2.5%以上10%以下の範囲内とされ、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相15の個数密度が1800個/mm2以上14000個/mm2以下の範囲内とされているので、電気伝導度が比較的高いSiリッチ金属相15が、均一に、かつ、十分に分散されており、マグネシウム系熱電変換材料11の熱電変換効率を向上させることが可能となる。
また、本実施形態においては、焼結原料粉Qの外周側に配置されたヒーター109によって焼結原料粉Qを外周側からも加熱しているので、焼結原料をさらに均一に加熱することができる。
よって、マグネシウム系化合物粒子の粒内よりもSi濃度が高いSiリッチ金属相15を、焼結体全体に分散させることができ、熱電変換効率に優れたマグネシウム系熱電変換材料11を得ることができる。
例えば、本実施形態では、図1に示すような構造のマグネシウム系熱電変換素子を構成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、本発明のマグネシウム系熱電変換材料を用いていれば、メタライズ層や電極の構造及び配置等に特に制限はない。
次に、この塊状マグネシウムシリサイド(Mg2Si)を乳鉢中で細かく砕いて、これを分級して平均粒径が30μmのマグネシウムシリサイド粉(Mg2Si粉)を得た。
測定試料を採取して切断面を研磨し、EPMA装置(日本電子株式会社製JXA−8800RL)を用いて、加速電圧15kV、ビーム電流50nA、ビーム径1μm、マッピング測定点数200×200pixelの条件で、EPMA観察を行った。
EPMA分析においては、測定試料内での電子線の広がりにより、一次ビーム径より広い領域の元素情報(元素濃度)が検出される。Siのような軽元素の場合にはビーム直径の3倍の3μmφからの元素情報(元素濃度)が検出される。このため、マッピングを行った際、検出物のサイズが小さいと、検出物の他、検出物周辺の元素の濃度情報も併せて検出し、その平均の値が濃度とされる。そこで、本発明においては、Siリッチ金属相は、マグネシウムシリサイド粒子の粒内の平均Si濃度よりも2wt%以上高いSi濃度である領域とした。
図5にEPMA観察結果の一例を示す。図5では、マグネシウムシリサイド粒子の粒内の平均Si濃度よりも2wt%以上高いシリコン濃度が高い相を白色で表示し、Siリッチ金属相の占める面積率を測定した。
また、図5に示すようなマッピング図を元に、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相の個数密度を測定した。個数測定においてはサイズを考慮せず、連続しているものはそれを1つのSiリッチ金属相として計測した。
その結果、図6に示すように、Si金属相を示す1620eVにピークが観察されたことから、EPMA観察によって観察されたSi濃度が高い領域は、Si金属相であることが確認された。
熱電特性は、焼結した熱電変換材料から4mm×4mm×15mmの直方体を切り出し、熱電特性評価装置(アドバンス理工製ZEM−3)を用いて、それぞれの試料の550℃におけるパワーファクター(PF)を求めた。
Siリッチ金属相の面積率が10%を超え、面積が1μm2以上のSiリッチ金属相の個数密度が14000個/mm2を超える比較例3は、550℃におけるパワーファクターが低くなった。これは、SiO2が変性したMgSiOおよびSiの含有量が多くなり、熱伝導率が高くなり、ゼーベック係数が小さくなったためと推測される。
11 マグネシウム系熱電変換材料
15 Siリッチ金属相
19a,19b 電極
Claims (6)
- マグネシウム系化合物の焼結体からなるマグネシウム系熱電変換材料であって、
前記焼結体の断面において、マグネシウム系化合物粒子の結晶粒界に、前記マグネシウム系化合物粒子の粒内よりもSi濃度が高いSiリッチ金属相が偏在しており、
前記Siリッチ金属相の占める面積率が2.5%以上10%以下の範囲内とされ、
面積が1μm2以上の前記Siリッチ金属相の個数密度が1800個/mm2以上14000個/mm2以下の範囲内とされていることを特徴とするマグネシウム系熱電変換材料。 - 前記マグネシウム系化合物は、MgxSiy、Mg2Si1−xGex、Mg2Si1−xSnxのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のマグネシウム系熱電変換材料。
- Li、Na、K、B、Al、Ga、In、N、P、As、Sb、Bi、Ag、Cu、Yのうち、少なくとも1種以上をドーパントとして含むことを特徴とする請求項1または2記載のマグネシウム系熱電変換材料。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のマグネシウム系熱電変換材料と、前記マグネシウム系熱電変換材料の一方の面および対向する他方の面にそれぞれ接合された電極と、を備えたことを特徴とするマグネシウム系熱電変換素子。
- マグネシウム系化合物の焼結体からなるマグネシウム系熱電変換材料の製造方法であって、
マグネシウム系化合物の原料粉にシリコン酸化物を混合して焼結原料粉を得る焼結原料粉形成工程と、前記焼結原料粉を加圧しながら加熱して焼結体を形成する焼結工程と、を備えており、
前記焼結工程では、前記焼結原料粉を一対の電極部で加圧しながら通電する通電加熱法を用いており、焼結時には、前記焼結原料粉に直流電流を流す際に、一対の電極部の極性を、10秒以上300秒以下の時間間隔で変更することを特徴とするマグネシウム系熱電変換材料の製造方法。 - 前記焼結工程では、前記焼結原料粉の外周側に配置されたヒーターによって、さらに前記焼結原料粉を加熱することを特徴とする請求項5に記載のマグネシウム系熱電変換材料の製造方法。
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