JP2000054009A - 合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製造方法 - Google Patents
合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 合金組成が正確に制御された合金粉末を単純
な装置でインゴットを経ることなく直接生成させること
ができる合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子
の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｍ単体粉末（Ｍは、アルカリ土類金属で
ある）及びＸ単体粉末（Ｘは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎであ
る）を原子百分率でＭ：Ｘが２：１になるように混合
し、この混合粉末を真空雰囲気下においてＭ及びＸのい
ずれの融点よりも低い温度であって且つＭ2 Ｘ生成温度
以上である温度に加熱保持してＭ2 Ｘよりなる合金粉末
を直接生成させる。例えば、Ｍｇ単体粉末及びＳｉ単体
粉末を原子百分率でＭｇ：Ｓｉが２：１になるように混
合し、この混合粉末を真空雰囲気下において５００乃至
６５０℃未満の温度に加熱保持してＭｇ2Ｓｉよりなる
合金粉末を直接生成させる。このようにして得られた合
金粉末は、焼結されて熱電素子とされる。
な装置でインゴットを経ることなく直接生成させること
ができる合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子
の製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｍ単体粉末（Ｍは、アルカリ土類金属で
ある）及びＸ単体粉末（Ｘは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎであ
る）を原子百分率でＭ：Ｘが２：１になるように混合
し、この混合粉末を真空雰囲気下においてＭ及びＸのい
ずれの融点よりも低い温度であって且つＭ2 Ｘ生成温度
以上である温度に加熱保持してＭ2 Ｘよりなる合金粉末
を直接生成させる。例えば、Ｍｇ単体粉末及びＳｉ単体
粉末を原子百分率でＭｇ：Ｓｉが２：１になるように混
合し、この混合粉末を真空雰囲気下において５００乃至
６５０℃未満の温度に加熱保持してＭｇ2Ｓｉよりなる
合金粉末を直接生成させる。このようにして得られた合
金粉末は、焼結されて熱電素子とされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱電素子用の合金
粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製造方法に
関する。
粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｍｇ2 Ｘ（式中、ＸはＳｉ、Ｇｅ
及びＳｎである）よりなる合金を構成成分とする熱電材
料は、Ｍｇ合金の製造方法を応用して製造されている。
図５は、従来のＭｇ合金の製造方法を示す概念説明図で
あり、そして、図６は、他の従来のＭｇ合金の製造方法
を示す概念説明図である。
及びＳｎである）よりなる合金を構成成分とする熱電材
料は、Ｍｇ合金の製造方法を応用して製造されている。
図５は、従来のＭｇ合金の製造方法を示す概念説明図で
あり、そして、図６は、他の従来のＭｇ合金の製造方法
を示す概念説明図である。
【０００３】図５に示されている従来のＭｇ合金の製造
方法（以下、「従来法Ａ」という）は、特開平８−２０
８３５号公報に開示されている。図５において、１は電
気抵抗炉、２は鉄ルツボ、３はルツボ台、４は加熱用電
熱線、５は溶湯、６は攪拌翼、７は熱電対、そして、８
は導入管である。この従来のＭｇ合金の製造方法によれ
ば、電気抵抗炉１の炉内温度を６９０℃に昇温し、純Ｍ
ｇを鉄ルツボ２の中で溶解して、溶湯５とする。この
際、Ｍｇの燃焼を防止する目的でＣ０2 ＋０．５％ＳＦ
6 の混合ガスを導入管８から溶湯５の表面に送り込み、
溶湯表面を保護する。そして、Ｍｇの溶湯温度を６７０
℃に保持し、表面に発生する酸化膜をすくい取った後、
Ｃａを０．３ｗｔ％投入し、攪拌翼６により５分間攪拌
を加え溶湯中に均一に溶け込ませる。次に、Ｚｎを６ｗ
ｔ％相当量、この溶湯に投入し、同じ要領で攪拌する。
さらに、Ｓｉ粉末を１ｗｔ％相当量投入し、同様に６８
０℃で５分間等温保持しながら攪拌する。このように処
理した溶湯を７１０℃まで昇温した後、これを金型に直
ちに鋳込んでインゴットとする。
方法（以下、「従来法Ａ」という）は、特開平８−２０
８３５号公報に開示されている。図５において、１は電
気抵抗炉、２は鉄ルツボ、３はルツボ台、４は加熱用電
熱線、５は溶湯、６は攪拌翼、７は熱電対、そして、８
は導入管である。この従来のＭｇ合金の製造方法によれ
ば、電気抵抗炉１の炉内温度を６９０℃に昇温し、純Ｍ
ｇを鉄ルツボ２の中で溶解して、溶湯５とする。この
際、Ｍｇの燃焼を防止する目的でＣ０2 ＋０．５％ＳＦ
6 の混合ガスを導入管８から溶湯５の表面に送り込み、
溶湯表面を保護する。そして、Ｍｇの溶湯温度を６７０
℃に保持し、表面に発生する酸化膜をすくい取った後、
Ｃａを０．３ｗｔ％投入し、攪拌翼６により５分間攪拌
を加え溶湯中に均一に溶け込ませる。次に、Ｚｎを６ｗ
ｔ％相当量、この溶湯に投入し、同じ要領で攪拌する。
さらに、Ｓｉ粉末を１ｗｔ％相当量投入し、同様に６８
０℃で５分間等温保持しながら攪拌する。このように処
理した溶湯を７１０℃まで昇温した後、これを金型に直
ちに鋳込んでインゴットとする。
【０００４】図６に示されている他の従来のＭｇ合金の
製造方法（以下、「従来法Ｂ」という）は、日本金属学
会誌、第５３巻第５号（１９８９年）、第４８７〜４９
３頁に開示されている。図６において、１１はＲ.Ｆ.コ
イル、１２は石英管、１３は水冷蓋、１４は圧力計、１
５はムライト管、１６は台、１７はアルミナ蓋、１８は
黒鉛ルツボ、１９は黒鉛蓋、そして、２０は試料であ
る。この従来のＭｇ合金の製造方法によれば、Ｍｇ2 Ｘ
（式中、ＸはＳｉ、Ｇｅ及びＳｎである）で示されるＭ
ｇ合金がを各成分元素の直接溶融法により作成され、そ
の際、Ｍｇによるルツボ壁の還元を避けるために黒鉛ル
ツボ１８が用いられ、そして、反応中のＭｇの蒸発を防
ぐために反応雰囲気がＡｒ等の不活性ガスによる加圧雰
囲気とされる。
製造方法（以下、「従来法Ｂ」という）は、日本金属学
会誌、第５３巻第５号（１９８９年）、第４８７〜４９
３頁に開示されている。図６において、１１はＲ.Ｆ.コ
イル、１２は石英管、１３は水冷蓋、１４は圧力計、１
５はムライト管、１６は台、１７はアルミナ蓋、１８は
黒鉛ルツボ、１９は黒鉛蓋、そして、２０は試料であ
る。この従来のＭｇ合金の製造方法によれば、Ｍｇ2 Ｘ
（式中、ＸはＳｉ、Ｇｅ及びＳｎである）で示されるＭ
ｇ合金がを各成分元素の直接溶融法により作成され、そ
の際、Ｍｇによるルツボ壁の還元を避けるために黒鉛ル
ツボ１８が用いられ、そして、反応中のＭｇの蒸発を防
ぐために反応雰囲気がＡｒ等の不活性ガスによる加圧雰
囲気とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来法
Ａ，Ｂは、Ｓｉ等の添加量を増加させると、ＭｇとＳｉ
等との融点の差が大きくなって、融点の低いＭｇが蒸発
し易くなり、そのために、合金の組成を正確に制御でき
ないという問題があった。また、従来法Ａでは、溶湯Ｍ
ｇの燃焼を防止するためにＣ０2 ＋０．５％ＳＦ6 の混
合ガスを溶湯の表面に送り込む手段が必要であり、そし
て、従来法Ｂでは、反応中のＭｇの蒸発を防ぐためにＡ
ｒ等の不活性ガスによる加圧雰囲気とする手段が必要で
あるために、従来法Ａ，Ｂでは、それらの製造装置が複
雑になるという問題があった。さらに、従来法Ａ，Ｂで
は、生成されるＭｇ合金がインゴットであるために、こ
れを用いて焼結による熱電体を製造するには、インゴッ
トを粉砕して粉末とする必要があった。
Ａ，Ｂは、Ｓｉ等の添加量を増加させると、ＭｇとＳｉ
等との融点の差が大きくなって、融点の低いＭｇが蒸発
し易くなり、そのために、合金の組成を正確に制御でき
ないという問題があった。また、従来法Ａでは、溶湯Ｍ
ｇの燃焼を防止するためにＣ０2 ＋０．５％ＳＦ6 の混
合ガスを溶湯の表面に送り込む手段が必要であり、そし
て、従来法Ｂでは、反応中のＭｇの蒸発を防ぐためにＡ
ｒ等の不活性ガスによる加圧雰囲気とする手段が必要で
あるために、従来法Ａ，Ｂでは、それらの製造装置が複
雑になるという問題があった。さらに、従来法Ａ，Ｂで
は、生成されるＭｇ合金がインゴットであるために、こ
れを用いて焼結による熱電体を製造するには、インゴッ
トを粉砕して粉末とする必要があった。
【０００６】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、合金組成が正確に制御
された合金粉末を単純な装置でインゴットを経ることな
く直接生成させることができる合金粉末の製造方法及び
それを用いた熱電素子の製造方法を提供することを目的
とする。
的としている。即ち、本発明は、合金組成が正確に制御
された合金粉末を単純な装置でインゴットを経ることな
く直接生成させることができる合金粉末の製造方法及び
それを用いた熱電素子の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本第１発明は、上記目的
を達成するために、Ｍ単体粉末（Ｍは、アルカリ土類金
属である）及びＸ単体粉末（Ｘは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎ
である）を原子百分率でＭ：Ｘが２：１になるように混
合し、この混合粉末を真空雰囲気下においてＭ及びＸの
いずれの融点よりも低い温度であって且つＭ2 Ｘ生成温
度以上である温度に加熱保持してＭ2 Ｘよりなる合金粉
末を直接生成させることを特徴とする合金粉末の製造方
法である。
を達成するために、Ｍ単体粉末（Ｍは、アルカリ土類金
属である）及びＸ単体粉末（Ｘは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎ
である）を原子百分率でＭ：Ｘが２：１になるように混
合し、この混合粉末を真空雰囲気下においてＭ及びＸの
いずれの融点よりも低い温度であって且つＭ2 Ｘ生成温
度以上である温度に加熱保持してＭ2 Ｘよりなる合金粉
末を直接生成させることを特徴とする合金粉末の製造方
法である。
【０００８】本第２発明は、第１発明において、Ｍｇ単
体粉末及びＳｉ単体粉末を原子百分率でＭｇ：Ｓｉが
２：１になるように混合し、この混合粉末を真空雰囲気
下において５００乃至６５０℃未満の温度に加熱保持し
てＭｇ2Ｓｉよりなる合金粉末を直接生成させることを
特徴とするものである。
体粉末及びＳｉ単体粉末を原子百分率でＭｇ：Ｓｉが
２：１になるように混合し、この混合粉末を真空雰囲気
下において５００乃至６５０℃未満の温度に加熱保持し
てＭｇ2Ｓｉよりなる合金粉末を直接生成させることを
特徴とするものである。
【０００９】本第３発明は、第１発明により製造された
合金粉末を焼結することを特徴とする熱電素子の製造方
法である。
合金粉末を焼結することを特徴とする熱電素子の製造方
法である。
【００１０】本第４発明は、第２発明により製造された
合金粉末を焼結することを特徴とする熱電素子の製造方
法である。
合金粉末を焼結することを特徴とする熱電素子の製造方
法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施の形態を
示す合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製
造方法のフロー図である。
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施の形態を
示す合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製
造方法のフロー図である。
【００１２】図１に示すように、本発明では、単体粉末
（Ｍ）及び単体粉末（Ｘ）を混合し、この混合粉末を真
空雰囲気下において加熱保持して合金粉末（Ｍ2 Ｘ）を
直接生成させる。但し、式中、Ｍはアルカリ土類金属で
あり、そして、Ｘは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。前記
単体粉末（Ｍ）及び単体粉末（Ｘ）は、原子百分率で
Ｍ：Ｘが２：１になるように混合される。前記混合粉末
を加熱保持する温度は、Ｍ及びＸのいずれの融点よりも
低い温度であって且つＭ2 Ｘ生成温度以上である温度で
ある。このようにして得られた合金粉末（Ｍ2 Ｘ）は、
焼結させることにより熱電素子とされる。
（Ｍ）及び単体粉末（Ｘ）を混合し、この混合粉末を真
空雰囲気下において加熱保持して合金粉末（Ｍ2 Ｘ）を
直接生成させる。但し、式中、Ｍはアルカリ土類金属で
あり、そして、Ｘは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである。前記
単体粉末（Ｍ）及び単体粉末（Ｘ）は、原子百分率で
Ｍ：Ｘが２：１になるように混合される。前記混合粉末
を加熱保持する温度は、Ｍ及びＸのいずれの融点よりも
低い温度であって且つＭ2 Ｘ生成温度以上である温度で
ある。このようにして得られた合金粉末（Ｍ2 Ｘ）は、
焼結させることにより熱電素子とされる。
【００１３】
【実施例】Ｍｇ粉末（純度９９．９％，粒度＃８０，高
純度化学株式会社製）及びＳｉ粉末（純度９９．９％以
上，粒度＃２００，高純度化学株式会社製）を原子百分
率でＭｇ：Ｓｉ＝２：１の割合で混合した。この混合粉
末をアルミナのルツボに入れて、真空雰囲気下（〜１０
-2Ｐａ）において、室温から５００℃（Ｍｇ及びＳｉの
融点よりも低い温度であって且つＭｇ2 Ｓｉ生成温度以
上である温度）になるまで１０間かけて加熱し、この温
度で５分間保持したの後、自然冷却してＭｇ 2 Ｓｉより
なる熱電素子用合金粉末を得た。この合金粉末を焼結し
て熱電素子とした。
純度化学株式会社製）及びＳｉ粉末（純度９９．９％以
上，粒度＃２００，高純度化学株式会社製）を原子百分
率でＭｇ：Ｓｉ＝２：１の割合で混合した。この混合粉
末をアルミナのルツボに入れて、真空雰囲気下（〜１０
-2Ｐａ）において、室温から５００℃（Ｍｇ及びＳｉの
融点よりも低い温度であって且つＭｇ2 Ｓｉ生成温度以
上である温度）になるまで１０間かけて加熱し、この温
度で５分間保持したの後、自然冷却してＭｇ 2 Ｓｉより
なる熱電素子用合金粉末を得た。この合金粉末を焼結し
て熱電素子とした。
【００１４】図２は、このように５００℃で熱処理した
後の混合粉末のＸ線回折スペクトル図であり、図３は、
熱処理前の混合粉末のＸ線回折スペクトル図であり、そ
して、図４は、４００℃で熱処理した後の混合粉末のＸ
線回折スペクトル図である。図２〜４より、次のことが
わかる。即ち、加熱温度が４００℃では、Ｍｇ単体及び
Ｓｉ単体のピークが得られているので、反応がほとんど
進行していないことがわかる。加熱温度が５００℃で
は、得られたピークは、すべてＭｇ2 Ｓｉからのもので
あるので、完全なＭｇ2 Ｓｉの合金粉末が生成している
ことがわかる。
後の混合粉末のＸ線回折スペクトル図であり、図３は、
熱処理前の混合粉末のＸ線回折スペクトル図であり、そ
して、図４は、４００℃で熱処理した後の混合粉末のＸ
線回折スペクトル図である。図２〜４より、次のことが
わかる。即ち、加熱温度が４００℃では、Ｍｇ単体及び
Ｓｉ単体のピークが得られているので、反応がほとんど
進行していないことがわかる。加熱温度が５００℃で
は、得られたピークは、すべてＭｇ2 Ｓｉからのもので
あるので、完全なＭｇ2 Ｓｉの合金粉末が生成している
ことがわかる。
【００１５】以上、本発明によれば、Ｍ単体粉末（Ｍ
は、アルカリ土類金属である）及びＸ単体粉末（Ｘは、
Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである）を原子百分率でＭ：Ｘが
２：１になるように混合し、この混合粉末を真空雰囲気
下においてＭ及びＸのいずれの融点よりも低い温度であ
って且つＭ2 Ｘ生成温度以上である温度に加熱保持する
ので、従来のようにＭ2 Ｘのインゴットを経ることな
く、Ｍ2 Ｘよりなる合金粉末を直接生成させることが可
能となる。このため、製造装置を単純化することがで
き、また、製造工程を簡素化することができる。さら
に、混合粉末をＭ及びＸの各成分元素の融点より低い温
度で加熱保持するので、それらの成分元素の蒸発が少な
く、そのために、生成する合金組成を正確に制御するこ
とができる。
は、アルカリ土類金属である）及びＸ単体粉末（Ｘは、
Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎである）を原子百分率でＭ：Ｘが
２：１になるように混合し、この混合粉末を真空雰囲気
下においてＭ及びＸのいずれの融点よりも低い温度であ
って且つＭ2 Ｘ生成温度以上である温度に加熱保持する
ので、従来のようにＭ2 Ｘのインゴットを経ることな
く、Ｍ2 Ｘよりなる合金粉末を直接生成させることが可
能となる。このため、製造装置を単純化することがで
き、また、製造工程を簡素化することができる。さら
に、混合粉末をＭ及びＸの各成分元素の融点より低い温
度で加熱保持するので、それらの成分元素の蒸発が少な
く、そのために、生成する合金組成を正確に制御するこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、合金組成が正確に制御された
合金粉末を単純な装置でインゴットを経ることなく直接
生成させることができる合金粉末の製造方法及びそれを
用いた熱電素子の製造方法を提供することができる。
合金粉末を単純な装置でインゴットを経ることなく直接
生成させることができる合金粉末の製造方法及びそれを
用いた熱電素子の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す合金粉末の製造方
法及びそれを用いた熱電素子の製造方法のフロー図であ
る。
法及びそれを用いた熱電素子の製造方法のフロー図であ
る。
【図２】５００℃で熱処理した後の混合粉末のＸ線回折
スペクトル図である。
スペクトル図である。
【図３】熱処理前の混合粉末のＸ線回折スペクトル図で
ある。
ある。
【図４】４００℃で熱処理した後の混合粉末のＸ線回折
スペクトル図である。
スペクトル図である。
【図５】図５は、従来のＭｇ合金の製造方法を示す概念
説明図である。
説明図である。
【図６】他の従来のＭｇ合金の製造方法を示す概念説明
図である。
図である。
１ 電気抵抗炉 ２ 鉄ルツボ ５ 溶湯 １２ 石英管 １５ ムライト管 １８ 黒鉛ルツボ ２０ 試料
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｍ単体粉末（Ｍは、アルカリ土類金属で
ある）及びＸ単体粉末（Ｘは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎであ
る）を原子百分率でＭ：Ｘが２：１になるように混合
し、この混合粉末を真空雰囲気下においてＭ及びＸのい
ずれの融点よりも低い温度であって且つＭ2 Ｘ生成温度
以上である温度に加熱保持してＭ2 Ｘよりなる合金粉末
を直接生成させることを特徴とする合金粉末の製造方
法。 - 【請求項２】 Ｍｇ単体粉末及びＳｉ単体粉末を原子百
分率でＭｇ：Ｓｉが２：１になるように混合し、この混
合粉末を真空雰囲気下において５００乃至６５０℃未満
の温度に加熱保持してＭｇ2Ｓｉよりなる合金粉末を直
接生成させることを特徴とする請求項１記載の合金粉末
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載された合金粉末の製造方
法により製造された合金粉末をそれぞれ焼結することを
特徴とする熱電素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２に記載された合金粉末の製造方
法により製造された合金粉末を焼結することを特徴とす
る熱電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224499A JP2000054009A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224499A JP2000054009A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 合金粉末の製造方法及びそれを用いた熱電素子の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| WO2003027341A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Center For Advanced Science And Technology Incubation, Ltd. | Materiau composite a base de magnesium |
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| WO2008075789A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Showa Kde Co., Ltd. | 熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 |
| WO2011162385A1 (ja) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | 株式会社三徳 | 希土類－Ｍｇ－Ｎｉ系水素吸蔵合金の製造方法 |
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-
1998
- 1998-08-07 JP JP10224499A patent/JP2000054009A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027342A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Center For Advanced Science And Technology Incubation, Ltd. | Materiau composite a base de magnesium |
| WO2003027341A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Center For Advanced Science And Technology Incubation, Ltd. | Materiau composite a base de magnesium |
| WO2004016375A1 (ja) * | 2002-08-14 | 2004-02-26 | Toudai Tlo, Ltd. | マグネシウム化合物、マグネシウム化合物被膜、マグネシウム合金材料、金属材料およびそれらの製造方法 |
| WO2008075789A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Showa Kde Co., Ltd. | 熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 |
| JP2013179322A (ja) * | 2006-12-20 | 2013-09-09 | Tokyo Univ Of Science | 熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 |
| JP5297813B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-09-25 | 昭和Ｋｄｅ株式会社 | 熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 |
| WO2011162385A1 (ja) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | 株式会社三徳 | 希土類－Ｍｇ－Ｎｉ系水素吸蔵合金の製造方法 |
| CN103079727A (zh) * | 2010-06-24 | 2013-05-01 | 株式会社三德 | 稀土-镁-镍基贮氢合金的制造工艺 |
| JPWO2011162385A1 (ja) * | 2010-06-24 | 2013-08-22 | 株式会社三徳 | 希土類−Ｍｇ−Ｎｉ系水素吸蔵合金の製造方法 |
| US9293765B2 (en) | 2010-06-24 | 2016-03-22 | Santoku Corporation | Process for production of (rare earth)-Mg-Ni-based hydrogen storage alloy |
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