JP2013080929A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013080929A5
JP2013080929A5 JP2012230042A JP2012230042A JP2013080929A5 JP 2013080929 A5 JP2013080929 A5 JP 2013080929A5 JP 2012230042 A JP2012230042 A JP 2012230042A JP 2012230042 A JP2012230042 A JP 2012230042A JP 2013080929 A5 JP2013080929 A5 JP 2013080929A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
effect transistor
field effect
semiconductor layer
group
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012230042A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013080929A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012230042A priority Critical patent/JP2013080929A/ja
Priority claimed from JP2012230042A external-priority patent/JP2013080929A/ja
Publication of JP2013080929A publication Critical patent/JP2013080929A/ja
Publication of JP2013080929A5 publication Critical patent/JP2013080929A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2012230042A 2007-12-25 2012-10-17 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 Pending JP2013080929A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012230042A JP2013080929A (ja) 2007-12-25 2012-10-17 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007332508 2007-12-25
JP2007332508 2007-12-25
JP2007338918 2007-12-28
JP2007338918 2007-12-28
JP2012230042A JP2013080929A (ja) 2007-12-25 2012-10-17 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009547088A Division JP5372776B2 (ja) 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013080929A JP2013080929A (ja) 2013-05-02
JP2013080929A5 true JP2013080929A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2013-09-26

Family

ID=40801186

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009547088A Expired - Fee Related JP5372776B2 (ja) 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2012230042A Pending JP2013080929A (ja) 2007-12-25 2012-10-17 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2013194322A Expired - Fee Related JP5759523B2 (ja) 2007-12-25 2013-09-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009547088A Expired - Fee Related JP5372776B2 (ja) 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013194322A Expired - Fee Related JP5759523B2 (ja) 2007-12-25 2013-09-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8461583B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP (3) JP5372776B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
KR (1) KR101516034B1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
CN (1) CN101911303B (cg-RX-API-DMAC7.html)
TW (1) TWI460862B (cg-RX-API-DMAC7.html)
WO (1) WO2009081885A1 (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194351A (ja) * 2007-04-27 2009-08-27 Canon Inc 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5213458B2 (ja) * 2008-01-08 2013-06-19 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
RU2483376C2 (ru) * 2008-12-18 2013-05-27 Сэнт-Гобен Керамикс Энд Пластикс, Инк. Электрод на основе оксида олова
EP2373589B1 (en) * 2008-12-18 2017-03-29 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Bushing block
CN102460712A (zh) * 2009-04-17 2012-05-16 株式会社普利司通 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法
JP2010251606A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Bridgestone Corp 薄膜トランジスタ
JP2010251604A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Bridgestone Corp 薄膜トランジスタの製造方法
CN102473729B (zh) * 2009-07-03 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
WO2011007682A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI869133B (zh) 2009-08-07 2025-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN105609565B (zh) * 2009-09-16 2019-02-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011037050A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101809759B1 (ko) 2009-09-24 2018-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2011043163A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011046010A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
WO2011046048A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101745747B1 (ko) 2009-10-16 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
KR20170024130A (ko) 2009-10-21 2017-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101892430B1 (ko) * 2009-10-21 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011048923A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
WO2011049230A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
JP5562000B2 (ja) * 2009-10-28 2014-07-30 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体及びその製造方法
KR101837102B1 (ko) 2009-10-30 2018-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120102653A (ko) 2009-10-30 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR20190066086A (ko) 2009-11-06 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN104465318B (zh) 2009-11-06 2018-04-24 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
WO2011058934A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101370301B1 (ko) * 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20120106786A (ko) * 2009-12-08 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20170116239A (ko) * 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
KR101097322B1 (ko) * 2009-12-15 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자
KR101035357B1 (ko) * 2009-12-15 2011-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자
WO2011074391A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
CN105590646B (zh) 2009-12-25 2019-01-08 株式会社半导体能源研究所 存储器装置、半导体器件和电子装置
TWI395298B (zh) * 2009-12-31 2013-05-01 Huang Chung Cheng 非揮發性記憶體及其製造方法
KR101822962B1 (ko) * 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8436403B2 (en) * 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
CN102741915B (zh) 2010-02-12 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及驱动方法
JP2011181722A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Idemitsu Kosan Co Ltd スパッタリングターゲット
KR102341927B1 (ko) 2010-03-05 2021-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9564531B2 (en) 2010-03-22 2017-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors
WO2011129456A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing semiconductor device
WO2011132591A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011135987A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8669553B2 (en) * 2010-07-02 2014-03-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistors
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5081959B2 (ja) * 2010-08-31 2012-11-28 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜
US8728860B2 (en) 2010-09-03 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5780902B2 (ja) * 2010-10-12 2015-09-16 出光興産株式会社 半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR101694876B1 (ko) * 2010-11-19 2017-01-23 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
US20130270109A1 (en) * 2010-12-28 2013-10-17 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
TWI569041B (zh) * 2011-02-14 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US20140102892A1 (en) * 2011-05-10 2014-04-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. In2o3-zno sputtering target
US9209098B2 (en) * 2011-05-19 2015-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. HVMOS reliability evaluation using bulk resistances as indices
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP5813763B2 (ja) * 2011-05-27 2015-11-17 三井金属鉱業株式会社 酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット
TWI534956B (zh) * 2011-05-27 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 調整電路及驅動調整電路之方法
CN102208453A (zh) * 2011-06-02 2011-10-05 上海大学 基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099556B2 (en) * 2011-08-19 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Transistor having an active region with wing structure
JP5301021B2 (ja) 2011-09-06 2013-09-25 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP5888929B2 (ja) * 2011-10-07 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5318932B2 (ja) * 2011-11-04 2013-10-16 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
JP5337224B2 (ja) * 2011-11-04 2013-11-06 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
US9082861B2 (en) * 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
JP6059968B2 (ja) * 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
TWI604609B (zh) 2012-02-02 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102179912B1 (ko) * 2012-03-23 2020-11-17 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조 방법
JP2013229453A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Sony Corp 半導体装置、表示装置及び半導体装置の製造方法
JP6078288B2 (ja) * 2012-06-13 2017-02-08 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、半導体薄膜及びそれを用いた薄膜トランジスタ
JP5550768B1 (ja) * 2012-07-03 2014-07-16 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 焼結体及びアモルファス膜
TWI631579B (zh) * 2012-07-03 2018-08-01 Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 Sintered body and amorphous film
US20140014943A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-16 National Chung Cheng University Amorphous phase yttrium-doped indium zinc oxide thin film transistors and method for making same
JP5965338B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-03 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
JP6033594B2 (ja) * 2012-07-18 2016-11-30 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
CN102779758B (zh) * 2012-07-24 2015-07-29 复旦大学 一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法
JP6052967B2 (ja) * 2012-08-31 2016-12-27 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
TWI591197B (zh) * 2012-11-08 2017-07-11 Idemitsu Kosan Co Sputtering target
JP6059513B2 (ja) 2012-11-14 2017-01-11 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
JP6107085B2 (ja) * 2012-11-22 2017-04-05 住友金属鉱山株式会社 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
JP6015389B2 (ja) * 2012-11-30 2016-10-26 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP5907086B2 (ja) * 2013-02-06 2016-04-20 住友金属鉱山株式会社 酸化インジウム系の酸化物焼結体およびその製造方法
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP6394171B2 (ja) 2013-10-30 2018-09-26 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR102080484B1 (ko) 2013-10-31 2020-02-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조방법
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6260992B2 (ja) * 2014-01-31 2018-01-17 国立研究開発法人物質・材料研究機構 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP6119773B2 (ja) * 2014-03-25 2017-04-26 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
JP2016058554A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ
KR101816468B1 (ko) 2014-10-22 2018-01-08 스미토모덴키고교가부시키가이샤 산화물 소결체 및 반도체 디바이스
EP3101692A1 (en) * 2015-01-26 2016-12-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6560497B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
EP3257827A4 (en) 2015-02-13 2018-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide sintered body and method for producing same, sputter target, and semiconductor device
CN106206684B (zh) * 2015-05-04 2020-06-09 清华大学 氧化物半导体膜及其制备方法
CN106206743B (zh) * 2015-05-04 2020-04-28 清华大学 薄膜晶体管及其制备方法、薄膜晶体管面板以及显示装置
CN106435490B (zh) * 2015-08-06 2018-11-30 清华大学 溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法
CN106435491B (zh) * 2015-08-06 2019-02-12 清华大学 溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法
JP6828293B2 (ja) * 2015-09-15 2021-02-10 株式会社リコー ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法
JP6042520B1 (ja) * 2015-11-05 2016-12-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6412539B2 (ja) * 2015-11-09 2018-10-24 日東電工株式会社 光透過性導電フィルムおよび調光フィルム
JP6613314B2 (ja) 2015-11-25 2019-11-27 株式会社アルバック 薄膜トランジスタ、酸化物半導体膜及びスパッタリングターゲット
JP6593257B2 (ja) 2016-06-13 2019-10-23 住友電気工業株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
JP6800405B2 (ja) * 2016-07-14 2020-12-16 東ソー株式会社 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット
CN110651370B (zh) * 2017-06-05 2023-12-22 凸版印刷株式会社 半导体装置、显示装置及溅射靶
JP6550514B2 (ja) * 2017-11-29 2019-07-24 株式会社神戸製鋼所 ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びディスプレイ用スパッタリングターゲット
WO2019107043A1 (ja) * 2017-11-29 2019-06-06 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
CN108178624A (zh) * 2018-01-03 2018-06-19 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化物靶材及其制备方法、薄膜晶体管、显示装置
JP6756875B1 (ja) * 2019-05-30 2020-09-16 株式会社神戸製鋼所 ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
WO2020241227A1 (ja) * 2019-05-30 2020-12-03 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
JP2020196660A (ja) * 2019-05-30 2020-12-10 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
CN110767745A (zh) * 2019-09-18 2020-02-07 华南理工大学 复合金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用
KR102738325B1 (ko) 2019-10-30 2024-12-03 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그를 포함한 게이트 구동부, 및 그를 포함한 표시장치
JP7440372B2 (ja) * 2020-08-11 2024-02-28 株式会社アルバック 酸化物半導体膜の形成方法及び電子部品
KR102462893B1 (ko) 2020-10-21 2022-11-04 경희대학교 산학협력단 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN113735564A (zh) * 2021-08-11 2021-12-03 芜湖映日科技股份有限公司 一种Nb掺杂IZO靶胚及其制备方法
WO2023145498A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体の製造方法
WO2023199722A1 (ja) * 2022-04-15 2023-10-19 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、スパッタリングターゲット及び酸化物焼結体
KR102793003B1 (ko) * 2022-11-30 2025-04-09 한국생산기술연구원 강유전체 전계 효과 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법
CN116947311B (zh) * 2023-07-26 2024-03-08 连云港福京石英制品有限公司 大功率激光器增益介质用掺杂石英玻璃其制备方法
JP7625671B1 (ja) * 2023-10-17 2025-02-03 株式会社コベルコ科研 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット
CN117926194A (zh) * 2024-01-22 2024-04-26 郑州大学 稀土掺杂izo氧化物靶材及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4837811B2 (ja) * 1998-04-09 2011-12-14 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
CN100382354C (zh) * 1999-02-15 2008-04-16 出光兴产株式会社 有机场致发光元件及其制造方法
DE60041353D1 (de) * 1999-11-25 2009-02-26 Idemitsu Kosan Co Sputtertarget, transparentes konduktives oxid und vorbereitungsverfahren für sputtertarget
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JPWO2003069957A1 (ja) * 2002-02-12 2005-06-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2004303650A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7612850B2 (en) * 2004-03-05 2009-11-03 Kazuyoshi Inoue Semi-transmissive/semi-reflective electrode substrate, method for manufacturing same, and liquid crystal display using such semi-transmissive/semi-reflective electrode substrate
KR101101456B1 (ko) * 2004-03-09 2012-01-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 기판, 이들의 제조방법, 이들을 사용한 액정 표시 장치, 관련된 장치 및방법, 및 스퍼터링 타깃, 이것을 사용하여 성막한 투명도전막, 투명 전극, 및 관련된 장치 및 방법
KR20070116889A (ko) 2004-03-12 2007-12-11 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 박막의 기상성막방법
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
JP4826066B2 (ja) * 2004-04-27 2011-11-30 住友金属鉱山株式会社 非晶質の透明導電性薄膜およびその製造方法、並びに、該非晶質の透明導電性薄膜を得るためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法
EP2453480A2 (en) * 2004-11-10 2012-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
JP5138163B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-06 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
KR101266691B1 (ko) * 2005-03-09 2013-05-28 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 비정질 투명 도전막 및 비정질 투명 도전막의 제조 방법
JP4697404B2 (ja) * 2005-04-18 2011-06-08 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP4738931B2 (ja) * 2005-07-29 2011-08-03 富士フイルム株式会社 ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
JP4947942B2 (ja) * 2005-09-20 2012-06-06 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP4981283B2 (ja) 2005-09-06 2012-07-18 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
JP5058469B2 (ja) 2005-09-06 2012-10-24 キヤノン株式会社 スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法
KR20110093949A (ko) * 2005-09-20 2011-08-18 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 전극
JP5376750B2 (ja) * 2005-11-18 2013-12-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
JP5395994B2 (ja) 2005-11-18 2014-01-22 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
EP1950177A4 (en) 2005-11-18 2009-02-25 Idemitsu Kosan Co SEMICONDUCTOR THIN FILM, MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM TRANSISTOR
JP2007212699A (ja) 2006-02-09 2007-08-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射型ｔｆｔ基板及び反射型ｔｆｔ基板の製造方法
JP2007311404A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP5244331B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
WO2010110571A2 (en) * 2009-03-23 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor and thin film transistor including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013080929A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2013191837A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2014057056A5 (ja) 半導体装置
JP2017085071A5 (ja) 酸化物半導体膜
Kuo et al. Workfunction tuning of zinc oxide films by argon sputtering and oxygen plasma: an experimental and computational study
JP2011124556A5 (ja) 半導体装置
JP2010153802A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
TW200737556A (en) Doped lead tellurides for thermoelectric applications
JP2010242187A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
WO2012103528A3 (en) Low-temperature fabrication of metal oxide thin films and nanomaterial-derived metal composite thin films
TW200943552A (en) Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same
Dai et al. Diffusion and desorption of oxygen atoms on graphene
JP2012134467A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011243973A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2013077836A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2011124557A5 (ja) 半導体装置
JP2013153148A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012114421A5 (ja) 半導体装置
JP2011205089A5 (ja) 半導体膜の作製方法
WO2013012192A3 (en) Single-phase lithium-deficient lithium multicomponent transition metal oxide having a layered crystal structure and a method for producing the same
Jo et al. Improvement in gate bias stress instability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors using microwave irradiation
JP2013093561A5 (ja) 酸化物半導体膜
IN2014DN10250A (cg-RX-API-DMAC7.html)
Li et al. Half-metallic ferromagnetism in Ag-doped ZnO: an ab initio study
JP2011012341A5 (ja) 導電膜及び導電膜の作製方法