JP7440372B2 - 酸化物半導体膜の形成方法及び電子部品 - Google Patents
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Description
上記下地に5.0at%以上25.0at%以下のIn、8.0at%以上40.0at%以下のGe、5.0at%以上12.0at%以下のSn、及び50.0at%以上60.0at%以下の酸素を含む膜が形成される。
上記活性層は、5.0at%以上25.0at%以下のIn、8.0at%以上40.0at%以下のGe、5.0at%以上12.0at%以下のSn、及び50.0at%以上60.0at%以下の酸素を含む酸化物半導体膜で構成される。
上記ゲート絶縁膜は、上記ゲート電極と上記活性層との間に配置される。
上記不純物拡散領域は、上記活性層に電気的に接続される。
11、12…ゲート電極
15、16…ゲート絶縁膜
17…絶縁膜
18…側壁膜
20…活性層
25…素子分離領域
26…素子分離領域
30、31、32…不純物拡散領域
41、42…キャパシタ
50、51、52…コンタクトプラグ
55…配線
60…絶縁層
200A、200B…成膜装置
201…真空容器
202、202I、202S、202G…ターゲット
203…電源
204…ステージ
205…圧力計
206、208…ガス供給系
207、209…ガス流量計
210…制御装置
211…防着板
220…基板
230…排気系
410、420…下部電極
411、421…絶縁層
412、422…上部電極
Claims (6)
- In、Ge、及びSnを下地に向けて放出することが可能な成膜源を真空容器内に設け、前記真空容器内に酸素を含むプラズマを形成し、
前記下地に5.0at%以上25.0at%以下のIn、8.0at%以上40.0at%以下のGe、5.0at%以上12.0at%以下のSn、及び50.0at%以上60.0at%以下の酸素を含む膜を形成する
酸化物半導体膜の形成方法。 - 請求項1に記載された酸化物半導体膜の形成方法において、
前記プラズマは、前記真空容器内に供給される酸素を含むガスによって形成され、酸素の流量が全ガス流量の20%以上30%以下である
酸化物半導体膜の形成方法。 - 請求項1または2に記載された酸化物半導体膜の形成方法において、
前記膜を大気雰囲気下で350℃、30分間の第1加熱処理を行った場合と、前記膜を水素を含むガス雰囲気下で350℃、30分の第2加熱処理を行った場合、前記膜の前記第1加熱処理後の移動度に対する前記膜の前記第2加熱処理後の移動度の割合が90%以上100%以下である
酸化物半導体膜の形成方法。 - ゲート電極と、
5.0at%以上25.0at%以下のIn、8.0at%以上40.0at%以下のGe、5.0at%以上12.0at%以下のSn、及び50.0at%以上60.0at%以下の酸素を含む酸化物半導体膜で構成された活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に配置されたゲート絶縁膜と、
前記活性層に電気的に接続された不純物拡散領域と
を具備する電子部品。 - 請求項4に記載された電子部品において、
前記不純物拡散領域に電気的に接続されたキャパシタをさらに具備する
電子部品。 - 請求項4または5に記載された電子部品において、
前記活性層は、非晶質である
電子部品。
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