JP4738931B2 - ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス - Google Patents
ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス Download PDFInfo
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これに対処するため、ガラス基板上に半導体デバイスを一旦作製したのち、プラスチック基板に移設することが検討されている(例えば、特許文献1参照)。
従って、本発明の目的は、良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造可能なナノ粒子分散液、これを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを提供することである。
ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I]
式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。
ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I']
式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。
前記ナノ粒子分散液では、好ましくは、一般式IまたはI'で表される金属酸化物ナノ粒子の濃度が、ナノ粒子分散液中、0.5〜20質量%である。
R1−OH [II]
式中、R1は炭素原子数1〜12の置換又は未置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
また更に、絶縁膜形成用溶液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、前記絶縁膜形成用溶液を加熱して、前記ゲート絶縁膜を形成することを更に含んでもよい。
本発明の半導体デバイスは、上記の製造方法によって製造されたことを特徴としている。
本ナノ粒子分散液中の金属酸化物ナノ粒子は、加熱により緻密な薄膜を形成させると、結晶だけでなくアモルファス状態でも良好な半導体特性を発揮することができる。
少なくとも一つの元素であり、これらは単独であってもよく、このうちの2つ以上が共存していてもよい。複数が存在する場合の比率には特に制限はなく、結晶化温度、隣接するゲート絶縁膜への拡散性、電気特性などを考慮して適切に選択できる。これらのうち、室温で高い絶縁性を示し、ノーマリーオフ特性を得やすい観点から、アルミニウム又はガリウムが好ましい。
比率Y/Zは、0.1〜2.5の範囲であり、電気特性の観点から0.2〜1.5の範囲であることが好ましく、0.5〜1.3の範囲であることが更に好ましい。上記ナノ粒子を示すもう一つの一般式I'においては、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲であり、好ましくは0.9〜7.6の範囲である。
より好ましくは、上記ナノ粒子が一般式Iで表される化合物から選択され、このときの比率X/Yが0.2〜1.5となる場合である。
このとき、各構成金属のアルコキシドをそれぞれ形成し、次いで混合、加熱溶解することによって複合アルコキシドを形成し、これを加水分解及び/又は熱分解(必要により加圧下のソルボサーマル反応)することにより金属酸化物ナノ粒子を得る方法が好ましい。
例えば、下記一般式III及び一般式IV:
Zn(OR2)2 ・・・[III]
M(OR3)3 ・・・[IV]
(式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R2及びR3はそれぞれ同一でも異なってもよく、炭素数が1〜20の置換又は無置換のアルキル基を表す。)
で表される金属アルコキシド化合物(一般式III及び一般式IVで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有する金属アルコキシド溶液を加熱することによって得ることができる。このような金属アルコキシド化合物としては、例えば、亜鉛エトキシド、亜鉛エトキシエトキシド、インジウムイソプロポキシド、ガリウムエトキシド、ガリウムイソプロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド、鉄イソプロポキシド等を挙げることができる。
従って、本発明のナノ粒子分散液を用いることによって、ナノ粒子を結晶化させることなく、アモルファス状態で用いて半導体デバイスを作製することができる。また、必要により本発明のナノ粒子分散液を塗布後に加熱処理することにより多結晶薄膜を形成することもできる。金属酸化物ナノ粒子の状態(結晶状態又はアモルファス状態)はX線回折(XD)、電子線回折(ED)、透過型電子顕微鏡(TEM)等により確認することができる。
複合金属アルコキシドを溶液中で熱分解して合成する方法が好ましい。熱分解時の加熱方法としては、オイルバスやマントルヒーター等による常圧下の加熱の他に、オートクレーブを用いた加圧下での加熱や超音波照射、マイクロ波照射などの間接加熱を適用することができる。また、必要に応じて加熱工程に続いて、再分散工程を設けることができる。加圧下での加熱や超音波照射もしくはマイクロ波照射における高温反応によって、後述の一般式IIで表される高沸点溶媒を含有する溶媒の一部が分解、変性するのに伴い、生成したナノ粒子が凝集しやすくなっている。特に生成した金属酸化物が高濃度であるほど凝集しやすい。しかしながらこの凝集ナノ粒子を分散するには、通常の大粒子を微粒子に分散するブレークダウン法と異なり、短時間で速やかに行なうことができる。
R1−OH [II]
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基などが挙げられる。アルケニル基としては、ブテニル基、プロペニル基などが、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基などが、アリール基としては、フェニル基などがそれぞれ挙げられる。
アルキル基やアルケニル基への好ましい置換基の例としては、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシ基など)、水酸基、アミノ基などが挙げられる。シクロアルキル基やアリール基への好ましい置換基の例としては、アルキル基(メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基など)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシ基など)、水酸基、アミノ基などが挙げられる。
特に好ましい置換基としては、ジアルキルアミノ基(ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ-n-プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ-n-ブチルアミノ基、ジ-t-ブチルアミノ基など)が挙げられる。
これらの分散媒と併用できる溶媒としては、例えばジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセチルアセトンなどが挙げられる。
ナノ粒子分散液の電気伝導度は半導体特性上1,000μS/cm以下であるのが好ましく、100μS/cm以下であることがより好ましい。
また、ナノ粒子分散液の粘度は、塗布手段により異なるが、例えばインクジェットやディスペンサーの場合、吐出性の観点から1〜100mPa・s、好ましくは1〜20mPa・sであることが望ましい。ナノ粒子分散液の上記粘度は、市販の粘度計、例えば振動式粘度計 VISCOMATE (CBCマテリアルズ株式会社製)で測定することができる。
図1には、本発明のナノ粒子分散液を適用可能な半導体デバイスの一例としての半導体デバイス10が示されている。
半導体デバイス10では、基板12上に、ゲート電極14及びゲート絶縁膜16を介して、ソース電極18、ドレイン電極20、半導体薄膜22が設けられている。
好ましい材料としては、SiO2、SnO2、ZnO、MgO、CaO、SrO、BaO、Al2O3、ZrO2、Nb2O5、V2O5、TiO2、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ga2O3、GeO2、Ta2O5、HfO2などが挙げられる。これらの中で絶縁抵抗の大きいものはゲート絶縁膜の材料としても用いることができる。変性防止層は、ゾル−ゲル法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法など、通常の成膜方法により形成できる。なお、前記基板の形状は円盤状、カード状、シート状などいずれの形状であってもよい。
なお、ソース電極18、ドレイン電極20及びゲート電極14としての各膜厚は、所望される電気的特性によって異なるが、一般に、0.04〜1μmとすることができる。
なお、ゲート絶縁膜16としての乾燥膜厚は、所望される電気的特性によって異なるが、一般に、0.1〜1μmとすることができる。
なお、加熱処理前のパターンの乾燥は、適宜行ってもよく、実施する場合には自然乾燥でも通常の乾燥機を用いて行ってもよい。乾燥温度は、特に制限はないが、一般に、室温〜150℃にすることができる。
一方、プラスチック基板などの耐熱温度が低い材料を基板とした場合には、赤外又は紫外レーザによって加熱することが好ましい。レーザの使用は、ビームを照射して塗膜部に焦点を絞ることができるので描画した塗膜の部分だけ高エネルギーで加熱することができ、この結果、プラスチック基板のような一般に耐熱性が高くない基板であっても適用することができる。
このレーザ照射の照射光の強さは前記の酸化物などの金属酸化物薄膜22が緻密化、結晶化するに十分な程度であればよく、特に制限はない。好ましくは0.1mJ/cm2以上、より好ましくは1〜1000mJ/cm2である。レーザの照射は連続であっても、パルス状のものを複数回行ってもよい。
ここで用いられる絶縁膜形成用溶液は、前述した絶縁性材料に加えて吸着性化合物等の有機化合物や帯電防止剤、可塑剤、高分子バインダー等の各種添加剤等を含むことができる。
下塗り層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Nーメチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質;熱硬化性又は光・電子線硬化樹脂;及びカップリング剤などの表面改質剤等が挙げられる。熱硬化性又は光・電子線硬化樹脂、及びカップリング剤(例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、ゲルマニウム系カップリング剤アルミニウム系カップリング剤など)が好ましい。また、SiO2やSiNなどの無機材料であってもよい。
[ナノ粒子分散液の調製1]
酢酸亜鉛二水和物1.10gにエタノール50mlを加え1時間還流した。30mlを留去したのち、2−エトキシエタノール50mlを加え溶液Aを調製した。別に、インジウムイソプロポキシド1.46gに2−エトキシエタノール50mlを添加し、60℃で溶解した。さらにこの溶液にガリウムエトキシド1.03gをトルエン50mlに溶解した液を添加し、110℃に昇温してトルエンを留去した。液温を90℃に下げて溶液Aを添加し1時間撹拌した。さらに1−エトキシ−2−プロパノール50mlを添加し、溶媒を留去しながら150℃に昇温して1時間撹拌した。その後、室温に冷却後収納した。収量約30mlの淡黄色の溶液Bを得た。
酢酸亜鉛二水和物を1.54g、インジウムイソプロポキシドを0.19g、ガリウムエトキシドを0.13g、を用いた以外は上記と同様にしてZn:Ga:In=11:1:1(X/Y=11、Y/Z=1)の試料(8)を調製した。
上記のようにして得られた試料(1)〜(8)の組成、サイズ等を表1にまとめた。なお、組成はICP分析より求めた。粒子の状態はX線回折装置によるX線回折パターンから判断した。
これに対して、試料(8)は、Zn:Ga:In=11:1:1(X/Y=11、Y/Z=1)の組成によるナノ粒子分散液を目的として調製したものである。しかしながら、前記の溶液Bの段階でZnOの白色沈殿を生成し、複合酸化物ナノ粒子を合成できなかった。このことは、X/Yの比率が11では、本発明に係るナノ粒子分散液が得られないことを示している。
[ボトムゲート型TFTの作製]
幅50mm、長さ50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上にフォトリソグラフィー法によりゲート電極(ITO)を設置した。ゲート電極が形成された基板に対して、ゲート絶縁膜としてRFスパッタ法によりY2O3を膜厚150nmで形成した。更にこのゲート絶縁膜の上に、インクジェットプリンターを用いたインクジェット法でAuナノインク((株)アルバック製)を用いてソース及びドレイン電極を描画し、250℃で20分加熱した。チャネル長及びチャネル幅はそれぞれ50μm及び200μmであった。
上記実施例1で作製された試料(1)をナノ粒子分散液(分散液中のナノ粒子含有量:3.5質量%、粘度:8mPa・s)として選択し、チャネル部分に対して上記同様にインクジェット法にて乾燥膜厚80nmで塗設し、乾燥後、500℃で30分焼成して半導体薄膜(チャネル層)を形成し、ボトムゲート型TFTを作製した。なお、試料(1)は、乾燥後500℃で30分加熱してもX線回折パターンが得られないことを実験で確認しており、ここで形成した半導体薄膜(チャネル層)もアモルファス状態であると推定される。
上記で作製されたTFTは、ゲート電圧VG=0Vの時はIDS=2×10-8A(VDS=5.0V)であり、VG=5Vの時はIDS=8×10-6Aとなり、ノーマリーOFF特性が得られた。
[フレキシブル基板上へのTFT素子の作製]
幅100mm、長さ100mm、厚さ0.2mmのPET基板上にシランカップリング剤を用いてSiO2からなる厚さ500nmの変性防止層を形成した。この上にフォトリソグラフィー法によりゲート電極(ITO)を設置した。ゲート絶縁膜として平均粒子サイズ6nmのアルミナ分散液を用い、スピンコートにより乾燥膜厚200nmで塗設、乾燥後、500℃で10分焼成した。更に、このゲート絶縁膜の上に、実施例1と同様にインクジェット法でAuナノインク((株)アルバック製)を用いてソース及びドレイン電極を描画し、250℃で20分加熱した。チャネル長及びチャネル幅はそれぞれ50μm及び200μmであった。
作製したTFTは、ゲート電圧VG=0Vの時はIDS=5×10-8A(VDS=5.0V)であり、VG=5Vの時はIDS=7×10-6Aとなり、ノーマリーOFF特性が得られた。
12 基板
14 ゲート電極
16 ゲート絶縁膜
18 ソース電極
20 ドレイン電極
22 半導体薄膜
Claims (22)
- 下記一般式Iで表される化合物から選択された平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と、分散媒とを含む半導体デバイス用金属酸化物ナノ粒子分散液。
ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I]
(式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜1.5の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。) - 前記金属酸化物ナノ粒子がアモルファス状態であることを特徴とする請求項1に記載のナノ粒子分散液。
- 前記金属酸化物ナノ粒子の濃度が、ナノ粒子分散液中、0.5〜20質量%であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のナノ粒子分散液。
- 前記分散媒が、下記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含むものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のナノ粒子分散液。
R1−OH [II]
(式中、R1は炭素原子数1〜12の置換又は未置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。) - 前記一般式Iで表される金属酸化物ナノ粒子が、その構成金属のアルコキシドを、前記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含む溶液中で分解させることによって形成されたものであることを特徴とする請求項4記載のナノ粒子分散液。
- 基板上に半導体薄膜層、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有する半導体デバイスの製造方法において、
下記一般式IまたはI'
ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I]
(式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。)
ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I']
(式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。)
で表される化合物から選択された平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と分散媒とを含むナノ粒子分散液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、
前記ナノ粒子分散液を加熱して、半導体薄膜層を形成すること、
を含む半導体デバイスの製造方法。 - 前記金属酸化物ナノ粒子が前記一般式Iで表された化合物から選択され、かつ前記一般式Iにおいて、Mがアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜1.5の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記金属酸化物ナノ粒子がアモルファス状態であることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記金属酸化物ナノ粒子の濃度が、ナノ粒子分散液中、0.5〜20質量%であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記分散媒が、下記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含むものであることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
R1−OH [II]
(式中、R1は炭素原子数1〜12の置換又は未置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。) - 前記一般式Iで表される金属酸化物ナノ粒子が、その構成金属のアルコキシドを、前記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含む溶液中で分解させることによって形成されたものであることを特徴とする請求項10記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記加熱が、赤外又は紫外レーザにより行われることを特徴とする請求項6〜11のいずれか1項に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 絶縁膜形成用溶液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、
前記絶縁膜形成用溶液を加熱して、前記ゲート絶縁膜を形成すること
を更に含む請求項6〜12のいずれか1項記載の半導体デバイスの製造方法。 - 下記一般式I
ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I]
(式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜1.5の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。)
で表される化合物から選択された平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と、分散媒とを含むナノ粒子分散液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、
前記ナノ粒子分散液を加熱して、半導体薄膜層を形成すること、
を含む半導体デバイスの製造方法によって製造された半導体デバイス。 - 前記金属酸化物ナノ粒子がアモルファス状態であることを特徴とする請求項14記載の半導体デバイス。
- 前記金属酸化物ナノ粒子の濃度が、ナノ粒子分散液中、0.5〜20質量%であることを特徴とする請求項14又は15記載の半導体デバイス。
- 前記分散媒が、下記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含むものであることを特徴とする請求項14〜16のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
R1−OH [II]
(式中、R1は炭素原子数1〜12の置換又は未置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。) - 前記一般式Iで表される金属酸化物ナノ粒子が、その構成金属のアルコキシドを、前記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含む溶液中で分解させることによって形成されたものであることを特徴とする請求項17記載の半導体デバイス。
- 前記加熱が、赤外又は紫外レーザにより行われることを特徴とする製造方法によって製造された請求項14〜18のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 絶縁膜形成用溶液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、
前記絶縁膜形成用溶液を加熱して、前記ゲート絶縁膜を形成すること
を更に含む方法により製造された請求項14〜19のいずれか1項に記載の半導体デバイス。 - 前記半導体薄膜層がアモルファスであることを特徴とする請求項14〜請求項20のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記基板がプラスチックであることを特徴とする請求項14〜請求項21のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
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