JP2007042690A - ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス - Google Patents
ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007042690A JP2007042690A JP2005222246A JP2005222246A JP2007042690A JP 2007042690 A JP2007042690 A JP 2007042690A JP 2005222246 A JP2005222246 A JP 2005222246A JP 2005222246 A JP2005222246 A JP 2005222246A JP 2007042690 A JP2007042690 A JP 2007042690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- nanoparticle dispersion
- dispersion liquid
- general formula
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 21
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 17
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- -1 halide ions Chemical class 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 5
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- USLHPQORLCHMOC-UHFFFAOYSA-N triethoxygallane Chemical compound CCO[Ga](OCC)OCC USLHPQORLCHMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)indigane Chemical compound [In+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 2
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940013085 2-diethylaminoethanol Drugs 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- YJIFTYXRIKMETG-UHFFFAOYSA-N C(C)OC([O-])C.[Zn+2].C(C)OC([O-])C Chemical compound C(C)OC([O-])C.[Zn+2].C(C)OC([O-])C YJIFTYXRIKMETG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N N-Methylolacrylamide Chemical compound OCNC(=O)C=C CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910004349 Ti-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004692 Ti—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- RWZKAROCZDFJEI-UHFFFAOYSA-N ethanol;zinc Chemical compound [Zn].CCO.CCO RWZKAROCZDFJEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- QCQJPUZAVFHPMN-UHFFFAOYSA-N iron(2+);propan-2-olate Chemical compound [Fe+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] QCQJPUZAVFHPMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUHDSMAREWXWFM-UHFFFAOYSA-N iron(3+);propan-2-olate Chemical compound [Fe+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] QUHDSMAREWXWFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117841 methacrylic acid copolymer Drugs 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】下記式IまたはI'で表される化合物から選択される平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と分散媒とを含むナノ粒子分散液を用いて酸化物半導体薄膜22を形成する。 ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z)[I](式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。) ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I'](式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。)
【選択図】図1
Description
これに対処するため、ガラス基板上に半導体デバイスを一旦作製したのち、プラスチック基板に移設することが検討されている(例えば、特許文献1参照)。
従って、本発明の目的は、良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造可能なナノ粒子分散液、これを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを提供することである。
ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I]
式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。
ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I']
式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。
前記ナノ粒子分散液では、好ましくは、一般式IまたはI'で表される金属酸化物ナノ粒子の濃度が、ナノ粒子分散液中、0.5〜20質量%である。
R1−OH [II]
式中、R1は炭素原子数1〜12の置換又は未置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
また更に、絶縁膜形成用溶液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、前記絶縁膜形成用溶液を加熱して、前記ゲート絶縁膜を形成することを更に含んでもよい。
本発明の半導体デバイスは、上記の製造方法によって製造されたことを特徴としている。
本ナノ粒子分散液中の金属酸化物ナノ粒子は、加熱により緻密な薄膜を形成させると、結晶だけでなくアモルファス状態でも良好な半導体特性を発揮することができる。
少なくとも一つの元素であり、これらは単独であってもよく、このうちの2つ以上が共存していてもよい。複数が存在する場合の比率には特に制限はなく、結晶化温度、隣接するゲート絶縁膜への拡散性、電気特性などを考慮して適切に選択できる。これらのうち、室温で高い絶縁性を示し、ノーマリーオフ特性を得やすい観点から、アルミニウム又はガリウムが好ましい。
比率Y/Zは、0.1〜2.5の範囲であり、電気特性の観点から0.2〜1.5の範囲であることが好ましく、0.5〜1.3の範囲であることが更に好ましい。上記ナノ粒子を示すもう一つの一般式I'においては、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲であり、好ましくは0.9〜7.6の範囲である。
より好ましくは、上記ナノ粒子が一般式Iで表される化合物から選択され、このときの比率X/Yが0.2〜1.5となる場合である。
このとき、各構成金属のアルコキシドをそれぞれ形成し、次いで混合、加熱溶解することによって複合アルコキシドを形成し、これを加水分解及び/又は熱分解(必要により加圧下のソルボサーマル反応)することにより金属酸化物ナノ粒子を得る方法が好ましい。
例えば、下記一般式III及び一般式IV:
Zn(OR2)2 ・・・[III]
M(OR3)3 ・・・[IV]
(式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R2及びR3はそれぞれ同一でも異なってもよく、炭素数が1〜20の置換又は無置換のアルキル基を表す。)
で表される金属アルコキシド化合物(一般式III及び一般式IVで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有する金属アルコキシド溶液を加熱することによって得ることができる。このような金属アルコキシド化合物としては、例えば、亜鉛エトキシド、亜鉛エトキシエトキシド、インジウムイソプロポキシド、ガリウムエトキシド、ガリウムイソプロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド、鉄イソプロポキシド等を挙げることができる。
従って、本発明のナノ粒子分散液を用いることによって、ナノ粒子を結晶化させることなく、アモルファス状態で用いて半導体デバイスを作製することができる。また、必要により本発明のナノ粒子分散液を塗布後に加熱処理することにより多結晶薄膜を形成することもできる。金属酸化物ナノ粒子の状態(結晶状態又はアモルファス状態)はX線回折(XD)、電子線回折(ED)、透過型電子顕微鏡(TEM)等により確認することができる。
複合金属アルコキシドを溶液中で熱分解して合成する方法が好ましい。熱分解時の加熱方法としては、オイルバスやマントルヒーター等による常圧下の加熱の他に、オートクレーブを用いた加圧下での加熱や超音波照射、マイクロ波照射などの間接加熱を適用することができる。また、必要に応じて加熱工程に続いて、再分散工程を設けることができる。加圧下での加熱や超音波照射もしくはマイクロ波照射における高温反応によって、後述の一般式IIで表される高沸点溶媒を含有する溶媒の一部が分解、変性するのに伴い、生成したナノ粒子が凝集しやすくなっている。特に生成した金属酸化物が高濃度であるほど凝集しやすい。しかしながらこの凝集ナノ粒子を分散するには、通常の大粒子を微粒子に分散するブレークダウン法と異なり、短時間で速やかに行なうことができる。
R1−OH [II]
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基などが挙げられる。アルケニル基としては、ブテニル基、プロペニル基などが、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基などが、アリール基としては、フェニル基などがそれぞれ挙げられる。
アルキル基やアルケニル基への好ましい置換基の例としては、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシ基など)、水酸基、アミノ基などが挙げられる。シクロアルキル基やアリール基への好ましい置換基の例としては、アルキル基(メチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基など)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシ基など)、水酸基、アミノ基などが挙げられる。
特に好ましい置換基としては、ジアルキルアミノ基(ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ-n-プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ-n-ブチルアミノ基、ジ-t-ブチルアミノ基など)が挙げられる。
これらの分散媒と併用できる溶媒としては、例えばジオキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセチルアセトンなどが挙げられる。
ナノ粒子分散液の電気伝導度は半導体特性上1,000μS/cm以下であるのが好ましく、100μS/cm以下であることがより好ましい。
また、ナノ粒子分散液の粘度は、塗布手段により異なるが、例えばインクジェットやディスペンサーの場合、吐出性の観点から1〜100mPa・s、好ましくは1〜20mPa・sであることが望ましい。ナノ粒子分散液の上記粘度は、市販の粘度計、例えば振動式粘度計 VISCOMATE (CBCマテリアルズ株式会社製)で測定することができる。
図1には、本発明のナノ粒子分散液を適用可能な半導体デバイスの一例としての半導体デバイス10が示されている。
半導体デバイス10では、基板12上に、ゲート電極14及びゲート絶縁膜16を介して、ソース電極18、ドレイン電極20、半導体薄膜22が設けられている。
好ましい材料としては、SiO2、SnO2、ZnO、MgO、CaO、SrO、BaO、Al2O3、ZrO2、Nb2O5、V2O5、TiO2、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ga2O3、GeO2、Ta2O5、HfO2などが挙げられる。これらの中で絶縁抵抗の大きいものはゲート絶縁膜の材料としても用いることができる。変性防止層は、ゾル−ゲル法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法など、通常の成膜方法により形成できる。なお、前記基板の形状は円盤状、カード状、シート状などいずれの形状であってもよい。
なお、ソース電極18、ドレイン電極20及びゲート電極14としての各膜厚は、所望される電気的特性によって異なるが、一般に、0.04〜1μmとすることができる。
なお、ゲート絶縁膜16としての乾燥膜厚は、所望される電気的特性によって異なるが、一般に、0.1〜1μmとすることができる。
なお、加熱処理前のパターンの乾燥は、適宜行ってもよく、実施する場合には自然乾燥でも通常の乾燥機を用いて行ってもよい。乾燥温度は、特に制限はないが、一般に、室温〜150℃にすることができる。
一方、プラスチック基板などの耐熱温度が低い材料を基板とした場合には、赤外又は紫外レーザによって加熱することが好ましい。レーザの使用は、ビームを照射して塗膜部に焦点を絞ることができるので描画した塗膜の部分だけ高エネルギーで加熱することができ、この結果、プラスチック基板のような一般に耐熱性が高くない基板であっても適用することができる。
このレーザ照射の照射光の強さは前記の酸化物などの金属酸化物薄膜22が緻密化、結晶化するに十分な程度であればよく、特に制限はない。好ましくは0.1mJ/cm2以上、より好ましくは1〜1000mJ/cm2である。レーザの照射は連続であっても、パルス状のものを複数回行ってもよい。
ここで用いられる絶縁膜形成用溶液は、前述した絶縁性材料に加えて吸着性化合物等の有機化合物や帯電防止剤、可塑剤、高分子バインダー等の各種添加剤等を含むことができる。
下塗り層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Nーメチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質;熱硬化性又は光・電子線硬化樹脂;及びカップリング剤などの表面改質剤等が挙げられる。熱硬化性又は光・電子線硬化樹脂、及びカップリング剤(例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、ゲルマニウム系カップリング剤アルミニウム系カップリング剤など)が好ましい。また、SiO2やSiNなどの無機材料であってもよい。
[ナノ粒子分散液の調製1]
酢酸亜鉛二水和物1.10gにエタノール50mlを加え1時間還流した。30mlを留去したのち、2−エトキシエタノール50mlを加え溶液Aを調製した。別に、インジウムイソプロポキシド1.46gに2−エトキシエタノール50mlを添加し、60℃で溶解した。さらにこの溶液にガリウムエトキシド1.03gをトルエン50mlに溶解した液を添加し、110℃に昇温してトルエンを留去した。液温を90℃に下げて溶液Aを添加し1時間撹拌した。さらに1−エトキシ−2−プロパノール50mlを添加し、溶媒を留去しながら150℃に昇温して1時間撹拌した。その後、室温に冷却後収納した。収量約30mlの淡黄色の溶液Bを得た。
酢酸亜鉛二水和物を1.54g、インジウムイソプロポキシドを0.19g、ガリウムエトキシドを0.13g、を用いた以外は上記と同様にしてZn:Ga:In=11:1:1(X/Y=11、Y/Z=1)の試料(8)を調製した。
上記のようにして得られた試料(1)〜(8)の組成、サイズ等を表1にまとめた。なお、組成はICP分析より求めた。粒子の状態はX線回折装置によるX線回折パターンから判断した。
これに対して、試料(8)は、Zn:Ga:In=11:1:1(X/Y=11、Y/Z=1)の組成によるナノ粒子分散液を目的として調製したものである。しかしながら、前記の溶液Bの段階でZnOの白色沈殿を生成し、複合酸化物ナノ粒子を合成できなかった。このことは、X/Yの比率が11では、本発明に係るナノ粒子分散液が得られないことを示している。
[ボトムゲート型TFTの作製]
幅50mm、長さ50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上にフォトリソグラフィー法によりゲート電極(ITO)を設置した。ゲート電極が形成された基板に対して、ゲート絶縁膜としてRFスパッタ法によりY2O3を膜厚150nmで形成した。更にこのゲート絶縁膜の上に、インクジェットプリンターを用いたインクジェット法でAuナノインク((株)アルバック製)を用いてソース及びドレイン電極を描画し、250℃で20分加熱した。チャネル長及びチャネル幅はそれぞれ50μm及び200μmであった。
上記実施例1で作製された試料(1)をナノ粒子分散液(分散液中のナノ粒子含有量:3.5質量%、粘度:8mPa・s)として選択し、チャネル部分に対して上記同様にインクジェット法にて乾燥膜厚80nmで塗設し、乾燥後、500℃で30分焼成して半導体薄膜(チャネル層)を形成し、ボトムゲート型TFTを作製した。なお、試料(1)は、乾燥後500℃で30分加熱してもX線回折パターンが得られないことを実験で確認しており、ここで形成した半導体薄膜(チャネル層)もアモルファス状態であると推定される。
上記で作製されたTFTは、ゲート電圧VG=0Vの時はIDS=2×10-8A(VDS=5.0V)であり、VG=5Vの時はIDS=8×10-6Aとなり、ノーマリーOFF特性が得られた。
[フレキシブル基板上へのTFT素子の作製]
幅100mm、長さ100mm、厚さ0.2mmのPET基板上にシランカップリング剤を用いてSiO2からなる厚さ500nmの変性防止層を形成した。この上にフォトリソグラフィー法によりゲート電極(ITO)を設置した。ゲート絶縁膜として平均粒子サイズ6nmのアルミナ分散液を用い、スピンコートにより乾燥膜厚200nmで塗設、乾燥後、500℃で10分焼成した。更に、このゲート絶縁膜の上に、実施例1と同様にインクジェット法でAuナノインク((株)アルバック製)を用いてソース及びドレイン電極を描画し、250℃で20分加熱した。チャネル長及びチャネル幅はそれぞれ50μm及び200μmであった。
作製したTFTは、ゲート電圧VG=0Vの時はIDS=5×10-8A(VDS=5.0V)であり、VG=5Vの時はIDS=7×10-6Aとなり、ノーマリーOFF特性が得られた。
12 基板
14 ゲート電極
16 ゲート絶縁膜
18 ソース電極
20 ドレイン電極
22 半導体薄膜
Claims (12)
- 下記一般式IまたはI'で表される化合物から選択された平均粒子サイズ50nm以下の金属酸化物ナノ粒子と、分散媒とを含むナノ粒子分散液。
ZnXMYInZO(X+1.5Y+1.5Z) [I]
(式中、Mはアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜10の範囲であり、比率Y/Zが0.1〜2.5の範囲である。)
ZnX'InZ'O(X'+1.5Z') [I']
(式中、比率X'/Z'は0.5〜8の範囲である。) - 請求項1に記載のナノ粒子分散液において、該金属酸化物ナノ粒子が前記一般式Iで表された化合物から選択され、かつ前記一般式Iにおいて、Mがアルミニウム、鉄及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率X/Yが0.2〜1.5の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のナノ粒子分散液。
- 前記金属酸化物ナノ粒子がアモルファス状態であることを特徴とする請求項1又は2に記載のナノ粒子分散液。
- 前記金属酸化物ナノ粒子の濃度が、ナノ粒子分散液中、0.5〜20質量%であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のナノ粒子分散液。
- 前記分散媒が、下記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含むものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のナノ粒子分散液。
R1−OH [II]
(式中、R1は炭素原子数1〜12の置換又は未置換のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。) - 前記一般式IまたはI'で表される金属酸化物ナノ粒子が、その構成金属のアルコキシドを、前記一般式IIで表され且つ沸点が120℃〜250℃である高沸点溶媒を少なくとも1種含む溶液中で分解させることによって形成されたものであることを特徴とする請求項5記載のナノ粒子分散液。
- 基板上に半導体薄膜層、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有する半導体デバイスの製造方法において、
請求項1〜6のいずれかに記載のナノ粒子分散液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、
前記ナノ粒子分散液を加熱して、半導体薄膜層を形成すること、
を含む半導体デバイスの製造方法。 - 前記加熱が、赤外又は紫外レーザにより行われることを特徴とする請求項7に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 絶縁膜形成用溶液をインクジェット方式又はディスペンサー方式により基板に向かって吐出させること、
前記絶縁膜形成用溶液を加熱して、前記ゲート絶縁膜を形成すること
を更に含む請求項7又は8に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 上記請求項7〜9のいずれか1項に記載の方法によって製造された半導体デバイス。
- 半導体薄膜層がアモルファスであることを特徴とする請求項10に記載の半導体デバイス。
- 基板がプラスチックであることを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005222246A JP4738931B2 (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005222246A JP4738931B2 (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007042690A true JP2007042690A (ja) | 2007-02-15 |
JP4738931B2 JP4738931B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=37800428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005222246A Active JP4738931B2 (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4738931B2 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281409A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-10-25 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
WO2007148601A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Panasonic Corporation | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器 |
JP2008218495A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Canon Inc | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2009031381A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 金属酸化物半導体の製造方法、及びその方法により得られた薄膜トランジスタ |
JP2009267190A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | National Institute For Materials Science | ナノ結晶粒子分散液と電子デバイス並びにその製造方法 |
JP2009290113A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Fujifilm Corp | 半導体素子とその製造方法、センサおよび電気光学装置 |
JP2010010549A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ |
JP2010103345A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 機能性層の製造方法及び電子デバイス |
JP2011193452A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 復調回路および復調回路を用いたrfidタグ |
JP2012501941A (ja) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 変性された粒子、及びこれらを含む分散液 |
JP2012041501A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Hitachi Maxell Ltd | 酸化物半導体膜製造用塗料組成物 |
JP2012212642A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-11-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 金属酸化物粒子分散組成物 |
JP2013080929A (ja) * | 2007-12-25 | 2013-05-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2013123041A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8529802B2 (en) | 2009-02-13 | 2013-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
US8658546B2 (en) | 2009-04-09 | 2014-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film |
JP5578078B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-08-27 | コニカミノルタ株式会社 | 機能性層の製造方法 |
JP2014225680A (ja) * | 2008-04-04 | 2014-12-04 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2015005756A (ja) * | 2008-12-26 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101610782B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2016-04-08 | 한국전자통신연구원 | 전기방사법을 이용한 금속선 제조방법 |
JP5915529B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2016-05-11 | コニカミノルタ株式会社 | 半導体ナノ粒子集積体の製造方法 |
KR101741466B1 (ko) | 2010-08-13 | 2017-06-16 | 삼성전자주식회사 | 영구 쌍극자 모멘트를 갖는 입자, 상기 입자를 포함하는 박막 및 상기 박막의 제조방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6275441B2 (ja) | 2013-09-30 | 2018-02-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249125A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Ulvac Japan Ltd | 低抵抗透明導電膜及びその製造法 |
JP2003249132A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Ulvac Japan Ltd | 低抵抗透明導電膜の製造法 |
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
-
2005
- 2005-07-29 JP JP2005222246A patent/JP4738931B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249125A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Ulvac Japan Ltd | 低抵抗透明導電膜及びその製造法 |
JP2003249132A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Ulvac Japan Ltd | 低抵抗透明導電膜の製造法 |
JP2004103957A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Japan Science & Technology Corp | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281409A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-10-25 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタ |
US8013331B2 (en) | 2006-06-19 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Thin film transistor, method of manufacturing the same, and electronic device using the same |
WO2007148601A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Panasonic Corporation | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびにそれを用いた電子機器 |
JP2008218495A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Canon Inc | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US9153703B2 (en) | 2007-02-28 | 2015-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor and method of manufacturing same |
WO2009031381A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 金属酸化物半導体の製造方法、及びその方法により得られた薄膜トランジスタ |
US8723175B2 (en) | 2007-12-08 | 2014-05-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
KR101516034B1 (ko) * | 2007-12-25 | 2015-05-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 반도체 전계효과형 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
JP2013080929A (ja) * | 2007-12-25 | 2013-05-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
US8791457B2 (en) | 2007-12-25 | 2014-07-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same |
JP2014225680A (ja) * | 2008-04-04 | 2014-12-04 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2009267190A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | National Institute For Materials Science | ナノ結晶粒子分散液と電子デバイス並びにその製造方法 |
JP2009290113A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Fujifilm Corp | 半導体素子とその製造方法、センサおよび電気光学装置 |
JP2010010549A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ |
JP2012501941A (ja) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 変性された粒子、及びこれらを含む分散液 |
JP5578078B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-08-27 | コニカミノルタ株式会社 | 機能性層の製造方法 |
JP2010103345A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 機能性層の製造方法及び電子デバイス |
JP2015005756A (ja) * | 2008-12-26 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9711651B2 (en) | 2008-12-26 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11817506B2 (en) | 2008-12-26 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8529802B2 (en) | 2009-02-13 | 2013-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition |
US8658546B2 (en) | 2009-04-09 | 2014-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film |
KR101610782B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2016-04-08 | 한국전자통신연구원 | 전기방사법을 이용한 금속선 제조방법 |
TWI503751B (zh) * | 2010-02-19 | 2015-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 解調變電路及包括解調變電路之rfid標籤 |
US9088245B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Demodulation circuit and RFID tag including the demodulation circuit |
JP2011193452A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 復調回路および復調回路を用いたrfidタグ |
KR101741466B1 (ko) | 2010-08-13 | 2017-06-16 | 삼성전자주식회사 | 영구 쌍극자 모멘트를 갖는 입자, 상기 입자를 포함하는 박막 및 상기 박막의 제조방법 |
JP2012041501A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Hitachi Maxell Ltd | 酸化物半導体膜製造用塗料組成物 |
JP2012212642A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-11-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 金属酸化物粒子分散組成物 |
JP5915529B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2016-05-11 | コニカミノルタ株式会社 | 半導体ナノ粒子集積体の製造方法 |
JP2013123041A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US9196744B2 (en) | 2011-11-11 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8796682B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
KR20130069369A (ko) | 2011-11-11 | 2013-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4738931B2 (ja) | 2011-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4738931B2 (ja) | ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス | |
JP4767616B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス | |
Park et al. | A review of low‐temperature solution‐processed metal oxide thin‐film transistors for flexible electronics | |
US10236349B2 (en) | P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system | |
JP5215158B2 (ja) | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス | |
TWI559540B (zh) | 形成金屬氧化物薄膜用塗佈液、金屬氧化物薄膜、場效電晶體、以及製造場效電晶體的方法 | |
CN105190854B (zh) | 用于形成金属氧化物膜的涂布液、金属氧化物膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 | |
CN101131923B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
JP5324118B2 (ja) | 無機膜およびその製造方法並びに半導体デバイス | |
JP5783094B2 (ja) | p型酸化物、p型酸化物製造用組成物、p型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム | |
KR20110053978A (ko) | 전계 효과형 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 스퍼터링 타겟 | |
US9236493B2 (en) | P-type transparent oxide semiconductor, transistor having the same, and manufacture method of the same | |
TWI682063B (zh) | 用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液、氧化物或氮氧化物絕緣體膜、場效電晶體及該等的製造方法 | |
JP2009224737A (ja) | 酸化ガリウムを主成分とする金属酸化物からなる絶縁膜およびその製造方法 | |
WO2007058231A1 (ja) | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル | |
KR20180067738A (ko) | 금속 산화물 박막 형성용 도포액, 금속 산화물 박막, 전계 효과형 트랜지스터 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 | |
JP2010018479A (ja) | 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置 | |
KR102256268B1 (ko) | n형 산화물 반도체막 형성용 도포액, n형 산화물 반도체막의 제조 방법 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 | |
JP2010147206A (ja) | 薄膜トランジスタ、及びその製造方法 | |
CN104170021B (zh) | 导电性组合物及由其形成有导电膜的电路基板 | |
JP5295302B2 (ja) | 金属アルコキシド溶液 | |
JP5894393B2 (ja) | 酸化物粒子分散液 | |
WO2013146389A1 (ja) | 導体膜の製造方法 | |
WO2010038570A1 (ja) | 機能性層の製造方法、機能性層及び電子デバイス | |
JP2015157280A (ja) | アモルファス化合物ゲル、アモルファス化合物ゲルの製造方法、酸化物結晶体の製造方法、金属結晶体の製造方法、酸化物結晶体、及び金属結晶体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070203 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110427 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4738931 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |