JP2010010549A - 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前駆体溶液を塗布して酸化物半導体の薄膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、
該前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜のパターニングに帯電させた液滴を吐出する液体吐出装置により酸化物半導体の薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【選択図】なし
Description
該前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜のパターニングに帯電させた液滴を吐出する液体吐出装置により酸化物半導体の薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法について説明する。
これらの金属酸化物半導体の前駆体である金属塩を含有する薄膜を形成するためには、前駆体薄膜のパターニングに帯電させた液滴を吐出する液体吐出装置により酸化物半導体の薄膜を形成することが特徴である。
形成される金属酸化物半導体としては、単結晶、多結晶、非晶質のいずれの状態も使用可能だが、好ましくは非晶質の薄膜を用いる。
金属塩を溶解する溶媒としては、水の他、用いる金属化合物を溶解するものであれば特に制限されず、水や、エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどのアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等グリコールエーテル系、また、アセトニトリルなど、更に、キシレン、トルエン等の芳香族系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン、トリデカンなど、α−テルピネオール、また、クロロホルムや1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒、N−メチルピロリドン、2硫化炭素等を用いることができるが、本発明においては、前記前駆体溶液が、水またはアルコール類を50質量%以上含有することが好ましい。
前駆体溶液を塗布して前駆体薄膜のパターニングを行う為には、電界アシスト吐出方式のインクジェット装置においてインクの着弾精度の向上を図ることで、電子回路基板で要求されているインクの着弾精度を大幅に向上させてより高品質化を可能とし、インクの高着弾精度が要求される本発明の薄膜トランジスタへの生産プロセス適用を可能にする装置として好ましく用いられる。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法において、前駆体薄膜を加熱処理(半導体変換処理ともいう)することにより酸化物半導体の薄膜を形成することが好ましい。
前駆体薄膜の加熱処理には、マイクロ波の照射が好ましい。
次に薄膜トランジスタ回路の構成に用いた例を示す。
本発明において、TFT素子を構成するソース電極、ドレイン電極、ゲート電極等の電極に用いられる導電性材料としては、電極として実用可能なレベルでの導電性があればよく、特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が用いられる。
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、金属微粒子を含有する分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや金属微粒子を含有する導電性インク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
本発明の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
基板を構成する支持体材料としては、種々の材料が利用可能であり、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、紙、不織布などを用いることができるが、本発明において支持体は樹脂からなることが好ましく、例えばプラスチックフィルムシートを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
《薄膜トランジスタ1の製造例》
図6を用いて本発明の好ましい実施形態を示す。
不活性ガス:ヘリウム98.25体積%
反応性ガス:酸素ガス1.5体積%
反応性ガス:テトラエトキシシラン蒸気(ヘリウムガスにてバブリング)0.25体積%
(放電条件)
高周波電源:13.56MHz
放電出力:10W/cm2
(電極条件)
電極は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材に対して、セラミック溶射によるアルミナを1mm被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により封孔処理を行い、表面を平滑にしてRmax5μmとした誘電体(比誘電率10)を有するロール電極であり、アースされている。一方、印加電極としては、中空の角型のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆した。
可溶性パラジウム塩(塩化パラジウム) 20質量%(Pd2+濃度1.0g/l)
イソプロピルアルコール 12質量%
グリセリン 20質量%
2−メチル−ペンタンチオール 5質量%
1,3−ブタンジオール 3質量%
イオン交換水 40質量%
メッキ触媒液は、オクチルトリクロルシランによって表面処理された表面からはじかれ、表面処理層305が分解された領域に自然に集まってソース電極形成領域307a、ドレイン電極形成領域307bの二つの領域に分離した(図6(m))。
ジシアノ金カリウム 0.1モル/L
蓚酸ナトリウム 0.1モル/L
酒石酸ナトリウムカリウム 0.1モル/L
を溶解した均一溶液
金薄膜が形成された基板表面を、純水で、充分に洗浄、乾燥し、本発明の薄膜トランジスタの製造方法により製造された、トップコンタクト型の薄膜トランジスタの製造例の一例を示した。
《薄膜トランジスタ2の製造例》
本発明の薄膜トランジスタの製造方法の別の一例を紹介する。
可溶性パラジウム塩(塩化パラジウム) 20質量%(Pd2+濃度1.0g/l)
イソプロピルアルコール 12質量%
グリセリン 20質量%
2−メチル−ペンタンチオール 5質量%
1,3−ブタンジオール 3質量%
イオン交換水 40質量%
メッキ触媒液は、オクチルトリクロルシランによって表面処理された表面からはじかれ、表面処理層408が分解された領域に自然に集まってソース電極形成領域409a、ドレイン電極形成領域409bの二つの領域に分離した(図7(k))。
ジシアノ金カリウム 0.1モル/L
蓚酸ナトリウム 0.1モル/L
酒石酸ナトリウムカリウム 0.1モル/L
を溶解した均一溶液
次に、実施例1の薄膜トランジスタ1のゲート絶縁層303の形成と同様にして、大気圧プラズマ法により、酸化ケイ素膜(厚み200nm)を形成しゲート絶縁層412を形成した(図7(o))。
302 ゲート電極
303 ゲート絶縁層
304 表面処理層
305 半導体前駆体材料薄膜
306 酸化物半導体層
307a ソース電極形成領域
307b ドレイン電極形成領域
308 無電解メッキ触媒液
309 ソース電極
310 ドレイン電極
Claims (8)
- 前駆体溶液を塗布して酸化物半導体の薄膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、
該前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜のパターニングに帯電させた液滴を吐出する液体吐出装置により酸化物半導体の薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記前駆体溶液が、水またはアルコール類を50質量%以上含有することを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記前駆体薄膜の加熱処理により酸化物半導体の薄膜を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記パターニングにおいて、表面エネルギーの差により形成されるプレパターンを用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記前駆体溶液に含有される前駆体材料が、金属の硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、炭酸塩、酢酸塩、蓚酸塩、アモルファス透明酸化物半導体またはIn−Ga−Zn−O系材料から選ばれる少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記加熱処理が、マイクロ波照射により行われることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 構成として基材を含み、該基材がフレキシブル樹脂基板であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法により作製されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
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