TWI682063B - 用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液、氧化物或氮氧化物絕緣體膜、場效電晶體及該等的製造方法 - Google Patents

用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液、氧化物或氮氧化物絕緣體膜、場效電晶體及該等的製造方法 Download PDF

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中村有希
安部由希子
松本真二
曾根雄司
早乙女遼一
新江定憲
草柳嶺秀
安藤友一
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    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel

Abstract

一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含第A元素、第B元素和第C元素之至少一者、以及溶劑；前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種；前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種；前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種；前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種。

Description

用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液、氧化物或氮氧化物絕緣體膜、場效電晶體及該等的製造方法
本發明係關於用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液、氧化物或氮氧化物絕緣體膜、場效電晶體、及該等的製造方法。
近年來，平板顯示器的主流為以主動矩陣薄膜電晶體(AM-TFT)為背板之液晶顯示器(LCD)或有機EL顯示器。TFT所使用的半導體大致可分為非晶矽(a-Si)、低溫多晶矽(LTPS)、及In-Ga-Zn-O(IGZO)系之氧化物半導體的三種類，但有關於大幅影響TFT性能之閘極絕緣膜大致限定於SiO2、SiON、或SiN之矽系材料(例如參照非專利文獻1)。
如此閘極絕緣膜的形成方法一般為化學氣相蒸鍍法(CVD)或原子層堆積(ALD)等真空製程。
但該等真空製程需要複雜高價的裝置或對原料氣體的安全措施等，有製程成本高的問題。又，因原料氣體限制而難以自由控制絕緣膜的組成或物性。
因此，近年來簡易且可低成本化的液相法備受矚目。代表之矽化合物係檢討六甲基矽氮烷，但閃點為較低為14.1℃，又會與大氣中水分反應產生氨氣體等，於安全性上、或適用於量產製程會有問題(例如參照專利文獻1)。
因此，現狀係要求提供氧化物或氮化物絕緣體膜形 成用塗佈液，其可安全且以低製程溫度、簡便且大面積地製作具有所要的高相對介電係數的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開第2008-159824號公報。
[非專利文獻]
非專利文獻1：Thin-Film Transistors, Cherie R. Kagan, Paul Andry, CRC Press(2003/2/25)。
本發明目的在於提供氧化物或氮化物絕緣體膜形成用塗佈液，其可安全且以低製程溫度、簡便且大面積製作具有漏電流低、所要的相對介電係數高的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜。
為解決前述課題的技術如下，亦即，本發明之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液包含：第A元素；第B元素及第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有由閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種。
根據本發明，可提供一種氧化物或氮化物絕緣體膜形成用塗佈液，係可安全且以低製程溫度、簡便且大面積製作具有漏電流低、所要的相對介電係數高的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜。
1‧‧‧基礎材料
2‧‧‧閘極電極
3‧‧‧閘極絕緣層
4‧‧‧源極電極
5‧‧‧汲極電極
6‧‧‧活性層
7‧‧‧第1層間絕緣層
8‧‧‧第2層間絕緣層
9‧‧‧第3層間絕緣層
S‧‧‧通孔
圖1是表示底閘極/底接觸式之場效電晶體之一例的示意構成圖。
圖2是表示底閘極/頂接觸式(頂電極)之場效電晶體之一例的示意構成圖。
圖3是表示頂閘極/底接觸式(底電極)之場效電晶體之一例的示意構成圖。
圖4是表示頂閘極/頂接觸式之場效電晶體之一例的示意構成圖。
圖5A是表示本發明之場效電晶體之製造方法的一例(其1)。
圖5B是表示本發明之場效電晶體之製造方法的一例(其2)。
圖5C是表示本發明之場效電晶體之製造方法的一例(其3)。
圖5D是表示本發明之場效電晶體之製造方法的一例(其4)。
圖6是表示頂閘極/ILD之場效電晶體之一例的示意構成圖。
圖7是表示實施例1-13所製作之氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜之相對介電係數及介電損失的頻率數依存性的圖表。
圖8是表示實施例2-29所製作之場效電晶體之相對於閘極電壓Vgs之源極/汲極間電流Ids與閘極電流之絕對值|Igs|之關係的圖表。
圖9是表示比較例3-1所製作之場效電晶體之相對於閘極電壓Vgs之源極/汲極間電流Ids與閘極電流之絕對值|Igs|之關係的圖表。
(用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液)
本發明之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗 佈液(以下稱為「本塗佈液」)至少含有第A元素、第B元素和第C元素之至少一者、以及溶劑，進一步視需要含有其他成分。
前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種。
前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種。
前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種。
前述溶劑為選自含有由閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種。
又，本發明之其他態樣之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液至少含有第A元素、第B元素及第C元素之至少一者，進一步視需要含有其他成分。
前述其他態樣的塗佈液可以低製程溫度、簡便且大面積製作具有漏電流低、所要的相對介電係數高的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜。
前述其他態樣的塗佈液所使用的溶劑種類並無特別限定。
與前述本塗佈液同樣地，前述其他態樣的塗佈液可利用於製作氧化物或氮氧化物絕緣體膜、場效電晶體、半導體元件等。
前述第A元素為本塗佈液的主要構成要件，係形成絕緣膜的主骨架。
前述第B元素係調整熱特性或相對介電係數等物性。
前述第C元素係構成網狀改質氧化物並賦予構造柔軟性。
又，本發明及本說明書中，「膜」及「層」在無特別說明下為同義。例如絕緣膜與絕緣層為同義。
前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液較佳係將含有前述第A元素、無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類之至少一者、以及含有前述第B元素和前述第C元素之至少一者、無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬 錯合物類之至少一者溶解於前述溶劑者。
前述無機鹽、前述氧化物、前述氫氧化物、前述有機酸鹽、前述金屬烷氧化物、前述有機金屬、以及前述金屬錯合物類可均一溶解於前述溶劑中，也可解離成為離子。
前述無機鹽、前述氧化物、前述氫氧化物、前述有機酸鹽、前述金屬烷氧化物、前述有機金屬、及前述金屬錯合物類溶解於前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液時，不易產生前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中之濃度偏析等，故前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液可長期使用。又，使用該塗佈液所製作的薄膜亦為均一組成，故用於TFT的閘極絕緣層時特性均一性良好。
閘極絕緣層係要求高絕緣性(低漏電流)及高相對介電係數，但前述第A元素、或者加上前述第B元素係本塗佈液之主要構成要件，使用本塗佈液所製作的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜可實現高相對介電係數和低介電損失。
前述本塗佈液係含有前述第C元素，藉此可增加所得氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜的構造自由度，且可增加絕緣體膜物性的控制範圍。前述第C元素為Be、Mg、Ca、Sr、及Ba之至少一者。
TFT特性係要求無遲滯，但本絕緣體膜係高絕緣性的常介電質，可得到高品質TFT特性。
藉由控制組成及熱處理條件，可形成非晶形或又為微結晶狀態的絕緣膜，更可實現低介電損失。
對於構成閘極絕緣層之絕緣膜係如前述要求高絕緣性(高電阻)，因此要求寬能隙(較佳為3eV以上)。
因此，本塗佈液及使用本塗佈液所製作之氧化物或氮氧化物絕緣體膜在可見光區域或近紅外線區域不具有電子轉移所形成的光吸收帶。為此，在本塗佈液及使用本塗佈液所製作之氧化物或氮氧化物絕緣體膜中，除了雜質(約數莫耳%)以外不含有第5~11族之過渡金屬元素。該等元素容易成為開殼層系電子狀態，在前 述波長區域產生d-d轉移所形成的吸收帶。因此不適合作為構成絕緣體的元素。另一方面，一部分鑭系元素元素在可見光區域或近紅外線區域具有狹窄吸收帶，但該吸收為在原子上孤立的f-f轉移，故會保持絕緣性，因此本塗佈液及使用本塗佈液所製作的氧化物或氮氧化物絕緣體膜可含有前述鑭系元素。
以往採取以Si或Al為主成分來提高非晶性並實現高絕緣性的手法，但要實現高介電係數為較不佳。在本塗佈液及使用本塗佈液所製作之氧化物或氮氧化物絕緣體膜中的主要構成要件的第A元素，較佳為第4周期、第5周期、及第6周期的元素之至少一者。第A元素為s、p、及d軌道閉殼層系，故可同時實現高介電係數和低介電損失。
本發明之前述絕緣膜的體積電阻率較佳為106Ωcm以上，更佳為1010Ωcm以上。
具有本發明之前述絕緣膜作為閘極絕緣膜的場效電晶體的閘極電流較佳為1nA以下，更佳為1pA以下，再更佳為100fA以下。
即使前述本塗佈液含有前述第C元素時，前述第A元素或前述第B元素係前述本塗佈液之主要構成要件。以此點來看，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)較佳為滿足下式(1)：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1)。
再更佳為前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(2)：NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2)。
又，前述第B元素的原子數合計(NB)及前述第C元素的原子數合計(NC)較佳為滿足下式(3)：NB>NC 式(3)。
使用前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，藉此可得到具有所求相對介電係數及介電損失的氧化物絕 緣體膜或氮氧化物絕緣體膜。
又，就前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液之條件具體而言，可藉由溶解溶劑的種類、組成、濃度來控制所得到的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜的相對介電係數和介電損失。又，就前述本塗佈後之熱處理條件更具體而言，可藉由燒成溫度、燒成時間、升溫速度、降溫速度、燒成中之環境(氣體分率及壓力)等，來控制相對介電係數和介電損失。
進一步可利用光致原料分解及反應促進效果。又，可藉由形成膜後之退火來改變相對介電係數和介電損失，故最佳化退火溫度或環境的方法亦有效。
濺鍍法或雷射消蝕法等難以使標靶組成均一，尤其有藉由組成而製作標靶本身就很困難的情況。又，每個元素的濺鍍效率相異，故標靶生命期間內難以保持組成均一。又，因使用真空製程，故難以減少膜中的缺氧量，此係與特性的不安定息息相關。
使用前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，藉此可解決前述真空製程中的問題點，並製造均一且安定組成的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜，進而可製造安定之高性能的TFT。
前述第A元素可舉出Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te。前述第A元素可舉例如選自由Sc、Y及Ln(鑭系元素)所組成的群組的至少一種。又，前述第A元素可舉例如選自由Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種等。在這些中，以安全性或量產性、物性的觀點而言，較佳為周期表的第3族元素，特佳為Sc、Y、La、Ce、Gd、及Lu等。
前述第B元素可舉出Ga、Ti、Zr、及Hf，但以量產性、物性的觀點而言，較佳為選自由Ti、Zr、及Hf所組成的群組的至少一種，特佳為Zr、及Hf之至少一者。
前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種。
前述第2族元素可舉出Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Ra，但以安全性或量產性之觀點來看，較佳為選自由Mg、Ca、Sr及Ba所組成的群組的至少一種。
前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液較佳為在可見光區域為透明或淡黃色。
又，閘極絕緣膜係要求低漏電流。雖亦依存於AM-TFT的解析度，但要求閘極電流值Ig例如為10pA等級以下。重要的是要滿足所要求的該氧化物或氮氧化物膜的吸濕性低、非晶性高、及能帶間隙大。
接著，較佳要滿足所要求之第3族元素之含有比率高。熱處理的結果相對於成為氧化物或氮氧化物的全金屬元素數，前述第3族元素的原子總數(NA)更佳為50%以上，再更佳為75%以上。基本上，較佳為以塗佈液中金屬元素之比率係保存於絕緣膜的方式進行熱處理。
第2族元素(尤其是Sr、Ba)之比率高及吸濕性強會對膜的絕緣性造成不良的影響，故需以前述式(1)至前述式(3)的方式降低NC的比率。另一方面，以第2族元素、第3族元素、再加上第4族元素形成氧化物或氮氧化物時，存在非晶性高的組合，可抑制多結晶膜的晶界所致的漏電流。結晶相的生成係依存於熱處理製程，故可配合所要求的製程條件而適當調整塗佈液組成。有時會有非晶形膜中一部分存在奈米尺寸之微結晶(以電子線繞射可觀測到點的程度)的情形，如此膜具有與非晶形膜同等的電氣光學性特性，可視為非晶形膜。第13族元素(尤其Al及Ga)容易在第3族元素(尤其La)之間形成鈣鈦礦結晶，故較佳為避免如此組合。添加第14族元素的Si會提高非晶性，但會降低相對介電係數，故不佳。
藉由前述第2族元素及第3族元素、再加上第4族元素的組合而得到的氧化物或氮氧化物基本上為能帶間隙為3eV以上的絕緣體，有時為5eV以上的絕緣體。
因此，本塗佈液及使用本塗佈液所製作的氧化物或氮氧化物 絕緣體膜在可見光區域或近紅外線區域不具有電子轉移所形成的光吸收帶。為此，在本塗佈液及使用本塗佈液所製作的氧化物或氮氧化物絕緣體膜中，除了雜質(約數莫耳%)以外不含有第5~11族的過渡金屬元素。該等元素容易成為開殼層系的電子狀態，在前述波長區域產生d-d轉移所形成的吸收帶。因此不適合作為構成絕緣體的元素。另一方面，一部分鑭系元素元素在可見光區域或近紅外線區域具有狹窄吸收帶，但該吸收為在原子上孤立的f-f轉移，故會保持絕緣性，因此本塗佈液及使用本塗佈液所製作的氧化物或氮氧化物絕緣體膜可含有前述鑭系元素。
前述第A元素、前述第B元素、及前述第C元素係作為化合物或離子而溶解於前述溶劑，在塗佈後藉由特定熱處理而得到氧化物或氮氧化物絕緣膜。分別含有前述第A元素、前述第B元素、及前述第C元素之化合物或陰離子對及溶劑係藉由前述熱處理揮發、或藉由環境中的氧等氧化、分解為CO2、NO2、H2O等低分子，除了前述氧化物或前述氮氧化物以外的成分則釋出至膜外。
又，在本發明的塗佈液中，本塗佈液的閃點較佳為37.8℃(華氏100度)以上。更佳閃點為40℃以上。閃點的上限值並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，例如可為100℃、150℃或190℃。
又，若考慮例如輸送時溫度上升，則前述塗佈液的閃點特佳為50℃以上。
若閃點約為室溫以下，則會在常溫揮發並與空氣形成可燃性混合物，若有點火源則會引火燃燒，非常危險。閃點若為40℃以上，則充分高於一般TFT製造環境，故可安全地處理。
因此，前述塗佈液中係由選自含有由閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種作為前述溶劑。
本發明的塗佈液較佳為不含閃點為低於21℃的溶劑。
本發明的塗佈液較佳為不含二乙基醚等特殊引火物、丙酮、甲苯等第1石油類、碳數1~3的醇類。在此，「不含」並不排除 無法避免的情況。
前述塗佈液中，選自由閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的溶劑的含有量較佳為85體積%~100體積%，更佳為90體積%~100體積%，特佳為95體積%~100體積%。
又，前述塗佈液中，閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑以外的有機溶劑的含有量較佳為15體積%以下，更佳為10體積%以下，特佳為5體積%以下。
在此，閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑以外的有機溶劑可舉例如閃點為低於21℃的有機溶劑、閃點為200℃以上的有機溶劑等。
又，有機溶劑的密度因大致在0.75~1.15的範圍內，故在重量%時，其範圍係於上述體積%亦考慮到上述密度。
又，本發明的塗佈液較佳為含有第2石油類(閃點為20℃以上低於70℃)、第3石油類(閃點為70℃以上低於200℃)、及水之至少兩種類以上作為溶劑。
第2石油類中亦存在閃點為低於40℃的溶劑，但藉由適當混合第3石油類或水，可使該塗佈液的閃點為37.8℃以上，又或為40℃以上。
又，藉由適當選擇第2石油類、第3石油類、及水之至少兩種類以上並混合含有此等物質，來調整本塗佈液的黏度或表面張力，可在維持安全性下獲得所求的塗膜性。
又，第4石油類(閃點為200℃以上低於250℃)閃點較高，以安全性來看較佳，但沸點較高(一般為350℃以上)，故燒成後源自於溶劑之烴系雜質容易殘留於膜中，作為本發明的溶劑較不佳。
在此，前述特殊引火物、前述第1石油類、前述第2石油類、前述第3石油類、及前述第4石油類分別為以下所定義的用語。
前述特殊引火物是指日本消防法的第4類危險物，係集合特殊引火物之品目的類別，是指1氣壓下自燃點為100℃以下者、或閃點為零下20℃以下且沸點為40℃以下者。
前述第1石油類是指日本消防法上的第4類危險物，係集合第1石油類(1氣壓中閃點為低於21℃的液體)的品目的類別。
前述第2石油類是指日本消防法上的第4類危險物，係集合第2石油類(1氣壓中閃點為21℃以上低於70℃的液體)的品目的類別。
前述第3石油類是指日本消防法上的第4類危險物，係集合第3石油類(閃點為70℃以上低於200℃的液體)的品目的類別。
前述第4石油類是指日本消防法上的第4類危險物，係集合第4石油類(閃點為200℃以上低於250℃的液的品目的類別。
接著，前述閃點係根據ISO 3679：2004、或JIS K 2265-2：2007而以SETA密閉式(迅速平衡密閉法)來測定。
前述第2石油類(1氣壓中閃點為21℃以上低於70℃的液體)可舉例如以下溶劑。
．正癸烷：閃點為46℃
．乙醯丙酮：閃點為34℃
．對二甲苯：閃點為27℃
．均三甲苯(1,3,5-三甲基苯)：閃點為50℃
．十氫萘(decalin)：閃點為58℃
．丙二醇-1-單甲基醚：閃點為32℃
．乙二醇單甲基醚：閃點為42℃
．乙二醇單異丙基醚：閃點為46℃
．N,N-二甲基甲醯胺：閃點為58℃
．N,N-二甲基乙醯胺：閃點為63℃
．1-丁醇：閃點為37℃
．環戊醇：閃點為47℃
．1-戊醇：閃點為43℃
．異戊醇：閃點為46℃
．1-己醇：閃點為63℃
前述第3石油類(1氣壓中閃點為70℃以上低於200℃的液體)可舉例如以下溶劑。
．辛酸：閃點為118℃
．環己基苯：閃點為99℃
．γ-丁內酯：閃點為98℃
．乙二醇：閃點為111℃
．丙二醇：閃點為99℃
．甲醯胺：閃點為120℃
．1,3-二甲基-2-咪唑烷酮：閃點為107℃
．1,3-二甲基-3,4,5,6-四氫-2(1H)-嘧烷酮：閃點為121℃
前述第4石油類(1氣壓中閃點為200℃以上低於250℃的液體)可舉例如以下溶劑。
．鄰苯二甲酸二辛酯：閃點為218℃
．鄰苯二甲酸苄基丁酯：閃點為213℃
以下更詳細說明前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液。
前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液例如可將含有前述第A元素之含第A元素化合物、含有前述第B元素之含第B元素化合物、及含有前述第C元素之含第C元素化合物溶解於前述溶劑來形成。
前述含第A元素化合物可舉例如無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、金屬錯合物類等。
前述含第B元素化合物可舉例如無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、金屬錯合物類等。
前述含第C元素化合物可舉例如無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、金屬錯合物類等。
以下個別說明上述化合物。
<<含鈧化合物>>
鈧(Sc)係屬於前述第A元素。
前述含鈧化合物係屬於前述含第A元素化合物。
前述含鈧化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如有機鈧化合物、無機鈧化合物等。
-有機鈧化合物-
前述有機鈧化合物只要為具有鈧及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鈧及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的醯基氧基、可具有取代基的乙醯丙酮基等。
前述烷氧基可舉例如碳數1~6的烷氧基等。
前述醯基氧基可舉例如碳數1~10的醯基氧基等。
前述取代基可舉例如鹵素、四氫呋喃基等。
前述有機鈧化合物可舉例如2-乙基己酸鈧、異丙氧化鈧、乙醯丙酮鈧等。
-無機鈧化合物-
前述無機鈧化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如含氧酸鈧、鹵素化鈧等。
前述含氧酸鈧可舉例如硝酸鈧、碳酸鈧等。
前述鹵素化鈧可舉出氟化鈧、氯化鈧、溴化鈧、碘化鈧等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸鈧、鹵素化鈧，更佳為硝酸鈧、氯化鈧。
前述硝酸鈧並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硝酸鈧的水合物等。前述硝酸鈧的水合物可舉例如硝酸鈧五水合物等。
前述氯化鈧並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鈧的無水物或水合物等。前述氯化鈧的水合物可舉例如氯化鈧六水合物等。
該等含鈧化合物可使用合成者或市售品。
<<含釔化合物>>
釔(Y)係屬於前述第A元素。
前述含釔化合物係屬於前述含第A元素化合物。
前述含釔化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可 舉例如有機釔化合物、無機釔化合物等。
-有機釔化合物-
前述有機釔化合物只要為具有釔及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述釔及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機鈧化合物之說明中所例示的前述有機基等。
前述有機釔化合物可舉例如2-乙基己酸釔、異丙氧化釔、乙醯丙酮釔等。
-無機釔化合物-
前述無機釔化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如含氧酸釔、鹵素化釔等。
前述含氧酸釔可舉例如硝酸釔、硫酸釔、碳酸釔、磷酸釔等。
前述鹵素化釔可舉例如氟化釔、氯化釔、溴化釔、碘化釔等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸釔、鹵素化釔，更佳為硝酸釔、氯化釔。
前述硝酸釔並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硝酸釔的水合物等。前述硝酸釔的水合物可舉例如硝酸釔六水合物等。
前述氯化釔並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化釔酐、氯化釔的水合物等。前述氯化釔的水合物可舉例如氯化釔六水合物等。
該等含釔化合物可使用合成者或市售品。
<<含鑭系元素化合物>>
鑭系元素(Ln)係屬於前述第A元素。
前述含鑭系元素化合物係屬於前述含第A元素化合物。
作為前述含鑭系元素化合物的代表，說明其一例之含鑭化合物、含鈰化合物、含鎦化合物。
<<<含鑭化合物>>>
鑭(La)為鑭系元素(Ln)的一例。
鑭(La)係屬於前述第A元素。
前述含鑭化合物係屬於前述含第A元素化合物。
前述含鑭化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如有機鑭化合物、無機鑭化合物等。
-有機鑭化合物-
前述有機鑭化合物只要為具有鑭及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鑭及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機鈧化合物之說明中所例示的前述有機基等。
前述有機鑭化合物可舉例如2-乙基己酸鑭、異丙醇鑭、乙醯丙酮鑭等。
-無機鑭化合物-
前述無機鑭化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如含氧酸鑭、鹵素化鑭等。
前述含氧酸鑭可舉例如硝酸鑭、硫酸鑭、碳酸鑭、磷酸鑭等。
前述鹵素化鑭可舉例如氟化鑭、氯化鑭、溴化鑭、碘化鑭等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸鑭、鹵素化鑭，更佳為硝酸鑭、氯化鑭。
前述硝酸鑭並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硝酸鑭的水合物等。前述硝酸鑭的水合物可舉例如硝酸鑭四水合物、硝酸鑭六水合物等。
前述氯化鑭並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鑭酐、氯化鑭的水合物等。前述氯化鑭的水合物可舉例如氯化鑭七水合物等。
該等含鑭化合物可使用合成者或市售品。
<<<含鈰化合物>>>
鈰(Ce)為鑭系元素(Ln)的一例。
鈰(Ce)係屬於前述第A元素。
前述含鈰化合物係屬於前述含第A元素化合物。
前述含鈰化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如有機鈰化合物、無機鈰化合物等。
-有機鈰化合物-
前述有機鈰化合物只要為具有鈰及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鈰及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機鈧化合物之說明中所例示的前述有機基等。
前述有機鈰化合物可舉例如2-乙基己酸鈰、異丙氧化鈰、乙醯丙酮鈰等。
-無機鈰化合物-
前述無機鈰化合物並無特別限制，可依據目的地適宜選擇，可舉例如含氧酸鈰、鹵素化鈰等。
前述含氧酸鈰可舉例如硝酸鈰、硫酸鈰、碳酸鈰、草酸鈰等。
前述鹵素化鈰可舉例如氟化鈰、氯化鈰、溴化鈰、碘化鈰等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸鈰、鹵素化鈰，更佳為硝酸鈰、氯化鈰。
前述硝酸鈰並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硝酸鈰的水合物等。前述硝酸鈰的水合物可舉例如硝酸鈰六水合物等。
前述氯化鈰並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鈰酐、氯化鈰的水合物等。前述氯化鈰的水合物可舉例如氯化鈰七水合物等。
該等含鈰化合物可使用合成者或市售品。
<<<含鎦化合物>>>
鎦(Lu)為鑭系元素(Ln)的一例。
鎦(Lu)係屬於前述第A元素。
前述含鎦化合物係屬於前述含第A元素化合物。
前述含鎦化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如有機鎦化合物、無機鎦化合物等。
-有機鎦化合物-
前述有機鎦化合物只要為具有鎦及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鎦及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機鈧化合物之說明中所例示的前述有機基等。
前述有機鎦化合物可舉例如2-乙基己酸鎦、異丙氧化鎦、乙醯丙酮鎦等。
-無機鎦化合物-
前述無機鎦化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如含氧酸鎦、鹵素化鎦等。
前述含氧酸鎦可舉例如硝酸鎦、硫酸鎦、碳酸鎦、草酸鎦等。
前述鹵素化鎦可舉例如氟化鎦、氯化鎦、溴化鎦、碘化鎦等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸鎦、鹵素化鎦，更佳為硝酸鎦、氯化鎦。
前述硝酸鎦並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硝酸鎦的水合物等。前述硝酸鎦的水合物可舉例如硝酸鎦六水合物等。
前述氯化鎦並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鎦酐、氯化鎦的水合物等。前述氯化鎦的水合物可舉例如氯化鎦六水合物等。
該等含鎦化合物可使用合成者或市售品。
<<含鋯化合物>>
鋯(Zr)係屬於前述第B元素。
前述含鋯化合物係屬於前述含第B元素化合物。
前述含鋯化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如有機鋯化合物、無機鋯化合物等。
-有機鋯化合物-
前述有機鋯化合物只要為具有鋯及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鋯及前述有機基係 以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機鈧化合物之說明中所例示的前述有機基等。
前述有機鋯化合物可舉例如2-乙基己酸鋯、異丙醇鋯、乙醯丙酮鋯等。
-無機鋯化合物-
前述無機鋯化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如含氧酸鋯、鹵素化鋯等。
前述含氧酸鋯可舉例如硝酸氧化鋯、硫酸鋯、碳酸鋯、氫氧化鋯等。
前述鹵素化鋯可舉例如氟化鋯、氯化鋯、溴化鋯、碘化鋯等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸鋯、鹵素化鋯，更佳為硝酸氧化鋯、氯化鋯。
前述硝酸氧化鋯並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硝酸氧化鋯的水合物等。前述硝酸氧化鋯的水合物可舉例如硝酸氧化鋯二水合物等。
前述氯化鋯並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鋯酐、氯化鋯水合物等。
該等含鋯化合物可使用合成者或市售品。
<<含鉿化合物>>
鉿(Hf)係屬於前述第B元素。
前述含鉿化合物係屬於前述含第B元素化合物。
前述含鉿化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如有機鉿化合物、無機鉿化合物等。
-有機鉿化合物-
前述有機鉿化合物只要為具有鉿及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鉿及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機鈧化合物之說明中所例示的前述有機基等。
前述有機鉿化合物可舉例如2-乙基己酸鉿、丁氧基鉿、乙醯丙酮鉿等。
-無機鉿化合物-
前述無機鉿化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如含氧酸鉿、鹵素化鉿等。
前述含氧酸鉿可舉例如硫酸鉿等。
前述鹵素化鉿可舉例如氟化鉿、氯化鉿、溴化鉿、碘化鉿等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸鉿、鹵素化鉿，更佳為硫酸鉿、氯化鉿。
前述氯化鉿並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鉿酐、氯化鉿四氫呋喃錯合物等。
該等含鉿化合物可使用合成者或市售品。
<<含鉍化合物>>
鉍(Bi)係屬於前述第A元素。
前述含鉍化合物係屬於前述含第A元素化合物。
前述含鉍化合物並無特別限制，可依據目的適宜選擇，可舉例如有機鉍化合物、無機鉍化合物等。
-有機鉍化合物-
前述有機鉍化合物只要為具有鉍及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鉍及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如可具有取代基的烷氧基、可具有取代基的醯基氧基、可具有取代基的乙醯丙酮基等。前述烷氧基可舉例如碳數1~6的烷氧基等。前述醯基氧基可舉例如碳數1~10的醯基氧基等。
前述取代基可舉例如鹵素、四氫呋喃基等。
前述有機鉍化合物可舉例如三苯基鉍、2-乙基己酸鉍、乙醯丙酮鉍等。
-無機鉍化合物-
前述無機鉍化合物並無特別限制，可依據目的適宜 地選擇，可舉例如含氧酸鉍、鹵素化鉍、氫氧化鉍等。
前述含氧酸鉍可舉例如硝酸鉍、硫酸鉍、乙酸鉍等。
前述鹵素化鉍可舉例如氟化鉍、氯化鉍、溴化鉍、碘化鉍等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看，較佳為含氧酸鉍、鹵素化鉍，更佳為硝酸鉍、氯化鉍。
前述硝酸鉍並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硝酸鉍的水合物等。前述硝酸鉍的水合物可舉例如硝酸鉍五水合物等。
前述硫酸鉍並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硫酸鉍酐等。
前述氯化鉍並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鉍酐等。
該等含鉍化合物可使用合成者或市售品。
<<含鈦化合物>>
鈦(Ti)係屬於前述第B元素。
前述含鈦化合物係屬於前述含第B元素化合物。
前述含鈦化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如有機鈦化合物、無機鈦化合物等。
-有機鈦化合物-
前述有機鈦化合物只要為具有鈦及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鈦及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機銦化合物之說明中所例示前述有機基等。
前述有機鈦化合物可舉例如2-乙基己酸鈦、異丙醇鈦、乙醯丙酮鈦等。
-無機鈦化合物-
前述無機鈦化合物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如含氧酸鈦、鹵素化鈦等。
前述含氧酸鈦可舉例如硫酸鈦、硫酸氧化鈦等。
前述鹵素化鈦可舉例如氟化鈦、氯化鈦、溴化鈦、碘化鈦等。
在這些中，以相對於各種溶劑之溶解度較高此點來看較佳為含氧酸鈦、鹵素化鈦，更佳為硫酸鈦、氯化鈦。
前述硫酸鈦並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如硫酸鈦酐等。
前述氯化鈦並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如氯化鈦酐等。
該等含鈦化合物可使用合成者或市售品。
以上詳細說明了有關於鈧(Sc)、釔(Y)、鑭系元素〔鑭(La)、鈰(Ce)、釕(Lu)〕、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鉍(Bi)、鈦(Ti)、以及含有這些物質的化合物。相同的說明例如在銻(Sb)、碲(Te)、Ga(鎵)亦同。
前述第C元素係Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Ra之至少一者。
前述含第C元素化合物係含有前述第C元素。
前述含第C元素化合物可舉例如無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、金屬錯合物類等。
前述含第C元素化合物可舉例如有機鹼土類金屬化合物、無機鹼土類金屬化合物等。前述含有鹼土類金屬的化合物中的鹼土類金屬可舉出Mg(鎂)、Ca(鈣)、Sr(鍶)、Ba(鋇)、Ra(鐳)。
-有機鹼土類金屬化合物-
前述有機鹼土類金屬化合物只要為具有鹼土類金屬及有機基的化合物則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述鹼土類金屬及前述有機基係以例如離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。
前述有機基並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如前述有機鈧化合物之說明中所例示的前述有機基等。
前述有機鹼土類金屬化合物可舉例如甲醇鎂、乙醇鎂、二乙基鎂、乙酸鎂、甲酸鎂、乙醯丙酮鎂、2-乙基己酸鎂、乳酸鎂、環烷酸鎂、檸檬酸鎂、水楊酸鎂、安息香酸鎂、草酸鎂、 三氟甲烷磺酸鎂、甲醇鈣、乙醇鈣、乙酸鈣、甲酸鈣、乙醯丙酮鈣、二(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈣、2-乙基己酸鈣、乳酸鈣、環烷酸鈣、檸檬酸鈣、水楊酸鈣、新癸酸鈣、安息香酸鈣、草酸鈣、異丙醇鍶、乙酸鍶、甲酸鍶、乙醯丙酮鍶、2-乙基己酸鍶、乳酸鍶、環烷酸鍶、新癸酸鍶、水楊酸鍶、草酸鍶、乙醇鋇、異丙醇鋇、乙酸鋇、甲酸鋇、乙醯丙酮鋇、2-乙基己酸鋇、乳酸鋇、環烷酸鋇、新癸酸鋇、草酸鋇、安息香酸鋇、三氟甲烷磺酸鋇等。
-無機鹼土類金屬化合物-
前述無機鹼土類金屬化合物可舉例如鹼土類金屬硝酸鹽、鹼土類金屬硫酸鹽、鹼土類金屬氯化物、鹼土類金屬氟化物、鹼土類金屬溴化物、鹼土類金屬碘化物等。
前述鹼土類金屬硝酸鹽可舉例如硝酸鎂、硝酸鈣、硝酸鍶、硝酸鋇等。
前述鹼土類金屬硫酸鹽可舉例如硫酸鎂、硫酸鈣、硫酸鍶、硫酸鋇等。
前述鹼土類金屬氯化物可舉例如氯化鎂、氯化鈣、氯化鍶、氯化鋇等。
前述鹼土類金屬氟化物可舉例如氟化鎂、氟化鈣、氟化鍶、氟化鋇等。
前述鹼土類金屬溴化物可舉例如溴化鎂、溴化鈣、溴化鍶、溴化鋇等。
前述鹼土類金屬碘化物可舉例如碘化鎂、碘化鈣、碘化鍶、碘化鋇等。
該等含第C元素化合物可使用合成者或市售品。
<<溶劑>>
前述溶劑並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如水、有機溶劑、無機酸等。在這些中，較佳為有機溶劑。
<<<有機溶劑>>>
前述有機溶劑可依據目的適宜地選擇，但較佳為選自由有機酸、有機酸酯、芳香族化合物、二醇、二醇醚、非質子 性極性溶劑、烷烴化合物、烯烴化合物、醚化合物、及醇所組成的群組的至少一種。
-有機酸-
前述有機酸可依據目的適宜地選擇。較佳為例如乙酸、乳酸、丙酸、辛酸、新癸酸及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-有機酸酯-
前述有機酸酯可依據目的適宜地選擇。較佳為例如乳酸甲酯、丙酸丙酯、及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-芳香族化合物-
前述芳香族化合物可依據目的適宜地選擇。較佳為例如二甲苯、均三甲苯、四氫化萘及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-二醇-
前述二醇可依據目的適宜地選擇，較佳為烷二醇、二亞烷基二醇。前述二醇的碳數較佳為2~6。前述二醇較佳為選自由二乙二醇、1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、及1,3-丁二醇所組成的群組的至少一種。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-二醇醚-
前述二醇醚可依據目的適宜地選擇，較佳為亞烷基二醇單烷基醚。前述二醇醚的碳數較佳為3~8。
前述亞烷基二醇單烷基醚較佳為乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇1-單甲基醚、及丙二醇1-單丁基醚之至少一者。該等亞烷基二醇單烷基醚的沸點約為120℃~180℃，可為較低燒成溫度及較短燒成時間。又，燒成後可得到碳及有機物等雜質少之氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-非質子性極性溶劑-
前述非質子性極性溶劑可充分溶解原料化合物，且溶解後的安定性高，故將前述非質子性極性溶劑使用於前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，藉此可得到均一性高且缺陷少之氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜。
前述非質子性極性溶劑可依據目的適宜地選擇。較佳為例如異佛爾酮、碳酸丙酯、二氫呋喃-2(3H)-酮(γ-丁內酯)、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-烷烴化合物-
前述烷烴化合物可依據目的適宜地選擇。較佳為例如正壬烷、癸烷、十四烷、十氫萘及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-烯烴化合物-
前述烯烴化合物可依據目的適宜地選擇。較佳為例如1-十二烯，1-十四烯、及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-醚化合物-
前述醚化合物可依據目的適宜地選擇。較佳為例如苯并呋喃、聚乙二醇及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
-醇-
前述醇只要為碳數4以上則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為例如1-丁醇、環戊醇、2-己醇及該些中的衍生物等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
<<<無機酸>>>
前述無機酸可依據目的適宜地選擇。較佳為例如硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、氟酸等。
在這些中，可單獨使用一種或併用兩種以上。
在這些中，可提高前述無機鹽之溶解度。
在前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中，前述含第A元素化合物、前述含第B元素化合物、及前述含第C元素化合物較佳為溶解於前述溶劑。
<用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液的製作方法>
前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液的製作方法並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如將含有各元素的化合物或其溶液、及前述溶劑以所求的比例混合的方法等。
本發明之前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液係適於用以製作氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，尤其滿足前述式(1)或(2)之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液係適於用以製作場效電晶體之閘極絕緣層的塗佈液。
(氧化物或氮氧化物絕緣體膜)
在本發明之氧化物或氮氧化物絕緣體膜的一態樣中，係將本發明之前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液塗佈於被塗物，乾燥後進行燒成來獲得。
本發明之氧化物或氮氧化物絕緣體膜的一態樣係本發明之前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液的燒成物。
前述氧化物或氮氧化物絕緣體膜可藉由例如以下本發明之氧化物或氮氧化物絕緣體膜的製造方法來得到。
(氧化物或氮氧化物絕緣體膜的製造方法)
在本發明之氧化物或氮氧化物絕緣體膜的製造方法中，將本發明之前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液塗佈於被塗物，乾燥後進行燒成。
使用滿足前述式(1)或(2)之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液作為前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗 佈液時，可得到特別適合於場效電晶體之閘極絕緣層的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜。
前述被塗物並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如玻璃基礎材料、塑膠基礎材料等。
又，將前述氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜使用於場效電晶體的活性層時，前述被塗物可舉例如基礎材料、活性層等。前述基礎材料的形狀、構造、及大小並無特別限制，可依據目的適宜地選擇。前述基礎材料的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如玻璃基礎材料、塑膠基礎材料等。
前述塗佈的方法並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如網版印刷法、輥塗覆法、浸塗覆法、旋轉塗覆法、模塗覆法、噴墨法、奈米壓印法等。在這些中，以容易與現有光微影技術組合此點來看，較佳為旋轉塗覆法及模塗覆法。
前述乾燥只要為可去除前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中之揮發成分的條件，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。又，前述乾燥中不需完全去除揮發成分，只要在不阻礙燒成下去除揮發成分即可。
前述燒成溫度只要是在前述本塗佈液所含金屬元素形成氧化物的溫度以上且基礎材料(塗佈對象物)的熱變形溫度以下，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為150℃~600℃。
前述燒成的環境並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為例如氧中或空氣中等含氧環境。藉此可將金屬元素的化合物或溶劑中所含有機物或陰離子氧化或氣化等，而由膜中去除。又，在氮中或氨蒸氣中等含氮環境下燒成，藉此可於膜中加入氮，可形成氮氧化物膜，並控制相對介電係數、熱膨張係數等膜物性。
前述燒成時間並無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
所形成之氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為1nm~500nm，更佳為10nm~300nm，特佳為50nm~200nm。
所形成之氧化物或氮氧化物絕緣體膜在可見光區域或近紅外線區域不具有電子轉移所形成的光吸收帶。因本絕緣體膜的表面、或鄰接的層或基礎材料的界面中之表面粗度或折射率差等關係，會產生光散射等而造成光穿透率降低，惟本質為透明。但存在鑭系元素元素之f-f轉移所形成的狹窄吸收帶亦可。
(場效電晶體)
本發明的場效電晶體至少具有閘極電極、源極電極、汲極電極、活性層、以及閘極絕緣層，進一步視需要具有層間絕緣層等其他構件。
本發明的場效型電晶體例如可藉由後述本發明的場效電晶體的製造方法來製造。
<閘極電極>
前述閘極電極只要為用以施加閘極電壓的電極則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
前述閘極電極的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如鉑、鈀、金、銀、銅、鋅、鋁、鎳、鉻、鉭、鉬、鈦等的金屬、該等金屬的合金、該等金屬的混合物等。又，可舉出氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化鈮等的導電性氧化物、該等導電性氧化物的複合化合物、該等導電性氧化物的混合物等。
前述閘極電極的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為40nm~2μm，更佳為70nm~1μm。
<閘極絕緣層>
前述閘極絕緣層在一態樣中，於前述閘極電極與前述活性層之間所形成的氧化物或氮氧化物絕緣體係由塗佈本發明之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液所形成的氧化物絕緣體膜或氮氧化物絕緣體膜構成。
又，前述閘極絕緣層在其他一態樣中，由在前述閘極電極與前述活性層之間所形成的氧化物或氮氧化物絕緣體膜形成的閘極絕緣層係本發明的前述氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
前述閘極絕緣層的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜 地選擇，較佳為10nm~1μm，更佳為30nm~300nm。
<源極電極及汲極電極>
前述源極電極、及前述汲極電極並無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
前述源極電極及前述汲極電極的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如與在前述閘極電極之說明中所記載的材質相同的材質。
前述源極電極及前述汲極電極的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為40nm~2μm，更佳為70nm~1μm。
<活性層>
前述活性層係在前述源極電極與前述汲極電極之間形成之半導體所構成的活性層。前述半導體並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如矽半導體、氧化物半導體等。在這些中，特佳為氧化物半導體。
前述矽半導體可舉例如非晶質矽、多結晶矽等。
前述氧化物半導體可舉例如InGa-Zn-O、In-Zn-O、In-Mg-O等。
前述活性層的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為1nm~200nm，更佳為5nm~100nm。
前述場效電晶體的構造並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如底閘極/底接觸式型(圖1)、底閘極/頂接觸式型(圖2)、頂閘極/底接觸式型(圖3)、頂閘極/頂接觸式型(圖4)等。
又，於圖1至圖4中，1表示基礎材料，2表示閘極電極，3表示閘極絕緣層，4表示源極電極，5表示汲極電極，6表示活性層。
本發明的場效電晶體可適合使用於液晶顯示器、有機EL顯示器、電致變色顯示器等像素驅動電路及邏輯電路用的場效電晶體。
(場效電晶體的製造方法)
本發明的場效電晶體的製造方法(第1製造方法)具有以下步驟：形成閘極電極之閘極電極形成步驟；於前述閘極電極上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；於前述閘極絕緣層上分開形成源極電極及汲極電極之源極電極及汲極電極形成步驟；以及於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域且於前述閘極絕緣層上形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟。
又，本發明的場效電晶體的製造方法(第2製造方法)具有以下步驟：分開形成源極電極及汲極電極之源極電極及汲極電極形成步驟；於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域且前述基礎材料上形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟；於前述活性層上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；以及於前述閘極絕緣層上形成閘極電極之閘極電極形成步驟。
又，本發明的場效電晶體的製造方法(第3製造方法)具有以下步驟：形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟；於前述活性層上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；於前述閘極絕緣層上形成閘極電極之閘極電極形成步驟；於前述閘極電極層上形成層間絕緣層之層間絕緣層形成步驟；於前述閘極絕緣層或前述層間絕緣層上形成通孔之通孔形成步驟；以及於前述層間絕緣層上形成源極電極及汲極電極之源極電極/汲極電極形成步驟。
<第1製造方法>
說明前述第1製造方法。
-閘極電極形成步驟-
前述閘極電極形成步驟只要為形成閘極電極的步驟則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如(i)以濺鍍法、浸塗層法等成膜後藉由光微影圖案化的步驟，(ii)藉由噴墨、奈米壓印、凹版等印刷製程直接成膜所求的形狀的步驟等。
前述閘極電極例如形成於基礎材料上。
前述基礎材料的形狀、構造、及大小並無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
前述基礎材料並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如玻璃基礎材料、塑膠基礎材料等。
前述玻璃基礎材料的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如無鹼玻璃、二氧化矽玻璃等。
前述塑膠基礎材料的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等。
又，以表面清淨化及提高密著性的觀點來看，前述基礎材料較佳為進行氧電漿、UV臭氧、UV照射洗淨等前處理。
-閘極絕緣層形成步驟-
前述閘極絕緣層形成步驟只要為於前述閘極電極上塗佈本發明之前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體所構成之閘極絕緣層之步驟，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
前述閘極絕緣層形成步驟中，較佳為藉由調整前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中之前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)，控制前述氧化物或氮氧化物絕緣體的相對介電係數、結晶相、及結晶化溫度之至少一者。藉此可得到具有所求的特性(例如臨界電壓)的場效電晶體。
前述閘極絕緣層形成步驟中，前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液較佳為含有前述有機溶劑，並藉由 調整前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中之前述有機溶劑的成分混合比，控制前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液的黏度。又，為了獲得所求的膜厚、表面形狀、塗佈特性，可追加其他溶劑或調整濃度。藉此可得到塗佈性優異且成膜狀態良好的場效電晶體。
塗佈前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液而形成氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體的方法並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如將前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液塗佈於形成有前述閘極電極層的前述基礎材料，乾燥後燒成的方法。
前述塗佈的方法並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如網版印刷法、輥塗覆法、浸塗覆法、旋轉塗覆法、模塗覆法、噴墨法、奈米壓印法等。在這些中，於場效電晶體的製造中，以容易與現有光微影技術組合此點來看，較佳為旋轉塗覆法及模塗覆法。
前述乾燥只要為可去除前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中之揮發成分的條件，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。又，前述乾燥中無需完全去除揮發成分，可以在不阻礙燒成的程度下去除揮發成分。
前述燒成的溫度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為150℃~600℃。
-源極電極/汲極電極形成步驟-
前述源極電極/汲極電極形成步驟只要為於前述閘極絕緣層上分開形成源極電極及汲極電極的步驟則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如(i)以濺鍍法、浸塗層法等成膜後藉由光微影圖案化的步驟，(ii)藉由噴墨、奈米壓印、凹版等印刷製程直接成膜所求的形狀的步驟等。
-活性層形成步驟-
前述活性層形成步驟只要為於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域且於前述閘極絕緣層上形成由半導體構 成的活性層的步驟，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如(i)以濺鍍法、浸塗層法等成膜後藉由光微影圖案化的步驟，(ii)藉由噴墨、奈米壓印、凹版等印刷製程直接成膜所求的形狀的步驟等。
前述第1製造方法中，不限制前述源極電極及汲極電極形成步驟、以及前述活性層形成步驟的順序，而可在前述源極電極及汲極電極形成步驟之後進行前述活性層形成步驟，或在前述活性層形成步驟之後進行前述源極電極及汲極電極形成步驟。
前述第1製造方法中，若在前述源極電極及汲極電極形成步驟之後進行前述活性層形成步驟，則可製造底閘極/底接觸式型的場效電晶體。
前述第1製造方法中，若在前述活性層形成步驟之後進行前述源極電極及汲極電極形成步驟，則可製造底閘極/頂接觸式型的場效電晶體。
在此參照圖5A至圖5D說明底閘極/底接觸式型之場效電晶體的製造方法。
首先於玻璃基板等所構成的基礎材料1上以濺鍍法等形成鋁等所構成的導電體膜，將所形成導電體膜以光微影圖案化，藉此形成閘極電極2(圖5A)。
接著以覆蓋前述閘極電極2的方式在前述閘極電極2及前述基礎材料1上以旋轉塗覆法等塗佈前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，進行熱處理來形成氧化物或氮氧化物絕緣體所構成的閘極絕緣層3(圖5B)。
接著在前述閘極絕緣層3上以濺鍍法等形成ITO等所構成的導電體膜，將所形成導電體膜以蝕刻圖案化，藉此形成源極電極4及汲極電極5(圖5C)。
接著以覆蓋前述源極電極4與前述汲極電極5之間所形成的通道區域的方式，在前述閘極絕緣層3上以濺鍍法等形成IGZO等所構成的半導體膜，將所形成半導體膜以蝕刻圖案化，藉此形 成活性層6(圖5D)。
用以上方式製造場效電晶體。
<第2製造方法>
說明前述第2製造方法。
-源極電極及汲極電極形成步驟-
前述源極電極及汲極電極形成步驟只要為分開形成源極電極及汲極電極的步驟則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉出與前述第1製造方法之前述源極電極及汲極電極形成步驟中所例示之步驟相同的步驟。
前述閘極電極例如形成於基礎材料上。
前述基礎材料並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如與前述第1製造方法中所例示之基礎材料相同的基礎材料。
-活性層形成步驟-
前述活性層形成步驟只要為於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域且於前述閘極絕緣層上形成由半導體構成的活性層的步驟，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如(i)以濺鍍法、浸塗層法等成膜後藉由光微影圖案化的步驟，(ii)藉由噴墨、奈米壓印、凹版等印刷製程直接成膜所求的形狀的步驟等。
-閘極絕緣層形成步驟-
前述閘極絕緣層形成步驟只要為於前述閘極電極上塗佈本發明之前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成的閘極絕緣層的步驟，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
-閘極電極形成步驟-
前述閘極電極形成步驟只要為於前述閘極絕緣層上形成閘極電極的步驟則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如與前述第1製造方法之前述閘極電極形成步驟中所例示之步驟相同的步驟。
前述第2製造方法中，不限制前述源極電極及汲極 電極形成步驟、以及前述活性層形成步驟之順序，而可在前述源極電極及汲極電極形成步驟之後進行前述活性層形成步驟，或在前述活性層形成步驟之後進行前述源極電極及汲極電極形成步驟。
前述第2製造方法中，若在前述源極電極及汲極電極形成步驟之後進行前述活性層形成步驟，則可製造頂閘極/底接觸式型的場效電晶體。
前述第2製造方法中，若在前述活性層形成步驟之後進行前述源極電極及汲極電極形成步驟，則可製造頂閘極/頂接觸式型的場效電晶體。
<第3製造方法>
說明前述第3製造方法。
-活性層形成步驟-
前述活性層形成步驟只要為於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域且於前述閘極絕緣層上形成活性層的步驟，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如(i)以濺鍍法、浸塗層法等成膜後藉由光微影圖案化的步驟，(ii)藉由噴墨、奈米壓印、凹版等印刷製程直接成膜所求的形狀的步驟等。
-閘極絕緣層形成步驟-
前述閘極絕緣層形成步驟只要為於前述閘極電極上塗佈本發明之前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成的閘極絕緣層的步驟，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
-閘極電極形成步驟-
前述閘極電極形成步驟只要為於前述閘極絕緣層上形成閘極電極的步驟則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如與前述第1製造方法之前述閘極電極形成步驟中所例示之步驟相同的步驟。
-層間絕緣層形成步驟-
前述層間絕緣層形成步驟只要為於前述閘極絕緣層 上及閘極電極上形成層間絕緣層的步驟則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如(i)以濺鍍法、CVD法、旋轉塗覆法等成膜後，藉由光微影圖案化的步驟，(ii)藉由噴墨、奈米壓印、凹版等印刷製程直接成膜所求的形狀的步驟等。本步驟中為了在下個步驟使活性層與源極/汲極電極電性連接，於前述連接區域之層間絕緣膜開一通孔(詳細參照後述通孔形成步驟)。
前述層間絕緣層的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如無機絕緣材料、有機絕緣材料等。
前述無機絕緣材料可舉例如氧化矽、氧化鋁、氧化鉭、氧化鈦、氧化釔、氧化鑭、氧化鉿、氧化鋯、氮化矽、氮化鋁、該等材料的混合物等。
前述有機絕緣材料可舉例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇、酚醛清漆樹脂等。
前述層間絕緣層的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為30nm~3μm，更佳為100nm~1μm。
-通孔形成步驟-
前述通孔形成步驟只要是在前述閘極絕緣層及前述層間絕緣層之至少一者形成通孔的步驟，則無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
前述通孔係以通到前述活性層的方式形成。
前述通孔係於前述層間絕緣層上形成用以使閘極電極及汲極電極與前述活性層相接的穴。
前述通孔係對應於前述閘極電極及前述汲極電極而至少形成兩個。
-源極電極及汲極電極形成步驟-
前述源極電極及汲極電極形成步驟只要是分開形成源極電極及汲極電極的步驟則無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉出與前述第1製造方法之前述源極電極及汲極電極形成步驟中所例示之步驟相同的步驟。本步驟中係使活性層與源極/汲極電極電性連接。
圖6是表示前述第3製造方法所製造之場效電晶體的一例。
圖6所示場效電晶體係頂閘極/ILD的場效電晶體。
在圖6中，符號1表示基礎材料，符號2表示閘極電極，符號3表示閘極絕緣層，符號4表示源極電極，符號5表示汲極電極，符號6表示活性層，符號7表示第1層間絕緣層，符號8表示第2層間絕緣層，符號9表示第3層間絕緣層，符號S表示通孔。
(半導體元件)
本發明之半導體元件的一態樣係具有本發明之前述氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
本發明之半導體元件的其他一態樣係在絕緣體層具有本發明之前述氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
前述半導體元件可舉例如二極體、場效電晶體、發光元件、光電轉換元件等。
<二極體>
前述二極體並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如具有第一電極、第二電極、在前述第一電極與前述第二電極之間形成的前述活性層、及前述絕緣體層的二極體等。如此二極體可舉例如PIN光電二極體等。
-PIN接合二極體-
前述PIN接合二極體至少具有前述活性層與前述絕緣體層，進一步視需要具有陽極(anode)、陰極(cathode)等其他構件。
--活性層--
前述活性層至少具有p型半導體層及n型半導體層，進一步視需要具有其他構件。
前述p型半導體層與前述n型半導體層相接。
---p型半導體層---
前述p型半導體層的材質並無特別限制，可依據目 的適宜地選擇。
前述p型半導體層的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為50nm~2,000nm。
---n型半導體層---
前述n型半導體層的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為50nm~2,000nm。
---絕緣體層---
前述絕緣體層係本發明之前述氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
前述氧化物或氮氧化物絕緣體膜的平均厚度並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，較佳為50nm~2,000nm。
--陽極--
前述陽極係接於前述p型半導體層。
前述陽極的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如Mo、Al、Au、Ag、Cu等金屬或該等金屬的合金、氧化銦錫(ITO)、銻摻雜氧化錫(ATO)等透明導電性氧化物、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)，聚苯胺(PANI)等有機導電體等。
前述陽極的形狀、大小、構造並無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
前述陽極係相接於前述p型半導體層而設置，較佳為在該陽極與該p型半導體層之間形成歐姆接觸。
前述陽極的形成方法並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如(i)以濺鍍法、浸塗層法等成膜後，藉由光微影圖案化的方法，(ii)以噴墨印刷、奈米壓印、凹版等印刷製程直接成膜所求的形狀的方法等。
--陰極--
前述陰極的材質並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如與前述陽極之說明中所記載的材質相同的材質等。
前述陰極的形狀、大小、構造並無特別限制，可依據目的適宜地選擇。
前述陰極係相接於前述n型半導體層而設置，較佳為在該陰極與該n型半導體層之間形成歐姆接觸。
前述陰極之形成方法並無特別限制，可依據目的適宜地選擇，可舉例如與前述陽極之說明中所記載形成方法相同之方法等。
(實施例)
以下，說明本發明的實施例，但本發明並不限定於下述實施例。
(實施例1-1)
<用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液的製作>
準備2-乙基己酸鉍2-乙基己酸溶液(Bi：25質量%)及2-乙基己酸鉿2-乙基己酸溶液(Hf：24質量%)，以各金屬元素成為60mmol及40mmol的方式秤量，於燒瓶混合。進一步以溶劑總量整體成為1000mL的方式添加2-乙基己酸(辛酸)，於室溫混合溶解，來製作用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液。
(實施例1-2~1-6)
以與實施例1-1相同的方法製作實施例1-2~1-6之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液。表1表示實施例1-1~1-6之原料組成。任一印墨在可視域皆為透明。
Figure 106141689-A0202-12-0038-1
(實施例2-1~2-12)
以與實施例1-1相同的方法製作實施例2-1~2-12之 用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液。表2表示實施例2-1~2-12之原料組成。任一印墨在可視域皆為透明。
Figure 106141689-A0202-12-0039-2
(比較例1-1~1-3)
以與實施例1-1相同的方法製作比較例1-1~1-3之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液。表3表示比較例1-1~1-3之原料組成。比較例1-1及比較例1-3之印墨(3-1及3-3)在可視域為透明，但比較例1-2之印墨(3-2)呈藍色。
Figure 106141689-A0202-12-0039-3
在表1、表2、及表3中，各種原料、溶劑的名稱如下。又，以下例示可使用作為原料者。
<原料A>
Sc(NO3)3．5H2O：硝酸鈧五水合物
Ce(C8H15O2)3：2-乙基己酸鈰
Ce(NO3)3．6H2O：硝酸鈰六水合物
Ce(CH3COO)3．H2O：乙酸鈰一水合物
Y(C8H15O2)3：2-乙基己酸釔
Y(C10H19O2)3：新癸酸釔
YCl3．6H2O：氯化釔六水合物
Y(NO3)3．6H2O：硝酸釔六水合物
Y(CH3COO)3．4H2O：乙酸釔四水合物
La(C8H15O2)3：2-乙基己酸鑭
LaCl3．6H2O：氯化鑭六水合物
La(NO3)3．6H2O：硝酸鑭六水合物
La(CH3COO)3：乙酸鑭
Nd(C8H15O2)3：2-乙基己酸釹
Nd(C10H19O2)3：新癸酸釹
Lu(NO3)3．H2O：硝酸鎦一水合物
Sb(C6H5)3：三苯基銻
Bi(C8H15O2)3：2-乙基己酸鉍
Bi(NO3)3．5H2O：硝酸鉍五水合物
TeCl4：氯化碲
但Bi(C8H15O2)3、Ce(C8H15O2)3、及Nd(C8H15O2)3係使用2-乙基己酸(辛酸)溶液。
但La(C8H15O2)3係使用二甲苯溶液或辛酸溶液。
<原料B>
Ti(OC4H9)4：丁氧化鈦
Zr(C8H15O2)4：2-乙基己酸鋯
Zr(acac)4：乙醯丙酮氧鋯
ZrO(CH3COO)2：乙酸氧化鋯
ZrO(NO3)3．2H2O：硝酸氧化鋯二水合物
ZrCl2O．8H2O：氯化氧化鋯八水合物
Hf(C8H15O2)4：2-乙基己酸鉿
Hf(OC4H9)4：丁氧基鉿
Hf(acac)4：乙醯丙酮氧鉿
HfCl2O．8H2O：氯化氧化鉿八水合物
GaCl3：氯化鎵
<原料C>
MgCl2．6H2O：硝酸鎂六水合物
Mg(NO3)2．6H2O：硝酸鎂六水合物
Ca(C8H15O2)2：2-乙基己酸鈣
Ca(C10H19O2)2：新癸酸鈣
Ca(CH3COO)2．H2O：乙酸鈣一水合物
CaCl2．2H2O：氯化鈣二水合物
Ca(NO3)2．4H2O：硝酸鈣四水合物
Sr(C8H15O2)2：2-乙基己酸鍶
Sr(C10H19O2)2：新癸酸鍶
SrCl2．6H2O：氯化鍶六水合物
Ba(C8H15O2)2：2-乙基己酸鋇
Ba(C10H19O2)2：新癸酸鋇
Ba(C8H15O2)2：2-乙基己酸鋇
BaCl2．2H2O：氯化鋇二水合物
但Ca(C8H15O2)3、Sr(C8H15O2)3、及Ba(C8H15O2)3係使用辛酸溶液。
<原料G>
Al(NO3)3．9H2O：硝酸鋁9水合物
Cu(C10H19O2)2：新癸酸銅
但Cu(C10H19O2)2係使用甲苯溶液。
<溶劑D>
EGME：乙二醇單甲基醚
PGME：丙二醇單甲基醚
DMF：二甲基甲醯胺
<溶劑E>
PG：1,2-丙二醇
EG：乙二醇
CHB：環己基苯
GBL：γ-丁內酯
DMI：1,3-二甲基-2-咪唑烷酮
DMPU：N,N’-二甲基丙撐脲
<溶劑F>
H2O：水
0.2M-HCl：0.2mol/L鹽酸
0.1M-HNO3：0.1mol/L硝酸
<溶劑J>
DOP：鄰苯二甲酸二辛酯
BBP：鄰苯二甲酸苄基丁酯
(實施例1-7)
於經UV臭氧洗淨之無鹼玻璃基板上以旋轉塗覆裝置印刷表1中的塗佈液1-1。係良好地印刷。將該基板於加熱至120℃的加熱板上乾燥10分鐘後，於大氣環境中以400℃燒成1小時，而得到透明氧化物膜。
(實施例1-8~1-12)
以與實施例1-7相同之方法將表1中的塗佈液1-2(實施例1-8)、塗佈液1-3(實施例1-9)、塗佈液1-4(實施例1-10)、塗佈液1-5(實施例1-11)、以及塗佈液1-6(實施例1-12)分別印刷、乾燥、燒成，而得到相同的氧化物膜。皆與實施例1-7同樣地顯示良好的印刷特性。
(實施例2-13~2-23)
以與實施例1-7相同之方法將表2中的塗佈液2-1~2-11分別印刷、乾燥、燒成，而得到相同氧化物膜。皆與實施例1-7同樣地顯示良好的印刷特性。
．實施例2-13：塗佈液2-1
．實施例2-14：塗佈液2-2
．實施例2-15：塗佈液2-3
．實施例2-16：塗佈液2-4
．實施例2-17：塗佈液2-5
．實施例2-18：塗佈液2-6
．實施例2-19：塗佈液2-7
．實施例2-20：塗佈液2-8
．實施例2-21：塗佈液2-9
．實施例2-22：塗佈液2-10
．實施例2-23：塗佈液2-11
(實施例2-24)
除了乾燥、燒成環境在O2/N2=2/98(sccm)氣流中進行以外，以與實施例1-7相同之方法將表2中的塗佈液2-12印刷、乾燥、燒成，而得到透明氮氧化物膜。與實施例1-7同樣地顯示良好的印刷特性。
(實施例3-1)
表2所示塗佈液2-7的閃點係以SETA密閉法測定。閃點為49℃，確認充分高於室溫。
又，塗佈液1-1~1-6、塗佈液2-1~2-6、及2-8~2-12亦具有40℃以上的閃點(但2-11無法檢測)。
表4及表5表示閃點。
Figure 106141689-A0202-12-0043-4
Figure 106141689-A0202-12-0044-5
(比較例2-1)
表3所示塗佈液3-1的閃點係以SETA密閉法測定。閃點為24℃，確認約為室溫。
(實施例1-13)
在經UV臭氧洗淨之無鹼玻璃基板上將Al遮罩蒸鍍100nm作為下部電極。於其上以旋轉塗佈印刷所示表1中的塗佈液1-1。係製膜性良好。將該基板於大氣環境中120℃、1小時以烘箱乾燥後，於大氣環境中400℃燒成1小時，而得到氧化物膜。又，將Al遮罩蒸鍍100nm作為上部電極，而製作電容器構造。
圖7是表示本實施例所製作電容器之相對介電係數εr及介電損失tanδ與所施加電場之頻率數的關係。如圖7所示，本實施例中所製作電容器中的相對介電係數ε在100Hz~1MHz之區域中為17.5以上，確認具有高相對介電係數。又，介電損失tanδ之值在100Hz~100kHz約為1%以下之較低值，確認為良好絕緣膜。又，確認膜在可視域為透明並具有3.5eV以上的能帶間隙。
塗佈液1-2~1-6及塗佈液2-1~2-12亦與塗佈液1-1同樣地可得透明且良好的氧化物絕緣膜。
該等電容器之相對介電係數εr及介電損失tanδ皆各為8.5以上及約1%以下時，可得到良好的絕緣性。
(比較例2-2)
以與實施例1-13相同方法印刷表3中的塗佈液3-2並製作電容器構造。
膜呈灰褐色，介電損失亦在1kHz為10%以上，不具有作為絕緣膜的功能。
(比較例2-3)
以與實施例1-13相同方法印刷表3中的塗佈液3-3並製作電容器構造。
膜稍白且半透明，介電損失亦在1kHz為8%以上，不具有作為絕緣膜的功能。
(實施例1-14~1-19、實施例2-25~2-36)
<場效電晶體的製作>
-閘極電極的形成-
將無鹼玻璃基板使用中性洗劑、純水、及異丙醇進行超音波洗淨。乾燥該基板後，進一步以90℃進行10分鐘UV-臭氧處理。於前述無鹼玻璃基板以DC磁控濺鍍法將Mo成膜100nm，以光微影法圖案化來形成閘極電極。
-閘極絕緣層的形成-
接著於前述閘極電極及前述無鹼玻璃基板上以旋轉塗覆裝置分別塗佈以下各個塗佈液。
．實施例1-14：塗佈液1-1
．實施例1-15：塗佈液1-2
．實施例1-16：塗佈液1-3
．實施例1-17：塗佈液1-4
．實施例1-18：塗佈液1-5
．實施例1-19：塗佈液1-6
．實施例2-25：塗佈液2-1
．實施例2-26：塗佈液2-2
．實施例2-27：塗佈液2-3
．實施例2-28：塗佈液2-4
．實施例2-29：塗佈液2-5
．實施例2-30：塗佈液2-6
．實施例2-31：塗佈液2-7
．實施例2-32：塗佈液2-8
．實施例2-33：塗佈液2-9
．實施例2-34：塗佈液2-10
．實施例2-35：塗佈液2-11
．實施例2-36：塗佈液2-12
將該基板於加熱至120℃之加熱板上乾燥10分鐘後，於大氣環境中以400℃燒成1小時，進一步於大氣環境中以300℃退火1小時，而得到閘極絕緣層。所得到的閘極絕緣層的平均厚度為約150nm。
-源極電極及汲極電極的形成-
接著於前述閘極絕緣層上以DC磁控濺鍍法將ITO成膜100nm，以光微影法圖案化來形成源極電極及汲極電極。此時，以源極電極及汲極電極長規定的通道寬度為30μm，以源極-汲極電極間隔規定的通道長度為10μm。
-活性層的形成-
接著於前述閘極絕緣層上以DC磁控濺鍍法將IGZO成膜20nm，以光微影法圖案化，又，將該基板於大氣環境中以300℃退火1小時，而得到活性層。
由以上方式製作場效電晶體。
(比較例3-1)
以與實施例1-14相同的方法製作場效電晶體，但以RF磁控管濺鍍製膜SiO2膜200nm作為閘極絕緣層。
<評價>
-載子移動率及on/off比-
對所得到的場效電晶體使用半導體參數/分析儀裝置(Agilent Technologies公司製，半導體參數分析儀B1500A)求源極．汲極電壓Vds為10V時之閘極電壓Vgs與源極/汲極間電流Ids的關係。實施例2-29的結果示於圖8的圖表。由圖8可確認獲得無遲滯之良好的電晶體特性。又，圖8中，「e」表示「10之指數」。例如「1e-04」為「0.0001」。表6等之「E」亦相同。
載子移動率係於飽和區域計算。又，求on/off比。又，on/off比中，on值為Vgs=10V中的Ids值。又，Ids在1E-04A受限，無法測量到更高的電流值。截止電流值在計測極限以下(~1fA)非常良好。閘極電流|Igs|約為10fA，可知本發明的閘極絕緣膜的絕緣性非常高。結果示於表6。
Figure 106141689-A0202-12-0047-6
塗佈實施例1-14至1-19及實施例2-25至2-36之本發明之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，而獲得氧化物或氮氧化物絕緣體，將該氧化物或氮氧化物絕緣體用於閘極絕緣層之場效電晶體即使在400℃左右之製程溫度下載子移動率亦高，且on/off比大，顯示良好的電晶體特性。
〔NA+NB〕/〔NA+NB+NC〕滿足前述式(1)時，閘極絕緣層之相對介電係數及介電損失非常適於場效電晶體的閘極絕緣層要求，載子移動率非常高，且on/off比非常大，顯示非常良好的電晶體特性。
圖9表示比較例3-1之場效電晶體的特性。比較例3-1中，TFT特性為強降低狀態，未明顯觀測到Von。又，|Igs|為10-13A等級，較實施例高。
如以上說明，根據本發明所製作的場效電晶體可擴大製程限度，使TFT特性為高等級且安定。又，根據本發明的顯示元件，因可高速驅動故元件間之差異變動小，而可提高信頼性。又，根據本發明的影像顯示裝置，可以大畫面顯示高品質影像。又，本發明的系統可高精度地表示影像資訊，適合使用於電視裝置、電腦系統等。
本發明的態樣例如以下。
<1>一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素和第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種。
<2>如前述<1>所記載之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第B元素及第C元素之至少一者為至少含有前述第B元素。
<3>如前述<1>所記載之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第B元素及第C元素之至少一者為至少含有前述第C元素。
<4>如前述<1>至<3>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y及Ln(鑭系元素)所組成的群組的至少一種。
<5>如前述<1>至<4>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧 化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第A元素為選自由Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種。
<6>如前述<1>至<5>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第B元素為選自由Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種。
<7>如前述<1>至<6>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第C元素為選自由Mg、Ca、Sr及Ba所組成的群組的至少一種。
<8>如前述<1>至<7>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述塗佈液的閃點為37.8℃(華氏100度)以上。
<9>如前述<1>至<8>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述塗佈液的閃點為40℃以上。
<10>如前述<1>至<9>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述塗佈液的閃點為50℃以上。
<11>如前述<1>至<10>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，不含閃點低於21℃的溶劑。
<12>如前述<1>至<11>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其在可見光區域為透明或淡黃色。
<13>如前述<1>至<12>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(1)：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1)。
<14>如前述<1>至<13>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(2)：NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2)。
<15>如前述<1>至<14>中任一項所述之用於形成氧化物或氮 氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，含有前述第A元素之含第A元素化合物係溶解於前述溶劑來形成，前述含第A元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種。
<16>如前述<1>至<15>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，含有前述第A元素之含第A元素化合物及含有前述第B元素之含第B元素化合物係溶解於前述溶劑來形成，前述含第A元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種，前述含第B元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種。
<17>如前述<1>至<15>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，含有前述第A元素之含第A元素化合物、含有前述第B元素之含第B元素化合物、及含有前述第C元素之含第C元素化合物係溶解於前述溶劑來形成，前述含第A元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種，前述含第B元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種，前述含第C元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種。
<18>如前述<1>至<17>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述溶劑為選自由有機酸、有 機酸酯、芳香族化合物、二醇、二醇醚、非質子性極性溶劑、烷烴化合物、烯烴化合物、醚化合物、及醇所組成的群組的至少一種。
<19>一種氧化物或氮氧化物絕緣體膜的製造方法，將如前述<1>至<18>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液塗佈於被塗物，乾燥後進行燒成。
<20>一種場效電晶體的製造方法，包括：形成閘極電極之閘極電極形成步驟；於前述閘極電極上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；於前述閘極絕緣層上分開形成源極電極及汲極電極之源極電極及汲極電極形成步驟；以及於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域且於前述閘極絕緣層上形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟，其中，前述閘極絕緣層形成步驟係於前述閘極電極層上塗佈前述<1>至<18>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成之前述閘極絕緣層之步驟。
<21>一種場效電晶體的製造方法，包括：分開形成源極電極及汲極電極之源極電極及汲極電極形成步驟；於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟；於前述活性層上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；以及於前述閘極絕緣層上形成閘極電極之閘極電極形成步驟，其中，前述閘極絕緣層形成步驟係塗佈前述<1>至<18>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成之前述閘極絕緣層之步驟。
<22>一種場效電晶體的製造方法，包括： 形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟；於前述活性層上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；於前述閘極絕緣層上形成閘極電極之閘極電極形成步驟；於前述閘極電極上形成層間絕緣層之步驟；於前述閘極絕緣層或層間絕緣層形成通孔之步驟；以及於前述層間絕緣層上形成源極電極及汲極電極之步驟，其中，前述閘極絕緣層形成步驟係塗佈前述<1>至<18>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成之前述閘極絕緣層之步驟。
<23>如前述<20>至<22>中任一項所述之場效電晶體的製造方法，其中，於前述閘極絕緣層形成步驟中，藉由調整前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中之前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)，控制前述氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體之相對介電係數和介電損失。
<24>一種氧化物或氮氧化物絕緣體膜，係前述<1>至<18>中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液的燒成物。
<25>如前述<24>所記載之氧化物或氮氧化物絕緣體膜，其於可見光區域或近紅外線區域不具有電子轉移所形成的光吸收帶。
<26>一種半導體元件，具有如前述<24>或<25>所述之氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
<27>一種場效電晶體，具有：用以施加閘極電壓的閘極電極；源極電極及汲極電極；由在前述源極電極與前述汲極電極之間形成的半導體膜構成的活性層；以及於前述閘極電極與前述活性層之間形成的閘極絕緣層，其中，前述閘極絕緣層為如前述<24>或<25>所述之氧化物或 氮氧化物絕緣體膜。
<28>如前述<27>所記載的場效電晶體，其中，前述活性層為氧化物半導體。
<29>如前述<27>所記載的場效電晶體，其中，前述活性層為非晶矽。
<30>如前述<27>所記載的場效電晶體，其中，前述活性層為低溫多晶矽。
1‧‧‧基礎材料
2‧‧‧閘極電極
3‧‧‧閘極絕緣層
4‧‧‧源極電極
5‧‧‧汲極電極
6‧‧‧活性層

Claims (35)

  1. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素；第C元素；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種，前述第B元素為Hf時，前述第C元素為由周期表第2族元素所組成的群組中Ba、Ca及Sr中的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(1)及(2)的至少一個：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1) NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2)。
  2. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素；第C元素；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種， 前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(1)及(2)的至少一個，並且滿足下式(3)：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1) NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2) NB≧NC 式(3)。
  3. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素；第C元素；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述第B元素為Hf時，前述第C元素為由周期表第2族元素所組成的群組中Ba、Ca及Sr中的至少一種，前述第B元素為Zr時，前述第C元素為由周期表第2族元素所組成的群組中Mg、Ca及Sr中的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(1)及(2)的至少一個：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1) NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2)。
  4. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素；第C元素；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(1)及(2)的至少一個，並且滿足下式(3)：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1) NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2) NB≧NC 式(3)。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y及Ln(鑭系元素)所組成的群組的至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第A元素為選自由Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第B元素為選自由Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述第C元素為選自由Mg、Ca、Sr及Ba所組成的群組的至少一種。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或 氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述塗佈液之閃點為37.8℃(華氏100度)以上。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述塗佈液的閃點為40℃以上。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述塗佈液的閃點為50℃以上。
  12. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，不含有閃點低於21℃的溶劑。
  13. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其於可見光區域為透明或淡黃色。
  14. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，含有前述第A元素之含第A元素化合物係溶解於前述溶劑來形成，前述含第A元素化合物為選自由無機鹽、氣化物、氫氣化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種。
  15. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，含有前述第A元素之含第A元素化合物、含有前述第B元素之含第B元素化合物係溶解於前述溶劑來形成，前述含第A元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種，前述含第B元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種。
  16. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，含有前述第A元素之含第A元索化合物、含有前述第B元素之含第B元素化合物、及含有前述第C元素之含第C元素化合物係溶解於前述溶劑來形成，前述含第A元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種，前述含第B元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種，前述含第C元素化合物為選自由無機鹽、氧化物、氫氧化物、有機酸鹽、金屬烷氧化物、有機金屬、及金屬錯合物類所組成的群組的至少一種。
  17. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，其中，前述溶劑為選自由有機酸、有機酸酯、芳香族化合物、二醇、二醇醚、非質子性極性溶劑、烷烴化合物、烯烴化合物、醚化合物、及醇所組成的群組的至少一種。
  18. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素和第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sb及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑 及水所組成的群組的至少一種。
  19. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素和第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種，前述塗佈液之閃點為37.8℃(華氏100度)以上。
  20. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素和第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(1)：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1)。
  21. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含： 第A元素；第B元素和第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti、Zr及Hf所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由周期表第2族元素所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(2)：NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2)。
  22. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素；第B元素和第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti及Zr所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由Be、Ca、Sr及Ba所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(1)：(NA+NB)/(NA+NB+NC)≧0.5 式(1)。
  23. 一種用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，包含：第A元素； 第B元素和第C元素之至少一者；以及溶劑，其中，前述第A元素為選自由Sc、Y、Ln(鑭系元素)、Sb、Bi及Te所組成的群組的至少一種，前述第B元素為選自由Ga、Ti及Zr所組成的群組的至少一種，前述第C元素為選自由Be、Ca、Sr及Ba所組成的群組的至少一種，前述溶劑為選自由含有閃點為21℃以上低於200℃之有機溶劑及水所組成的群組的至少一種，前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、及前述第C元素的原子數合計(NC)滿足下式(2)：NA/(NA+NB+NC)≧0.5 式(2)。
  24. 一種氧化物或氮氧化物絕緣體膜的製造方法，將如申請專利範圍第1項至第23項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液塗佈於被塗物，經乾燥後進行燒成。
  25. 一種場效電晶體的製造方法，包括：形成閘極電極之閘極電極形成步驟；於前述閘極電極上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟，於前述閘極絕緣層上分開形成源極電極及汲極電極之源極電極及汲極電極形成步驟；以及於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域且於前述閘極絕緣層上形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟，其中，前述閘極絕緣層形成步驟係於前述閘極電極層上塗佈如申請專利範圍第1項至第23項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液，並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成之前述閘極絕緣層之步驟。
  26. 一種場效電晶體的製造方法，包括：分開形成源極電極及汲極電極之源極電極及汲極電極形成步驟；於前述源極電極與前述汲極電極之間的通道區域形成由半導 體構成的活性層之活性層形成步驟；於前述活性層上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；以及於前述閘極絕緣層上形成閘極電極之閘極電極形成步驟，其中，前述閘極絕緣層形成步驟係塗佈如申請專利範圍第1項至第23項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成之前述閘極絕緣層之步驟。
  27. 一種場效電晶體的製造方法，包括：形成由半導體構成的活性層之活性層形成步驟；於前述活性層上形成閘極絕緣層之閘極絕緣層形成步驟；於前述閘極絕緣層上形成閘極電極之閘極電極形成步驟；於前述閘極電極上形成層間絕緣層之步驟；於前述閘極絕緣層或層間絕緣層形成通孔之步驟；以及於前述層間絕緣層上形成源極電極及汲極電極之步驟，其中，前述閘極絕緣層形成步驟係塗佈如申請專利範圍第1項至第23項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液並形成由氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體構成之前述閘極絕緣層之步驟。
  28. 如申請專利範圍第25項所述之場效電晶體的製造方法，其中，於前述閘極絕緣層形成步驟中，藉由調整前述用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液中之前述第A元素的原子數合計(NA)、前述第B元素的原子數合計(NB)、前述第C元素的原子數合計(NC)，控制前述氧化物絕緣體或氮氧化物絕緣體之相對介電係數和介電損失。
  29. 一種氧化物或氮氧化物絕緣體膜，係如申請專利範圍第1項至第23項中任一項所述之用於形成氧化物或氮氧化物絕緣體膜的塗佈液的燒成物。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之氧化物或氮氧化物絕緣體膜，係在可見光區域或近紅外線區域不具有電子轉移所形成的光吸收帶。
  31. 一種半導體元件，具有如申請專利範圍第29項所述之氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
  32. 一種場效電晶體，具有：用以施加閘極電壓的閘極電極；源極電極及汲極電極；由在前述源極電極與前述汲極電極之間形成的半導體膜構成的活性層；以及在前述閘極電極與前述活性層之間形成的閘極絕緣層，其中，前述閘極絕緣層係如申請專利範圍第29項所述之氧化物或氮氧化物絕緣體膜。
  33. 如申請專利範圍第32項所述的場效電晶體，其中，前述活性層為氧化物半導體。
  34. 如申請專利範圍第32項所述的場效電晶體，其中，前述活性層為非晶矽。
  35. 如申請專利範圍第32項所述的場效電晶體，其中，前述活性層為低溫多晶矽。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018160670A (ja) 2017-03-21 2018-10-11 株式会社リコー 金属酸化物膜形成用塗布液、並びに酸化物膜、電界効果型トランジスタ、及びそれらの製造方法
JP7305933B2 (ja) 2018-07-23 2023-07-11 株式会社リコー 金属酸化物膜形成用塗布液、酸化物絶縁体膜、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR20200011025A (ko) 2018-07-23 2020-01-31 가부시키가이샤 리코 금속 산화물, 전계 효과형 트랜지스터, 및 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
JP7476490B2 (ja) 2018-07-23 2024-05-01 株式会社リコー 金属酸化物、電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法
WO2023073404A1 (en) 2021-10-27 2023-05-04 Silanna UV Technologies Pte Ltd Methods and systems for heating a wide bandgap substrate
WO2023084275A1 (en) 2021-11-10 2023-05-19 Silanna UV Technologies Pte Ltd Ultrawide bandgap semiconductor devices including magnesium germanium oxides
WO2023084274A1 (en) 2021-11-10 2023-05-19 Silanna UV Technologies Pte Ltd Epitaxial oxide materials, structures, and devices
US11563093B1 (en) 2021-11-10 2023-01-24 Silanna UV Technologies Pte Ltd Epitaxial oxide materials, structures, and devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019432A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 常誘電体薄膜およびその形成方法
TW201131772A (en) * 2009-12-25 2011-09-16 Ricoh Co Ltd Field-effect transistor, semiconductor memory, display element, image display device, and system
JP2011216845A (ja) * 2010-03-18 2011-10-27 Ricoh Co Ltd 絶縁膜形成用インク、絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法
TW201607029A (zh) * 2014-07-11 2016-02-16 理光股份有限公司 供製造ｎ型氧化物半導體的塗佈液、場效應電晶體、顯示元件、影像顯示裝置、及其系統

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3072000B2 (ja) * 1994-06-23 2000-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5792592A (en) * 1996-05-24 1998-08-11 Symetrix Corporation Photosensitive liquid precursor solutions and use thereof in making thin films
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5981970A (en) 1997-03-25 1999-11-09 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages
KR100303934B1 (ko) * 1997-03-25 2001-09-29 포만 제프리 엘 낮은작동전압을필요로하는유기반도체를갖는박막전장효과트랜지스터
US6236076B1 (en) * 1999-04-29 2001-05-22 Symetrix Corporation Ferroelectric field effect transistors for nonvolatile memory applications having functional gradient material
JP2001233604A (ja) * 2000-02-24 2001-08-28 Kansai Research Institute 酸化物薄膜形成用塗布液およびその製造方法ならびに酸化物薄膜の製造方法
KR100333375B1 (ko) * 2000-06-30 2002-04-18 박종섭 반도체 소자의 게이트 제조방법
WO2002052652A1 (fr) * 2000-12-26 2002-07-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Composant a semi-conducteur et son procede de fabrication
JP4329287B2 (ja) * 2000-12-27 2009-09-09 三菱マテリアル株式会社 Ｐｌｚｔ又はｐｚｔ強誘電体薄膜、その形成用組成物及び形成方法
US20020168785A1 (en) * 2001-05-10 2002-11-14 Symetrix Corporation Ferroelectric composite material, method of making same, and memory utilizing same
JP3939250B2 (ja) * 2001-05-10 2007-07-04 シメトリックス・コーポレーション 強誘電性複合材料、その製造方法、およびそれを用いたメモリ
JP2003017687A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Hitachi Ltd 半導体装置
US6960537B2 (en) * 2001-10-02 2005-11-01 Asm America, Inc. Incorporation of nitrogen into high k dielectric film
JP2005522877A (ja) * 2002-04-10 2005-07-28 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 集積回路用の多孔質シリカ誘電体のための新規なポロジェン
EP1570525B1 (en) * 2002-12-09 2015-12-02 Imec Method for forming a dielectric stack
JP4536333B2 (ja) * 2003-04-03 2010-09-01 忠弘 大見 半導体装置及び、その製造方法
US7906441B2 (en) * 2003-05-13 2011-03-15 Texas Instruments Incorporated System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric
US7303949B2 (en) * 2003-10-20 2007-12-04 International Business Machines Corporation High performance stress-enhanced MOSFETs using Si:C and SiGe epitaxial source/drain and method of manufacture
US7247534B2 (en) * 2003-11-19 2007-07-24 International Business Machines Corporation Silicon device on Si:C-OI and SGOI and method of manufacture
WO2005065402A2 (en) * 2003-12-29 2005-07-21 Translucent Photonics, Inc. Rare earth-oxides, rare earth-nitrides, rare earth-phosphides and ternary alloys with silicon
KR101078509B1 (ko) * 2004-03-12 2011-10-31 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 박막 트랜지스터의 제조 방법
US20050224897A1 (en) * 2004-03-26 2005-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High-K gate dielectric stack with buffer layer to improve threshold voltage characteristics
KR20050112031A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법
US7384829B2 (en) * 2004-07-23 2008-06-10 International Business Machines Corporation Patterned strained semiconductor substrate and device
US7202164B2 (en) * 2004-11-19 2007-04-10 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of forming ultra thin silicon oxynitride for gate dielectric applications
US20060172473A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-03 Po-Lun Cheng Method of forming a two-layer gate dielectric
JP2006216897A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US7498247B2 (en) * 2005-02-23 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of Hf3N4/HfO2 films as gate dielectrics
US7709402B2 (en) * 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
US7521307B2 (en) * 2006-04-28 2009-04-21 International Business Machines Corporation CMOS structures and methods using self-aligned dual stressed layers
JP4702215B2 (ja) * 2006-08-02 2011-06-15 住友金属鉱山株式会社 高誘電体薄膜形成用塗布組成物とその製造方法
US7582549B2 (en) * 2006-08-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited barium strontium titanium oxide films
US20080057659A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates
JP5177617B2 (ja) 2006-12-25 2013-04-03 独立行政法人産業技術総合研究所 酸化シリコン薄膜形成装置
US9716153B2 (en) * 2007-05-25 2017-07-25 Cypress Semiconductor Corporation Nonvolatile charge trap memory device having a deuterated layer in a multi-layer charge-trapping region
WO2009031232A1 (ja) * 2007-09-07 2009-03-12 Canon Anelva Corporation スパッタリング方法および装置
US8115254B2 (en) * 2007-09-25 2012-02-14 International Business Machines Corporation Semiconductor-on-insulator structures including a trench containing an insulator stressor plug and method of fabricating same
US8492846B2 (en) * 2007-11-15 2013-07-23 International Business Machines Corporation Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition
JP5679622B2 (ja) * 2008-01-31 2015-03-04 株式会社東芝 絶縁膜、およびこれを用いた半導体装置
JP5659457B2 (ja) * 2009-03-13 2015-01-28 三菱マテリアル株式会社 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜
JP2010034440A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5644071B2 (ja) * 2008-08-20 2014-12-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
KR20120004419A (ko) * 2009-03-23 2012-01-12 에스비에이 머티어리얼스 인코포레이티드 신규한 유전체 산화필름 및 이를 만드는 방법
JP5640478B2 (ja) 2009-07-09 2014-12-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ
DE102009038710B4 (de) * 2009-08-25 2020-02-27 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement
JP5633346B2 (ja) * 2009-12-25 2014-12-03 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、半導体メモリ、表示素子、画像表示装置及びシステム
JP5776192B2 (ja) 2010-02-16 2015-09-09 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
JP2012186455A (ja) 2011-02-16 2012-09-27 Ricoh Co Ltd ホール形成方法、並びに該方法を用いてビアホールを形成した多層配線、半導体装置、表示素子、画像表示装置、及びシステム
WO2013035842A1 (ja) * 2011-09-08 2013-03-14 株式会社タムラ製作所 Ｇａ2Ｏ3系半導体素子
JP6015389B2 (ja) * 2012-11-30 2016-10-26 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
US9006064B2 (en) * 2013-03-11 2015-04-14 International Business Machines Corporation Multi-plasma nitridation process for a gate dielectric
JP6421446B2 (ja) * 2013-06-28 2018-11-14 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
JP2015061048A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子
CN106887335B (zh) * 2013-10-04 2019-03-26 旭化成株式会社 太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法
JP6647586B2 (ja) * 2015-04-02 2020-02-14 Dic株式会社 絶縁膜形成用前駆体溶液の製造方法およびゲート絶縁膜の製造方法
JP6607013B2 (ja) * 2015-12-08 2019-11-20 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP2017105013A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 株式会社リコー ガスバリア性積層体、半導体装置、表示素子、表示装置、システム
US10170635B2 (en) * 2015-12-09 2019-01-01 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor device, display device, display apparatus, and system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019432A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 常誘電体薄膜およびその形成方法
TW201131772A (en) * 2009-12-25 2011-09-16 Ricoh Co Ltd Field-effect transistor, semiconductor memory, display element, image display device, and system
JP2011216845A (ja) * 2010-03-18 2011-10-27 Ricoh Co Ltd 絶縁膜形成用インク、絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法
TW201607029A (zh) * 2014-07-11 2016-02-16 理光股份有限公司 供製造ｎ型氧化物半導體的塗佈液、場效應電晶體、顯示元件、影像顯示裝置、及其系統

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