TWI705968B - 氧化物絕緣膜形成用塗布液 - Google Patents

Abstract

本氧化物絕緣膜形成用塗布液係含有含矽化合物、含鹼土類金屬化合物、及溶劑，前述溶劑係含有由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為37.8℃以上。

Description

氧化物絕緣膜形成用塗布液

本發明係關於氧化物絕緣膜形成用塗布液。

近年來，使用薄膜電晶體(Thin Film Transistor：TFT)之主動矩陣式平面薄型顯示器(Flat Panel Display：FPD)，例如液晶顯示器(Liquid Crystal Display：LCD)、有機EL(電致發光)顯示器(OLED)、電子紙等已實用化。

TFT所使用半導體材料大致可分為非晶矽(a-Si)、低溫多晶矽(LTPS)、及In-Ga-Zn-O(IGZO)系氧化物半導體等3種類，但任一種類TFT中皆形成有鈍化層，其係保護TFT不受外氣(氧、水、氮)影響。通常，鈍化層使用SiO₂ 、SiON、或SiN之所謂低介電係數絕緣膜材料，其形成方法一般為化學氣相蒸鍍法(CVD法)或原子層堆積法(ALD法)、濺鍍法等真空製程。但該等真空製程係複雜需要高價裝置、或原料氣體安全對策等，有製程成本較高之問題。

另一方面，近年來，真空製程係積極開發可低成本化之使用塗布製程之印刷電子學。例如已指出以全氫化聚矽氮烷二甲苯溶液為前驅物溶液，將以塗布製程所形成SiO₂ 膜作為TFT之鈍化層(保護層)(例如參照專利文獻1)。

但SiO₂ 膜之線膨張係數為5×10^-7 之較低值，若將其形成於矽活性層、氧化物活性層、金屬配線、及氧化物配線上，則在後步驟之加熱步驟中容易產生破裂、剝離等，有製造製程穩定性之問題。又，由安全性方面來看，較佳為前驅物溶液的溶劑之閃點較高。

因此，要求一種氧化物絕緣膜形成用塗布液，係低成本，且可實施高穩定性之低介電係數氧化膜形成製程。

[先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本特開2010-103203號公報

[發明所欲解決的課題] 本發明目的在於提供一種氧化物絕緣膜形成用塗布液，係低成本，且可實施高穩定性之低介電係數氧化膜形成製程。

[解決課題的技術手段] 本氧化物絕緣膜形成用塗布液之必要條件係含有含矽化合物、含鹼土類金屬化合物、及溶劑，前述溶劑係含有由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為37.8℃以上。

[發明功效] 根據所揭示技術可提供一種氧化物絕緣膜形成用塗布液，係低成本，且可實施高穩定性之低介電係數氧化膜形成製程。

以下參照圖面說明發明之實施形態。各圖面中，相同構成部分附以相同符號並省略重複說明。

(氧化物絕緣膜形成用塗布液) 本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液至少含有含矽化合物、含鹼土類金屬化合物、及溶劑，較佳為含有含鋁化合物及含硼化合物之至少一者，視需要可進一步含有其他成分。前述溶劑係含有由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種。前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為37.8℃(華氏100度)以上。

前述含矽化合物所形成SiO₂ 為藉由前述氧化物絕緣膜形成用塗布液所形成氧化物絕緣膜的主成分，會形成前述氧化物絕緣膜主骨架之網狀構造(非晶質)而賦予良好絕緣性。又，前述含矽化合物所形成SiO₂ 之相對介電係數為3.9之較低值，故前述氧化物絕緣膜可為低介電係數氧化物絕緣膜。

前述含鹼土類金屬化合物係構成網狀改質氧化物，而對前述氧化物絕緣膜賦予構造柔軟性。亦即，調整前述氧化物絕緣膜之線膨張係數，並提高前述氧化物絕緣膜之製程穩定性。

前述含鋁化合物及含硼化合物所形成Al₂ O₃ 、B₂ O₃ 係與前述SiO₂ 一起形成前述氧化物絕緣膜主骨架之網狀構造(非晶質)。Al₂ O₃ 有提高前述氧化物絕緣膜之機械性耐久性、化學性耐久性的效果。又，B₂ O₃ 有降低前述氧化物絕緣膜之軟化點的效果。

又，本發明及本說明書中，「膜」及「層」在未特別說明下為同義。例如絕緣膜與絕緣層同義。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液係含有前述含矽化合物、前述含鹼土類金屬化合物，又更佳為又含有前述含鋁化合物、前述含硼化合物，該等只要可均一溶解於前述溶劑中，則解離成為離子亦無妨。

前述含矽化合物、前述含鹼土類金屬化合物溶解於前述氧化物絕緣膜形成用塗布液，又更佳為前述含鋁化合物、前述含硼化合物亦溶解於前述氧化物絕緣膜形成用塗布液時，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中不易產生濃度偏析等，故前述氧化物絕緣膜形成用塗布液可長期使用。又，使用該氧化物絕緣膜形成用塗布液所製作薄膜亦為均一組成，故用於場效型電晶體之鈍化層時的特性均一性良好。

前述含鹼土類金屬化合物所含有鹼土類金屬可舉出Be(鈹)、Mg(鎂)、Ca(鈣)、Sr(鍶)、Ba(鋇)。該等中較佳為鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)。

該等鹼土類金屬可單獨使用1種或併用2種以上。前述氧化物絕緣膜中，前述Si之比例、前述Al及B合計之比例、及前述鹼土類金屬之比例並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為下述範圍。

前述氧化物絕緣膜中，前述Si之比例以氧化物(SiO₂ )換算較佳為30.0mol%~95.0mol%，更佳為50.0mol%~90.0mol%。

前述氧化物絕緣膜中，前述鹼土類金屬氧化物之比例以氧化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO)換算較佳為5.0mol%~40.0mol%，更佳為10.0mol%~30.0mol%。

前述氧化物絕緣膜中，前述Al及B合計之比例以氧化物(Al₂ O₃ 、B₂ O₃ )換算較佳為1.0mol%~50.0mol%，更佳為5.0mol%~30.0mol%。

前述氧化物絕緣膜含有前述Al及前述B之至少一者時，前述鹼土類金屬氧化物之比例以氧化物(BeO、MgO、CaO、SrO、BaO)換算較佳為1.0mol%~30.0mol%，更佳為5.0mol%~20.0mol%。

前述氧化物絕緣膜中，例如可藉由螢光X射線分析、電子線微分析(EPMA)等而分系氧化物之陽離子元素，藉此而計算氧化物(SiO₂ 、BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Al₂ O₃ 、B₂ O₃ )之比例。

前述氧化物絕緣膜之相對介電係數並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但以訊號遲延更不易產生且高速運作此點來看，較佳為7.0以下，更佳為6.0以下。

例如積層下部電極、介電層(前述保護層)、及上述電極而製作電容器，並使用LCR計(4284A，Agilent公司製)而可測定前述相對介電係數。

前述氧化物絕緣膜之線膨張係數並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但以不易產生剝離且提高信頼性此點來看，較佳為30.0×10^-7 以上，更佳為30.0×10^-7 ~60.0×10^-7 。

例如可使用熱機械分析裝置(8310系列，Rigaku股份有限公司製)而測定前述線膨張係數。該測定中不製作場效型電晶體，而是另外製作與前述氧化物絕緣膜相同組成之測定用樣品並測定，藉此可測定前述線膨張係數。

本實施形態前述氧化物絕緣膜之體積電阻率較佳為10⁶ Ωcm以上，更佳為10¹⁰ Ωcm以上。前述含矽化合物、前述含鹼土類金屬化合物、前述含鋁化合物、前述含硼化合物係作為化合物或離子而溶解於前述溶劑，但塗布後係藉由特定熱處理而得氧化物絕緣膜。

前述含矽化合物、前述含鹼土類金屬化合物、前述含鋁化合物、前述含硼化合物及溶劑可藉由前述熱處理揮發、或藉由環境中的氧等而氧化、分解為CO₂ 、NO₂ 、H₂ O等低分子，使前述氧化物以外釋出至膜外。

又，本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點較佳為37.8℃(華氏100度)以上。又更佳為閃點為40℃以上，特佳為閃點為50℃以上。閃點上限值並無特別限制，可因應目的適宜選擇，例如可為100℃、或150℃、或190℃。

又，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點若考慮例如輸送時溫度上升則特佳為50℃以上。

若閃點為室溫程度以下，則常溫會揮發並與空氣形成可燃性混合物，若有點火源則會引火燃燒，較為危險。若閃點為40℃以上，則比一般TFT製造環境更高，故可安全處理。

因此，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，前述溶劑係含有由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種。

本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液較佳為不含閃點未滿21℃之溶劑。

本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液較佳為不含有二乙基醚等特殊引火物、丙酮、甲苯等第1石油類、碳數1~3之醇類。在此，「不含」並未排除不可避性含有。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇溶劑含有量相對於全溶劑較佳為85體積%~100體積%，更佳為90體積%~100體積%，特佳為95體積%~100體積%。

又，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑以外之有機溶劑含有量相對於全溶劑較佳為15體積%以下，更佳為10體積%以下，特佳為5體積%以下。

在此，閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑以外之有機溶劑可舉例如閃點未滿21℃之有機溶劑，閃點為200℃以上之有機溶劑等。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，較佳為含有由閃點為70℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種。又，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，前述溶劑中閃點為70℃以上且未滿200℃之有機溶劑與水的合計量較佳為50體積%以上。

又，有機溶劑密度大致為0.75~1.15之範圍內，故以重量%時，上述體積%為亦考慮上述密度之範圍。

又，本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液中，溶劑較佳為含有第2石油類(閃點為21℃以上且未滿70℃)、第3石油類(閃點為70℃以上且未滿200℃)、及水之至少2種類以上。

第2石油類中亦存在閃點未滿40℃之溶劑，但藉由與第3石油類或水適當混合而可使該氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點成為37.8℃以上，或40℃以上。

又，適當選擇第2石油類、第3石油類、及水之至少2種類以上並混合而含有，藉此可調整本氧化物絕緣膜形成用塗布液之黏度或表面張力，可維持安全性並獲得所求塗膜性。

又，第4石油類(閃點為200℃以上且未滿250℃)之閃點較高，以安全性來看較佳，但沸點較高(一般350℃以上)，故燒成後容易在膜中殘留源自於溶劑之烴系雜質，作為本實施形態所使用溶劑較為不佳。

在此，前述特殊引火物、前述第1石油類、前述第2石油類、前述第3石油類、及前述第4石油類之用語分別定義如下。

前述特殊引火物是指日本消防法之第4類危險物，為特殊引火物品項的類別，係1大氣壓下自燃點為100℃以下者、或閃點為零下20℃以下且沸點為40℃以下者。

前述第1石油類是指日本消防法上之第4類危險物，為第1石油類(1氣壓下閃點未滿21℃之液體)品項的類別。

前述第2石油類是指日本消防法上之第4類危險物，為第2石油類(1氣壓下閃點為21℃以上且未滿70℃之液體)品項的類別。

前述第3石油類是指日本消防法上之第4類危險物，為第3石油類(1氣壓下閃點為70℃以上且未滿200℃之液體)品項的類別。

前述第4石油類是指日本消防法上之第4類危險物，為第4石油類(1氣壓下閃點為200℃以上且未滿250℃之液體)品項的類別。

接著，前述閃點可根據ISO 3679：2004、或JIS K 2265-2：2007之SETA密閉式(迅速平衡密閉法)而測定。

前述第2石油類(1氣壓下閃點為21℃以上且未滿70℃之液體)可舉例如以下溶劑。 ･正癸烷：閃點46℃ ･乙醯基丙酮：閃點34℃ ･對二甲苯：閃點27℃ ･均三甲苯(1,3,5-Trimethylbenzene)：閃點50℃ ･十氫萘(Decaline)：閃點58℃ ･丙二醇1-單甲基醚：閃點32℃ ･乙二醇單甲基醚：閃點42℃ ･乙二醇單異丙基醚：閃點46℃ ･N,N-二甲基甲醯胺：閃點58℃ ･N,N-二甲基乙醯胺：閃點63℃ ･1-丁醇：閃點37℃ ･環戊醇：閃點47℃ ･1-戊醇：閃點43℃ ･異戊醇：閃點46℃ ･1-己醇：閃點63℃

前述第3石油類(1氣壓下閃點為70℃以上且未滿200℃之液體)可舉例如以下溶劑。 ･辛酸：閃點118℃ ･環己苯：閃點99℃ ･γ-丁內酯：閃點98℃ ･乙二醇：閃點111℃ ･丙二醇：閃點99℃ ･甲醯胺：閃點120℃ ･1,3-二甲基-2-咪唑啶酮：閃點107℃ ･1,3-二甲基-3,4,5,6-四氫-2(1H)-嘧啶酮：閃點121℃

前述第4石油類(1氣壓下閃點為200℃以上且未滿250℃之液體)可舉例如以下溶劑。 ･鄰苯二甲酸二辛酯：閃點218℃ ･鄰苯二甲酸苄基丁酯：閃點213℃

以下個別說明前述含矽化合物、前述含鹼土類金屬化合物、前述含鋁化合物、前述含硼化合物。

---含矽化合物--- 前述含矽化合物可舉例如無機矽化合物、有機矽化合物等。

前述無機矽化合物可舉例如四氯矽烷、四溴矽烷、四碘矽烷等。

前述有機矽化合物只要為具有矽及有機基之化合物，則無特別限制，可因應目的適宜選擇。前述矽及前述有機基例如以離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。

前述有機基並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如可具有取代基之烷基、可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之醯基氧基、可具有取代基之苯基等。前述烷基可舉例如碳數1~6之烷基等。前述烷氧基可舉例如碳數1~6之烷氧基等。前述醯基氧基可舉例如碳數1~10之醯基氧基等。

前述有機矽化合物較佳為具有烷基、烷氧基、醯基氧基、及苯基之至少一者。

前述有機矽化合物可舉例如四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷(HMDS)、雙(三甲基矽基)乙炔、三苯基矽烷、2-乙基己酸矽、四乙醯氧基矽烷等。

前述含矽化合物之閃點並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為21℃以上且未滿70℃、或未滿21℃。前述含矽化合物之閃點下限值並無特別限制，可因應目的適宜選擇，例如前述含矽化合物之閃點可為10℃以上。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，前述含矽化合物含有量並無特別限制，可因應目的適宜選擇。

---含鹼土類金屬化合物--- 前述含鹼土類金屬化合物可舉例如無機鹼土類金屬化合物，有機鹼土類金屬化合物等。

前述含鹼土類金屬化合物中，鹼土類金屬可舉出Be(鈹)、Mg(鎂)、Ca(鈣)、Sr(鍶)、Ba(鋇)。

前述無機鹼土類金屬化合物可舉例如鹼土類金屬硝酸鹽、鹼土類金屬硫酸鹽、鹼土類金屬氯化物、鹼土類金屬氟化物、鹼土類金屬溴化物、鹼土類金屬碘化物、鹼土類金屬磷化物等。前述鹼土類金屬硝酸鹽可舉例如硝酸鎂、硝酸鈣、硝酸鍶、硝酸鋇等。前述鹼土類金屬硫酸鹽可舉例如硫酸鎂、硫酸鈣、硫酸鍶、硫酸鋇等。前述鹼土類金屬氯化物可舉例如氯化鎂、氯化鈣、氯化鍶、氯化鋇等。前述鹼土類金屬氟化物可舉例如氟化鎂、氟化鈣、氟化鍶、氟化鋇等。前述鹼土類金屬溴化物可舉例如溴化鎂、溴化鈣、溴化鍶、溴化鋇等。前述鹼土類金屬碘化物可舉例如碘化鎂、碘化鈣、碘化鍶、碘化鋇等。前述鹼土類金屬磷化物可舉例如磷化鎂、磷化鈣等。

前述有機鹼土類金屬化合物只要為具有鹼土類金屬及有機基之化合物，則無特別限制，可因應目的適宜選擇。前述鹼土類金屬及前述有機基例如以離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。

前述有機基並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如可具有取代基之烷基、可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之乙醯丙酮基、可具有取代基之磺酸基等。前述烷基可舉例如碳數1~6之烷基等。前述烷氧基可舉例如碳數1~6之烷氧基等。前述醯基氧基可舉例如碳數1~10之醯基氧基，如安息香酸一部分取代為苯環之醯基氧基，如乳酸之部分取代為羥基之醯基氧基、草酸、及如檸檬酸之具有2個以上羰基之醯基氧基等。

前述有機鹼土類金屬化合物較佳為具有烷基、烷氧基、醯基氧基、苯基、乙醯丙酮基、及磺酸基之至少一者。

前述有機鹼土類金屬化合物可舉例如甲氧化鎂、乙氧化鎂、二乙基鎂、乙酸鎂、甲酸鎂、乙醯基丙酮鎂、2-乙基己酸鎂、乳酸鎂、環烷酸鎂、檸檬酸鎂、水楊酸鎂、安息香酸鎂、草酸鎂、三氟甲烷磺酸鎂、甲氧化鈣、乙氧化鈣、乙酸鈣、甲酸鈣、乙醯基丙酮鈣、鈣雙2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸、2-乙基己酸鈣、乳酸鈣、環烷酸鈣、檸檬酸鈣、水楊酸鈣、新癸酸鈣、安息香酸鈣、草酸鈣、異丙氧化鍶、乙酸鍶、甲酸鍶、乙醯基丙酮鍶、2-乙基己酸鍶、乳酸鍶、環烷酸鍶、水楊酸鍶、草酸鍶、乙氧化鋇、異丙氧化鋇、乙酸鋇、甲酸鋇、乙醯基丙酮鋇、2-乙基己酸鋇、乳酸鋇、環烷酸鋇、新癸酸鋇、草酸鋇、安息香酸鋇、三氟甲烷磺酸鋇等。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，前述含鹼土類金屬化合物含有量並無特別限制，可因應目的適宜選擇。

---含鋁化合物--- 前述含鋁化合物可舉例如無機鋁化合物、有機鋁化合物等。

前述無機鋁化合物可舉例如氯化鋁、硝酸鋁、溴化鋁、氫氧化鋁、硼酸鋁、三氟化鋁、碘化鋁、硫酸鋁、磷酸鋁、硫酸鋁銨等。

前述有機鋁化合物只要為具有鋁及有機基之化合物，則無特別限制，可因應目的適宜選擇。前述鋁及前述有機基例如以離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。

述有機基並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如可具有取代基之烷基、可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之醯基氧基、可具有取代基之乙醯丙酮基、可具有取代基之磺酸基等。前述烷基可舉例如碳數1~6之烷基等。前述烷氧基可舉例如碳數1~6之烷氧基等。前述醯基氧基可舉例如碳數1~10之醯基氧基，如安息香酸之部分經苯環取代之醯基氧基、如乳酸之部分經羥基取代之醯基氧基、草酸、及如檸檬酸之具有2個以上羰基之醯基氧基等。

前述有機鋁化合物較佳為具有烷基、烷氧基、醯基氧基、乙醯丙酮基、及磺酸基之至少一者。

前述有機鋁化合物可舉例如異丙氧化鋁、第二丁氧化鋁、三乙基鋁、乙氧化二乙基鋁、乙酸鋁、乙醯基丙酮鋁、六氟乙醯基丙酮酸鋁、2-乙基己酸鋁、乳酸鋁、安息香酸鋁、鋁二(第二丁氧化)乙醯乙酸酯螫合物、三氟甲烷磺酸鋁等。

前述含鋁化合物之閃點並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為未滿70℃。前述含鋁化合物之閃點下限值並無特別限制，可因應目的適宜選擇，例如前述含鋁化合物之閃點可為10℃以上。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，前述含鋁化合物含有量並無特別限制，可因應目的適宜選擇。

---含硼化合物--- 前述含硼化合物可舉例如無機硼化合物、有機硼化合物等。

前述無機硼化合物可舉例如正硼酸、氧化硼、三溴化硼、四氟硼酸、硼酸銨、硼酸鎂等。前述氧化硼可舉例如二氧化二硼、三氧化二硼、三氧化四硼、五氧化四硼等。

前述有機硼化合物只要為具有硼及有機基之化合物，則無特別限制，可因應目的適宜選擇。前述硼及前述有機基例如以離子鍵、共價鍵、或配位鍵鍵結。

前述有機硼化合物較佳為具有烷基、烷氧基、醯基氧基、苯基、磺酸基、及噻吩基之至少一者。

前述有機基並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如可具有取代基之烷基、可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之醯基氧基、可具有取代基之苯基、可具有取代基之磺酸基、可具有取代基之噻吩基等。前述烷基可舉例如碳數1~6之烷基等。前述烷氧基可舉例如碳數1~6之烷氧基等。亦包括：前述烷氧基具有2個以上氧原子且前述2個以上氧原子中的2個氧原子與硼鍵結且與硼一起形成環構造之有機基。又，亦包括前述烷氧基所含有烷基經有機矽基取代之烷氧基。前述醯基氧基可舉例如碳數1~10之醯基氧基等。

前述有機硼化合物可舉例如三乙基硼烷、(R)-5,5-二苯基-2-甲基-3,4-環丙基-1,3,2-氧雜噁唑硼烷、硼酸三異丙酯、2-異丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷、雙(乙醇酸己酯)二硼、4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷-2-基)-1H-吡唑、第三丁基-N-〔4-(4,4,5,5-四甲基-1,2,3-二氧雜硼烷-2-基)苯基〕胺甲酸酯、苯基硼酸、3-乙醯基苯基硼酸、三氟化硼乙酸錯合物、三氟化硼 環丁碸錯合物、2-噻吩硼酸、三(三甲基矽基)硼酸酯等。

前述含硼化合物之閃點並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為未滿70℃。前述含硼化合物之閃點下限值並無特別限制，可因應目的適宜選擇，例如前述含硼化合物之閃點可為10℃以上。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，前述含硼化合物含有量並無特別限制，可因應目的適宜選擇。

＜＜溶劑＞＞ 前述溶劑並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如水、有機溶劑、無機酸等。該等中較佳為有機溶劑。

＜＜＜有機溶劑＞＞＞ 前述有機溶劑可因應目的適宜選擇，但較佳為由有機酸、有機酸酯、芳香族化合物、二醇、二醇醚、非質子性極性溶劑、烷化合物、烯化合物、醚化合物、及醇所成群組所選擇之至少1種。

-有機酸- 前述有機酸可因應目的適宜選擇。較佳為例如乙酸、乳酸、丙酸、辛酸、新癸酸及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-有機酸酯- 前述有機酸酯可因應目的適宜選擇。較佳為例如乳酸甲酯、丙酸丙酯、及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-芳香族化合物- 前述芳香族化合物可因應目的適宜選擇。較佳為例如二甲苯、均三甲苯、四氫化萘及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-二醇- 前述二醇可因應目的適宜選擇，但較佳為烷二醇、二伸烷二醇。前述二醇之碳數較佳為2~6。前述二醇較佳為由二乙二醇、1,2-乙烷二醇、1,2-丙二醇、及1,3-丁二醇所成群組所選擇之至少1種。以下參照圖面說明成型裝置等實施形態。又，實施形態中附以相同符號之構成要件係進行相同運作，故省略重覆說明。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-二醇醚- 前述二醇醚可因應目的適宜選擇，但較佳為伸烷二醇單烷基醚。前述二醇醚之碳數較佳為3~8。

前述伸烷二醇單烷基醚較佳為乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇1-單甲基醚、及丙二醇1-單丁基醚之至少一者。該等伸烷二醇單烷基醚沸點為120℃~180℃程度，可為較低燒成溫度、較短燒成時間。又，燒成後可得碳及有機物等雜質少之氧化物絕緣膜。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-非質子性極性溶劑- 前述非質子性極性溶劑可充分溶解原料化合物且溶解後穩定性，故藉由將前述非質子性極性溶劑用於前述氧化物絕緣膜形成用塗布液，而可得均一性高且缺陷少之氧化物絕緣膜。

前述非質子性極性溶劑可因應目的適宜選擇。較佳為例如異佛爾酮、碳酸伸丙酯、二氫呋喃-2(3H)-酮(γ-丁內酯)、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-烷化合物- 前述烷化合物可因應目的適宜選擇。較佳為例如正壬烷、癸烷、十四烷、十氫萘及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-烯化合物- 前述烯化合物可因應目的適宜選擇。較佳為例如1-十二烯、1-十四烯、及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-醚化合物- 前述醚化合物可因應目的適宜選擇。較佳為例如苯并呋喃、聚乙二醇及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

-醇- 前述醇只要為碳數4以上，則無特別限制，可因應目的適宜選擇。較佳為例如1-丁醇、環戊醇、2-己醇及該等衍生物等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

＜＜＜無機酸＞＞＞ 前述無機酸可因應目的適宜選擇。較佳為例如硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、氟酸等。

該等可單獨使用1種或併用2種以上。

該等可提高前述無機鹽之溶解性。

前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中，前述含矽化合物、前述含鹼土類金屬化合物、前述含鋁化合物、及前述含硼化合物較佳為溶解於前述溶劑。

＜氧化物絕緣膜形成用塗布液之製作方法＞ 前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之製作方法並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如將含各元素之化合物或其溶液與前述溶劑以所求比例混合之方法等。

(氧化物絕緣膜) 將本實施形態前述氧化物絕緣膜形成用塗布液塗布於被塗物，乾燥後燒成，而得本實施形態之氧化物絕緣膜一態樣。

本實施形態之氧化物絕緣膜一態樣為本實施形態前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之燒成物。

前述氧化物絕緣膜例如可藉由以下本實施形態之氧化物絕緣膜之製造方法而得。

(氧化物絕緣膜之製造方法) 本實施形態之氧化物絕緣膜之製造方法中，將本實施形態前述氧化物絕緣膜形成用塗布液塗布於被塗物，乾燥後燒成。

前述被塗物並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如玻璃基材、塑膠基材等。

又，將前述氧化物絕緣膜用於場效型電晶體之鈍化層時，前述被塗物可舉例如基材、柵絕緣層、活性層等。前述基材之形狀、構造、及大小並無特別限制，可因應目的適宜選擇。前述基材之材質並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如玻璃基材、塑膠基材等。

前述塗布之方法並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如網版印刷法、輥塗布法、浸漬塗布法、旋轉塗布法、模塗布法、噴墨法、奈米壓模法等。該等中，旋轉塗布法及模塗布法容易與現有光刻技術組合，以此點來看係較佳。

前述乾燥只要為可去除前述氧化物絕緣膜形成用塗布液中的揮發成分之條件，則無特別限制，可因應目的適宜選擇。又，前述乾燥無需完全去除揮發成分，可要去除揮發成分至不阻礙燒成程度即可。

前述燒成溫度只要為使前述氧化物絕緣膜形成用塗布液所含金屬元素形成氧化物之溫度以上且基材(塗布對象物)之熱變形溫度以下，則無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為150℃~600℃。

前述燒成環境並無特別限制，可因應目的適宜選擇，例如較佳為氧中或空氣中等含氧環境。藉此可將金屬元素之化合物或溶劑中所含有有機物或陰離子氧化或氣體化等而由膜中去除。又，在氮中或氨蒸氣中等含氮環境燒成，藉此可使氮進入膜中並形成氮氧化物膜，可控制相對介電係數、熱膨張係數等膜物性。

前述燒成時間並無特別限制，可因應目的適宜選擇。

所形成之氧化物絕緣膜之平均厚度並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為1nm~500nm，更佳為10nm~300nm，又更佳為50nm~200nm。

如上述，若使用本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液，則不需要真空製程之類之複雜且高價之裝置或原料氣體安全對策等，可以低成本形成氧化物絕緣膜。

又，由本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液所製作氧化物絕緣膜線膨脹不會如SiO₂ 膜較低，故在後步驟之加熱步驟等不容易產生破裂、剝離等，而製造製程安定。

又，本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液具有溶劑，該溶劑含有由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種，閃點高於室溫，故較安全。

使用本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液，例如可形成場效型電晶體之鈍化層。以下說明一場效型電晶體例，其具有鈍化層，該鈍化層係使用氧化物絕緣膜形成用塗布液而形成。

(場效型電晶體) 本實施形態之場效型電晶體至少具有閘極電極、源極、汲極、活性層、柵絕緣層、鈍化層，進一步視需要具有層間絕緣層等其他構件。

前述場效型電晶體之構造並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如底閘極/底接觸型(圖1所示場效型電晶體10)、底閘極/頂接觸型(圖2所示場效型電晶體10A)、頂閘極/底接觸型(圖3所示場效型電晶體10B)、頂閘極/頂接觸型(圖4所示場效型電晶體10C)等。

又，圖1~4中，11表示基材，12表示閘極電極，13表示柵絕緣層，14表示源極，15表示汲極，16表示活性層，17表示鈍化層。

本實施形態之場效型電晶體適合用於液晶顯示器、有機EL顯示器、電致變色顯示器等像素驅動電路及論理電路用場效型電晶體。

＜基材＞ 基材11之材料並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但例如可使用玻璃基材、陶瓷基材、塑膠基材、膜基材等。

玻璃基材並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但可舉例如無鹼玻璃、二氧化矽玻璃等。又，塑膠基材或膜基材並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但可舉例如聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等。

＜閘極電極＞ 閘極電極12之材質並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如Mo、Al、Ag、Cu等金屬及該等合金、ITO(氧化銦錫)、ATO(銻摻雜氧化錫)等透明導電性氧化物、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)等有機導電體等。

-閘極電極之形成方法- 閘極電極12之形成方法並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如：(i)以濺鍍法、浸漬塗層法等成膜後，以光刻圖案化之方法；(ii)以噴墨、奈米壓模、凹板等印刷製程而直接成膜為所求形狀之方法等。

閘極電極12之平均膜厚並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為20nm~1μm，更佳為50nm~300nm。

＜柵絕緣層＞ 柵絕緣層13之材質並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如SiO₂ 、SiN_x 、Al₂ O₃ 等已經廣為量產利用之材料、或La₂ O₃ 、HfO₂ 等高介電係數材料、聚醯亞胺(PI)或氟系樹脂等有機材料等。

-柵絕緣層之形成方法- 柵絕緣層13之形成方法並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如濺鍍、化學氣相蒸鍍(CVD)、原子層蒸鍍(ALD)等真空成膜法、旋轉塗布、模具塗布、噴墨等印刷法等。

柵絕緣層13之平均膜厚並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為50nm~3μm，更佳為100nm~1μm。

＜源極及汲極＞ 源極14及汲極15之材質並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如Mo、Al、Ag、Cu等金屬及該等合金、ITO(氧化銦錫)、ATO(銻摻雜氧化錫)等透明導電性氧化物、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)等有機導電體等。

-源極及汲極之形成方法- 源極14及汲極15之形成方法並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如：(i)以濺鍍法、浸漬塗層法等成膜後，以光刻圖案化之方法；(ii)以噴墨、奈米壓模、凹板等印刷製程直接成膜為所求形狀之方法等。

源極14及汲極15之平均膜厚並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為20nm~1μm，更佳為50nm~300nm。

＜活性層＞ 活性層16之材質並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如矽半導體、氧化物半導體等。前述矽半導體可舉例如多晶矽(對Si)、非晶矽(a-Si)等。前述氧化物半導體可舉例如In-Ga-Zn-O、I-Z-O、In-Mg-O等。該等中較佳為氧化物半導體。

-活性層之形成方法- 活性層16之形成方法並無特別限制，可因應目的適宜選擇，可舉例如濺鍍法、脈衝雷射沉積(PLD)法、CVD法、ALD(Atomic Layer Deposition)法等真空製程、或以浸漬塗層、旋轉塗布、模具塗布等溶液製程成膜後以光刻圖案化之方法、或以噴墨、奈米壓模、凹板等印刷法直接成膜為所求形狀之方法等。

活性層16之平均膜厚並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為5nm~1μm，更佳為10nm~0.5μm。

＜鈍化層＞ 鈍化層17之功能之一為由大氣中的水分、氧、氫等而至少隔離保護活性層等。又，鈍化層17不僅是保護活性層，也可保護場效型電晶體之其他構成必要條件(例如柵絕緣層、源極、汲極、及閘極電極)。鈍化層17之功能之一為保護形成於場效型電晶體上的層之材料、在其形成製程中保護場效型電晶體(至少一部分)。

又，鈍化層17係無關於所形成處，例如透過EL(Electro Luminescence)元件等而與場效型電晶體之其他構成必要條件物理性分開時，亦為場效型電晶體之構成必要條件之一。亦即，例如在形成EL元件等後，靠近所形成鈍化層或層間絕緣層而設置之鈍化層亦為場效型電晶體之鈍化層。亦即，圖1~4所示鈍化層17為所形成處一例，但並不限定於此。

鈍化層17具有上述功能，且為氧化物絕緣膜所構成，該氧化物絕緣膜係塗布本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液所形成。

鈍化層17之平均厚度並無特別限制，可因應目的適宜選擇，但較佳為10nm~1μm，更佳為30nm~300nm。

又，鈍化層亦稱為保護層。

(實施例) 以下說明本發明之實施例，但本發明並不限定於下述實施例。

＜實施例1＞ (氧化物絕緣膜形成用塗布液之製作) 相對於二甲苯500mL與環己苯(CHB)500mL之混合溶液，將含矽化合物之四丁氧基矽烷、含鹼土類金屬化合物之2-乙基己酸鈣以各金屬元素以氧化物換算成為90mmol及10mmol之秤量、添加，在室溫混合溶解，而製作氧化物絕緣膜形成用塗布液。

＜實施例2~49＞ 以與實施例1相同方法製作實施例2~49之氧化物絕緣膜形成用塗布液。表1~3表示實施例1~49之原料組成。

＜比較例1~7＞ 以與實施例1相同方法製作比較例1~7之氧化物絕緣膜形成用塗布液。表4、5表示比較例1~7之原料組成。

【表1】

【表2】

【表3】

【表4】

【表5】

表1~5中，含矽化合物、含鹼土類金屬化合物、含鋁化合物及含硼化合物中，「mmol」為氧化物換算量。

表1~5所使用表記如下述所示。

＜溶劑A＞ EGME：乙二醇單甲基醚 PGME：丙二醇1-單甲基醚 DMF：N,N-二甲基甲醯胺 ＜溶劑B＞ PG：1,2-丙二醇 EG：乙二醇 CHB：環己苯 GBL：γ-丁內酯 DMI：1,3-二甲基-2-咪唑啶酮 DMPU：N,N'-二甲基伸丙基尿素 ＜溶劑C＞ H₂ O：水 ＜溶劑E＞ DOP：鄰苯二甲酸二辛酯 BBP：鄰苯二甲酸苄基丁酯 ＜含矽化合物＞ Si(OCH₃ )₄ ：四甲氧基矽烷 Si(OC₂ H₅ )₄ ：四乙氧基矽烷 Si(OC₃ H₇ )₄ ：四異丙氧基矽烷 Si(OC₄ H₉ )₄ ：四丁氧基矽烷 Si(C₈ H₁₅ O₂ )₄ ：2-乙基己酸矽 HMDS：1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷 ＜含鹼土類金屬化合物＞ Ca(C₈ H₁₅ O₂ )₂ ：2-乙基己酸鈣 Sr(C₈ H₁₅ O₂ )₂ ：2-乙基己酸鍶 Ba(C₈ H₁₅ O₂ )₂ ：2-乙基己酸鋇 Ca(C₁₀ H₁₉ O₂ )₂ ：新癸酸鈣 Sr(C₁₀ H₁₉ O₂ )₂ ：新癸酸鍶 Ba(C₁₀ H₁₉ O₂ )₂ ：新癸酸鋇 Mg(NO₃ )₂ ･6H₂ O：硝酸鎂六水合物 MgCl₂ ･6H₂ O：氯化鎂六水合物 Ca(NO₃ )₂ ･4H₂ O：硝酸鈣四水合物 CaCl₂ ･2H₂ O：氯化鈣二水合物 Sr(NO₃ )₂ ：硝酸鍶 SrCl₂ ･6H₂ O：氯化鍶六水合物 BaCl₂ ･2H₂ O：氯化鋇二水合物 ＜含鋁化合物＞ Al(C₄ H₉ O)₃ ：第二丁氧化鋁 C₁₄ H₂₇ AlO₅ ：鋁(第二丁氧化物)乙醯乙酸螫合物 C₁₅ H₂₁ AlO₆ ：乙醯基丙酮鋁 Al[OCH(CH₃ )₂ ]₃ ：異丙氧化鋁 Al(NO₃ )₃ ･9H₂ O：硝酸鋁九水合物 AlCl₃ ･6H₂ O：氯化鋁(III)六水合物 ＜含硼化合物＞ C₉ H₂₁ BO₃ ：硼酸三異丙酯 C₉ H₁₉ BO₃ ：2-異丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷 C₆ H₇ BO₂ ：苯基硼酸 C₈ H₉ BO₃ ：3-乙醯基苯基硼酸 H₃ BO₃ ：硼酸

(場效型電晶體之製作) 將實施例1~49、比較例5~7所製作氧化物絕緣膜形成用塗布液所形成氧化物絕緣膜為鈍化層17，而製作圖1所示底閘極/底接觸型之場效型電晶體10。

＜閘極電極之形成＞ 首先在基材11上形成閘極電極12。具體而言，在玻璃製基材11上以DC濺鍍而以平均膜厚成為約100nm之方式成膜導電膜之Mo膜。其後塗布光阻劑、預烤、以曝光裝置曝光、顯影，藉此形成與閘極電極12圖案相同之光阻圖案。又，藉由RIE(Reactive Ion Etching)去除未形成光阻圖案領域之Mo膜。其後去除光阻圖案，藉此形成閘極電極12。

＜柵絕緣層之形成＞ 接著形成柵絕緣層13。具體而言，以電漿CVD以平均膜厚成為300nm之方式成膜SiON膜。其後在SiON膜上塗布光阻劑、預烤、以曝光裝置曝光、顯影，藉此形成與所形成柵絕緣層13圖案相同之光阻圖案。又，藉由RIE去除未形成光阻圖案領域之SiON膜。其後去除光阻圖案，藉此形成柵絕緣層13。

＜源極及汲極之形成＞ 接著形成源極14及汲極15。具體而言，在柵絕緣層13上以DC濺鍍以平均膜厚成為約100nm之方式成膜導電膜之Mo膜，其後在Mo膜上塗布光阻劑、預烤、以曝光裝置曝光、及顯影，藉此形成與所形成源極14及汲極15圖案相同之光阻圖案。又，藉由RIE藉由去除未形成光阻圖案領域之Mo膜。其後去除光阻圖案，藉此形成Mo膜所構成源極14及汲極15。

＜活性層之形成＞ 接著形成活性層16。具體而言，以DC濺鍍以平均膜厚成為約100nm之方式成膜IGZO膜。其後在IGZO膜上塗布光阻劑、預烤、以曝光裝置曝光、及顯影，藉此形成與所形成活性層16圖案相同之光阻圖案。又，藉由RIE去除未形成光阻圖案領域之IGZO膜。其後去除光阻圖案，藉此形成活性層16。藉此以在源極14與汲極15間形成通道之方式形成活性層16。

＜鈍化層之形成＞ 接著分別使用實施例1~49、比較例5~7所製作氧化物絕緣膜形成用塗布液，以旋轉塗布法塗布於活性層16上。將於活性層16上塗布氧化物絕緣膜形成用塗布液之基材11在加熱至120℃之加熱板上乾燥10分鐘後，在大氣環境中400℃燒成1小時，而得鈍化層17之透明氧化物絕緣膜。所形成氧化物絕緣膜(鈍化層17)之膜厚約為50nm。

由以上方式完成底閘極/底接觸型之場效型電晶體。

(閃點測定) 以SETA密閉法測定實施例1~49、比較例1~7所製作之氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點。其結果示於表6~8。

(線膨張係數測定) 去除實施例1~49、比較例5~7所製作氧化物絕緣膜形成用塗布液之溶劑後，放入鉑坩堝加熱至1600℃並熔融後，以浮法製作直徑5mm、高度10mm之圓柱狀物。對所製作圓柱狀物使用熱機械分析裝置(8310系列，Rigaku股份有限公司製)測定20℃~300℃溫度範圍中的平均線膨張係數。其結果示於表6~8。所製作圓柱狀物在各例之場效型電晶體之保護層為相同組成，線膨張係數亦為同值。

(場效型電晶體之外觀評價) 實施例1~49、比較例5~7所製作場效型電晶體之外觀評價結果(有無剝離)示於表6~8。

(電晶體特性評價) 計算實施例1~49所製作場效型電晶體之移動率、及閾值電壓(Vth)。又，對實施例1~49所製作場效型電晶體在大氣中(溫度50℃、相對濕度50%)實施100小時BTS(Bias Temperature Stress)試驗。

壓力條件為以下4條件。 (1)Vgs=+10V及Vds=0V (2)Vgs=+10V及Vds=+10V (3)Vgs=-10V及Vds=0V (4)Vgs=-10V及Vds=+10V

隨著BTS試驗經過固定時間經過測定Vds=+10V時Vgs與Ids的關係(Vgs-Ids)，評價壓力時間100小時中閾值電壓的變化量(△Vth)。壓力時間100小時中閾值電壓的變化量(△Vth)為3V以下時，係表示高信頼性。

實施例1~49所製作場效型電晶體之電晶體特性之評價結果示於表6~7。

(結果)

<閃點>

如表6~8所示，實施例1~49、比較例5~7所製作氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點皆為40℃以上，顯示良好安全性。另一方面，比較例1~4所製作氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點分別為20℃、24℃、39℃、31℃，確認為40℃以下。

<線膨張係數>

如表6~8所示，實施例1~49所製作氧化物絕緣膜之線膨張係數在3.0×10^-6~6.0×10^-6之範圍內，對此比較例5~7所製作氧化物絕緣膜之線膨張係數在5.0×10^-7~2.0×10^-6之範圍。

<外觀>

如表6~8所示，實施例1~49所製作場效型電晶體之鈍化層未觀察到剝離等異常，對此比較例5~7所製作場效型電晶體之鈍化層確認到剝離。

<電晶體特性>

如表6~7所示，實施例1~49所製作場效型電晶體之BTS試驗結果，全實施例中△Vth皆在3V以內，確認顯示高信頼性。

【表6】

【表7】

【表8】

表6~8中，「E」表示10的指數。「E-7」表示「10^-7 」。

由以上可知，本實施形態之氧化物絕緣膜形成用塗布液可形成安全且穩定性高之鈍化層，具有以前述氧化物絕緣膜形成用塗布液所形成鈍化層的場效型電晶體係顯示高信頼性。

以上詳細說明較佳實施形態等，但並不限於上述實施形態等，可在不脫離申請專利範圍所記載範圍內對上述實施形態等實施各種變形及取代。

本發明之態樣例如如下。 ＜1＞一種氧化物絕緣膜形成用塗布液，係含有含矽化合物、含鹼土類金屬化合物、及溶劑， 前述溶劑係含有由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種， 前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為37.8℃以上。 ＜2＞如前述＜1＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為40℃以上。 ＜3＞如前述＜1＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為50℃以上。 ＜4＞如前述＜1＞~＜3＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物之閃點為21℃以上且未滿70℃。 ＜5＞如前述＜1＞~＜3＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物之閃點未滿21℃。 ＜6＞如前述＜1＞~＜5＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述溶劑係含有由閃點為70℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種。 ＜7＞如前述＜6＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述溶劑中閃點為70℃以上且未滿200℃之有機溶劑與水的合計量為50體積%以上。 ＜8＞如前述＜1＞~＜7＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物係含有有機矽化合物。 ＜9＞如前述＜8＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機矽化合物具有烷基、烷氧基、醯基氧基、及苯基之至少一者。 ＜10＞如前述＜1＞~＜9＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物係含有無機矽化合物。 ＜11＞如前述＜1＞~＜10＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鹼土類金屬化合物係含有有機鹼土類金屬化合物。 ＜12＞如前述＜11＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機鹼土類金屬化合物係具有烷基、烷氧基、醯基氧基、苯基、乙醯丙酮基、及磺酸基之至少一者。 ＜13＞如前述＜1＞~＜12＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鹼土類金屬化合物係含有無機鹼土類金屬化合物。 ＜14＞如前述＜1＞~＜13＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中進一步含有含鋁化合物及含硼化合物之至少一者。 ＜15＞如前述＜14＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鋁化合物及含硼化合物之至少一者之閃點未滿70℃。 ＜16＞如前述＜14＞~＜15＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鋁化合物係含有有機鋁化合物。 ＜17＞如前述＜16＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機鋁化合物係具有烷基、烷氧基、醯基氧基、乙醯丙酮基、及磺酸基之至少一者。 ＜18＞如前述＜14＞~＜15＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鋁化合物係含有無機鋁化合物。 ＜19＞如前述＜14＞~＜15＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含硼化合物係含有有機硼化合物。 ＜20＞如前述＜19＞所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機硼化合物係具有烷基、烷氧基、醯基氧基、苯基、磺酸基、及噻吩基之至少一者。 ＜21＞如前述＜14＞~＜15＞中任一項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含硼化合物係含有無機硼化合物。

10、10A、10B、10C‧‧‧場效型電晶體 11‧‧‧基材 12‧‧‧閘極電極 13‧‧‧柵絕緣層 14‧‧‧源極 15‧‧‧汲極 16‧‧‧活性層 17‧‧‧鈍化層

圖1係例示本實施形態之場效型電晶體之剖面圖(其1)。 圖2係例示本實施形態之場效型電晶體之剖面圖(其2)。 圖3係例示本實施形態之場效型電晶體之剖面圖(其3)。 圖4係例示本實施形態之場效型電晶體之剖面圖(其4)。

10‧‧‧場效型電晶體

11‧‧‧基材

12‧‧‧閘極電極

13‧‧‧柵絕緣層

14‧‧‧源極

15‧‧‧汲極

16‧‧‧活性層

17‧‧‧鈍化層

Claims (20)

1. 一種氧化物絕緣膜形成用塗布液，係含有含矽化合物、含鹼土類金屬化合物、及溶劑，前述溶劑係含有由閃點為21℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種，前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為40℃以上。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述氧化物絕緣膜形成用塗布液之閃點為50℃以上。
3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物之閃點為21℃以上且未滿70℃。
4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物之閃點未滿21℃。
5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述溶劑係含有由閃點為70℃以上且未滿200℃之有機溶劑、及水所成群組所選擇之至少1種。
6. 如申請專利範圍第5項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述溶劑中閃點為70℃以上且未滿200℃之有機溶劑與水的合計量為50體積%以上。
7. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物係含有有機矽化合物。
8. 如申請專利範圍第7項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機矽化合物具有烷基、烷氧基、醯基氧基、及苯基之至少一者。
9. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含矽化合物係含有無機矽化合物。
10. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鹼土類金屬化合物係含有有機鹼土類金屬化合物。
11. 如申請專利範圍第10項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機鹼土類金屬化合物係具有烷基、烷氧基、醯基氧基、苯基、乙醯丙酮基、及磺酸基之至少一者。
12. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鹼土類金屬化合物係含有無機鹼土類金屬化合物。
13. 如申請專利範圍第1或2項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中進一步含有含鋁化合物及含硼化合物之至少一者。
14. 如申請專利範圍第13項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鋁化合物及含硼化合物之至少一者之閃點未滿70℃。
15. 如申請專利範圍第13項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鋁化合物係含有有機鋁化合物。
16. 如申請專利範圍第15項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機鋁化合物係具有烷基、烷氧基、醯基氧基、乙醯丙酮基、及磺酸基之至少一者。
17. 如申請專利範圍第13項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含鋁化合物係含有無機鋁化合物。
18. 如申請專利範圍第13項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含硼化合物係含有有機硼化合物。
19. 如申請專利範圍第18項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述有機硼化合物係具有烷基、烷氧基、醯基氧基、苯基、磺酸基、及噻吩基之至少一者。
20. 如申請專利範圍第13項所記載之氧化物絕緣膜形成用塗布液，其中前述含硼化合物係含有無機硼化合物。

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