JP2011190452A - 電子工学用途のための、ポリマー酸コロイドを用いて製造された水分散性ポリアニリン - Google Patents

電子工学用途のための、ポリマー酸コロイドを用いて製造された水分散性ポリアニリン Download PDF

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Abstract

【課題】良好な加工性および増加された導電性を有する、改善された導電性ポリアニリンを提供する。
【解決手段】(a)コロイド形成フッ素化ポリマースルホン酸との水性分散物を供給する工程と、および(b)酸化剤を、工程(a)の分散物と混合する工程と(c)アニリンモノマーを、工程(b)の分散物に混合して、ポリアニリンの水性分散物を得る工程、または、(b)アニリンモノマーを、工程(a)の分散物に混合する工程と、(c)酸化剤を、工程(b)の分散物と混合して、ポリアニリンの水性分散物を得る工程と、を含み、前記重合は、特定の補助分散液の存在下で行われ、前記補助分散液は、前記酸化剤または、前記アニリンモノマーの何れか最後に加えられたものの添加前の任意の点で、前記反応混合物に加えられることを特徴とする方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、ポリマー酸コロイドの存在下で導電性ポリマーが合成される、アニリンの導電性ポリマーの水性分散物に関する。
導電性ポリマーは、発光ディスプレーにおいて使用するためのエレクトロルミネッセンス(EL)デバイスの開発に含まれる、様々な有機電子デバイスにおいて使用されている。導電性ポリマー含有有機発光ダイオード(OLED)のようなELデバイスに関して、かかるデバイスは、以下の構造:
アノード/バッファ層/ELポリマー/カソード
を一般的に有する。アノードは、典型的に、例えば、インジウム/酸化スズ(ITO)のような半導電性ELポリマーの別の充填π−帯中に正孔を注入する能力を有する、任意の材料である。アノードは、任意選択的に、ガラスまたはプラスチック基材上に支持されている。ELポリマーは、典型的に、ポリ(パラフェニレンビニレン)またはポリフルオレンのような共役半導電性ポリマーである。カソードは、典型的に、半導電性ELポリマーの別の空π*−帯中に電子を注入する能力を有する、任意の材料(例えば、CaまたはBa)である。
バッファ層は、典型的に導電性ポリマーであり、アノードからELポリマー層中への正孔の注入を促進する。バッファ層を正孔注入層、正孔輸送層と称することもできるか、または二層アノードの一部として特徴付けられてもよい。バッファ層として利用される典型的な導電性ポリマーとしては、ポリアニリン(PANI)、およびポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDT)のようなポリジオキシチオフェンが挙げられる。ポリ(スチレンスルホン酸)(PSS)のような水溶性ポリマー酸の存在下で、水溶液中で相当するモノマーを重合することによって、これらの材料を調製することができる。
水溶性ポリマースルホン酸を用いて合成された水性導電性ポリマー分散物は、望ましくない低pHレベルを有する。低pHは、かかるバッファ層を含有するELデバイスの応力寿命(stress life)の低下に寄与し、そしてデバイス内の腐食に寄与し得る。従って、改善された特性を有する組成物およびそれによって調製されたバッファ層に対する必要性が存在する。
典型的に、過硫酸アンモニウム(APS)、過硫酸ナトリウムまたは過硫酸カリウムのような酸化剤を使用する酸化重合によって、水溶液中のアニリンまたは置換アニリンモノマーを重合することによって、導電性ポリアニリンを調製する。水溶液は、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)(「PAAMPSA」)、PSS等のような水溶性ポリマー酸を含有する。一般的に、ポリアニリンのエメラルド色塩基との酸/塩基塩を形成するために、十分な量の酸が存在する。ここで、酸/塩基塩の形成によって、ポリアニリンが導電性となる。従って、例えば、ポリアニリン(PANI)のエメラルド色塩基は典型的に、PAAMPSAによって形成され、導電性PANI/PAAMPSAが得られる。
水性ポリアニリン分散物は、オルメコン ヒェミー GmbH アンド Co.KG(Ormecon Chemie GmbH and Co.KG)(ドイツ、アンマースベック(Ammersbeck,Germany))から市販品として入手可能である。これは、D 1005 W LEDとして既知である。ポリアニリンは、アニリンおよび水溶性ポリ(スチレンスルホン酸)から製造される。D 1005 W LEDから得られる乾燥フィルムは、水中に容易に再分散する。水は、2.5%(w/w)で1の範囲のpHによって酸性となる。フィルムは、周囲条件で約24.0%(w/w)の湿分を得る。
ポリアニリン/ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)の実験室バッチ水性分散物からの乾燥フィルムも、水中に容易に再分散する。ポリアニリンは、アニリンおよび水溶性PAAMPSAから製造される。
導電性ポリマーは、薄膜電界効果トランジスターのような電子デバイス用電極としても有用性を有する。かかるトランジスターにおいて、有機半導電性フィルムは、ソース電極とドレイン電極との間に存在する。電極用途のために有用であるように、導電性ポリマーまたは半導電性ポリマーのいずれかの再溶解を回避するため、導電性ポリマーおよび導電性ポリマーを分散または溶解するための液体は、半導電性ポリマーおよび半導電性ポリマーのための溶媒と適合性でなければならない。導電性ポリマーから製造された電極の導電性は、10S/cm(Sは逆オームである)より高いべきである。しかしながら、ポリマー酸によって製造された導電性ポリアニリンは、典型的に、約10-3S/cm以下の範囲の導電性を提供する。導電性を増加させるために、ポリマーに導電性添加剤を添加してもよい。しかしながら、かかる添加剤の存在は、導電性ポリアニリンの加工性に悪影響を及ぼし得る。従って、良好な加工性および増加された導電性を有する、改善された導電性ポリアニリンに対する必要性が存在する。
欧州特許出願公開第1 026 152 A1号明細書 米国特許第3,282,875号明細書 米国特許第4,358,545号明細書 米国特許第4,940,525号明細書 米国特許第4,433,082号明細書 米国特許第6,150,426号明細書 国際公開第03/006537号パンフレット
本発明の一実施形態において、ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物を含む組成物が提供される。本発明の組成物は、有機発光ダイオード(OLED)のような様々な有機電子デバイスにおいてバッファ層として有用である。また本発明の組成物は、金属ナノワイヤーまたは炭素ナノチューブのような導電性充填剤と組み合わせて、薄膜電界効果トランジスターのドレイン電極、ソース電極またはゲート電極のような用途において有用である。
本発明のもう1つの実施形態に従って、キャスティングされた本発明の組成物のバッファ層を含む、エレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機電子デバイスが提供される。0012本発明のさらにもう1つの実施形態に従って、アニリンモノマーおよび酸化剤の少なくとも1つが添加された場合、少なくとも一部のコロイド形成ポリマー酸が存在することを条件として、任意の順序で、水と、アニリンモノマーと、コロイド形成ポリマー酸と、酸化剤との組合せを形成する工程を含む、ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物の製造方法が提供される。
本発明によるバッファ層を含む電子デバイスの断面図。 本発明による電極を含む薄膜電界効果トランジスターの断面図。
ポリアニリンと、コロイド形成ポリマー酸との水性分散物を含む組成物が提供される。本明細書で使用される場合、用語「分散物」は、微小粒子の懸濁液を含有する連続液体媒体を指す。本明細書に従って、「連続媒体」は、典型的に水性液体、例えば、水である。本明細書で使用される場合、用語「水性」は、著しい部分の水を有する液体を指し、一実施形態において、少なくとも約40重量%の水である。本明細書で使用される場合、用語「コロイド」は、ナノメートル規模の粒径を有する、連続媒体に懸濁された微小粒子を指す。本明細書で使用される場合、用語「コロイド形成」は、水溶液に分散された時に微小粒子を形成する物質を指し、すなわち、「コロイド形成」ポリマー酸は水溶性ではない。
本明細書で使用される場合、用語「含む(comprises)」、「含む(comprising)」、「含む(includes)」、「含む(including)」、「有する(has)」、「有する(having)」またはそれらの任意の他の変形は、非排他的包含を含むように意図される。例えば、要素の一覧表を含むプロセス、方法、物品または装置は、それらの要素のみに必ずしも限定されるわけではなく、明白に一覧表に記載されていないかまたはかかるプロセス、方法、物品または装置に固有である他の要素も含んでよい。さらに、反対に明言されない限り、「または」は包含的論理和を指し、排他的論理和を指さない。例えば、条件AまたはBは、以下のいずれか1つによって満たされる。すなわち、Aが真(または存在する)であり、かつBが偽(または存在しない)である。Aが偽(または存在しない)であり、かつBが真(または存在する)である。そして、両AおよびBが真(または存在する)である。
また、本発明の要素および成分を記載するために、「a」または「an」の使用も利用される。これは単に都合が良いように、本発明の一般的な意味を与えるために利用されている。この記載は、1つまたは少なくとも1つを含むように読解されるべきであり、また別に意味があることが明白でない限り、この単数形は複数形も含む。
コロイド形成ポリマー酸の存在下でアニリンモノマーが化学的に重合される場合に、導電性ポリ(アニリン)の水性分散物を調製することができることが発見された。さらに、ポリ(アニリン)の水性分散物の調製において、水溶性ではないポリマー酸を使用することによって、優れた電気特性を有する組成物が得られる。これらの水性分散物の1つの利点は、使用前の長期間に別々の相が形成されずに、導電性微小粒子が水性媒体中で安定であることである。さらに、それらは一度フィルムへと乾燥されると、一般的に再分散しない。
本発明の組成物は、ポリアニリンおよびコロイド形成ポリマー酸が分散している連続水性相を含有する。本発明の実施において使用するために考慮されたポリアニリンは、次式I:
Figure 2011190452
(式I中、
nは、0〜4の整数であり、
mは、1〜5の整数であるが、ただし、n+m=5であり、そして
1は、独立して、出現するごとに同一であるかもしくは異なるように選択され、かつアルキル、アルケニル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルカノイル、アルキルチオ(alkythio)、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、カルボン酸、ハロゲン、シアノ、または1つまたは複数のスルホン酸、カルボン酸、ハロ、ニトロ、シアノもしくはエポキシ部分によって置換されたアルキルから選択されるか、あるいは任意の2つのR1基が一緒になって、任意選択的に1つまたは複数の二価の窒素、イオウまたは酸素原子を含んでもよい3、4、5、6または7員の芳香族環もしくは脂環式環を完成するアルキレンまたはアルケニレン鎖を形成してもよい)を有するアニリンモノマーから誘導される。
重合材料は、アニリンモノマー単位を含み、それぞれのアニリンモノマー単位は、次式IIおよび次式III:
Figure 2011190452
(式中、n、mおよびR1は、上記で定義された通りである)から選択される式を有する。
本発明の実施において使用するために考慮されたコロイド形成ポリマー酸は、水に不溶性であり、水性媒体中に分散された時にコロイドを形成する。ポリマー酸は、典型的に、約10,000〜約4,000,000の範囲の分子量を有する。一実施形態において、ポリマー酸は約100,000〜約2,000,000の分子量を有する。コロイドの粒径は、典型的に、2ナノメートル(nm)〜約140nmの範囲である。一実施形態において、コロイドは2nm〜約30nmの粒径を有する。水中に分散された時にコロイド形成する、いずれのポリマー酸も、本発明の実施において使用するために適切である。一実施形態において、コロイド形成ポリマー酸は、ポリマースルホン酸である。他の容認できるポリマー酸としては、ポリマーリン酸、ポリマーカルボン酸、ポリマーアクリル酸およびそれらの混合物が挙げられ、これにはポリマースルホン酸を有する混合物が含まれる。もう1つの実施形態において、ポリマースルホン酸はフッ素化されている。さらにもう1つの実施形態において、コロイド形成ポリマースルホン酸は過フッ素化されている。さらにもう1つの実施形態において、コロイド形成ポリマースルホン酸は、ペルフルオロアルキレンスルホン酸である。
さらにもう1つの実施形態において、コロイド形成ポリマー酸は、高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマー(「FSAポリマー」)である。「高度にフッ素化された」は、ポリマー中のハロゲンおよび水素原子の総数の少なくとも約50%、一実施形態において、少なくとも約75%、そしてもう1つの実施形態において、少なくとも約90%がフッ素原子であることを意味する。もう1つの実施形態において、ポリマーは過フッ素化されている。用語「スルホネート官能基」は、スルホン酸基またはスルホン酸基の塩のいずれかを指し、そして一実施形態において、アルカリ金属またはアンモニウム塩を指す。官能基は、式−SO3X(式中、Xはカチオンである)によって表され、「対イオン」としても既知である。Xは、H、Li、Na、KまたはN(R1)(R2)(R3)(R4)であってよく、R1、R2、R3およびR4は、同一であるかまたは異なり、一実施形態において、H、CH3またはC25である。一実施形態において、XはHであり、この場合、ポリマーは「酸型」と称される。Xは、Ca++およびAl+++のようなイオンによって表されるように、多価であってもよい。一般的にMn+として表される多価対イオンの場合、対イオン当たりのスルホネート官能基数が原子価「n」に等しいことは、当業者に明白である。
一実施形態において、FSAポリマーは、骨格に結合している循環側鎖を有するポリマー骨格を含む。この側鎖は、カチオン交換基を有する。ポリマーとしては、ホモポリマーまたは2つ以上のモノマーのコポリマーが挙げられる。コポリマーは典型的に、非官能性モノマーと、カチオン交換基またはその前駆体、例えば、その後にスルホネート官能基へと加水分解され得るフッ化スルホニル基(−SO2F)を有する第2のモノマーとから形成される。例えば、フッ化スルホニル基(−SO2F)を有する第2のフッ素化ビニルモノマーと一緒の、第1のフッ素化ビニルモノマーのコポリマーを使用することができる。可能な第1のモノマーとしては、テトラフルオロエチレン(TFE)、ヘキサフルオロプロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)およびそれらの組合せが挙げられる。TFEが、好ましい第1のモノマーである。
もう1つの実施形態において、可能な第2のモノマーとしては、ポリマー中に所望の側鎖を提供し得るスルホネート官能基または前駆体基を有するフッ素化ビニルエーテルが挙げられる。所望であれば、エチレン、プロピレンおよびR−CH=CH2(式中、Rは、炭素原子を1〜10個有する過フッ素化アルキル基である)を含む追加のモノマーをこれらのポリマー中に組み入れることができる。ポリマーは、本明細書で、ポリマー鎖に沿うモノマー単位の分布が、それらの相対濃度および相対反応性に従うように、コモノマーの相対濃度が可能な限り一定に保たれる重合によって製造されるコポリマーであるランダムコポリマーと称される種類のものであってもよい。重合の経過においてモノマーの相対濃度を変更することによって製造された、よりランダムではないコポリマーを使用してもよい。(特許文献1)に開示されるような、ブロックコポリマーと称される種類のポリマーを使用してもよい。
一実施形態において、本発明において使用されるFSAポリマーとしては、次式:
−(O−CF2CFRfa−O−CF2CFR’fSO3
(式中、RfおよびR’fは、独立して、F、Cl、または炭素原子を1〜10個有する過フッ素化アルキル基であり、a=0、1または2であり、そしてXは、H、Li、Na、KまたはN(R1)(R2)(R3)(R4)であり、R1、R2、R3およびR4は、同一であるかまたは異なり、一実施形態において、H、CH3またはC25である)によって表される、過フッ素化されたものを含む、高度にフッ素化された炭素骨格および側鎖が挙げられる。もう1つの実施形態において、XはHである。上記の通り、Xは多価であってもよい。
一実施形態において、FSAポリマーとしては、例えば、米国特許公報(特許文献2)ならびに米国特許公報(特許文献3)および米国特許公報(特許文献4)に開示されるポリマーが挙げられる。FSAポリマーの例は、次式:
−O−CF2CF(CF3)−O−CF2CF2SO3
(式中、Xは、上記で定義された通りである)によって表されるペルフルオロカーボン骨格および側鎖を含む。この種類のFSAポリマーは米国特許公報(特許文献2)に開示されており、テトラフルオロエチレン(TFE)と、過フッ素化ビニルエーテルCF2=CF−O−CF2CF(CF3)−O−CF2CF2SO2F、ペルフルオロ(3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホニルフロリド)(PDMOF)との共重合によって、続いて、フッ化スルホニル基の加水分解によるスルホネート基への転換、および必要であればそれらを所望のイオン型へと転換するためのイオン交換によって、製造することができる。側鎖−O−CF2CF2SO3X(式中、Xは上記の通りである)を有する種類の好ましいポリマーの例は、米国特許公報(特許文献3)および米国特許公報(特許文献4)に開示されている。テトラフルオロエチレン(TFE)と、過フッ素化ビニルエーテルCF2=CF−O−CF2CF2SO2F、ペルフルオロ(3−オキサ−4−ペンテンスルホニルフロリド)(POPF)との共重合、それに続く加水分解、および必要であればさらにイオン交換によって、このポリマーを製造することができる。
一実施形態において、本発明において使用するためのFSAポリマーは、約33未満のイオン交換比を有する。本願において、「イオン交換比」または「IXR」は、カチオン交換基に関するポリマー骨格中の炭素原子数として定義される。所望であれば、特定の適用に対して、約33未満の範囲内でIXRを変更することができる。ほとんどのポリマーに対して、IXRは約3〜約33であり、そして一実施形態において、約8〜約23である。
ポリマーのカチオン交換容量は、しばしば、当量(EW)に関して表現される。本願の目的のため、当量(EW)は、1当量の水酸化ナトリウムを中和するために必要とされる、酸型のポリマーの重量であるとして定義される。ポリマーがペルフルオロカーボン骨格を有し、かつ側鎖が−O−CF2−CF(CF3)−O−CF2−CF2−SO3H(またはそれらの塩)であるスルホネートポリマーの場合、約8〜約23のIXRに相当する当量の範囲は、約750EW〜約1500EWである。このポリマーのIXRは、次式を使用して当量に関連付けることができる。50IXR+344=EW。米国特許公報(特許文献3)および米国特許公報(特許文献4)に開示されるスルホネートポリマー、例えば、側鎖−O−CF2CF2SO3H(またはそれらの塩)を有するポリマーに対して同様のIXR範囲を使用するが、カチオン交換基を含有するモノマー単位のより低い分子量のため、当量はいくらか低い。約8〜約23の好ましいIXR範囲のため、相当する当量範囲は、約575EW〜約1325EWである。このポリマーのIXRは、次式を使用して当量に関連付けることができる。50IXR+178=EW。
コロイド状水性分散物としてFSAポリマーを調製することができる。それらは、他の媒体中の分散物の形態であってもよく、それらの例としては、限定されないが、アルコール、テトラヒドロフランのような水溶性エーテル、水溶性エーテルの混合物、およびそれらの組合せが挙げられる。分散物の製造において、酸型のポリマーを使用することができる。米国特許公報(特許文献5)、米国特許公報(特許文献6)および(特許文献7)は、水性アルコール分散物の製造方法を開示する。分散物の製造後、当該分野で既知の方法によって、濃度、および分散液組成物の組成を調整することができる。
FSAポリマーを含むコロイド形成ポリマー酸の水性分散物は、安定なコロイドが形成する限り、可能な限り小さい粒径、および可能な限り小さいEWを有する。
FSAポリマーを含むコロイド形成ポリマー酸の水性分散物は、本願特許出願人からナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物として市販品として入手可能である。
本発明に従って、水性コロイド形成ポリマー酸分散物の存在下で、導電性ポリアニリンを最初に合成し、それによって導電性ポリアニリンとコロイド状ポリマー酸とを含む合成された水性分散物を形成することによって、安定水性分散物を調製する。本発明の方法で利用される導電性ポリアニリンは、典型的に、過硫酸アンモニウム(APS)、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等のような酸化剤の存在下で、水性コロイド形成ポリマー酸分散物においてアニリンまたは置換アニリンモノマーを酸化重合することによって調製される。水性分散物は、ポリアニリンのエメラルド色塩基との塩基/酸塩を形成するために、少なくとも十分な量の適切なコロイド形成ポリマー酸を含有し、酸/塩基塩の形成によって、ポリアニリンが導電性となる。
一実施形態において、ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物の製造方法は、アニリンモノマーおよび酸化剤の少なくとも1つが添加された場合、少なくとも一部のコロイド形成ポリマー酸が存在することを条件として、任意の順序で、水と、アニリンモノマーと、コロイド形成ポリマー酸と、酸化剤とを混合することによって反応混合物を形成する工程を含む。
一実施形態において、ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物の製造方法は、
(a)コロイド形成ポリマー酸の水性分散物を供給する工程と、
(b)酸化剤を、工程(a)の分散物と混合する工程と、
(c)アニリンモノマーを、工程(b)の分散物と混合する工程と、
を含む。
もう1つの実施形態において、酸化剤を添加する前に、コロイド形成ポリマー酸の水性分散物にアニリンモノマーを混合する。次いで、酸化剤を混合する上記工程(b)を実行する。
もう1つの実施形態において、典型的に、約0.5重量%〜約2.0重量%のアニリン濃度範囲で、水とアニリンモノマーとの混合物を形成する。このアニリン混合物をコロイド形成ポリマー酸の水性分散物に添加し、次いで、酸化剤との組合せを実行する。
もう1つの実施形態において、水性重合分散物は、硫酸第二鉄、塩化第二鉄等のような重合触媒を含んでもよい。最後の工程の前に、触媒を添加する。もう1つの実施形態において、酸化剤と一緒に触媒を添加する。
一実施形態において、水と混和性である補助分散液の存在下で重合を実行する。適切な補助分散液の例としては、限定されないが、エーテル、アルコール、アルコールエーテル、環状エーテル、ケトン、ニトリル、スルホキシド、アミドおよびそれらの組合せが挙げられる。一実施形態において、補助分散液はアルコールである。一実施形態において、補助分散液は、n−プロパノール、イソプロパノール、t−ブタノール、メタノール、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドンおよびそれらの混合物から選択される。一実施形態において、補助分散液の量は、約60体積%未満であるべきである。一実施形態において、補助分散液の量は、約20体積%〜50体積%の間である。重合に補助分散液を使用することによって、粒径が著し33/19kく減少し、そして分散物の濾過性が改善される。加えて、このプロセスによって得られる緩衝材は、粘度の改善を示し、これらの分散物から調製されたフィルムは高品質である。
どちらが最後に添加されても、酸化剤またはアニリンモノマーのいずれかの添加の前に、このプロセスの任意の点で、補助分散液を反応混合物に添加することができる。一実施形態において、アニリンモノマーおよびコロイド形成ポリマー酸の両方の前に、補助分散液が添加され、そして酸化剤が最後に添加される。一実施形態において、アニリンモノマーの添加の前に補助分散液が添加され、そして酸化剤が最後に添加される。
一実施形態において、ブレンステッド酸である補助酸の存在下で重合を実行する。酸は、HCl、硫酸等のような無機酸、または酢酸のような有機酸であり得る。あるいは、酸は、ポリ(スチレンスルホン酸)、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)等のような水溶性ポリマー酸、または上記のような第2のコロイド形成酸であり得る。酸の組合せを使用することができる。
どちらが最後に添加されても、酸化剤またはアニリンモノマーのいずれかの添加の前に、プロセスの任意の点で、補助酸を反応混合物に添加することができる。一実施形態において、アニリンモノマーおよびコロイド形成ポリマー酸の両方の前に、補助酸が添加され、そして酸化剤が最後に添加される。一実施形態において、アニリンモノマーの添加の前に補助酸が添加され、そして酸化剤が最後に添加される。
一実施形態において、補助分散液および補助酸の両方の存在下で重合を実行する。アルコール補助分散剤および補助酸の存在下で重合されたポリアニリン/ナフィオン(Nafion)(登録商標)から製造されたバッファ層を有するデバイスは、高効率、低動作電圧、低漏洩電流および長寿命を示す。
ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物の製造方法において、アニリンモノマーに対する酸化剤のモル比は、一般的に0.1〜2.0の範囲内であり、そして一実施形態において、0.4〜1.5である。アニリンモノマーに対するコロイド形成ポリマー酸のモル比は、一般的に0.2〜5の範囲内である。全固体含量は、一般的に重量%で約1.0%〜6%の範囲内であり、そして一実施形態において、約2%〜4.5%である。反応温度は、一般的に約4℃〜40℃の範囲内であり、一実施形態において、約20℃〜35℃である。アニリンモノマーに対する任意の補助酸のモル比は、約0.05〜4である。酸化剤の添加時間は、粒径および粘度に影響する。従って、添加速度を低下させることによって、粒径を減少させることができる。同時に、添加速度を低下させることによって、粘度を増加させる。反応時間は、一般的に約1時間〜約30時間の範囲内である。
合成された、ポリアニリンとポリマー酸コロイドとの水性分散物は、一般的に非常に低いpHを有する。デバイスの特性に悪影響を及ぼすことなく、pHを、典型的に約1〜約8の間に調整することができることが見出された。しばしば、酸性度が腐食性であり得るため、ほぼ中性のpHを有することが望ましい。既知の技術、例えば、イオン交換を使用して、または塩基水溶液による滴定によって、pHを調整することができることが見出された。7〜8までのpHを有する、ポリアニリンとフッ素化ポリマースルホン酸コロイドとの安定分散物が形成されている。ポリアニリンと他のコロイド形成ポリマー酸との水性分散物を同様に処理して、pHを調整することができる。
一実施形態において、重合反応の完了後、合成された水性分散物を、分解種、副反応物および未反応モノマーを除去するために、そして所望のpHを有する安定水性分散物を製造するようにpHを調整するために適切な条件下で、イオン交換樹脂の少なくとも1つと接触させる。一実施形態において、合成された水性分散物を、任意の順番で、第1のイオン交換樹脂および第2のイオン交換樹脂と接触させる。合成された水性分散物を、第1のイオン交換樹脂および第2のイオン交換樹脂の両方で同時に処理することもでき、または一方、次いで他方で別々に処理することができる。
イオン交換は、逆化学反応であり、(水性分散物のような)流体媒体のイオンは、流体媒体に不溶性である不動固体粒子に結合している同様に荷電したイオンと交換される。用語「イオン交換樹脂」は、本明細書で使用される場合、かかる物質の全てを指す。イオン交換基が結合するポリマー支持体の架橋性のため、樹脂は不溶性となる。イオン交換樹脂は、カチオン交換体またはアニオン交換体として分類される。カチオン交換体は、交換のために利用可能な陽性に荷電した可動性イオン、典型的に、プロトン、またはナトリウムイオンのような金属イオンを有する。アニオン交換体は、陰性に荷電した交換性イオン、典型的に、水酸化物イオンを有する。
一実施形態において、第1のイオン交換樹脂は、プロトン性または金属イオン、典型的にナトリウムイオン型であり得る、カチオン、酸交換樹脂である。第2のイオン交換樹脂は、塩基性アニオン交換樹脂である。プロトン交換樹脂を含む酸性カチオン交換樹脂、および塩基性アニオン交換樹脂の両方は、本発明の実施における使用のために熟考される。一実施形態において、酸性カチオン交換樹脂は、スルホン酸カチオン交換樹脂のような無機酸、カチオン交換樹脂である。本発明の実施において使用するために熟考されるスルホン酸カチオン交換樹脂としては、例えば、スルホン化スチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン化架橋スチレンポリマー、フェノール−ホルムアルデヒドスルホン酸樹脂、ベンゼン−ホルムアルデヒド−スルホン酸樹脂、およびそれらの混合物が挙げられる。もう1つの実施形態において、酸性カチオン交換樹脂は、カルボン酸、アクリル酸または亜リン酸カチオン交換樹脂のような、有機酸、カチオン交換樹脂である。加えて、様々なイオン交換樹脂の混合物を使用することができる。
もう1つの実施形態において、塩基性アニオン交換樹脂は、第三級アミンアニオン交換樹脂である。本発明の実施において使用するために熟考される第三級アミンアニオン交換樹脂としては、例えば、第三級アミノ化スチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、第三級アミノ化架橋スチレンポリマー、第三級アミノ化フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、第三級アミノ化ベンゼン−ホルムアルデヒド樹脂、およびそれらの混合物が挙げられる。さらなる実施形態において、塩基性アニオン交換樹脂は、第四級アミンアニオン交換樹脂、またはこれらと他の交換樹脂との混合物である。
第1のイオン交換樹脂および第2のイオン交換樹脂を、同時に、または連続的に、合成された水性分散物に接触させてよい。例えば、一実施形態において、両樹脂は、導電性ポリマーの合成された水性分散物に同時に添加され、少なくとも約1時間、例えば、約2時間〜約20時間、分散物と接触したままにさせる。次いで、濾過により、分散物からイオン交換樹脂を除去することができる。フィルターの大きさは、より小さい分散物粒子は通過するが、相対的に大きいイオン交換樹脂粒子が除去されるように選択される。理論に拘束されることは望まれないが、イオン交換樹脂は、重合を抑制し、そして合成された水性分散物からイオン性および非イオン性不純物、ならびにほとんどの未反応モノマーを有効に除去すると考えられる。さらに、塩基性アニオン交換樹脂および/または酸性カチオン交換樹脂は、酸性部位をより塩基性にさせ、分散物のpH増加が得られる。一般的に、1グラムのポリアニリン/ポリマー酸コロイドあたり、約1グラム〜5グラムのイオン交換樹脂を使用する。
多くの場合、所望のレベルまでpHを調整するために、塩基性イオン交換樹脂を使用することができる。いくつかの場合、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラ−メチルアンモニウム等の溶液のような塩基性水溶液によって、pHをさらに調整することができる。
一実施形態において、最初に、反応容器を、水と、アルコール補助分散剤と、無機補助酸との混合物で充填する。これに、順番に、アニリンモノマー、およびフッ素化ポリマースルホン酸コロイドの水性分散物、および酸化剤を添加する。酸化剤を、ゆっくり滴下して添加し、酸コロイドを不安定化し得る高イオン濃度の局在性領域の形成を防止する。制御温度下で混合物を撹拌し、次いで反応を続行させる。重合完了時に、反応混合物を強酸カチオン樹脂で処理し、撹拌して、そして濾過し、次いで、塩基アニオン交換樹脂で処理し、撹拌し、そして濾過する。上記で検討された通り、別の添加順序を使用することもできる。
もう1つの実施形態において、ポリアニリンとコロイド形成ポリマー酸との水性分散物に、高導電性の添加剤を添加することによって、より導電性の分散物が形成される。相対的に高いpHを有する分散物を形成することができるため、導電性添加剤、特に金属添加剤は、分散物中の酸によって攻撃されない。さらに、ポリマー酸は事実上、コロイド状であり、酸基を優先的に含有する表面を有するため、導電性ポリアニリンはコロイド表面上に形成される。この独特な構造のため、浸透限界値を達成するために、低重量%の高導電性の添加剤のみが必要とされる。適切な導電性の添加剤の例としては、限定されないが、金属粒子およびナノ粒子、ナノワイヤー、炭素ナノチューブ、グラファイト繊維または粒子、炭素粒子、ならびにそれらの組合せが挙げられる。
本発明のもう1つの実施形態において、ポリマーアニリンとコロイド形成ポリマー酸とを含む水性分散物からキャスティングされたバッファ層が提供される。一実施形態において、コロイド形成ポリマースルホン酸を含む水性分散物からバッファ層をキャスティングする。一実施形態において、ポリアニリンとフッ素化ポリマー酸コロイドとを含有する水性分散物からバッファ層をキャスティングする。もう1つの実施形態において、フッ素化ポリマー酸コロイドは、フッ素化ポリマースルホン酸コロイドである。さらにもう1つの実施形態において、ポリアニリンとペルフルオロエチレンスルホン酸コロイドを含有する水性分散物からバッファ層をキャスティングする。
ポリアニリンと、フッ素化ポリマースルホン酸コロイドのようなポリマー酸コロイドとの乾燥フィルムは、一般的に水に再分散性ではない。従って、多数の薄層としてバッファ層を適用することができる。加えて、損害を生じずに、様々な水溶性または水分散性材料の層によって、バッファ層にオーバーコーティングすることができる。
もう1つの実施形態において、他の水溶性または分散性材料とブレンドされたポリマーアニリンとコロイド形成ポリマー酸とを含む水性分散物からキャスティングされたバッファ層が提供される。本発明の組成物の最終的な適用に依存して、添加され得る追加材料の種類の例としては、限定されないが、ポリマー、炭素ナノチューブ、ナノワイヤー、染料、コーティング助剤、有機および無機導電性インクおよびペースト、電荷輸送材料、架橋剤、ならびにそれらの組合せが挙げられる。他の水溶性または分散性材料は、単分子またはポリマーであり得る。適切なポリマーの例としては、限定されないが、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアミン、ポリピロール、ポリアセチレンおよびそれらの組合せのような導電性ポリマーが挙げられる。
本発明のもう1つの実施形態において、2つの電気接触層の間に配置された少なくとも1つの電気的活性層(通常、半導体共役ポリマー)を含む電子デバイスが提供される。ここでは、デバイスの少なくとも1つの層が本発明のバッファ層を含む。本発明の一実施形態を、アノード層110、バッファ層120、エレクトロルミネッセンス層130、およびカソード層150を有するデバイスである、図1に示される一種のOLEDデバイスにおいて説明する。カソード層150に隣接して、任意の電子注入/輸送層140が存在する。バッファ層120とカソード層150(または任意の電子注入/輸送層140)との間に、エレクトロルミネッセンス層130が存在する。
このデバイスは、アノード層110またはカソード層150に隣接し得る支持体または基材(示されない)を含んでもよい。非常にしばしば、支持体はアノード層110に隣接する。支持体は、可撓性または剛性、有機または無機であり得る。一般的に、支持体として、ガラスまたは可撓性有機フィルムが使用される。アノード層110は、カソード層150と比較して、正孔注入に関して、より有効である電極である。アノードとしては、金属、混合金属、合金、金属酸化物または混合酸化物を含有する材料を挙げることができる。適切な材料としては、2族元素(すなわち、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra)、11族元素、4族、5族および6族の元素、ならびに8族〜10族の遷移元素の混合酸化物が挙げられる。アノード層110が光透過性である場合、インジウム−スズ−オキシドのような12族、13族および14族元素の混合酸化物を使用してもよい。本明細書で使用される場合、句「混合酸化物」は、2族元素、または12族、13族もしくは14族元素から選択される2つ以上の異なるカチオンを有する酸化物を指す。アノード層110の材料の、いくつかの非限定的な具体例としては、限定されないが、インジウム−スズ−オキシド(「ITO」)、アルミニウム−スズ−オキシド、金、銀、銅およびニッケルが挙げられる。またアノードは、ポリアニリン、ポリチオフェンまたはポリピロールのような有機材料を含んでもよい。一貫してIUPAC数体系が使用され、周期表の族は、左から右へ1から18まで番号が付けられる(CRCハンドブック オブ ケミストリー アンド フィジックス(CRC Handbook of Chemistry and Physics)、第81版、2000)。
化学蒸着法または物理蒸着法、あるいはスピン−キャスト法によって、アノード層110を形成してよい。プラズマ加速化学蒸着(「PECVD」)または金属有機化学蒸着(「MOCVD」)として、化学蒸着を実行してよい。物理蒸着としては、イオンビームスパッタリングを含む全形態のスパッタリング、ならびに電子ビームエバポレーションおよび抵抗エバポレーションを挙げることができる。物理蒸着の具体的形態としては、rfマグネトロンスパッタリングおよび誘導結合プラズマ物理蒸着(「IMP−PVD」)が挙げられる。これらの蒸着技術は、半導体製造分野において周知である。
リソグラフ操作間にアノード層110をパターン化してもよい。所望により、パターンを変更してもよい。例えば、第1の電気接触層材料を適用する前に、第1の可撓性複合バリヤー構造上にパターン化マスクまたはレジストを配置することによって、パターンにおいて層を形成することができる。あるいは、層を、全体的な層として適用し(ブランケット沈着とも称される)、その後、例えば、パターン化レジスト層および湿式化学エッチングもしくはドライエッチング技術を使用してパターン化することができる。当該分野において周知である他のパターン化方法も使用可能である。電子デバイスが配列内に位置する場合、アノード層110は典型的に、実質的に同一方向に延在する長さを有する実質的に平行のストリップに形成される。
バッファ層120は、通常、当業者に周知の様々な技術を使用して基材上にキャスティングされる。典型的なキャスティング技術としては、例えば、溶液キャスティング、ドロップキャスティング、カーテンキャスティング、スピン−コーティング、スクリーン印刷、インクジェット印刷等が挙げられる。あるいは、インクジェット印刷のような様々な沈着法を使用して、バッファ層をパターン化することができる。
エレクトロルミネッセンス(EL)層130は、典型的に、PPVと略されるポリ(パラフェニレンビニレン)またはポリフルオレンのような共役ポリマーであってよい。選択された特定の材料は、具体的な適用、操作間に使用される電位または他の要因に依存する。スピン−コーティング、キャスティングおよび印刷を含む任意の従来技術によって、エレクトロルミネッセンス有機材料を含有するEL層130を、溶液から適用することができる。材料の性質に依存して、蒸着法によって、EL有機材料を直接適用することができる。もう1つの実施形態において、ELポリマー前駆体を適用して、次いで、典型的に熱または他の外部エネルギー源(例えば、可視光またはUV照射)によって、ポリマーへと変換することができる。
任意の層140は、電子注入/輸送の両方を促進するために機能し得、そしてまた層界面での抑制反応を防止する制限層としても機能し得る。より具体的には、層140は、電子可動性を促進し、そして層130および150が別の状態で直接接触する場合の抑制反応の可能性を低下させる。任意の層140のための材料の例としては、限定されないが、金属キレート化オキシノイド化合物(例えば、Alq3等)、フェナントロリンをベースとする化合物(例えば、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(「DDPA」)、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(「DPA」)等)、アゾール化合物(例えば、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(「PBD」)等)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(「TAZ」)等)、他の同様の化合物、またはそれらの1つまたは複数の組合せが挙げられる。あるいは、任意の層140は、無機であってもよく、BaO、LiF、Li2O等を含む。
カソード層150は、電子または陰性電荷担体を注入するために特に効率的である電極である。カソード層150は、第1の電気接触層(この場合、アノード層110)よりも低い仕事関数を有する、任意の金属または非金属であり得る。本明細書で使用される場合、用語「より低い仕事係数」は、材料が約4.4eV以下の仕事係数を有することを意味するように意図される。本明細書で使用される場合、「より高い仕事係数」は、材料が少なくとも約4.4eVの仕事係数を有することを意味するように意図される。
カソード層のための材料は、1族のアルカリ金属(例えば、Li、Na、K、Rb、Cs)、2族金属(例えば、Mg、Ca、Ba等)、12族金属、ランタニド(例えば、Ce、Sm、Eu等)およびアクチニド(例えば、Th、U等)から選択され得る。アルミニウム、インジウム、イットリウムおよびそれらの組合せのような材料も使用してよい。カソード層150のための材料の具体的な非限定的な例としては、限定されないが、バリウム、リチウム、セリウム、セシウム、ユーロピウム、ルビジウム、イットリウム、マグネシウム、サマリウム、ならびにそれらの合金および組合せが挙げられる。
カソード層150は、通常、化学蒸着法または物理蒸着法によって形成される。一般的に、アノード層110に関して上記で説明される通り、カソード層はパターン化される。デバイスが配列内に位置する場合、カソード層150を実質的に平行のストリップにパターン化してよく、ここでは、カソード層の長さは、実質的に同一方向に、アノード層ストリップの長さに対して実質的に垂直に延在する。ピクセルと呼ばれる電子的要素は、クロスポイント(配列を平面または上面から見た時に、アノード層ストリップがカソード層ストリップと交差する点)で形成される。
他の実施形態において、有機電子デバイス内に追加の層が存在してもよい。例えば、バッファ層120とEL層130との間の層(示されていない)は、陽性電荷輸送、層のバンドギャップ整合、保護層としての機能等を促進し得る。同様に、EL層130とカソード層150の間の追加の層(示されていない)は、陰性電荷輸送、層間のバンドギャップ整合、保護層としての機能等を促進し得る。当該分野において既知である層を使用することができる。加えて、上記層のいずれも、2つ以上の層から製造することができる。あるいは、無機アノード層110、バッファ層120、EL層130およびカソード層150のいくつか、または全てを表面処理して、電荷担体輸送効率を増加させることができる。それぞれの成分層の材料の選択は、高いデバイス効率を有するデバイスを提供する目標と、製造コスト、製造の複雑さ、または潜在的な他の要因との釣り合いによって決定されてよい。
異なる層が任意の適切な厚さを有してよい。無機アノード層110は、通常、約500nm以下、例えば、約10nm〜200nmであり、バッファ層120は、通常、約250nm以下、例えば、約50nm〜200nmであり、EL層130は、通常、約1000nm以下、例えば、約50nm〜80nmであり、任意の層140は、通常、約100nm以下、例えば、約20nm〜80nmであり、そしてカソード層150は、通常、約100nm以下、例えば、約1nm〜50nmである。アノード層110またはカソード層150が、少なくともいくつかの光を透過する必要がある場合、かかる層の厚さは、約100nmを超えてはならない。
電子デバイスの適用に依存して、EL層130は、信号によって活性化される発光層(例えば、発光ダイオード)、または印加電位の有無に関わらず放射エネルギーに応答し、信号を生じる材料の層(例えば、検出器またはボルタ電池)であり得る。放射エネルギーに応答する電子デバイスの例は、光導電セル、フォトレジスター、光スイッチ、バイオセンサー、フォトトランジスターおよび光電管、ならびに光電池から選択される。この記述を読んだ後、当業者は、それらの特定の適用に適切である材料を選択することができるだろう。添加剤の有無に関わらず、発光材料をもう1つの材料のマトリックスに分散してもよく、または単独の層を形成してもよい。EL層130は、一般的に、約50nm〜500nmの範囲の厚さを有する。
有機発光ダイオード(OLED)において、カソード150およびアノード110層のそれぞれからEL層130中へ注入される電子および正孔は、ポリマーにおいて陰性および陽性荷電ポラロンを形成する。これらのポラロンは適用された電場の影響下で移動し、逆荷電種を有するポラロンエキシトンを形成し、その後、放射再結合を受ける。通常、約12ボルト未満であり、多くの例で約5ボルト以下である、アノードとカソードとの間の十分な電位差がデバイスに印加されてよい。実際の電位差は、より大きい電子部品におけるデバイスの使用に依存する。多くの実施形態において、電子デバイスの操作間、アノード層110は正の電圧に偏り、そしてカソード層150は、実質的に地電位またはゼロボルトである。回路の一部として、電子デバイスに電池または他の電源が電気的に連結してもよいが、図1には説明されていない。
ポリマーアニリンとコロイド形成ポリマー酸とを含む水性分散物からキャスティングされたバッファ層によって提供されたOLEDは、改善された寿命を有することが見出された。バッファ層は、ポリアニリンとフッ素化ポリマースルホン酸コロイドとの水性分散物からキャスティングされてもよく、一実施形態において、水性分散物は、pHが約3.5より高くまで調整されたものである。
より酸性が低いか、またはpHが中性である材料を使用することによって、デバイス製造の間、ITO層のエッチングの著しい低下が導かれ、従って、OLEDのポリマー層中へのより低濃度のInおよびSnイオン拡散が導かれる。InおよびSnイオンは、操作寿命の低下に寄与することが疑われているため、これは非常に有益である。
より酸性が低いことも、製造間および長期間の貯蔵間のディスプレーの金属部品(例えば、電気接触パッド)の腐食を低下させる。PANI/PSSA残渣は残留湿分と相互作用して、ディスプレー中に酸を放出し、緩慢な腐食をもたらす。
本発明のバッファ層は、より低い湿分取り込みを有し、従って、デバイス製造プロセスにおいて、より少量の水が含まれる。このより低い湿分レベルによって、デバイスのより良好な操作寿命、および腐食の減少をもたらすことができる。
酸性PANI/PSSAを分配するために使用される装置は、PANI/PSSAの強酸性を取り扱えるように特別に設計される必要がある。例えば、PANI/PSSAをITO基材上へコーティングするために使用されるクロムメッキスロットダイコーティングヘッドは、PANI/PSSAの酸性のため腐食することが見出された。コーティングされたフィルムがクロム粒子によって汚染されるため、これはヘッドを使用不可にさせる。また、特定のインクジェット印刷ヘッドも、OLEDディスプレーの製造のために興味深い。それらは、ディスプレーの正確な位置で、バッファ層および発光ポリマー層の両方を分配するために使用される。これらの印刷ヘッドは、インクの粒子の内部トラップとして、ニッケルメッシュフィルターを含有する。これらのニッケルフィルターは、酸性PANI/PSSAによって分解し、使用不可となる。これらの腐食の問題のいずれも、酸性度が低い本発明の水性PANI分散物では生じない。
さらに、特定の発光ポリマーは、酸性条件に感応性であることが見出され、そしてそれらが酸性バッファ層と接触する場合、それらの発光能力は低下する。より低い酸性度または中性のため、本発明の水性PANI分散物を使用してバッファ層を形成することが有利である。
2つ以上の異なる発光材料を使用するフルカラーまたはエリアカラーディスプレーの製造は、それぞれの発光材料が、性能を最適化するために異なるカソード材料を必要とする場合、複雑となる。ディスプレーデバイスは、発光する多数のピクセルから製造される。多色デバイスにおいて、異なる色を発光する少なくとも2つの異なる種類のピクセル(サブピクセルと称されることもある)が存在する。サブピクセルは、異なる発光材料によって構成される。全ての発光素子を有し、良好なデバイス性能を与える単一カソード材料を有することが非常に望ましい。これは、デバイス製造の複雑さを最小化する。本発明の水性PANI分散物からバッファ層が製造される多色デバイスにおいて、それぞれの色の良好なデバイス性能を保持しながら、一般的なカソードを使用できることが予測される。上記材料のいずれかからカソードを製造することができ、アルミニウムのようなより不活性な金属によってオーバーコーティングされたバリウムであってもよい。
ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物を含む1つまたは複数の層を有することから利益を得る、他の有機電子デバイスとしては、(1)電気エネルギーを放射へと変換するデバイス(例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレーまたはダイオードレーザー)、(2)電子工学プロセスによって信号を検出するデバイス(例えば、光検出器(例えば、光導電セル、フォトレジスター、光スイッチ、フォトトランジスター、光電管)、IR検出器)、(3)放射を電気エネルギーへと変換するデバイス(例えば、光起電力デバイスまたは太陽電池)、および(4)1つまたは複数の有機半導体層を含む1つまたは複数の電子部品を含むデバイス(例えば、トランジスターまたはダイオード)が挙げられる。
水溶液または溶媒から適用された導電性ポリマーの層で、バッファ層をさらにオーバーコーティングすることができる。導電性ポリマーは、電荷輸送を促進することができ、そしてまた被覆性も改善することができる。適切な導電性ポリマーの例としては、限定されないが、ポリアニリン、ポリチオフェン、同時係属中の出願デュポン番号PE0688号に開示されるもののようなポリチオフェン−ポリマー酸コロイド、またはポリチオフェン/ポリスチレンスルホン酸、ポリピロール、ポリアセチレン、およびそれらの組合せが挙げられる。
本発明のさらにもう1つの実施形態において、ポリアニリンとコロイド形成ポリマースルホン酸とを含む電極を含む薄膜電界効果トランジスターが提供される。薄膜電界効果トランジスターにおいて電極として使用するために、導電性ポリマーまたは半導電性ポリマーのいずれかの再溶解を回避するため、導電性ポリマーおよび導電性ポリマーを分散または溶解するための液体は、半導電性ポリマーおよび半導電性ポリマーのための溶媒と適合性でなければならない。導電性ポリマーから製造された薄膜電界効果トランジスター電極は、10S/cmより高い導電性を有するべきである。しかしながら、水溶性ポリマー酸によって製造された導電性ポリマーは、約10-3S/cm以下の範囲の導電性のみを提供する。従って、一実施形態において、電極は、金属ナノワイヤー、炭素ナノチューブ等のような導電性促進剤との組合せで、ポリアニリンとフッ素化コロイド形成ポリマースルホン酸とを含む。さらにもう1つの実施形態において、電極は、金属ナノワイヤー、炭素ナノチューブ等のような導電性促進剤との組合せで、ポリアニリンとコロイド形成ペルフルオロエチレンスルホン酸とを含む。ゲート電極、ドレイン電極またはソース電極として、薄膜電界効果トランジスターにおいて本発明の組成物を使用してよい。
図2に示される通り、本発明のもう1つの説明は薄膜電界効果トランジスターである。この説明において、絶縁性ポリマーまたは絶縁性酸化物薄膜210は、1つの側面でゲート電極220を有し、そして他の側面でドレイン電極230およびソース電極240を有する。ドレイン電極とソース電極との間に、有機半導電性フィルム250を配置する。溶液薄膜沈着における有機ベース絶縁性ポリマーおよび半導電性ポリマーとの適合性のため、金属ナノワイヤーまたは炭素ナノチューブを含有する本発明の水性分散物は、ゲート、ドレインおよびソース電極の適用に関して理想的である。本発明の導電性組成物、例えば、PANIおよびコロイド状ペルフルオロエチレンスルホン酸は、コロイド状分散物として存在するため、高導電性に対する浸透限界値を達成するために、より重量%の低い導電性充填材が必要とされる(水溶性ポリマースルホン酸を含有する組成物と相関して)。
本発明のさらにもう1つの実施形態において、ポリマー酸コロイドの存在下でアニリンモノマーを重合する工程を含む、ポリアニリンの水性分散物の製造方法が提供される。もう1つの実施形態において、コロイド形成ポリマー酸は、カルボン酸、アクリル酸、スルホン酸、リン酸等、または上記の組合せである。本発明の方法の一実施形態において、ポリアニリンはポリアニリンであり、そしてコロイド形成ポリマー酸はフッ素化されている。本発明の方法のもう1つの実施形態において、ポリアニリンは非置換ポリアニリンであり、そしてコロイド形成ポリマー酸は過フッ素化されている。さらにもう1つの実施形態において、コロイド形成酸はポリエチレンスルホン酸である。さらにもう1つの実施形態において、ポリエチレンスルホン酸はペルフッ素化されている。重合は、水の存在下で実施される。さらにもう1つの実施形態において、ペルフルオエオエチレンスルホン酸を含有する重合は、上記で明示された追加の酸と一緒に実行される。得られる反応混合物をイオン交換樹脂によって処理し、反応副生物を除去して、所望のpH水性分散物を達成することができる。もう1つの実施形態において、イオン交換体または塩基性水溶液によってpHをさらに調整することができる。
以下の非限定的な実施例を参照することによって、本発明はさらに詳細に説明される。
(比較例1)
この比較例は、オルメコン カンパニー(Ormecon Company)のD 005 W OLDから調製された乾燥固体の高い湿分取り込み、および再分散性を説明する。乾燥フィルムと接触する水の酸性度も説明する。
オルメコン ヒェミー GmbH アンド Co.KG(Ormecon Chemie GmbH and Co.KG)(ドイツ、アンマースベック(Ammersbeck,Germany))から購入したD 1005 W LEDは、水性ポリアニリン分散物である。ポリアニリンポリマーを、アニリンと水溶性ポリ(スチレンスルホン酸)との重合から製造した。窒素流体によって、約15mlの水性分散物を乾燥させた。0.05gの乾燥ポリマーフィルムを、pH7を有する0.45gの脱イオン水を混合させた。カラー ペーハースト(Color pHast.)(登録商標)指示ストリップ(EM サイエンス(EM Science)、pH0〜14の範囲、カタログ番号9590)の断片によって、pHを測定した。湿潤ストリップの色を、pH判断のための色チャートと比較した。ポリマーフィルムを脱イオン水と接触させたらすぐに、水は深緑色に変化し、その後、すぐに水中に完全に分散した。水のpHは約1であり、これは非常に酸性であった。また周囲条件(約25℃/50%相対湿度(RH))において、乾燥フィルムは約24%までの湿分を取り込んだ。この例は、水溶性ポリマー酸から製造されたポリアニリンは、水中に容易に分散し、低pHの分散物を形成することを説明する。また、これは相当な量の湿分を吸収する。全ての結果は、酸が非常に可動性であり、光ポリマー層のような隣接ポリマー層中への高い移動傾向を有し、それらの機能に損害を与えることを示す。
(比較例2)
この比較例は、分散ポリアニリンがアニリンと水溶性PAAMSAから製造される、水性PAni/PAAMPSA分散物から調製された乾燥固体の再分散性を説明する。また水性分散物の酸性度も説明する。
60.65g(43.90ミリモルの酸モノマー単位)のPAAMPSA水溶液(アルドリッチ(Aldrich)、カタログ番号19,197−3、ロット番号07623EO、Mw約200万、水中固体15%)を、ジャケット付き500ml三つ口フラスコに導入し、続いて335.07gの脱イオン水を加えた。フラスコに、空気駆動式オーバーヘッド撹拌機を動力源とする撹拌パドル、および過硫酸アンモニウムを添加するための小型管を装備した。小型管を、先端部を取り外したガラスピペット内に配置し、このピペットを29サイズのセプタ(Septa)を通して挿入し、管の末端がピペットから約1/2インチ反応混合物上に延在するようにした。ジャケット付きフラスコ中の重合液の温度を監視するための注入口を備えた熱電対を使用して、22℃で流体の循環を保持した。PAAMPSA/水混合物の撹拌開始後、全容ピペットを介して、新たに蒸留したアニリン(4.0mL、43.9ミリモル)をフラスコに添加した。約1時間、混合物を撹拌しながら混合した。撹拌を続けながら、過硫酸アンモニウム(4.01g、17.572ミリモル、純度99.999+%、アルドリッチ(Aldrich)から)をシンチレーションバイアル中に集合させ、そしてこの集合体を16.38gの脱イオン水と混合した。この混合物を、17ゲージシリンジ針を使用して、フラスコの管に連結したノーム−ジェクト(Norm−Ject)30mlシリンジに配置した。このシリンジを、30分かけて過硫酸アンモニウム(APS)を添加するようにプログラムされたハーバード アパラタス 44 シリンジ ポンプ(Harvard Apparatus 44 Syringe Pump)に連結した。APS添加の間、混合物の温度は約23℃であった。APS添加の1分後、反応混合物は青色に変わり、暗色化が始まった。APS溶液の添加完了後、一定の撹拌をしながら反応を24時間続行した。
24時間後、反応混合物を4Lプラスチックナルゲン(Nalgen)(登録商標)ビーカー中に注入し、オーバーヘッド撹拌機からの撹拌を開始し、そしてアセトン(2000L)を4Lビーカー中に注入した。アセトン混合物の撹拌を30分間続けた。一度、撹拌を停止し、混合物を静置し、2層化させた。ほとんどの赤黄色液体相をデカンテーションし、タール質の固体生成物を残し、次いで、これをエルレンマイヤー(Erlenmeyer)フラスコに移した。撹拌のために撹拌ブレードを使用できるような様式で、フラスコを配置した。さらに430mlの新たなアセトンを迅速にビーカーに添加した。これを15分間撹拌した。これによってスラリーが生じ、一片のワットマン(Whatman)#54濾紙を備えたブフナー(Buchner)漏斗を通して吸引濾過する前に、これを約30分間静置させた。母液は無色透明であった。さらに430mlの新たなアセトンを迅速に生成物に添加した。これを約90分間撹拌した。一片のワットマン(Whatman)#54濾紙を備えたブフナー(Buchner)漏斗を通して吸引濾過する前に、このスラリーを約4時間静置させた。濾紙上に、緑色の固体生成物を収集した。濾液は、それに関連した非常に淡い緑色を有した。濾過ケーキは微細粒子を有するが、いくらかの大きい粒子も有した。漏斗およびその内容物を約2日間、真空オーブン中に置いた(約20インチ水銀、周囲温度)。収量は、11.93gであった。
0.31gの上記製造されたPAni/PAAMPSA粉末を、20.38gの脱イオン水と混合した。ポリマー粉末は水中に非常に迅速に分散し、1.5%(w/w)分散物を形成した。上記カラーペーハースト(Color pHast.)(登録商標)指示ストリップの一片を使用するpH試験のために、1.5gの分散物を3.0gの脱イオン水と混合した。分散物のpHは約3である。この例は、水溶性ポリマー酸によって製造されたポリアニリンは迅速に水中に分散して、低pHの分散物を形成することを説明する。結果は、酸が非常に可動性であり、光ポリマー層のような隣接ポリマー層中への移動傾向を有し、それらの機能に損害を与えることを示す。
(実施例1)
この実施例は、分散ポリアニリンが、アニリンと、ナフィオン(Nafion)(登録商標)、コロイド状ペルフルオロエチレンスルホン酸とから製造される、水性PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物の調製を説明する。またこの実施例は、水性PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物から調製された乾燥固体の非分散性および低湿分取り込みも説明する。また、乾燥フィルムと接触する水の中性も説明する。
本発明において、2000年11月21日発行の米国特許公報(特許文献6)に記載の方法に従って製造されたナフィオン(Nafion)(登録商標)ポリマー分散物を使用した。ナフィオン(Nafion)(登録商標)ポリマー分散物試料は、水中12.0%(w/w)ペルフルオロエチレンスルホン酸コロイドを含有し、そしてナフィオン(Nafion)(登録商標)ポリマーは、1050g/モルのモノマー単位の酸を有する。ジャケット付き500ml三つ口フラスコ中に、191.63g(21.90ミリモルのナフィオン(Nafion)(登録商標)モノマー単位)のナフィオン(Nafion)(登録商標)ポリマー分散物および206.32gの脱イオン水を注入した。フラスコに、空気駆動式オーバーヘッド撹拌機を動力源とする撹拌パドル、および過硫酸アンモニウムのための小型管を装備した。小型管を、先端部を取り外したガラスピペット内に配置した。このピペットを29サイズのセプタ(Septa)を通して配置し、管がピペットから約1/2インチ反応混合物上に延在するようにした。熱電対は、20℃の流体の循環を可能にする、ジャケット付きフラスコ中の重合液の温度を監視するための注入口を有する。次いで、ナフィオン(Nafion)(登録商標)/水混合物の撹拌を開始した。次いで、全容ピペットを介して、2.0ml(21.9ミリモルのアニリン)の蒸留アニリンを添加した。これを約1時間撹拌した。撹拌しながら、2.02g(8.852ミリモル)の過硫酸アンモニウム(純度99.999+%、アルドリッチ(Aldrich)から)をシンチレーションバイアル中に集合させた。次いで、この集合体を8.16gの脱イオン水と混合した。次いで、これを、17ゲージシリンジ針を使用して、前記管に連結したノーム−ジェクト(Norm−Ject)30mlシリンジに吸引させた。このシリンジを、ハーバード アパラタス 44 シリンジ ポンプ(Harvard Apparatus 44 Syringe Pump)に連結した。このシリンジポンプは、30分かけて過硫酸アンモニウム(APS)を添加するように設定されたが、実際の添加時間は28分であった。重合間、温度は約20℃であった。反応混合物は非常に泡沫状であり、APS添加の20分以内に青色に変わった。1時間以内で、重合はすでに非常に暗色になり、非常に均質であるように見えた。重合を約25時間続けて、重合液の全内容物を1リットルのエルレンマイヤー(Erlenmeyer)フラスコ中に注入した。
重合液は深緑色であり、これは、導電性ポリアニリンに対して予期される色である。液体を44時間、不攪乱状態のままにした。驚くべきことに、重合液は、上部の透明液層と底部の緑色沈殿物とを意味する二相に分離しないことが発見された。この結果は、ポリアニリン/ナフィオン(Nafion)(登録商標)の安定水性分散物が製造されたことを明白に示す。
次いで、重合液を、二片のワットマン(Whatman)#54濾紙を含有するブフナー(Buchner)漏斗を通して吸引濾過した。濾液が通過を開始した時、それは深緑色であり、濾紙の目詰まりのため、より色が薄くなった。濾過は極端に遅くなり、従って、濾紙を数回変えなければならなかった。収集した濾過ケーキは、まだ湿っていたが、400ml脱イオン水中に再分散させた。同様の様式で濾過を実行し、そして収集した濾過ケーキは、まだ湿っていたが、300ml脱イオン水中に再分散させた。
300mlのPAni/ナフィオン(Nafion)*分散物の部分を1週間、不攪乱状態のままにした。再度、いくらかの緑色沈殿が底部にあったが、透明液相への分散物の分離はない。窒素流体にいよって分散物の部分を乾燥させ、固体パーセントのための固体フィルムを形成した。これは3.2%であると決定された。次いで、乾燥フィルムを、非常に深緑色である微細粉末へと粉砕した。TGAは、25℃/50%RHで平衡である時に、乾燥粉末が1.7%のみの湿分を吸収することを示す。
0.1255gのPAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)粉末を、4.8770gの脱イオン中性水と混合し、振盪機で撹拌した。水が退色することなく、PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)ポリマー粉末はそのまま残る。ペーハースト(pHastt)(登録商標)リトマス紙の一片で試験した時に、水のpHは中性のままである。この結果は、水との接触時にポリマー酸はポリマー中に残り、これは中性のままであることを明白に示す。
(実施例2)
この実施例は、水性PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物の調製、ならびに分散物の安定性およびpHに及ぼす樹脂処理の影響を説明する。またこの実施例は、水性PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物から調製された乾燥固体の非分散性および低湿分取り込みも説明する。また、乾燥フィルムと接触する水の中性も説明する。
本発明の実施例において、アニリンとの重合のために、SE10072 ナフィオン(Nafion)(登録商標)を使用した。ナフィオン(Nafion)(登録商標)は、本願特許出願人から市販品として入手可能である。2000年11月21日発行の米国特許公報(特許文献6)に記載の、2nm〜30nmの範囲のコロイド径を有する本発明の実施例1で使用されるナフィオン(Nafion)(登録商標)に対して、SE10072のナフィオン(Nafion)(登録商標)は40nm〜140nmの範囲のコロイド径を有する。
PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)を製造するための本発明の実施例1に記載の重合手順に厳密に従った。本実施例で使用されるSE10072 ナフィオン(Nafion)(登録商標)コロイド状分散物は、水中11.2%(w/w)ペルフルオロエチレンスルホン酸コロイドを含有する。ナフィオン(Nafion)(登録商標)ポリマーは、約920g/モルのモノマー単位の酸を有する。ジャケット付き500ml三つ口フラスコ中に、97.29g(11.84ミリモルのナフィオン(Nafion)(登録商標)モノマー単位)のナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物および296.15gの脱イオン水を注入した。次いで、ジャケット付きフラスコ中に連続的に20℃の流体を循環させながら、ナフィオン(Nafion)(登録商標)/水混合物の撹拌を開始した。次いで、全容ピペットを介して、フラスコに1.079ml(11.84ミリモル)の蒸留アニリンを添加した。これを1時間撹拌した。撹拌しながら、1.08g(4.73ミリモル)の過硫酸アンモニウム(純度99.999+%、アルドリッチ(Aldrich)から)をシンチレーションバイアル中に集合させた。次いで、この集合体を4.38gの脱イオン水と混合した。34分間で、過硫酸アンモニウム溶液を反応混合物に添加した。重合間、温度は約20.4℃であった。反応混合物は泡沫状であった。1時間以内で、重合はすでに非常に深緑色になり、均質ではないように見えた。重合の小滴を顕微鏡スライド上に置いた。これは、一度乾燥させると、非常に粗いフィルムを形成した。約24.5時間、重合を続けた。重合液を反応器から2つのプラスチックボトルへ移した。一部は184gの重量であり、もう一部は203gの重量であった。184g部分を一晩静置させた。これは二相に分離した。上層は透明液体であるが、底層は深緑色沈殿であった。
203g部分の重合液を7.69gのダウエックス(Dowex)(登録商標)550Aおよび7.94gのダウエックス(Dowex)(登録商標)66と混合し、これを反応フラスコに添加し、そして20時間撹拌させた。ダウエックス(Dowex)550Aは第四級アミンアニオン交換樹脂であり、そしてダウエックス(Dowex)66は第三級アミンイオン交換樹脂である(ミシガン州、ダウ ケミカル カンパニー(Dow Chemical Company,MI))。使用前の水洗浄で色または匂いがなくなるまで、脱イオン水で樹脂を繰返し洗浄した。次いで、樹脂処理スラリーを、チーズクロス(Cheese Cloth)を通して直接、1リットルビーカー中へ前置濾過した。500メッシュステンレス鋼を通して、第2の濾過を実行した。濾液は安定であり、0.45ミクロンdpフィルター(ワットマン(Whatman)25mm GDX、カタログ番号:6992−2504)を通過することができた。ジェンコ エレクトロニクス インコーポレイテッド(Jenco Electronics,Inc.)からのpHメーター モデル63で、濾過された分散物のpHを測定し、7.4であることがわかった。樹脂処理は、明らかに、PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)重合液を安定分散物にさせた。使用されたイオン交換樹脂の量および樹脂処理時間に依存して、重合液のpHを約1.5から任意の中性未満のpHまで調整することができることも理解されるべきである。1モルのアニリン/1モルのナフィオン(Nafion)(登録商標)/0.4モルの過硫酸アンモニウムの重合から誘導された液体の典型的なpHは、1.5である。
一定重量まで、流動窒素によって、小部分の樹脂処理PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)を乾燥させた。次いで、これを周囲室温で平衡状態にさせ、湿分を吸収させた。湿分取り込みは3.6%であることが決定された。乾燥固体は水中に再分散せず、固体に接触している水は、ジェンコ エレクトロニクス インコーポレイテッド(Jenco Electronics,Inc.)からのpHメーター モデル63で測定すると7のpHを有した。
(参考例3)
この参考例は、高pHの水性PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物の調製、およびデバイス特性を説明する。
本発明参考例において、アニリンとの重合のために、SE10072 ナフィオン(Nafion)(登録商標)を使用した。ナフィオン(Nafion)(登録商標)は、本願特許出願人から市販品として入手可能である。2000年11月21日発行の米国特許公報(特許文献6)に記載の、2nm〜30nmの範囲のコロイド径を有する本発明の実施例1で使用されるナフィオン(Nafion)(登録商標)に対して、SE10072のナフィオン(Nafion)(登録商標)は40nm〜140nmの範囲のコロイド径を有する。
PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)を製造するための本発明の実施例1に記載の重合手順に厳密に従った。本参考例で使用されるSE10072 ナフィオン(Nafion)(登録商標)コロイド状分散物は、水中11.2%(w/w)ペルフルオロエチレンスルホン酸コロイドを含有する。ナフィオン(Nafion)(登録商標)ポリマーは、約920g/モルのモノマー単位の酸を有する。ジャケット付き1リットル三つ口フラスコ中に、194.6g(23.69ミリモルのナフィオン(Nafion)(登録商標)モノマー単位)のナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物および602.28gの脱イオン水を注入した。次いで、ジャケット付きフラスコ中に連続的に20℃の流体を循環させながら、ナフィオン(Nafion)(登録商標)/水混合物の撹拌を開始した。次いで、全容ピペットを介して、フラスコに2.159ml(23.69ミリモル)の蒸留アニリンを添加した。これを1時間撹拌した。撹拌しながら、2.18g(9.553ミリモル)の過硫酸アンモニウム(純度99.999+%、アルドリッチ(Aldrich)から)をシンチレーションバイアル中に集合させた。次いで、この集合体を8.74gの脱イオン水と混合した。30分間で、過硫酸アンモニウム溶液を反応混合物に添加した。重合間、温度は約20.4℃であった。反応混合物は非常に泡沫状であった。1時間以内で、重合はすでに非常に深緑色になり、非常に均質であるように見えた。重合を約24時間続けた。18.82gのダウエックス(Dowex)(登録商標)550Aおよび14.88gのダウエックス(Dowex)(登録商標)66を反応フラスコに添加し、4.4時間撹拌させた。ダウエックス(Dowex)550Aは第四級アミンアニオン交換樹脂であり、そしてダウエックス(Dowex)66は第三級アミンイオン交換樹脂である(ミシガン州、ダウ ケミカル カンパニー(Dow Chemical Company,MI))。使用前の水洗浄で色または匂いがなくなるまで、脱イオン水で樹脂を繰返し洗浄した。次いで、樹脂処理スラリーを、チーズクロス(Cheese Cloth)を通して直接、1リットルビーカー中へ前置濾過した。500メッシュステンレス鋼を通して、第2の濾過を実行した。収量:670.80g。
上記調製された約30mlの分散物試料を、0.45ミクロンdpフィルター(ワットマン(Whatman)25mm GDX、カタログ番号:6992−2504)を通して濾過した。ジェンコ エレクトロニクス インコーポレイテッド(Jenco Electronics,Inc.)からのpHメーター モデル63で、濾過された分散物のpHを測定し、7.4であることがわかった。
発光測定のために、800rpmのスピン速度で7.2のpHを有する水性PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)分散物をITO/ガラス基材上にスピンコーティングし、1000Åの厚さを得た。90℃で30分間、窒素中で、PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)コーティングされたITO/ガラス基材を乾燥させた。次いで、PAni/ナフィオン(Nafion)(登録商標)層に、ポリ(置換フェニレンビニレン)(ドイツ、フランクフルトのコビオン カンパニー(Covion Company,Frankfurt,Germany))であるスーパーイエロー発光体(PDY131)をトップコーティングした。エレクトロルミネッセンス(EL)層の厚さは、約70nmであった。テンコー500 サーフェイス プロフィラー(TENCOR 500 Surface Profiler)を使用して、全てのフィルムの厚さを測定した。カソードに関して、1×10-6トールの真空下でEL層の上部にBaおよびAl層を蒸着させた。Ba層の最終的な厚さは30Åであり、Al層の厚さは3000Åであった。以下の通り、デバイス特性を試験した。236ソース測定ユニット(ケイスレー(Keithley))、および較正ケイ素フォトダイオードを有するS370オプトメーター(UDTセンサー)によって、電流対電圧、発光強度対電圧、および効率を測定した。1つの発光デバイスは3.65ボルトの操作電圧を示し、そして発光効率は、200Cd/m2で7.2Cd/A(Cd:カンデラ、A:アンペア数)発光効率である。
(参考例4)
室温で、500mL二重ジャケット付き反応容器中に直接、92.00gの脱イオン(DI)水および92.00gの99.7%n−プロパノールを集合させた。次に、ピペットを介して、3.58mL(43.59ミリモル)の37重量%HClおよび1.988mL(21.80ミリモル)のアニリン(蒸留)を反応容器に添加した。頭上に500RPMに設定されたU型撹拌ロッドを備えて、混合物を撹拌した。5分後、ガラス漏斗を介して、0.3μmプロフィールフィルターを通過した91.98g(10.90ミリモル)の水分散性ナフィオン(Nafion)(登録商標)(DE−1020、10.9%固体、920EW)をゆっくり添加した。さらに5分間、混合物を均質化させた。1時間かけて、シリンジ注入ポンプを介して、20gのDI水に溶解された1.99g(8.72ミリモル)の過硫酸アンモニウム(99.99+%)を反応物に滴下して添加した。8分後、溶液は淡いトルコ色に変わった。濃深緑色に変化する前に、溶液は濃青色へと進行した。APS添加開始後、混合物を90分間撹拌し、そして7.00gのアンバーリスト(Amberlyst)−15(ペンシルバニア州フィラデルフィアのローム アンド ハース カンパニー(Rohm and Haas Co.,Philadelphia,PA))カチオン交換樹脂(32%n−プロパノール(DI水中)混合物で数回すすぎ、窒素下で乾燥させた)を添加し、そして一晩200RPMで撹拌を開始した。翌朝、鋼メッシュを通して混合物を濾過し、アンバージェット(Amberjet)4400(OH)(ペンシルバニア州フィラデルフィアのローム アンド ハース カンパニー(Rohm and Haas Co.,Philadelphia,PA))アニオン交換樹脂(32%n−プロパノール(DI水中)混合物で数回すすぎ、窒素下で乾燥させた)と一緒に、pHが0.9から4.4へと変更するまで撹拌した。樹脂を再び濾過した。使用前、PVDF膜を有する0.45μmミリポア ミレックス(Millipore Millex)−HVシリンジフィルターを通して、分散物を濾過した。収量:32%n−プロパノール/68%DI水中4%固体を有する約300gの分散物。
この分散物を1600RPMでガラス上にスピンし、1151Åの厚さを有するフィルムを得た。導電性は、1.36×10-5S/cmであった。
参考例3に記載の通り、デバイスを製造した。このデバイスは、以下に与えられる性能を有した。ここで、t1/2は、示された温度で、輝度が初期の輝度の2分の1になる後の連続操作時間である。
600cd/m2における電圧および効率:3.45Vおよび9.8cd/A
−7Vにおける漏洩電流:2μA
80℃におけるt1/2(初期の輝度:412cd/m2):97時間
(参考例5)
室温で、500mL二重ジャケット付き反応容器中に直接、88.11gの99.7%n−プロパノールおよび88.11gのDI水を集合させた。次に、ピペットを介して、0.167mL(2.0ミリモル)の37重量%HClおよび0.901mL(9.9ミリモル)のアニリン(蒸留)を反応容器に添加した。頭上に500RPMに設定されたU型撹拌ロッドを備えて、混合物を撹拌した。5分後、ガラス漏斗を介して、0.3μmプロフィールフィルターを通過した100.03g(11.90ミリモル)の水分散性ナフィオン(Nafion)(登録商標)(DE−1020、11.1%固体、935EW)をゆっくり添加した。さらに10分間、混合物を均質化させた。6時間かけて、シリンジ注入ポンプを介して、20gのDI水に溶解された2.82g(12.4ミリモル)の過硫酸アンモニウム(99.99+%)を反応物に滴下して添加した。7分後、溶液は淡いトルコ色に変わった。濃深緑色に変化する前に、溶液は濃青色へと進行した。APS添加開始後、混合物を360分間撹拌し、そして7.50gのアンバーリスト(Amberlyst)−15カチオン交換樹脂(32%n−プロパノール(DI水中)混合物で数回すすぎ、窒素下で乾燥させた)を添加し、そして一晩200RPMで撹拌を開始した。翌朝、鋼メッシュを通して混合物を濾過し、アンバージェット(Amberjet)4400(OH)アニオン交換樹脂(32%n−プロパノール(DI水中)混合物で数回すすぎ、窒素下で乾燥させた)と一緒に、pHが1.3から4.8へと変更するまで撹拌した。樹脂を再び濾過した。使用前、PVDF膜を有する0.45μmミリポア ミレックス(Millipore Millex)−HVシリンジフィルターを通して、分散物を濾過した。収量:31%n−プロパノール/69%DI水中4%固体を有する約270gの分散物。
この分散物を1000RPMでガラス上にスピンし、2559Åの厚さを有するフィルムを得た。導電性は、1.67×10-6S/cmであった。
参考例3に記載の通り、デバイスを製造した。このデバイスは、以下の性能を有した。
600cd/m2における電圧および効率:3.56Vおよび10.3cd/A
−7Vにおける漏洩電流:6μA
80℃におけるt1/2(初期の輝度:490cd/m2):148時間
特定の好ましい実施形態を参照しながら、本発明は詳細に記載されたが、修正および変更が、記載および請求されるものの精神および範囲内であることは理解されるだろう。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
1.ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物を含むことを特徴とする組成物。
2.前記ポリアニリンが、次式IIおよび次式III:
Figure 2011190452
(式中、
nは、0〜4の整数であり、
mは、1〜5の整数であるが、ただし、n+m=5であり、そして
1は、独立して、出現するごとに同一であるかもしくは異なるように選択され、かつアルキル、アルケニル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、カルボン酸、ハロゲン、シアノ、または1つまたは複数のスルホン酸、カルボン酸、ハロ、ニトロ、シアノもしくはエポキシ部分によって置換されたアルキルから選択されるか、あるいは任意の2つのR1基が一緒になって、任意選択的に1つまたは複数の二価の窒素、イオウまたは酸素原子を含んでもよい3、4、5、6または7員の芳香族環もしくは脂環式環を完成するアルキレンまたはアルケニレン鎖を形成してもよい)
から選択される式を有するアニリンモノマー単位を有することを特徴とする1に記載の組成物。
3.前記コロイド形成ポリマー酸が、ポリマースルホン酸、ポリマーカルボン酸、およびポリマーリン酸、またはポリマーアクリル酸、あるいはそれらの混合物から選択されることを特徴とする1または2に記載の組成物。
4.前記コロイド形成ポリマー酸が、ペルフルオロエチレンスルホン酸を含むことを特徴とする1または2に記載の組成物。
5.ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成ポリマー酸との水性分散物の製造方法であって、
(a)水とアニリンとの均質な水性混合物を供給する工程と、
(b)ポリマー酸の水性分散物を供給する工程と、
(c)前記アニリン混合物を、コロイド形成ポリマー酸の前記水性分散物に混合する工程と、
(d)任意の添加順序で、酸化剤および触媒を、工程(c)の前記分散物に混合する工程と
を含むことを特徴とする方法。
6.前記水性ポリアニリン分散物を、カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂またはそれらの混合物であるイオン交換樹脂の少なくとも1つと接触させる工程をさらに含むことを特徴とする5に記載の方法。
7.酸化剤、触媒、補助分散剤、補助酸、または全てのこれらの追加の加工助剤をさらに含むことを特徴とする5に記載の方法。
8.過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムまたはそれらの組合せから選択される酸化剤と、
硫酸第二鉄、塩化第二鉄またはそれらの混合物から選択される触媒と、
エーテル、アルコール、アルコールエーテル、環状エーテル、ケトン、ニトリル、スルホキシドおよびそれらの組合せから選択される補助分散剤と
をさらに含み、
そして前記分散物を、スルホン化スチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン酸、スルホン化架橋スチレンポリマー、ベンゼン−ホルムアルデヒドスルホン酸、カルボン酸、アクリル酸、リン酸、第三級アミン、第四級アミンアニオン交換樹脂、およびそれらの混合物から選択されるイオン交換樹脂と接触させる工程をさらに含むことを特徴とする5に記載の方法。
9.ポリアニリンと、少なくともコロイド形成ポリマー酸との有機水性分散物を含む組成物から製造された、少なくとも1つの有機層を含むことを特徴とする有機電子デバイス。
10.9に記載のデバイスであって、前記デバイスは、光センサー、光スイッチ、フォトレジスター、フォトトランジスター、光電管、IR検出器、光電池、太陽電池、発光ダイオード、バイオセンサー、発光ダイオードディスプレーまたはダイオードレーザーであることを特徴とするデバイス。

Claims (10)

  1. ポリアニリンと、少なくとも1つのコロイド形成フッ素化ポリマースルホン酸との水性分散物の製造方法であって、
    (a)コロイド形成フッ素化ポリマースルホン酸との水性分散物を供給する工程と、および、
    (b)酸化剤を、工程(a)の分散物と混合する工程と、
    (c)アニリンモノマーを、工程(b)の分散物に混合して、ポリアニリンの水性分散物を得る工程と、
    または、
    (b)アニリンモノマーを、工程(a)の分散物に混合する工程と、
    (c)酸化剤を、工程(b)の分散物と混合して、ポリアニリンの水性分散物を得る工程と、
    を含み、前記重合は、n−プロパノール、イソプロパノール、メタノール、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドンおよびそれらの混合物から選択される補助分散液の存在下で行われ、
    前記補助分散液は、前記酸化剤または、前記アニリンモノマーの何れか最後に加えられたものの添加前の任意の点で、前記反応混合物に加えられることを特徴とする方法。
  2. 請求項1に記載の製造方法であって、
    (a)水とアニリンとの均質な水性混合物を供給する工程と、
    (b)ポリマー酸の水性分散物を供給する工程と、
    (c)前記アニリン混合物を、コロイド形成ポリマー酸の前記水性分散物に混合する工程と、
    (d)任意の添加順序で、酸化剤および触媒を、工程(c)の前記分散物に混合する工程と
    を含み、
    前記補助分散液は、工程(d)の酸化剤の添加前に加えられることを特徴とする方法。
  3. 前記水性ポリアニリン分散物を、カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂またはそれらの混合物であるイオン交換樹脂の少なくとも1つと接触させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
  4. 触媒、補助酸、またはこれらの追加の加工助剤の両方をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 前記酸化剤は、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムまたはそれらの組合せから選択され、
    前記方法は、硫酸第二鉄、塩化第二鉄またはそれらの混合物から選択される触媒をさらに含み、
    そして前記分散物を、スルホン化スチレン−ジビニルベンゼンコポリマー、スルホン酸、スルホン化架橋スチレンポリマー、ベンゼン−ホルムアルデヒドスルホン酸、カルボン酸、アクリル酸、リン酸、第三級アミン、第四級アミンアニオン交換樹脂、およびそれらの混合物から選択されるイオン交換樹脂と接触させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
  6. 前記ポリアニリンが、次式IIおよび次式III:
    Figure 2011190452
    (式中、
    nは、0〜4の整数であり、
    mは、1〜5の整数であるが、ただし、n+m=5であり、そして
    1は、独立して、出現するごとに同一であるかもしくは異なるように選択され、かつアルキル、アルケニル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリール、アルキルスルフィニル、アルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリールチオ、アリールスルフィニル、アルコキシカルボニル、アリールスルホニル、カルボン酸、ハロゲン、シアノ、または1つまたは複数のスルホン酸、カルボン酸、ハロ、ニトロ、シアノもしくはエポキシ部分によって置換されたアルキルから選択されるか、あるいは任意の2つのR1基が一緒になって、任意選択的に1つまたは複数の二価の窒素、イオウまたは酸素原子を含んでもよい3、4、5、6または7員の芳香族環もしくは脂環式環を完成するアルキレンまたはアルケニレン鎖を形成してもよい)
    から選択される式を有するアニリンモノマー単位を有することを特徴とする請求項2に記載の方法。
  7. 前記コロイド形成フッ素化ポリマースルホン酸が、ペルフルオロエチレンスルホン酸を含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
  8. 請求項1〜7の何れか一項に記載の方法により得られた水性分散物。
  9. 請求項8の水性分散物から製造された、少なくとも1つの有機層を含むことを特徴とする有機電子デバイス。
  10. 請求項9に記載のデバイスであって、前記デバイスは、光センサー、光スイッチ、フォトレジスター、フォトトランジスター、光電管、IR検出器、光電池、太陽電池、発光ダイオード、バイオセンサー、発光ダイオードディスプレーまたはダイオードレーザーであることを特徴とするデバイス。
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Families Citing this family (229)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040092700A1 (en) * 2002-08-23 2004-05-13 Che-Hsiung Hsu Methods for directly producing stable aqueous dispersions of electrically conducting polyanilines
AU2003279011A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US7371336B2 (en) * 2002-09-24 2008-05-13 E.I. Du Pont Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
CN1681869B (zh) 2002-09-24 2010-05-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件用聚合物酸胶体制成的可水分散的聚苯胺
JP4509787B2 (ja) 2002-09-24 2010-07-21 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ポリマー酸コロイドを伴って製造される水分散性ポリチオフェン
US7317047B2 (en) 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US7390438B2 (en) * 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
US7686978B2 (en) * 2003-09-24 2010-03-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for the application of active materials onto active surfaces and devices made with such methods
US20060139342A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Gang Yu Electronic devices and processes for forming electronic devices
KR101050468B1 (ko) * 2004-02-14 2011-07-19 삼성에스디아이 주식회사 바이오 칩 및 이를 이용한 바이오 분자 검출 시스템
US7250461B2 (en) * 2004-03-17 2007-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
EP1730215B1 (en) * 2004-03-18 2017-08-16 Enthone GmbH A composition comprising a conductive polymer in colloidal form and carbon
US7455793B2 (en) * 2004-03-31 2008-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-aqueous dispersions comprising electrically doped conductive polymers and colloid-forming polymeric acids
US8147962B2 (en) * 2004-04-13 2012-04-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive polymer composites
US8089152B2 (en) * 2004-09-16 2012-01-03 Nanosys, Inc. Continuously variable graded artificial dielectrics using nanostructures
US7365395B2 (en) * 2004-09-16 2008-04-29 Nanosys, Inc. Artificial dielectrics using nanostructures
US8558311B2 (en) 2004-09-16 2013-10-15 Nanosys, Inc. Dielectrics using substantially longitudinally oriented insulated conductive wires
US7504769B2 (en) 2004-12-16 2009-03-17 E. I. Du Pont De Nemours + Company Aromatic chalcogen compounds and their use
US7670506B1 (en) 2004-12-30 2010-03-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive compositions for liquid deposition
US20070181874A1 (en) * 2004-12-30 2007-08-09 Shiva Prakash Charge transport layers and organic electron devices comprising same
US7563392B1 (en) * 2004-12-30 2009-07-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic conductive compositions and structures
US7985490B2 (en) * 2005-02-14 2011-07-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Composition of conducting polymer and organic opto-electronic device employing the same
DE102005010162B4 (de) 2005-03-02 2007-06-14 Ormecon Gmbh Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie
JP5323478B2 (ja) * 2005-06-27 2013-10-23 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリマー組成物
JP2008546898A (ja) * 2005-06-27 2008-12-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリマー組成物
WO2007002740A2 (en) * 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
CN101208369B (zh) * 2005-06-28 2013-03-27 E.I.内穆尔杜邦公司 高功函数透明导体
WO2007023334A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Council Of Scientific And Industrial Research A process for preparation of conductive polymer dispersion
US20070191583A1 (en) * 2005-12-19 2007-08-16 Josemon Jacob Polymers based on 3,6-and 2,7-conjugated poly(phenanthrene) and pled devices
US20070152209A1 (en) * 2005-12-19 2007-07-05 Uckert Frank P Devices using polymers based on 3,6- and 2,7-conjugated poly(phenanthrene)
US8440324B2 (en) * 2005-12-27 2013-05-14 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions
EP2412699A1 (en) * 2005-12-28 2012-02-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions
US20070170401A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-26 Che-Hsiung Hsu Cationic compositions of electrically conducting polymers doped with fully-fluorinated acid polymers
US8470208B2 (en) 2006-01-24 2013-06-25 E I Du Pont De Nemours And Company Organometallic complexes
US8216680B2 (en) 2006-02-03 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Transparent composite conductors having high work function
US8124172B2 (en) 2006-03-02 2012-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for making contained layers and devices made with same
AU2006343396B2 (en) * 2006-05-01 2011-12-01 Wake Forest University Organic optoelectronic devices and applications thereof
ES2369583T3 (es) 2006-05-01 2011-12-02 Wake Forest University Dispositivos fotovoltaicos fibrosos y aplicaciones de los mismos.
EP2021395A1 (en) * 2006-06-01 2009-02-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive polymer compositions
US20080087882A1 (en) * 2006-06-05 2008-04-17 Lecloux Daniel D Process for making contained layers and devices made with same
WO2007145977A1 (en) * 2006-06-05 2007-12-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making an organic electronic device
GB2439387A (en) * 2006-06-21 2007-12-27 Oil Plus Ltd Method of screening hydrocarbon compositions for low molecular weight naphthenic acids
US20080149178A1 (en) * 2006-06-27 2008-06-26 Marisol Reyes-Reyes Composite organic materials and applications thereof
EP2041222B1 (en) 2006-06-30 2012-12-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Stabilized compositions of conductive polymers and partially-fluorinated acid polymers
EP2050151B1 (en) 2006-08-07 2011-10-12 Wake Forest University Method of producing composite organic materials
WO2008024378A2 (en) 2006-08-24 2008-02-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hole transport polymers
WO2008024380A2 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic devices
US20080097076A1 (en) * 2006-08-24 2008-04-24 Radu Nora S Hole transport polymers
EP2062467B1 (en) 2006-09-13 2012-02-15 Enthone, Inc. Article with a coating of electrically conductive polymer and precious/semiprecious metal and process for production thereof
EP2082446A2 (en) * 2006-11-13 2009-07-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US8062553B2 (en) * 2006-12-28 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US8115378B2 (en) * 2006-12-28 2012-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetra-substituted chrysenes for luminescent applications
US8257836B2 (en) 2006-12-29 2012-09-04 E I Du Pont De Nemours And Company Di-substituted pyrenes for luminescent applications
US20080191172A1 (en) 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
US8465848B2 (en) * 2006-12-29 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Benzofluorenes for luminescent applications
US20080160342A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Hong Meng Host compositions for luminescent materials
EP2124270A4 (en) 2007-02-28 2010-08-25 Idemitsu Kosan Co ORGANIC EL-INSTALLATION
US20080213624A1 (en) * 2007-02-28 2008-09-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US20080251768A1 (en) 2007-04-13 2008-10-16 Che-Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions
US20080283800A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Che Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
US20080286487A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Lang Charles D Process for making contained layers
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
EP1995736A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-26 Rijksuniversiteit Groningen Ferro-electric device and modulatable injection barrier
JP5292394B2 (ja) * 2007-06-01 2013-09-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 青色発光材料
CN101679205A (zh) * 2007-06-01 2010-03-24 E.I.内穆尔杜邦公司 空穴传输材料
KR101554751B1 (ko) * 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 녹색 발광 재료
WO2008147721A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chrysenes for blue luminescent applications
KR101554750B1 (ko) 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 진청색 발광 용도를 위한 크라이센
CN102617266A (zh) * 2007-06-01 2012-08-01 E.I.内穆尔杜邦公司 电荷传输化合物和含该化合物的材料
JP5401449B2 (ja) * 2007-06-01 2014-01-29 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 緑色発光用途のためのクリセン類
EP2036941A1 (en) * 2007-09-13 2009-03-18 Stichting Dutch Polymer Institute Process for the preparation of a conductive polymer composition
KR101383454B1 (ko) * 2007-09-21 2014-04-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자
WO2009042792A1 (en) * 2007-09-25 2009-04-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for solution processed electronic devices
WO2009052085A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solution processed electronic devices
US20090098680A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for solution processed electronic devices
US20090101870A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electron transport bi-layers and devices made with such bi-layers
JP2011501472A (ja) * 2007-10-23 2011-01-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 発光用途の3成分発光層
WO2009055628A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process and materials for making contained layers and devices made with same
JP4936069B2 (ja) * 2007-10-31 2012-05-23 株式会社デンソー モータ制御装置
JP2011503849A (ja) * 2007-11-01 2011-01-27 ウェイク フォレスト ユニバーシティ ラテラル型有機光電デバイス及びその用途
US8063399B2 (en) * 2007-11-19 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US20090142556A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for forming an organic electronic device including an organic device layer
US7947536B2 (en) * 2007-11-29 2011-05-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for forming encapsulated electronic devices
KR101041548B1 (ko) * 2007-11-30 2011-06-15 제일모직주식회사 전도성 고분자 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자
US8040048B2 (en) * 2007-12-12 2011-10-18 Lang Charles D Process for forming an organic electronic device including an organic device layer
US8216753B2 (en) 2007-12-13 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8212239B2 (en) 2007-12-13 2012-07-03 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8115200B2 (en) 2007-12-13 2012-02-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8772774B2 (en) * 2007-12-14 2014-07-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate
US8067764B2 (en) * 2007-12-17 2011-11-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8461291B2 (en) * 2007-12-17 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Organic electroactive materials and an organic electronic device having an electroactive layer utilizing the same material
US8308988B2 (en) 2007-12-17 2012-11-13 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8174185B2 (en) * 2007-12-21 2012-05-08 E I Du Pont De Nemours And Company Charge transport materials for luminescent applications
US20110114925A1 (en) * 2007-12-27 2011-05-19 Che-Hsiung Hsu Buffer bilayers for electronic devices
US8192848B2 (en) 2008-01-11 2012-06-05 E I Du Pont De Nemours And Company Substituted pyrenes and associated production methods for luminescent applications
CN101952349B (zh) * 2008-01-17 2014-04-23 李成柱 可溶性导电聚合物及其制备方法
US20100295036A1 (en) * 2008-02-01 2010-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Structure for making solution processed electronic devices
KR101643780B1 (ko) * 2008-03-19 2016-07-28 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도성 중합체 조성물 및 그로부터 제조된 필름
WO2009119871A1 (ja) * 2008-03-25 2009-10-01 住友化学株式会社 有機光電変換素子
WO2009133792A1 (ja) * 2008-04-28 2009-11-05 住友化学株式会社 有機光電変換素子およびその製造方法
TW201005813A (en) 2008-05-15 2010-02-01 Du Pont Process for forming an electroactive layer
US8343381B1 (en) 2008-05-16 2013-01-01 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport composition
US8242487B2 (en) 2008-05-16 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Anode for an organic electronic device
US8216685B2 (en) * 2008-05-16 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
TW201011114A (en) * 2008-05-19 2010-03-16 Du Pont Apparatus and method of vapor coating in an electronic device
JP2010192863A (ja) * 2008-05-23 2010-09-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機光電変換素子およびその製造方法
WO2009158555A2 (en) 2008-06-26 2009-12-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
JP2011526416A (ja) * 2008-06-26 2011-10-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオード照明器具
PL2145916T3 (pl) * 2008-07-17 2013-11-29 Gore W L & Ass Gmbh Powłoka substratu zawierająca kompleks jonowego fluoropolimeru i powierzchniowo naładowanych nanocząstek
US8643000B2 (en) 2008-11-18 2014-02-04 E I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device with low-reflectance electrode
US20110215715A1 (en) * 2008-11-19 2011-09-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Chrysene compounds for blue or green luminescent applications
KR101564129B1 (ko) * 2008-12-01 2015-10-28 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 재료
JP2012510474A (ja) * 2008-12-01 2012-05-10 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性材料
JP2012510706A (ja) * 2008-12-01 2012-05-10 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機電子デバイス用のアノード
US8420232B2 (en) * 2008-12-04 2013-04-16 E I Du Pont De Nemours And Company Binaphthyl-arylamine polymers
US8932733B2 (en) * 2008-12-19 2015-01-13 E I Du Pont De Nemours And Company Chrysene derivative host materials
US8461758B2 (en) * 2008-12-19 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
TW201038532A (en) * 2008-12-19 2010-11-01 Du Pont Anthracene compounds for luminescent applications
US8278651B2 (en) * 2008-12-22 2012-10-02 E I Du Pont De Nemours And Company Electronic device including 1,7-phenanthroline derivative
EP2361009A4 (en) 2008-12-22 2012-12-05 Du Pont ELECTRONIC DEVICE WITH A PHENANTHROLINE DERIVATIVE
US8531100B2 (en) * 2008-12-22 2013-09-10 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
KR20110114594A (ko) * 2008-12-22 2011-10-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광활성 조성물 및 그 조성물로 제조된 전자 소자
US8278405B2 (en) * 2008-12-22 2012-10-02 E I Du Pont De Nemours And Company Vinylphenoxy polymers
US20100187500A1 (en) * 2008-12-23 2010-07-29 E.I.Du Pont De Nemours And Company Carbon structures bonded to layers within an electronic device
US8766239B2 (en) * 2008-12-27 2014-07-01 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
US8785913B2 (en) * 2008-12-27 2014-07-22 E I Du Pont De Nemours And Company Buffer bilayers for electronic devices
EP2401341B1 (en) * 2009-02-27 2017-01-18 E. I. du Pont de Nemours and Company Deuterated compounds for electronic applications
US8759818B2 (en) 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
CN102318040B (zh) 2009-03-06 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
JP5701782B2 (ja) 2009-03-09 2015-04-15 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 電気活性層の形成方法
KR20110139253A (ko) 2009-03-09 2011-12-28 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 층을 형성하기 위한 방법
WO2010105140A2 (en) 2009-03-12 2010-09-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions for coating applications
WO2010114583A1 (en) 2009-04-03 2010-10-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
WO2010123962A2 (en) * 2009-04-21 2010-10-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
KR101581991B1 (ko) * 2009-04-24 2015-12-31 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기 전도성 중합체 조성물 및 그로부터 제조된 필름
WO2010135395A2 (en) * 2009-05-19 2010-11-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
EP2671936B1 (en) 2009-05-19 2015-06-24 E. I. du Pont de Nemours and Company Chrysene compounds for luminescent applications
JP2011038077A (ja) * 2009-06-02 2011-02-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 新規導電性ポリマーおよびその製造方法
EP2449054A4 (en) 2009-07-01 2013-05-29 Du Pont CHRYSENE COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
JP5727478B2 (ja) 2009-07-27 2015-06-03 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 閉じ込め層を製作するための方法および物質ならびにそれによって製作されるデバイス
KR101545774B1 (ko) * 2009-08-13 2015-08-19 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 크라이센 유도체 재료
TW201121116A (en) * 2009-08-24 2011-06-16 Du Pont Organic light-emitting diode luminaires
KR20120066026A (ko) * 2009-08-24 2012-06-21 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유기 발광 다이오드 조명기구
WO2011028482A2 (en) * 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US8476620B2 (en) * 2009-08-24 2013-07-02 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
TW201117652A (en) * 2009-08-24 2011-05-16 Du Pont Organic light-emitting diode luminaires
US20110058770A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling
EP2483366A4 (en) * 2009-09-29 2013-05-01 Du Pont DEUTERATED COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
CN102596893A (zh) 2009-10-19 2012-07-18 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子应用的三芳基胺化合物
JP2013508380A (ja) 2009-10-19 2013-03-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用のトリアリールアミン化合物
US8716699B2 (en) * 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US8674343B2 (en) 2009-10-29 2014-03-18 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
CN102596950A (zh) * 2009-10-29 2012-07-18 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子应用的氘代化合物
WO2011059789A2 (en) * 2009-10-29 2011-05-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US8716700B2 (en) 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
TW201119976A (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Du Pont Deuterated compound as part of a combination of compounds for electronic applications
EP2333003A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-15 Stichting Dutch Polymer Institute Process for the preparation of a conductive polymer composition
US8282861B2 (en) * 2009-12-21 2012-10-09 Che-Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions
US20110147717A1 (en) 2009-12-21 2011-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
US8465849B2 (en) * 2009-12-21 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated zirconium compound for electronic applications
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
RU2428767C1 (ru) 2010-03-03 2011-09-10 Эл Джи Кем, Лтд Полимерные мембраны для топливных элементов, основанные на интерполиэлектролитных комплексах полианилина и нафиона или его аналогов (варианты)
JP2011213843A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 新規導電性ポリマーおよびその製造方法
TW201204687A (en) 2010-06-17 2012-02-01 Du Pont Electroactive materials
TW201200975A (en) 2010-06-17 2012-01-01 Du Pont Process and materials for making contained layers and devices made with same
TW201213277A (en) 2010-08-11 2012-04-01 Du Pont Electroactive compound and composition and electronic device made with the composition
JP5886858B2 (ja) 2010-08-24 2016-03-16 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 光活性組成物、およびその組成物を用いて作製した電子デバイス
US20130040397A1 (en) * 2010-10-01 2013-02-14 Alexander Star Detection of hydrogen sulfide gas using carbon nanotube-based chemical sensors
WO2012051754A1 (zh) * 2010-10-20 2012-04-26 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
TW201230434A (en) 2010-12-01 2012-07-16 Du Pont Organic electronic device with composite electrode
JP2014505963A (ja) * 2010-12-07 2014-03-06 ロディア オペレーションズ 導電性ナノ構造、そのようなナノ構造を作製するための方法、そのようなナノ構造を含有する導電性ポリマーフィルム、およびそのようなフィルムを含有する電子デバイス
TW201229010A (en) 2010-12-13 2012-07-16 Du Pont Electroactive materials
US9269909B2 (en) 2010-12-15 2016-02-23 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive material and devices made with such materials
TW201229204A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229003A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
US20130248843A1 (en) 2010-12-17 2013-09-26 E I Du Pont De Nemours And Company Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229205A (en) 2010-12-20 2012-07-16 Du Pont Electroactive materials
JP5727038B2 (ja) 2010-12-20 2015-06-03 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 電子技術応用のための組成物
KR102158326B1 (ko) 2010-12-20 2020-09-21 주식회사 엘지화학 전자적 응용을 위한 전기활성 조성물
WO2012087977A1 (en) 2010-12-20 2012-06-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process and materials for making contained layers and devices made with same
US20130264560A1 (en) 2010-12-20 2013-10-10 E I Du Pont De Nemours And Company Triazine derivatives for electronic applications
KR20130143627A (ko) 2010-12-21 2013-12-31 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유기 전기활성 재료 침적용 액체 조성물
EP2655339A1 (en) 2010-12-21 2013-10-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a pyrimidine compound
TW201245408A (en) 2011-04-08 2012-11-16 Du Pont Electronic device
WO2013059718A1 (en) 2011-10-19 2013-04-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device for lighting
US9553268B2 (en) * 2012-02-13 2017-01-24 Massachusetts Institute Of Technology Cathode buffer materials and related devices and methods
CN103305108B (zh) * 2012-03-16 2015-11-04 中国科学院理化技术研究所 一种水性抗静电涂料及其制备方法
CN104203967A (zh) 2012-03-23 2014-12-10 E.I.内穆尔杜邦公司 绿色发光材料
CN104203960A (zh) 2012-04-02 2014-12-10 E.I.内穆尔杜邦公司 蓝色发光化合物
CN104245715A (zh) 2012-04-23 2014-12-24 E.I.内穆尔杜邦公司 蓝色发光化合物
US9062993B2 (en) 2012-05-22 2015-06-23 E I Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for liquid flow calibration check
US8802351B2 (en) 2012-07-31 2014-08-12 International Business Machines Corporation Water-dispersible electrically conductive fluorine-containing polyaniline compositions for lithography
CN104662062B (zh) 2012-09-25 2017-09-08 默克专利有限公司 包含导电聚合物的制剂及其在有机电子器件中的用途
KR101384324B1 (ko) * 2012-09-26 2014-04-10 롯데케미칼 주식회사 칸덕티브 수지 조성물
JP6147860B2 (ja) 2012-09-27 2017-06-14 ロディア オペレーションズRhodia Operations 銀ナノ構造を作製するための方法及び同方法に有用なコポリマー
JP6371304B2 (ja) * 2012-12-13 2018-08-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 閉じ込め層およびそれを使って製造されるデバイスを製造するための方法および材料
EP2958917A1 (en) 2013-02-25 2015-12-30 E. I. du Pont de Nemours and Company Electronic device including a diazachrysene derivative
WO2014141367A1 (ja) 2013-03-11 2014-09-18 昭和電工株式会社 導電性重合体含有分散液の製造方法
CN103224744B (zh) * 2013-04-22 2015-09-30 常州纳欧新材料科技有限公司 一种具有导电热稳定性的聚合物涂料及其制备方法
WO2015112561A1 (en) 2014-01-23 2015-07-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive metal complexes
CN106104410B (zh) 2014-03-13 2020-02-14 株式会社半导体能源研究所 电子设备
US9947872B2 (en) 2014-07-15 2018-04-17 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
US9843001B2 (en) 2014-08-18 2017-12-12 E I Du Pont De Nemours And Company Blue luminescent compounds
US9944846B2 (en) 2014-08-28 2018-04-17 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
KR102349080B1 (ko) 2014-10-20 2022-01-07 주식회사 엘지화학 청색 발광 화합물
KR102283559B1 (ko) 2014-10-31 2021-07-28 주식회사 엘지화학 전기활성 재료
WO2016081583A1 (en) 2014-11-20 2016-05-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
US11683979B2 (en) 2015-02-03 2023-06-20 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
US9972783B2 (en) 2015-03-25 2018-05-15 E I Du Pont De Nemours And Company High energy triarylamine compounds for hole transport materials
US9954174B2 (en) 2015-05-06 2018-04-24 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
US10804473B2 (en) 2015-05-21 2020-10-13 Lg Chem, Ltd. Electron transport materials for electronic applications
US10897025B2 (en) 2015-05-26 2021-01-19 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
US10700284B2 (en) 2015-07-20 2020-06-30 Lg Chem, Ltd. Photoactive composition
US20170025609A1 (en) 2015-07-20 2017-01-26 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US9525134B1 (en) 2015-08-11 2016-12-20 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
US10862037B2 (en) 2015-10-16 2020-12-08 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
CN105949459B (zh) * 2016-05-19 2019-02-19 合肥师范学院 一种网状聚苯胺纳米片及其制备方法
US9966542B2 (en) 2016-06-02 2018-05-08 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US11289700B2 (en) 2016-06-28 2022-03-29 The Research Foundation For The State University Of New York KVOPO4 cathode for sodium ion batteries
JP6789594B2 (ja) 2016-07-20 2020-11-25 エルジー・ケム・リミテッド 電気活性材料
RU2647846C1 (ru) * 2016-10-19 2018-03-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ТГТУ") Способ получения водного раствора полианилина
WO2018097937A1 (en) 2016-11-23 2018-05-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive compounds
TWI832882B (zh) 2018-08-08 2024-02-21 美商杜邦電子股份有限公司 用於電子裝置中之聚合物
CN110003496B (zh) * 2018-09-29 2022-04-15 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种聚合物分散体的制备方法及聚合物分散体
CN110715958A (zh) * 2019-09-10 2020-01-21 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 以聚偏二氟乙烯/碳纳米管-聚苯胺复合柔性膜柔性膜氨气传感器及其制备方法
US11339246B2 (en) 2020-03-03 2022-05-24 Lg Energy Solution, Ltd. Preparation method of polymer
US11773212B2 (en) 2020-03-03 2023-10-03 Lg Energy Solution, Ltd. Preparation method of polymer

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2632979A1 (fr) * 1988-06-16 1989-12-22 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un polymere conducteur mixte ionique et electronique et polymeres obtenus par ce procede
JPH06306280A (ja) * 1992-06-30 1994-11-01 Nitto Denko Corp 有機重合体溶液組成物及びこれを用いる導電性有機重合体の製造方法
JPH06313038A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Marubishi Yuka Kogyo Kk 導電性高分子コロイド水溶液の製造方法
JPH0710973A (ja) * 1993-06-21 1995-01-13 Ryuichi Yamamoto 可溶性高分子化合物共存下の重合法
JPH10509751A (ja) * 1994-11-07 1998-09-22 モンサント・カンパニー 乳化重合法及び導電性ポリアニリン塩
JP2000091081A (ja) * 1998-09-12 2000-03-31 Bayer Ag エレクトロルミネッセンス組立体用の補助層
JP2004523623A (ja) * 2001-02-09 2004-08-05 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 増加した粘度を有するポリアニリンの水性導電性分散液
JP2005536595A (ja) * 2002-08-23 2005-12-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリアニリンの安定な水性分散系の直接製造方法
JP2006502254A (ja) * 2002-09-24 2006-01-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性有機ポリマー/ナノ粒子複合材料およびその使用方法

Family Cites Families (234)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282875A (en) 1964-07-22 1966-11-01 Du Pont Fluorocarbon vinyl ether polymers
DE2029556A1 (de) 1970-06-16 1971-12-23 Farbwerke Hoechst AG, vormals Meister Lucius & Brumng, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung von Aryl 1,1,2,2 tetrafluorathylathern
US4321114A (en) 1980-03-11 1982-03-23 University Patents, Inc. Electrochemical doping of conjugated polymers
US4442187A (en) 1980-03-11 1984-04-10 University Patents, Inc. Batteries having conjugated polymer electrodes
US4358545A (en) 1980-06-11 1982-11-09 The Dow Chemical Company Sulfonic acid electrolytic cell having flourinated polymer membrane with hydration product less than 22,000
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4433082A (en) 1981-05-01 1984-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making liquid composition of perfluorinated ion exchange polymer, and product thereof
US5378402A (en) 1982-08-02 1995-01-03 Raychem Limited Polymer compositions
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4552927A (en) * 1983-09-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Conducting organic polymer based on polypyrrole
FR2588007B1 (fr) * 1985-09-30 1988-04-08 Commissariat Energie Atomique Polymeres conducteurs electroniques azotes, leurs procedes de preparation, cellule d'affichage electrochrome et generateur electrochimique utilisant ces polymeres
JPS62119237A (ja) 1985-11-20 1987-05-30 Agency Of Ind Science & Technol 導電性有機高分子化合物用ド−パント
JPS62138582A (ja) 1985-12-11 1987-06-22 Omron Tateisi Electronics Co 導電性高分子層のパタ−ン形成方法
US4731408A (en) 1985-12-20 1988-03-15 Polaroid Corporation Processable conductive polymers
JPH0678492B2 (ja) 1986-11-27 1994-10-05 昭和電工株式会社 高電導性重合体組成物及びその製造方法
JPH0678493B2 (ja) 1987-03-04 1994-10-05 昭和電工株式会社 電導性重合体組成物の製造方法
US4940525A (en) 1987-05-08 1990-07-10 The Dow Chemical Company Low equivalent weight sulfonic fluoropolymers
US4795543A (en) 1987-05-26 1989-01-03 Transducer Research, Inc. Spin coating of electrolytes
US5160457A (en) 1987-08-07 1992-11-03 Allied-Signal Inc. Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline
US5378403A (en) 1987-08-07 1995-01-03 Alliedsignal Inc. High electrically conductive polyanaline complexes having polar substitutents
US5069820A (en) 1987-08-07 1991-12-03 Allied-Signal Inc. Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline
JPH01132052A (ja) 1987-08-10 1989-05-24 Nitto Denko Corp 導電性有機重合体電池
DE3843412A1 (de) 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
US5294504A (en) * 1988-08-30 1994-03-15 Osaka Gas Company, Ltd. Three-dimensional microstructure as a substrate for a battery electrode
US4973391A (en) * 1988-08-30 1990-11-27 Osaka Gas Company, Ltd. Composite polymers of polyaniline with metal phthalocyanine and polyaniline with organic sulfonic acid and nafion
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
DE3913857A1 (de) 1989-04-27 1990-10-31 Agfa Gevaert Ag Fotografisches material mit einer antistatikschicht
WO1998021755A2 (en) 1996-11-12 1998-05-22 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
DE69013078T2 (de) 1989-07-04 1995-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd Elektroleitfähiges Polymer und dieses enthaltendes elektroleitfähiges Material.
DE3938094A1 (de) 1989-11-16 1991-05-23 Basf Ag Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen polymerisaten
DE59010247D1 (de) 1990-02-08 1996-05-02 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
EP0443861B2 (en) 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
US5185100A (en) 1990-03-29 1993-02-09 Allied-Signal Inc Conductive polymers formed from conjugated backbone polymers doped with non-oxidizing protonic acids
BE1008036A3 (fr) * 1990-08-30 1996-01-03 Solvay Melanges de polymeres polaires et de polymeres conducteurs dedopes, procedes d'obtention de ces melanges et utilisation de ces melanges pour fabriquer des dispositifs electroniques optoelectriques, electrotechniques et electromecaniques.
US5258461A (en) 1990-11-26 1993-11-02 Xerox Corporation Electrocodeposition of polymer blends for photoreceptor substrates
JP3056522B2 (ja) 1990-11-30 2000-06-26 三菱レイヨン株式会社 金属―導電性高分子複合微粒子及びその製造方法
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
US5463005A (en) 1992-01-03 1995-10-31 Gas Research Institute Copolymers of tetrafluoroethylene and perfluorinated sulfonyl monomers and membranes made therefrom
JPH05255576A (ja) 1992-03-12 1993-10-05 Nippon Chibagaigii Kk 面状発熱体及びその製造法
DE4211461A1 (de) 1992-04-06 1993-10-07 Agfa Gevaert Ag Antistatische Kunststoffteile
DE4211459A1 (de) 1992-04-06 1993-10-07 Agfa Gevaert Ag Herstellung einer Antistatikschicht für fotografische Materialien
DE4216762A1 (de) 1992-05-21 1993-11-25 Agfa Gevaert Ag Antistatische Kunststoffteile
EP0579027A1 (en) 1992-06-30 1994-01-19 Nitto Denko Corporation Organic polymer solution composition and process for producting electrically conductive organic polymer therefrom
US5324453A (en) 1992-08-07 1994-06-28 Neste Oy Electrically conducting polyaniline: method for emulsion polymerization
RU2035803C1 (ru) 1992-08-17 1995-05-20 Институт химической физики в Черноголовке РАН Способ получения электропроводящего полимерного покрытия на подложке
DE69319200T2 (de) 1992-10-14 1999-01-28 Agfa Gevaert Nv Antistatische Beschichtungszusammensetzung
EP0593111B1 (en) 1992-10-14 1998-06-17 Agfa-Gevaert N.V. Antistatic coating composition
DE69321567T2 (de) 1992-12-17 1999-06-02 Agfa Gevaert Nv Antistatische, dauerhafte Grundierschicht
US5489400A (en) 1993-04-22 1996-02-06 Industrial Technology Research Institute Molecular complex of conductive polymer and polyelectrolyte; and a process of producing same
JPH0710992A (ja) 1993-06-04 1995-01-13 Neste Oy 加工可能な導電性ポリマー材料およびその製造方法
DE4322130A1 (de) 1993-07-02 1995-01-12 Siemens Ag Implantierbarer Defibrillator
DE4334390C2 (de) 1993-10-08 1999-01-21 Nat Science Council Verfahren zur Herstellung eines verarbeitbaren, leitfähigen, kolloidalen Polymeren
US5723873A (en) 1994-03-03 1998-03-03 Yang; Yang Bilayer composite electrodes for diodes
US5537000A (en) 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
DE19507413A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
JP2001506393A (ja) 1994-09-06 2001-05-15 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 導電性ポリマー製の透明な構造を付与した電極層を有するエレクトロルミネセント装置
DE19524132A1 (de) 1995-07-03 1997-01-09 Bayer Ag Kratzfeste leitfähige Beschichtungen
US5716550A (en) * 1995-08-10 1998-02-10 Eastman Kodak Company Electrically conductive composition and elements containing solubilized polyaniline complex and solvent mixture
US5773150A (en) 1995-11-17 1998-06-30 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Polymeric antistatic coating for cathode ray tubes
DE19543205A1 (de) 1995-11-20 1997-05-22 Bayer Ag Zwischenschicht in elektrolumineszierenden Anordnungen enthaltend feinteilige anorganische Partikel
US5798170A (en) 1996-02-29 1998-08-25 Uniax Corporation Long operating life for polymer light-emitting diodes
DE19627071A1 (de) 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
EP0932646B1 (en) 1996-10-15 2001-07-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions containing particles of highly fluorinated ion exchange polymer
US5792830A (en) 1996-12-09 1998-08-11 The Dow Chemical Company Process for preparing polyaniline
JP4124487B2 (ja) 1996-12-30 2008-07-23 イドロ―ケベック 五員環アニオン塩又はテトラアザペンタレン誘導体と、イオン伝導性物質としてのそれらの使用
US6191231B1 (en) 1997-01-22 2001-02-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Grafting of polymers with fluorocarbon compounds
US5965281A (en) 1997-02-04 1999-10-12 Uniax Corporation Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes
JPH10261418A (ja) 1997-03-18 1998-09-29 Kyushu Electric Power Co Inc リチウム二次電池用正極材料
DE69835366T2 (de) 1997-03-31 2007-07-19 Daikin Industries, Ltd. Verfahren zur herstellung von perfluorvinylethersulfonsäure-derivaten
US6205016B1 (en) 1997-06-04 2001-03-20 Hyperion Catalysis International, Inc. Fibril composite electrode for electrochemical capacitors
US6599631B2 (en) 2001-01-26 2003-07-29 Nanogram Corporation Polymer-inorganic particle composites
US6018018A (en) 1997-08-21 2000-01-25 University Of Massachusetts Lowell Enzymatic template polymerization
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
WO1999023672A1 (en) 1997-11-05 1999-05-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Conjugated polymer in an oxidized state
JP4236719B2 (ja) 1997-12-17 2009-03-11 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
DE19757542A1 (de) 1997-12-23 1999-06-24 Bayer Ag Siebdruckpaste zur Herstellung elektrisch leitfähiger Beschichtungen
US6866946B2 (en) 1998-02-02 2005-03-15 Dupont Displays, Inc. High resistance polyaniline useful in high efficiency pixellated polymer electronic displays
KR20010040510A (ko) 1998-02-02 2001-05-15 유니액스 코포레이션 전환가능한 감광성을 가진 유기 다이오드
US6100324A (en) 1998-04-16 2000-08-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ionomers and ionically conductive compositions
DE19824215A1 (de) 1998-05-29 1999-12-02 Bayer Ag Elektrochrome Anordnung auf Basis von Poly-(3,4-ethylendioxy-thiophen)-Derivaten in der elektrochromen und der ionenspeichernden Funktionsschicht
JP3937113B2 (ja) 1998-06-05 2007-06-27 日産化学工業株式会社 有機−無機複合導電性ゾル及びその製造法
US6210790B1 (en) 1998-07-15 2001-04-03 Rensselaer Polytechnic Institute Glass-like composites comprising a surface-modified colloidal silica and method of making thereof
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
DE19845881A1 (de) 1998-10-06 2000-04-13 Bayer Ag Anordnung auf Basis von Poly-(3,4,-dioxythiophen)-Derivaten, die mit Protonen elektrochrom geschaltet werden
US6197418B1 (en) 1998-12-21 2001-03-06 Agfa-Gevaert, N.V. Electroconductive glass laminate
JP2000336154A (ja) 1999-03-23 2000-12-05 Mitsubishi Chemicals Corp 導電性高分子の製造方法
US6187522B1 (en) 1999-03-25 2001-02-13 Eastman Kodak Company Scratch resistant antistatic layer for imaging elements
DE10018750C2 (de) 1999-04-23 2003-03-27 Kurt Schwabe Inst Fuer Mess Un Festkontaktierte ionenselektive Glaselektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20040217877A1 (en) 1999-05-04 2004-11-04 William Kokonaski Flexible electronic display and wireless communication system
JP3992929B2 (ja) 1999-05-13 2007-10-17 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 電気リン光に基づく高効率有機発光装置
TW505927B (en) 1999-05-20 2002-10-11 Ind Tech Res Inst Method for producing conductive polymeric nanocomposite
DE69905860T2 (de) 1999-05-20 2003-11-06 Agfa Gevaert Nv Verfahren zum Strukturieren einer Schicht aus leitfähigem Polymer
US6340496B1 (en) 1999-05-20 2002-01-22 Agfa-Gevaert Method for patterning a layer of conductive polymers
US20020099119A1 (en) 1999-05-27 2002-07-25 Bradley D. Craig Water-borne ceramer compositions and antistatic abrasion resistant ceramers made therefrom
US6593399B1 (en) 1999-06-04 2003-07-15 Rohm And Haas Company Preparing conductive polymers in the presence of emulsion latexes
KR100302326B1 (ko) 1999-06-09 2001-09-22 윤덕용 폴리비닐알콜-실란커플링제를 이용한 무-유기 공중합체 및 그의제조방법
JP2001006878A (ja) 1999-06-22 2001-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜el素子およびその駆動方法
US6324091B1 (en) 2000-01-14 2001-11-27 The Regents Of The University Of California Tightly coupled porphyrin macrocycles for molecular memory storage
US6620494B2 (en) 1999-07-03 2003-09-16 Ten Cate Enbi B.V. Conductive roller
JP3348405B2 (ja) 1999-07-22 2002-11-20 エヌイーシートーキン株式会社 インドール系高分子を用いた二次電池及びキャパシタ
EP1079397A1 (en) 1999-08-23 2001-02-28 Agfa-Gevaert N.V. Method of making an electroconductive pattern on a support
US6611096B1 (en) * 1999-09-03 2003-08-26 3M Innovative Properties Company Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP2001106782A (ja) 1999-10-04 2001-04-17 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規高分子錯体およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
AU1662601A (en) 1999-11-24 2001-06-04 Tda Research, Inc. Combustion synthesis of single walled nanotubes
JP3656244B2 (ja) 1999-11-29 2005-06-08 株式会社豊田中央研究所 高耐久性固体高分子電解質及びその高耐久性固体高分子電解質を用いた電極−電解質接合体並びにその電極−電解質接合体を用いた電気化学デバイス
ATE511222T1 (de) 1999-12-01 2011-06-15 Univ Princeton Komplex der formel l2irx
CA2390121A1 (en) 1999-12-02 2001-06-07 Uniax Corporation High resistance polyaniline useful in high efficiency pixellated polymer electronic displays
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP2001270999A (ja) 2000-01-19 2001-10-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd 架橋性導電性組成物、耐水性導電体及びその形成方法
KR20010095437A (ko) 2000-03-30 2001-11-07 윤덕용 발광물질/점토 나노복합소재를 이용한 유기 전기 발광 소자
US6706963B2 (en) 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
JP2001325831A (ja) 2000-05-12 2001-11-22 Bando Chem Ind Ltd 金属コロイド液、導電性インク、導電性被膜及び導電性被膜形成用基底塗膜
US20020036291A1 (en) 2000-06-20 2002-03-28 Parker Ian D. Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices
US20020038999A1 (en) 2000-06-20 2002-04-04 Yong Cao High resistance conductive polymers for use in high efficiency pixellated organic electronic devices
CN1239561C (zh) 2000-06-26 2006-02-01 爱克发-格法特公司 包含聚噻吩的可再分散性胶乳
US6632472B2 (en) 2000-06-26 2003-10-14 Agfa-Gevaert Redispersable latex comprising a polythiophene
US6670645B2 (en) 2000-06-30 2003-12-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
WO2002005354A1 (fr) 2000-07-06 2002-01-17 Mitsubishi Chemical Corporation Element de conversion photo-electrique solide, son procede de production, pile solaire pourvue d'un tel element de conversion photo-electrique solide, et dispositif d'alimentation en courant
EP1325671B1 (en) 2000-08-11 2012-10-24 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP2002082082A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Matsushita Refrig Co Ltd 臭気センサー及びその製造方法
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
US7662265B2 (en) 2000-10-20 2010-02-16 Massachusetts Institute Of Technology Electrophoretic assembly of electrochemical devices
US6515314B1 (en) 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
US7118690B2 (en) 2000-11-22 2006-10-10 H. C. Starck Gmbh Dispersible polymer powders
DE10103416A1 (de) 2001-01-26 2002-08-01 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
EP1231251A1 (en) 2001-02-07 2002-08-14 Agfa-Gevaert Thin film inorganic light emitting diode
GB2390094B (en) 2001-02-08 2004-11-10 Asahi Chemical Ind Organic domain/inorganic domain hybrid material and use thereof
CN100558782C (zh) 2001-03-29 2009-11-11 爱克发-格法特公司 含有一种3,4-二烷氧基噻吩的聚合物或共聚物和一种非牛顿粘结剂的水基组合物
DE10126860C2 (de) 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
AU2002320158A1 (en) 2001-06-21 2003-01-08 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting devices with blocking and transport layers
US6875523B2 (en) 2001-07-05 2005-04-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes
US20030013787A1 (en) 2001-07-13 2003-01-16 Qun Sun Process for dissolution of highly fluorinated ion-exchange polymers
US6777515B2 (en) 2001-07-13 2004-08-17 I. Du Pont De Nemours And Company Functional fluorine-containing polymers and ionomers derived therefrom
US6924047B2 (en) 2001-07-18 2005-08-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent lanthanide complexes with imine ligands and devices made with such complexes
WO2003012908A2 (en) 2001-07-27 2003-02-13 Massachusetts Institute Of Technology Battery structures, self-organizing structures and related methods
US6627333B2 (en) 2001-08-15 2003-09-30 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved efficiency
US7112368B2 (en) 2001-11-06 2006-09-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Poly(dioxythiophene)/poly(acrylamidoalkyslufonic acid) complexes
US7166368B2 (en) 2001-11-07 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds
WO2003046540A1 (en) 2001-11-30 2003-06-05 Acreo Ab Electrochemical sensor
JP4049744B2 (ja) 2001-12-04 2008-02-20 アグフア−ゲヴエルト,ナームローゼ・フエンノートシヤツプ ポリチオフェンまたはチオフェン共重合体の水性もしくは非水性溶液または分散液の製造方法
EP1326260A1 (en) 2001-12-11 2003-07-09 Agfa-Gevaert Material for making a conductive pattern
JP2003187983A (ja) 2001-12-17 2003-07-04 Ricoh Co Ltd 有機elトランジスタ
EP1321483A1 (en) 2001-12-20 2003-06-25 Agfa-Gevaert 3,4-alkylenedioxythiophene compounds and polymers thereof
US20030141487A1 (en) 2001-12-26 2003-07-31 Eastman Kodak Company Composition containing electronically conductive polymer particles
EP2299785A1 (en) 2001-12-26 2011-03-23 E. I. du Pont de Nemours and Company Iridium compounds
JP2003217862A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4363050B2 (ja) 2002-01-31 2009-11-11 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20040096630A (ko) 2002-03-01 2004-11-16 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 첨가제를 함유하는 유기 전도성 중합체의 인쇄
JP2003264083A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Sharp Corp 有機led素子とその製造方法
JP2003301116A (ja) 2002-04-11 2003-10-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ、スイッチング素子
US6923881B2 (en) 2002-05-27 2005-08-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic electroluminescent device and transfer material used therein
JP4288895B2 (ja) 2002-06-04 2009-07-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法
US20040004433A1 (en) 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
JP3606855B2 (ja) 2002-06-28 2005-01-05 ドン ウン インターナショナル カンパニー リミテッド 炭素ナノ粒子の製造方法
US7071289B2 (en) 2002-07-11 2006-07-04 The University Of Connecticut Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same
JP4077675B2 (ja) 2002-07-26 2008-04-16 ナガセケムテックス株式会社 ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体およびその製造方法
US6963005B2 (en) 2002-08-15 2005-11-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compounds comprising phosphorus-containing metal complexes
US7118836B2 (en) 2002-08-22 2006-10-10 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
JP2004082395A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Eamex Co 積層体形成方法及び積層体
US7307276B2 (en) 2002-08-23 2007-12-11 Agfa-Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
US6977390B2 (en) 2002-08-23 2005-12-20 Agfa Gevaert Layer configuration comprising an electron-blocking element
JP4975237B2 (ja) 2002-08-27 2012-07-11 パナソニック株式会社 導電性組成物の製造方法およびこれを用いた固体電解コンデンサ
US7033646B2 (en) 2002-08-29 2006-04-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company High resistance polyaniline blend for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices
AU2002337064A1 (en) 2002-09-02 2004-03-19 Agfa-Gevaert New 3,4-alkylenedioxythiophenedioxide compounds and polymers comprising monomeric units thereof
JP4135449B2 (ja) 2002-09-20 2008-08-20 日本ケミコン株式会社 導電性高分子重合用酸化剤
US7371336B2 (en) * 2002-09-24 2008-05-13 E.I. Du Pont Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
CN1681869B (zh) 2002-09-24 2010-05-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件用聚合物酸胶体制成的可水分散的聚苯胺
JP4509787B2 (ja) 2002-09-24 2010-07-21 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ポリマー酸コロイドを伴って製造される水分散性ポリチオフェン
US7317047B2 (en) 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
DE60306670T2 (de) 2002-10-07 2007-06-28 Agfa-Gevaert 3,4-alkylendioxythiophen-verbindungen und ihre polymere
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
KR100525977B1 (ko) 2002-11-19 2005-11-03 나노캠텍주식회사 3,4-알킬렌디옥시티오펜 및 3,4-디알콕시티오펜의 제조방법
US7211202B2 (en) 2002-12-13 2007-05-01 Atofina Process to make a conductive composition of a fluorinated polymer which contains polyaniline
US6793197B2 (en) 2003-01-30 2004-09-21 Fisher Controls International, Inc. Butterfly valve
US6867281B2 (en) 2003-03-26 2005-03-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Highly conducting and transparent thin films formed from new fluorinated derivatives of 3,4-ethylenedioxythiophene
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
TWI373483B (en) 2003-04-22 2012-10-01 Du Pont Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
US20060261314A1 (en) 2003-05-19 2006-11-23 Lang Charles D Hole transport composition
WO2004106404A1 (ja) 2003-05-27 2004-12-09 Fujitsu Limited 有機導電性ポリマー組成物、それを用いた透明導電膜及び透明導電体、並びに、該透明導電体を用いた入力装置及びその製造方法
US7318982B2 (en) 2003-06-23 2008-01-15 A123 Systems, Inc. Polymer composition for encapsulation of electrode particles
US20060135715A1 (en) 2003-06-27 2006-06-22 Zhen-Yu Yang Trifluorostyrene containing compounds, and their use in polymer electrolyte membranes
DE10331673A1 (de) 2003-07-14 2005-02-10 H.C. Starck Gmbh Polythiophen mit Alkylenoxythiathiophen-Einheiten in Elektrolytkondensatoren
EP1507298A1 (en) 2003-08-14 2005-02-16 Sony International (Europe) GmbH Carbon nanotubes based solar cells
CN100587857C (zh) 2003-09-08 2010-02-03 住友金属矿山株式会社 透明导电层叠体与采用了该层叠体的有机el元件及它们的制造方法
DE10343873A1 (de) 2003-09-23 2005-04-21 Starck H C Gmbh Verfahren zur Reinigung von Thiophenen
JP4535435B2 (ja) 2003-09-25 2010-09-01 昭和電工株式会社 π共役系共重合体、その製造方法及びその共重合体を用いたコンデンサ
JP4381080B2 (ja) 2003-09-29 2009-12-09 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US7618704B2 (en) 2003-09-29 2009-11-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spin-printing of electronic and display components
US7105237B2 (en) 2003-10-01 2006-09-12 The University Of Connecticut Substituted thieno[3,4-B]thiophene polymers, method of making, and use thereof
TWI327152B (en) 2003-10-03 2010-07-11 Du Pont Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
JP4600284B2 (ja) 2003-10-28 2010-12-15 住友金属鉱山株式会社 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス
TW201219350A (en) 2003-11-17 2012-05-16 Sumitomo Chemical Co Crosslinkable arylamine compounds
US20050209392A1 (en) 2003-12-17 2005-09-22 Jiazhong Luo Polymer binders for flexible and transparent conductive coatings containing carbon nanotubes
US20050175861A1 (en) 2004-02-10 2005-08-11 H.C. Starck Gmbh Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes
DE102004010811B4 (de) 2004-03-05 2006-06-29 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
DE102004006583A1 (de) 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7960587B2 (en) 2004-02-19 2011-06-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions
US7365230B2 (en) 2004-02-20 2008-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable polymers and electronic devices made with such polymers
US7112369B2 (en) 2004-03-02 2006-09-26 Bridgestone Corporation Nano-sized polymer-metal composites
US7338620B2 (en) 2004-03-17 2008-03-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polydioxythiophenes with polymeric acid colloids and a water-miscible organic liquid
US7250461B2 (en) 2004-03-17 2007-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic formulations of conductive polymers made with polymeric acid colloids for electronics applications, and methods for making such formulations
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
EP1730215B1 (en) 2004-03-18 2017-08-16 Enthone GmbH A composition comprising a conductive polymer in colloidal form and carbon
US7455793B2 (en) 2004-03-31 2008-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-aqueous dispersions comprising electrically doped conductive polymers and colloid-forming polymeric acids
US20050222333A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Che-Hsiung Hsu Aqueous electrically doped conductive polymers and polymeric acid colloids
US7354532B2 (en) 2004-04-13 2008-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of electrically conductive polymers and non-polymeric fluorinated organic acids
US7378040B2 (en) 2004-08-11 2008-05-27 Eikos, Inc. Method of forming fluoropolymer binders for carbon nanotube-based transparent conductive coatings
US20060051401A1 (en) 2004-09-07 2006-03-09 Board Of Regents, The University Of Texas System Controlled nanofiber seeding
WO2006036756A2 (en) 2004-09-24 2006-04-06 Plextronics, Inc. Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) in photovoltaic cells
US7211824B2 (en) 2004-09-27 2007-05-01 Nitto Denko Corporation Organic semiconductor diode
US7388235B2 (en) 2004-09-30 2008-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High electron mobility transistors with Sb-based channels
KR100882503B1 (ko) 2004-10-06 2009-02-06 한국과학기술연구원 염료감응 태양전지용 고효율 대향전극 및 그 제조방법
US7569158B2 (en) 2004-10-13 2009-08-04 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous dispersions of polythienothiophenes with fluorinated ion exchange polymers as dopants
JP5068667B2 (ja) 2004-12-30 2012-11-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 誘導体化3,4−アルキレンジオキシチオフェンモノマー、その製造方法およびその使用方法
US7985490B2 (en) 2005-02-14 2011-07-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Composition of conducting polymer and organic opto-electronic device employing the same
US7645497B2 (en) 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
US7593004B2 (en) 2005-06-02 2009-09-22 Eastman Kodak Company Touchscreen with conductive layer comprising carbon nanotubes
JP5324217B2 (ja) 2005-06-27 2013-10-23 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリマー組成物
US7727421B2 (en) 2005-06-27 2010-06-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc Electrically conductive polymer compositions
JP2008546898A (ja) 2005-06-27 2008-12-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリマー組成物
JP5323478B2 (ja) 2005-06-27 2013-10-23 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリマー組成物
CN101208369B (zh) 2005-06-28 2013-03-27 E.I.内穆尔杜邦公司 高功函数透明导体
WO2007002740A2 (en) 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
US20060292362A1 (en) 2005-06-28 2006-12-28 Che-Hsiung Hsu Bilayer anode
US8216680B2 (en) 2006-02-03 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Transparent composite conductors having high work function
KR101279315B1 (ko) 2006-04-18 2013-06-26 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 고에너지-포텐셜 이중층 조성물
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US20080251768A1 (en) 2007-04-13 2008-10-16 Che-Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions
US20080283800A1 (en) 2007-05-18 2008-11-20 Che Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2632979A1 (fr) * 1988-06-16 1989-12-22 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un polymere conducteur mixte ionique et electronique et polymeres obtenus par ce procede
JPH06306280A (ja) * 1992-06-30 1994-11-01 Nitto Denko Corp 有機重合体溶液組成物及びこれを用いる導電性有機重合体の製造方法
JPH06313038A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Marubishi Yuka Kogyo Kk 導電性高分子コロイド水溶液の製造方法
JPH0710973A (ja) * 1993-06-21 1995-01-13 Ryuichi Yamamoto 可溶性高分子化合物共存下の重合法
JPH10509751A (ja) * 1994-11-07 1998-09-22 モンサント・カンパニー 乳化重合法及び導電性ポリアニリン塩
JP2000091081A (ja) * 1998-09-12 2000-03-31 Bayer Ag エレクトロルミネッセンス組立体用の補助層
JP2004523623A (ja) * 2001-02-09 2004-08-05 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 増加した粘度を有するポリアニリンの水性導電性分散液
JP2005536595A (ja) * 2002-08-23 2005-12-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリアニリンの安定な水性分散系の直接製造方法
JP2006502254A (ja) * 2002-09-24 2006-01-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性有機ポリマー/ナノ粒子複合材料およびその使用方法

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