JPS62138582A - 導電性高分子層のパタ−ン形成方法 - Google Patents
導電性高分子層のパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS62138582A JPS62138582A JP27959385A JP27959385A JPS62138582A JP S62138582 A JPS62138582 A JP S62138582A JP 27959385 A JP27959385 A JP 27959385A JP 27959385 A JP27959385 A JP 27959385A JP S62138582 A JPS62138582 A JP S62138582A
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- conductive polymer
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- polymer layer
- coating layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、導電性高分子を利用した電子素子における
導電性高分子層のパターン形成方法に関する。
導電性高分子層のパターン形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
近年、高分子化学の進歩により導電性高分子が開発され
、この導電性高分子は電荷量により電Ｗ度や吸光度をコ
ントロールすることができる新素材として注目され、バ
ラチリやディスプレイをはじめ多方面への応用が期待さ
れている。
、この導電性高分子は電荷量により電Ｗ度や吸光度をコ
ントロールすることができる新素材として注目され、バ
ラチリやディスプレイをはじめ多方面への応用が期待さ
れている。
そこで、例えば、表示素子にこの導電性高分子を用いた
場合、電極体上に導電性高分子層を任意のパターンに成
形する必要があり、この形成技術が不可欠となるが、現
在のところ確立された技術がない状態である。この確立
され難い理由としては、導電性高分子が一般に不溶不融
であるため、印刷によるパターン形成が困難である点が
挙げられている。
場合、電極体上に導電性高分子層を任意のパターンに成
形する必要があり、この形成技術が不可欠となるが、現
在のところ確立された技術がない状態である。この確立
され難い理由としては、導電性高分子が一般に不溶不融
であるため、印刷によるパターン形成が困難である点が
挙げられている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
上述した導電性高分子層のパターン形成方法として従来
第３図に示すものがある。この方法は、先ず、基板ａ上
に電極体すをエツチングしてパターン形成し、この電極
体す上に導電性高分子層Ｃを重合生成している。
第３図に示すものがある。この方法は、先ず、基板ａ上
に電極体すをエツチングしてパターン形成し、この電極
体す上に導電性高分子層Ｃを重合生成している。
しかし、この方法においては、細長いパターン部ｄにな
ると、電圧降下のために膜厚が薄くなり、膜厚を均一に
形成できないという問題があった。
ると、電圧降下のために膜厚が薄くなり、膜厚を均一に
形成できないという問題があった。
この膜厚の不均一は表示素子においてはそのまま色のバ
ラツキとして現れ、所定の文字・図形等を表示できない
という問題を生起していた。
ラツキとして現れ、所定の文字・図形等を表示できない
という問題を生起していた。
（ニ）問題点を解決するための手段及び作用この発明は
、板状の電極体を形成し、この電極体の表面に形成パタ
ーンが削除された絶縁被覆層を形成してパターン部を露
出形成し、このパターン部に重合させる有機化合物が溶
解され且つ絶縁被覆層の不溶溶液中に前記電極体を浸漬
し、この電極体を一つの極とし他の極との間に電流を流
して溶液を電気分解し、前記有機化合物をパターン部に
重合してこのパターン部に導電性高分子層を生成し、そ
の後、前記′４ｆ！Ａ８！被覆層を溶解除去して構成さ
れている。
、板状の電極体を形成し、この電極体の表面に形成パタ
ーンが削除された絶縁被覆層を形成してパターン部を露
出形成し、このパターン部に重合させる有機化合物が溶
解され且つ絶縁被覆層の不溶溶液中に前記電極体を浸漬
し、この電極体を一つの極とし他の極との間に電流を流
して溶液を電気分解し、前記有機化合物をパターン部に
重合してこのパターン部に導電性高分子層を生成し、そ
の後、前記′４ｆ！Ａ８！被覆層を溶解除去して構成さ
れている。
従って、絶縁被覆層を形成するパターン部を残して形成
し、この露出したパターン部に有機化合物を電解重合し
て導電性高分子層をパターン形成している。
し、この露出したパターン部に有機化合物を電解重合し
て導電性高分子層をパターン形成している。
（ホ）実施例
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
〈実施例１〉
第１図及び第２図に示すように、１は導電性高分子を用
いた表示素子であって、導電性高分子層２を表示するパ
ターンに形成して各種文字図形を表示するものである。
いた表示素子であって、導電性高分子層２を表示するパ
ターンに形成して各種文字図形を表示するものである。
この表示素子１はガラス基板３上に金属の電極体４が蒸
着されて平板状に形成され、この電極体４上にパターン
化された導電性高分子層２が形成されて構成されている
。
着されて平板状に形成され、この電極体４上にパターン
化された導電性高分子層２が形成されて構成されている
。
次に、この導電性高分子層２のパターン成形方法につい
て説明する。そして、この実施例における導電性高分子
はポリアニリンである。
て説明する。そして、この実施例における導電性高分子
はポリアニリンである。
先ず、ガラス基板３に電極体４を蒸着して平板状に形成
する。続いて、第１図に示すように、この電極体４の表
面に油性ペイントより成る絶縁被覆層５を積層形成する
。その際、表示するパターン、つまり導電性高分子層２
を形成するパターンを削除してパターン部６を露出形成
する。
する。続いて、第１図に示すように、この電極体４の表
面に油性ペイントより成る絶縁被覆層５を積層形成する
。その際、表示するパターン、つまり導電性高分子層２
を形成するパターンを削除してパターン部６を露出形成
する。
一方、パターン部６に重合する有機化合物であるアニリ
ンを塩酸酸性して水に溶解させたアニリン溶液を作成す
る。この際、溶液は絶縁被覆層５を溶解させない必要が
ある。従って、絶縁被覆層５に油性ペイントを用いたの
で、溶媒に水を用いており、この油性ペイントは水に難
溶で、溶出を無視することができる。
ンを塩酸酸性して水に溶解させたアニリン溶液を作成す
る。この際、溶液は絶縁被覆層５を溶解させない必要が
ある。従って、絶縁被覆層５に油性ペイントを用いたの
で、溶媒に水を用いており、この油性ペイントは水に難
溶で、溶出を無視することができる。
このアニリン溶液中に電極体４をガラス基板３及び絶縁
被覆層５と共に浸漬し、この電極体４を陽極とする一方
、陰極として白金板を溶液に浸漬する。そして、両極間
にＩＶの電圧を印加して電流を流し、アニリン溶液を電
気分解し、パターン部６にアニリンを重合し、導電性高
分子層２であるポリアニリン層をパターン部６に生成す
る。
被覆層５と共に浸漬し、この電極体４を陽極とする一方
、陰極として白金板を溶液に浸漬する。そして、両極間
にＩＶの電圧を印加して電流を流し、アニリン溶液を電
気分解し、パターン部６にアニリンを重合し、導電性高
分子層２であるポリアニリン層をパターン部６に生成す
る。
その後、電極体４の表面をヘキサンで洗浄し、第２図に
示すように、絶縁被覆層６を溶解除去し、導電性高分子
層２のパターン形成を終了する。
示すように、絶縁被覆層６を溶解除去し、導電性高分子
層２のパターン形成を終了する。
尚、絶縁被覆層６の除去はヘキサンに限られず、油性ペ
イントを溶かすものであればよい。
イントを溶かすものであればよい。
この表示素子１は、その後、電極体４及び導電性高分子
層２を電解液に浸漬すると共に、もう１つの電極体を設
け、両極間に電圧を印加して導電性高分子層２を酸化還
元反応で着色し、表示動作を行うことになる。
層２を電解液に浸漬すると共に、もう１つの電極体を設
け、両極間に電圧を印加して導電性高分子層２を酸化還
元反応で着色し、表示動作を行うことになる。
〈実施例２〉
この実施例は、導電性高分子層２を有機溶液から合成さ
れるポリチオフェンとしたものである。
れるポリチオフェンとしたものである。
この導電性高分子層２のパターン形成方法は、先ず、ガ
ラス基板３にＩＴＯ膜（３０Ω）の電極体４を蒸着し、
水性ペイントより成る絶縁被覆層５を実施例１と同様に
形成し、パターン部６を形成する。
ラス基板３にＩＴＯ膜（３０Ω）の電極体４を蒸着し、
水性ペイントより成る絶縁被覆層５を実施例１と同様に
形成し、パターン部６を形成する。
一方、電解溶液はホウフッ化リチウムの存在の下で有機
化合物であるチオフェンをベンゾニトリルに溶解して作
成する。この際、水性ペイント（絶縁被覆層５）は有機
溶媒に難溶で、溶出は無視することができる。
化合物であるチオフェンをベンゾニトリルに溶解して作
成する。この際、水性ペイント（絶縁被覆層５）は有機
溶媒に難溶で、溶出は無視することができる。
この溶液に電極体４等を浸漬し、この電極体４を陽極と
し、陰極にニッケル板を用い、チオフェンをパターン部
６に電解重合し、導電性高分子層２であるポリヂオフェ
ン層をパターン部６に形成する。
し、陰極にニッケル板を用い、チオフェンをパターン部
６に電解重合し、導電性高分子層２であるポリヂオフェ
ン層をパターン部６に形成する。
その後、水などで絶縁被覆層５である水性ペイントを除
去する。
去する。
その他は実施例１と同様である。
尚、この発明の導電性高分子層は実施例に限られるもの
ではなく、溶液も実施例に限られるものではない。
ではなく、溶液も実施例に限られるものではない。
また、この発明は表示素子１に限られず、各種の電子素
子に適用することができる。
子に適用することができる。
（へ）発明の効果
以上のように、この発明の導電性高分子層のパターン形
成方法によれば、電極体に成形パターンを削除した絶縁
被覆層を形成し、パターン部に有機化合物を電解重合し
て導電性高分子層を形成し、その後、前記絶縁被覆層を
除去するようにしたために、導電性高分子層を任意のパ
ターンに形成することができると共に、膜厚を均一に形
成することができる二従って、表示素子の場合、色のバ
ラツキを皆無とすることができるので、所定の表示を行
うことができる。
成方法によれば、電極体に成形パターンを削除した絶縁
被覆層を形成し、パターン部に有機化合物を電解重合し
て導電性高分子層を形成し、その後、前記絶縁被覆層を
除去するようにしたために、導電性高分子層を任意のパ
ターンに形成することができると共に、膜厚を均一に形
成することができる二従って、表示素子の場合、色のバ
ラツキを皆無とすることができるので、所定の表示を行
うことができる。
また、素子寿命を長（することができると共に、従来の
エソチング工程を省略することができる。
エソチング工程を省略することができる。
第１図及び第２図はこの発明の一実施例を示し第１図は
絶縁被覆層の形成状態を示す表示素子の斜視図、第２図
は導電性高分子層の形成状態を示す同斜視図、第３図は
従来例を示す表示素子の斜視図である。 １：表示素子、 ２：導電性高分子層、４：電極体、
５：絶縁被覆層、 ６：パターン部。
絶縁被覆層の形成状態を示す表示素子の斜視図、第２図
は導電性高分子層の形成状態を示す同斜視図、第３図は
従来例を示す表示素子の斜視図である。 １：表示素子、 ２：導電性高分子層、４：電極体、
５：絶縁被覆層、 ６：パターン部。
Claims (1)
- （１）板状の電極体を形成し、この電極体の表面に形成
パターンが削除された絶縁被覆層を形成してパターン部
を露出形成し、このパターン部に重合させる有機化合物
が溶解され且つ絶縁被覆層の不溶溶液中に前記電極体を
浸漬し、この電極体を一つの極とし他の極との間に電流
を流して溶液を電気分解し、前記有機化合物をパターン
部に重合してこのパターン部に導電性高分子層を生成し
、その後、前記絶縁被覆層を溶解除去することを特徴と
する導電性高分子層のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27959385A JPS62138582A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 導電性高分子層のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27959385A JPS62138582A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 導電性高分子層のパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62138582A true JPS62138582A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17613146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27959385A Pending JPS62138582A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 導電性高分子層のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62138582A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002065484A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous conductive dispersions of polyaniline having enhanced viscosity |
| US8062553B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-11-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith |
| US8318046B2 (en) | 2002-09-24 | 2012-11-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications |
| US8409476B2 (en) | 2005-06-28 | 2013-04-02 | E I Du Pont De Nemours And Company | High work function transparent conductors |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27959385A patent/JPS62138582A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002065484A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous conductive dispersions of polyaniline having enhanced viscosity |
| US8318046B2 (en) | 2002-09-24 | 2012-11-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications |
| US8409476B2 (en) | 2005-06-28 | 2013-04-02 | E I Du Pont De Nemours And Company | High work function transparent conductors |
| US8062553B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-11-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith |
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