JPS59128519A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPS59128519A JPS59128519A JP459283A JP459283A JPS59128519A JP S59128519 A JPS59128519 A JP S59128519A JP 459283 A JP459283 A JP 459283A JP 459283 A JP459283 A JP 459283A JP S59128519 A JPS59128519 A JP S59128519A
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- Japan
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- anodic oxidation
- film
- mim
- insulator
- metal
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気光学装置に関する。更に詳しくは金属−酸
化膜一余属構造を持つ非線形素子（以下Ｍ工Ｍ素子と呼
ぶ）を用いて各画素電極に電荷を蓄積・保持させること
により表示を行なう液晶を用いた一気光学装置に関する
。
化膜一余属構造を持つ非線形素子（以下Ｍ工Ｍ素子と呼
ぶ）を用いて各画素電極に電荷を蓄積・保持させること
により表示を行なう液晶を用いた一気光学装置に関する
。
近年、液晶表示装置の実用化が進み腕時計・電卓を始め
として多くの分野に応用がなされている。
として多くの分野に応用がなされている。
しかし、他の分野、例えば情報端末や個人用小型電子機
器等の表示部への応用を考えた時、表示ユニットの容積
が小さい、低電圧駆動可能、消費電力が少ないなどとい
う利点にもかかわらず、駆動電圧−コントラスト特性が
あま９良くなく、多桁のマトリク２駆動が出来ないため
表示可能な情報層が少ないという欠点が間眺となってい
た。
器等の表示部への応用を考えた時、表示ユニットの容積
が小さい、低電圧駆動可能、消費電力が少ないなどとい
う利点にもかかわらず、駆動電圧−コントラスト特性が
あま９良くなく、多桁のマトリク２駆動が出来ないため
表示可能な情報層が少ないという欠点が間眺となってい
た。
この液晶表示装置の持つ欠点を解消するための一方法と
してＭ工Ｍ素子を用いたマｌ＝ リクス駆動が考えられ
た。
してＭ工Ｍ素子を用いたマｌ＝ リクス駆動が考えられ
た。
この方法は、第１図に一画素分の等価回路を示すように
非線形抵抗ＲＭＩ’Ｍと容量ＣＭＩＭが並列につなかつ
７’？：、Ｍ工Ｍ素子１及び抵抗ＲＬＯが並列につなが
った液晶を誘電体としたコンデンサ２とが直列に結合さ
れていると考えることが出来、マトリク２駆動の選択期
間ＶＣＭ Ｉ ’Ｍ素子１の低抵抗状態を利用して液晶
を誘電体としたコンデンサ２に電荷を＃積し、非選択期
間はＭ工Ｍ累子１の高抵抗状態を利用して前述の電荷を
保持することＶＣより液晶に電界を印加して液晶の配回
状態を制御して表示を行なうものである。
非線形抵抗ＲＭＩ’Ｍと容量ＣＭＩＭが並列につなかつ
７’？：、Ｍ工Ｍ素子１及び抵抗ＲＬＯが並列につなが
った液晶を誘電体としたコンデンサ２とが直列に結合さ
れていると考えることが出来、マトリク２駆動の選択期
間ＶＣＭ Ｉ ’Ｍ素子１の低抵抗状態を利用して液晶
を誘電体としたコンデンサ２に電荷を＃積し、非選択期
間はＭ工Ｍ累子１の高抵抗状態を利用して前述の電荷を
保持することＶＣより液晶に電界を印加して液晶の配回
状態を制御して表示を行なうものである。
Ｍ工Ｍ素子は以下の方法により形成される。ガラス等の
透明絶縁基板３上にＴａをスバンタ蒸着し２０００Ａ
〜４０００Ａの膜厚のＴａ膜４を形成する。この“Ｔａ
膜４をフォトエツチングに、Ｊｌ：、！ｌ）所定の形状
に成し、電極配線とＭ工Ｍ素子の一方の電極とする。Ｔ
ａパターンをクエン酸溶液中′″ｃ１５Ｖ〜１００Ｖの
電圧で陽極酸化しＴａ膜パターン４上にＴａｉ化膜を形
成してＭＩＭ素子の絶縁体膜５とする。Ｔａ際化膜５上
にＭ工Ｍ素子のもう一方の金、属となるａｒ （もしく
はＮｉＣ！ｒ）６を所定の形状で形成してＭ Ｉ Ｍ素
子が形成される。
透明絶縁基板３上にＴａをスバンタ蒸着し２０００Ａ
〜４０００Ａの膜厚のＴａ膜４を形成する。この“Ｔａ
膜４をフォトエツチングに、Ｊｌ：、！ｌ）所定の形状
に成し、電極配線とＭ工Ｍ素子の一方の電極とする。Ｔ
ａパターンをクエン酸溶液中′″ｃ１５Ｖ〜１００Ｖの
電圧で陽極酸化しＴａ膜パターン４上にＴａｉ化膜を形
成してＭＩＭ素子の絶縁体膜５とする。Ｔａ際化膜５上
にＭ工Ｍ素子のもう一方の金、属となるａｒ （もしく
はＮｉＣ！ｒ）６を所定の形状で形成してＭ Ｉ Ｍ素
子が形成される。
（第２図）
Ｍ工Ｍ素子を液晶表示装置に応用するため、前記工程後
さらに透明導電膜Ｖ（よる透明電極７を形成して液晶表
示パネルの一方の基板となす。以後は、従来の液晶表示
パネルと同様にしてＭ工Ｍ基板表面にポリイミド膜を形
成しラビングを行って液晶の配向処理を行い、透明電極
パターン形成されｆｃ対向基板と１４工Ｍ基板によりパ
ネルを組立てた後、液晶を封入して液晶表示パネルと成
す。
さらに透明導電膜Ｖ（よる透明電極７を形成して液晶表
示パネルの一方の基板となす。以後は、従来の液晶表示
パネルと同様にしてＭ工Ｍ基板表面にポリイミド膜を形
成しラビングを行って液晶の配向処理を行い、透明電極
パターン形成されｆｃ対向基板と１４工Ｍ基板によりパ
ネルを組立てた後、液晶を封入して液晶表示パネルと成
す。
液晶表示パネルと外部回路との接続をＴａ配線の両端で
行う場合、第５図に示したようにＴａ配線の一方の端１
１は、クエン醇水溶液につけないことＶ（エフＴａ面が
残Ｊしてい又、外部回路との接続は可能であるが他方の
端１２はクエン最中ｒｔｃ浸さｉＬることからＴａ表面
に陽極酸化膜が形成され外部接続が不可能である。
行う場合、第５図に示したようにＴａ配線の一方の端１
１は、クエン醇水溶液につけないことＶ（エフＴａ面が
残Ｊしてい又、外部回路との接続は可能であるが他方の
端１２はクエン最中ｒｔｃ浸さｉＬることからＴａ表面
に陽極酸化膜が形成され外部接続が不可能である。
１だ一枚の基板５ Ｖｃ複数のＭ工Ｍ基板を作る場合に
も同様で第４図に示すようＶＣクエン除水溶液中のＭ
Ｉ Ｍ基板のＴａ表面は全てＴａ酵化膜が形成されるた
め、接続端子１５，１６．’１７は回部回路との接続は
出来なくなる。なお、接続端子１４は陽極酸化されず外
部回路との接続は可能である。
も同様で第４図に示すようＶＣクエン除水溶液中のＭ
Ｉ Ｍ基板のＴａ表面は全てＴａ酵化膜が形成されるた
め、接続端子１５，１６．’１７は回部回路との接続は
出来なくなる。なお、接続端子１４は陽極酸化されず外
部回路との接続は可能である。
本発明はかかる欠点を除去し、Ｔａ配線の両端での外部
接続や１枚の基板上に複数の１．Ａ 工Ｍ基板の形成を
可能にすることＶＣある。
接続や１枚の基板上に複数の１．Ａ 工Ｍ基板の形成を
可能にすることＶＣある。
本発明はＭ工Ｍ製造工程における陽極酸化を選択的陽極
酸化することにより上記目的を達成せんとしたものであ
シ、本発明についで第５図、第６図を用いて詳しく説明
する。
酸化することにより上記目的を達成せんとしたものであ
シ、本発明についで第５図、第６図を用いて詳しく説明
する。
第５図は、Ｔａ配線の両ｙ＠（１８，１９）で外部接続
するためのＭ工Ｍパネル基板を示す略図で、クエン酸中
溶液中に浸されるＴａ配線の一方の端部１９を絶縁体２
０で覆い陽極酸化さ′ＪＮないようにしたものであシ、
第６図は同一基板上に複数のＭＩＭパネル基板をつくる
場合を示す略図でクエン酸水溶液面より上になる外部接
続端子部２１以外の外部接続端子部（２２，２５，２４
）は、り“エン酸水溶液中で陽極酸化さ才しるため絶縁
体２０で覆って陽極酸化されないようになっている。陽
極酸化のレジストとしては、フォトレジストやポリイミ
ド等の耐水溶性の有機物、Ｓ ｉ ０２ ＊ Ｓ ｉ３
Ｎ４やＡｇ、２０３等の無機絶縁物が使える。１０・
・・陽極酸化されたＴａ 。
するためのＭ工Ｍパネル基板を示す略図で、クエン酸中
溶液中に浸されるＴａ配線の一方の端部１９を絶縁体２
０で覆い陽極酸化さ′ＪＮないようにしたものであシ、
第６図は同一基板上に複数のＭＩＭパネル基板をつくる
場合を示す略図でクエン酸水溶液面より上になる外部接
続端子部２１以外の外部接続端子部（２２，２５，２４
）は、り“エン酸水溶液中で陽極酸化さ才しるため絶縁
体２０で覆って陽極酸化されないようになっている。陽
極酸化のレジストとしては、フォトレジストやポリイミ
ド等の耐水溶性の有機物、Ｓ ｉ ０２ ＊ Ｓ ｉ３
Ｎ４やＡｇ、２０３等の無機絶縁物が使える。１０・
・・陽極酸化されたＴａ 。
実施例１゜
ガラス基板上ＶＣＴａを２バッタ蒸着して、６０００χ
の膜厚のＴａ薄膜６１を形成する。Ｔａ薄膜５１をフォ
トエツチング法により所定の形状に選択的にエツチング
する。エレチングは、ＣＦ４もしくはＣＦ４と０２ の
混合ガスに、ｌプラズマエツチングにて可能である。Ｔ
ａのパターンは両端で外部接続が可能なように第５図に
示した形状となつでいる。陽極量化時にクエン醗水ｉ容
液に浸されるＴａの一方の端の外部接続部を弗５図のよ
うにレジストでおおう。陽極感化レジストは通常のフォ
トエンチング工程で使用さｔしるフォトレジスト（ＡＺ
−１５５０Ｊ、ＯＦ’ＰＲ等のポジ型レジスト）を用い
た。
の膜厚のＴａ薄膜６１を形成する。Ｔａ薄膜５１をフォ
トエツチング法により所定の形状に選択的にエツチング
する。エレチングは、ＣＦ４もしくはＣＦ４と０２ の
混合ガスに、ｌプラズマエツチングにて可能である。Ｔ
ａのパターンは両端で外部接続が可能なように第５図に
示した形状となつでいる。陽極量化時にクエン醗水ｉ容
液に浸されるＴａの一方の端の外部接続部を弗５図のよ
うにレジストでおおう。陽極感化レジストは通常のフォ
トエンチング工程で使用さｔしるフォトレジスト（ＡＺ
−１５５０Ｊ、ＯＦ’ＰＲ等のポジ型レジスト）を用い
た。
陽極酸化レジストパターンを形成後、０．０ ｉ ％ク
エン酸水溶液中で電圧ＳＯＶの条件で陽極酸化を行った
。負亀８−．は白釜重極とし、陽極量化レジヌト形成を
しでいないＴａ配線パ）を外部接続可能とするため畝面
上に出しておく。
エン酸水溶液中で電圧ＳＯＶの条件で陽極酸化を行った
。負亀８−．は白釜重極とし、陽極量化レジヌト形成を
しでいないＴａ配線パ）を外部接続可能とするため畝面
上に出しておく。
陽極醇化後、陽極感化レジストを除去し乾燥した後、■
Ｔｏ（工ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ）を約５
０ＯＡヌハソタ蒸着し、フォトエツチング法にて所定の
形状にして透明電極とする。さらｉ／ｃ乾燥してａｒを
抵抗加熱蒸着により６００Ｘの膜厚で形成し、ＩＡ工Ｍ
素子の一方の電極とするとともに透明電極とＭ工Ｍ素子
との接続が得られるよう所定の形状にフォトエツチング
法により形成してＭ工Ｍパネル基板とした。
Ｔｏ（工ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ）を約５
０ＯＡヌハソタ蒸着し、フォトエツチング法にて所定の
形状にして透明電極とする。さらｉ／ｃ乾燥してａｒを
抵抗加熱蒸着により６００Ｘの膜厚で形成し、ＩＡ工Ｍ
素子の一方の電極とするとともに透明電極とＭ工Ｍ素子
との接続が得られるよう所定の形状にフォトエツチング
法により形成してＭ工Ｍパネル基板とした。
陽極酸化レジストとしてポジ形フォトレジ、Ｔ）を用い
たが、フォトレジヌトとＴａ膜との密着性が悪く２０μ
ｍ程度の侵入が見られた、しかしこの程度の侵入は、外
部接続部に対しては問題にならないことから陽極酸化レ
ジストとしてのフォトレジヌトは有効な材料である。
たが、フォトレジヌトとＴａ膜との密着性が悪く２０μ
ｍ程度の侵入が見られた、しかしこの程度の侵入は、外
部接続部に対しては問題にならないことから陽極酸化レ
ジストとしてのフォトレジヌトは有効な材料である。
なお、感光性のポリイミドを陽極醇化レジヌトとして用
いた場合、陽極酸化膜の侵入はほとんど見られなかった
。
いた場合、陽極酸化膜の侵入はほとんど見られなかった
。
実施例２
Ｔａのパターン形成寸では実施例１．と同様にしてＴａ
パターン形成し、乾燥後Ｓ ｉ ０２を７バツタ蒸着に
より２５００Ａ形成する。Ｓ ｉ ０２をフォトエツチ
ング法によシ実施例１．と同様の形状で形成する。５１
０２陽極酸化レジ７ト形成後、クエン際水溶液中でＴａ
の陽極量化し、陽極酸化後５１０２陽極師化レジヌトを
除去する。以後は実施例１．と同様の工程ＶＣ，１ｍ
り Ｍ１Ｍパネル基板を形成する。
パターン形成し、乾燥後Ｓ ｉ ０２を７バツタ蒸着に
より２５００Ａ形成する。Ｓ ｉ ０２をフォトエツチ
ング法によシ実施例１．と同様の形状で形成する。５１
０２陽極酸化レジ７ト形成後、クエン際水溶液中でＴａ
の陽極量化し、陽極酸化後５１０２陽極師化レジヌトを
除去する。以後は実施例１．と同様の工程ＶＣ，１ｍ
り Ｍ１Ｍパネル基板を形成する。
５１ｏｚ’に陽極量化レジストとすることにニジ、陽極
酸化膜の侵入は見られなかった。無機絶縁物の陽極酸化
レジストとしてＳｉ３Ｎ４やＭ２Ｏ３を用いてもＳ ｉ
Ｑ２ と同様の効果があると思われる。
酸化膜の侵入は見られなかった。無機絶縁物の陽極酸化
レジストとしてＳｉ３Ｎ４やＭ２Ｏ３を用いてもＳ ｉ
Ｑ２ と同様の効果があると思われる。
第１図は、ＭＩＭパネルの一画素の等価回路図である。
第２図は、Ｍ工Ｍ素子の断面図を示す。
第５図は、従来の方法でＴａ配線の両端を外部接続端子
とした場合の略図を示す。 第４図は、従来の方法で同一基板上に複数のＭ Ｉ Ｍ
パネル基板を形成した場合の略図を示す。 第５図は、本発明によるＴａ配線の両端を外部接続端子
とした場合の略図を示す。 第６図は、本発明による同一基板上に複数のＭＩＭパネ
ル基板を形成した場合の略図を示す。 １８．１９．２１〜２４・・・・・・外部接続端子、２
０・・・陽極酸化レジスト。 第２図 第３図
とした場合の略図を示す。 第４図は、従来の方法で同一基板上に複数のＭ Ｉ Ｍ
パネル基板を形成した場合の略図を示す。 第５図は、本発明によるＴａ配線の両端を外部接続端子
とした場合の略図を示す。 第６図は、本発明による同一基板上に複数のＭＩＭパネ
ル基板を形成した場合の略図を示す。 １８．１９．２１〜２４・・・・・・外部接続端子、２
０・・・陽極酸化レジスト。 第２図 第３図
Claims (1)
- 金属−絶縁体−金属構造の非線形素子をマトリクス配列
した一気光学装置において、前記絶縁体が金属の陽極酸
化によ多形成され、しかも前記陽極酸化は、被°陽極酸
化金属上の一部に所定の形状で形成された絶縁体膜によ
り選択的に陽極ｍ化されることを特徴とする電気光学装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP459283A JPS59128519A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP459283A JPS59128519A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128519A true JPS59128519A (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=11588308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP459283A Pending JPS59128519A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146301A (en) * | 1987-10-15 | 1992-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Terminal electrode structure of a liquid crystal panel display |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5070857A (ja) * | 1973-10-29 | 1975-06-12 | ||
| JPS5670857A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Hitachi Ltd | Electric dust collecter |
| JPS57122478A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display device |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP459283A patent/JPS59128519A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5070857A (ja) * | 1973-10-29 | 1975-06-12 | ||
| JPS5670857A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Hitachi Ltd | Electric dust collecter |
| JPS57122478A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal display device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146301A (en) * | 1987-10-15 | 1992-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Terminal electrode structure of a liquid crystal panel display |
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