JPS62183579A - Ｍｉｍスイツチング素子 - Google Patents
Ｍｉｍスイツチング素子Info
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- JPS62183579A JPS62183579A JP61025591A JP2559186A JPS62183579A JP S62183579 A JPS62183579 A JP S62183579A JP 61025591 A JP61025591 A JP 61025591A JP 2559186 A JP2559186 A JP 2559186A JP S62183579 A JPS62183579 A JP S62183579A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子（以後ＬＣＤと略す）およびエ
レクトロクロミック表示素子（以後ＥＣＤと略す）など
に代表される各種表示素子をマトリクス駆動する際に用
いられるアクティブ素子のうち、導体薄膜、絶縁体薄膜
および導体薄膜を積み重ねた三層構造から成るＭＩＭ構
造を有するスイッチング素子に関し、さらに詳しくは絶
縁体薄膜に関するものである。
レクトロクロミック表示素子（以後ＥＣＤと略す）など
に代表される各種表示素子をマトリクス駆動する際に用
いられるアクティブ素子のうち、導体薄膜、絶縁体薄膜
および導体薄膜を積み重ねた三層構造から成るＭＩＭ構
造を有するスイッチング素子に関し、さらに詳しくは絶
縁体薄膜に関するものである。
これまでＬＣＤは各種情報機器端末などの表示部に使用
されているが、その表示容量が比較的小さいために応用
範囲が限定されていた。近年、この表示容量を増大させ
るための手段として非線形素子を用いることが検討され
ており、その中の１つとして導体薄膜、絶縁体薄膜およ
び導体薄膜の三層構造からなるＭＩＭスイッチング素子
が注目されている。またＥＣＤにおいても同様に、非線
形素子を用いたマトリクス駆動による表示容量の増大が
検討されている。ＭＩＭアクティブスイッチング素子と
しては、下部導体薄膜としてタンタル薄膜を、絶縁体薄
膜として前記タンタル薄膜の表面層を溶液中にて陽極酸
化して得られるタンタル酸化物薄膜を、上部導体薄膜と
してタンタル、クロムなどの金属薄膜を用いるのが一般
的であり、以下にその代表例を第２図を用いて説明する
。第２図（ａｌは従来ＭＩＭ素子の正面図であり、第２
図（ｂ）は従来素子の断面図であり、いずれも１画素分
に相当する範囲を示している。まず、〃ラスなどの基板
２０上にタンタル薄膜を蒸着法あるいはスバッタリング
法などにより膜厚０．１μｍ程度全面形成した後、５０
０℃の炉中で熱酸化処理を行ないタンタル酸化物層２１
に変換する。このタンタル酸化物層２１は後工程のクン
タル薄膜パターンエツチング処理時にガラス基板２０が
エッチャントによりアタックされるのを防ぐ役目を有し
ており、このタンタル酸化物層２１を省略して後工程の
タンタル薄膜のパターンエツチングを行なおうとしても
、ガラス基板２０表面が荒れてファインパターンが得ら
れない。なお、この際のエッチャントとしては、フッ酸
：硝酸：水＝１：１０：１０を用いている。上記のよう
な理由からガラス基板２０上にタンタル酸化物層２１を
形成した後、再度タンタル薄膜を全面に膜厚０．３μｍ
程度形成し、上記エッチャントを用いて線巾２０μｍ程
度にパターン化されたタンタル薄膜２２を形成する。
されているが、その表示容量が比較的小さいために応用
範囲が限定されていた。近年、この表示容量を増大させ
るための手段として非線形素子を用いることが検討され
ており、その中の１つとして導体薄膜、絶縁体薄膜およ
び導体薄膜の三層構造からなるＭＩＭスイッチング素子
が注目されている。またＥＣＤにおいても同様に、非線
形素子を用いたマトリクス駆動による表示容量の増大が
検討されている。ＭＩＭアクティブスイッチング素子と
しては、下部導体薄膜としてタンタル薄膜を、絶縁体薄
膜として前記タンタル薄膜の表面層を溶液中にて陽極酸
化して得られるタンタル酸化物薄膜を、上部導体薄膜と
してタンタル、クロムなどの金属薄膜を用いるのが一般
的であり、以下にその代表例を第２図を用いて説明する
。第２図（ａｌは従来ＭＩＭ素子の正面図であり、第２
図（ｂ）は従来素子の断面図であり、いずれも１画素分
に相当する範囲を示している。まず、〃ラスなどの基板
２０上にタンタル薄膜を蒸着法あるいはスバッタリング
法などにより膜厚０．１μｍ程度全面形成した後、５０
０℃の炉中で熱酸化処理を行ないタンタル酸化物層２１
に変換する。このタンタル酸化物層２１は後工程のクン
タル薄膜パターンエツチング処理時にガラス基板２０が
エッチャントによりアタックされるのを防ぐ役目を有し
ており、このタンタル酸化物層２１を省略して後工程の
タンタル薄膜のパターンエツチングを行なおうとしても
、ガラス基板２０表面が荒れてファインパターンが得ら
れない。なお、この際のエッチャントとしては、フッ酸
：硝酸：水＝１：１０：１０を用いている。上記のよう
な理由からガラス基板２０上にタンタル酸化物層２１を
形成した後、再度タンタル薄膜を全面に膜厚０．３μｍ
程度形成し、上記エッチャントを用いて線巾２０μｍ程
度にパターン化されたタンタル薄膜２２を形成する。
なお、第２図（ａ）から明らかなようにこのタンタル薄
膜２２パターンはところどころに４μｍ巾程度の突起形
状２２１を有しており、最終的にはこの部分にＭＩＭス
イッチング素子が形成される。
膜２２パターンはところどころに４μｍ巾程度の突起形
状２２１を有しており、最終的にはこの部分にＭＩＭス
イッチング素子が形成される。
ついでガラス基板２０最外周部における電極取り出し部
に相当するタンタル薄膜以外はすべてその表面をシーウ
酸水溶液中での陽極酸化処理により膜厚０．０５μｍ程
度のメンタル酸化物層２６に変換する。突起形状２２１
部のタンタル酸化物層２６の１部が絶縁体薄膜として機
能する。ついでＭＩＭ構造の上部導体薄膜としてクロム
などの金属電極２４を４μｍ巾にバター／形成した後、
透明導電膜により画素電極２５を１部金属電極２４とコ
ンタクトするようにパターン化してＭＩＭ構造スイッチ
ング素子を成す。この時上部導体薄膜としての金属電極
２４は必ずしも金属材料である必要はなく画素電極２５
材料と同一の透明導電膜であってもよい。
に相当するタンタル薄膜以外はすべてその表面をシーウ
酸水溶液中での陽極酸化処理により膜厚０．０５μｍ程
度のメンタル酸化物層２６に変換する。突起形状２２１
部のタンタル酸化物層２６の１部が絶縁体薄膜として機
能する。ついでＭＩＭ構造の上部導体薄膜としてクロム
などの金属電極２４を４μｍ巾にバター／形成した後、
透明導電膜により画素電極２５を１部金属電極２４とコ
ンタクトするようにパターン化してＭＩＭ構造スイッチ
ング素子を成す。この時上部導体薄膜としての金属電極
２４は必ずしも金属材料である必要はなく画素電極２５
材料と同一の透明導電膜であってもよい。
以上のようにして構成されたＭＩＭ素子は外部からの電
圧印加に対して非線形な電流特性を示し、これを用いて
スイッチング動作を行なわゼることができる。表示素子
としてＬＣＤを例にとると、ＬＣを点灯させる電圧■。
圧印加に対して非線形な電流特性を示し、これを用いて
スイッチング動作を行なわゼることができる。表示素子
としてＬＣＤを例にとると、ＬＣを点灯させる電圧■。
Ｎがタンタル薄膜と対向電極（図中省略、対向電極が設
けられた対向基板と第２図に示した基板間に液晶物質を
挾持してパネルをなす）間に印加されると、この時には
ＭＩＭ素子側の実効抵抗が低く、ＬＣ側の抵抗が高いの
で印加電圧の大部分は画素電極と対向電極間にかかりＬ
ＣがＯＮ状態となる。一方、ＬＣを点灯させない電圧■
。２Ｆを印加した場合には、ＭＩＭ素子側の実効抵抗が
ＬＣ側より高くなるため画素電極と対向電極間にはほと
んど電圧が印加されずＬＣはＯＦＦ状態を保つ。このよ
うに外部からの印加電圧をコントロールすることにより
ＬＣのＯＮ、ＯＦＦを任意に制御することができるため
、従来に比して表示容量の大巾な増大が図られる。
けられた対向基板と第２図に示した基板間に液晶物質を
挾持してパネルをなす）間に印加されると、この時には
ＭＩＭ素子側の実効抵抗が低く、ＬＣ側の抵抗が高いの
で印加電圧の大部分は画素電極と対向電極間にかかりＬ
ＣがＯＮ状態となる。一方、ＬＣを点灯させない電圧■
。２Ｆを印加した場合には、ＭＩＭ素子側の実効抵抗が
ＬＣ側より高くなるため画素電極と対向電極間にはほと
んど電圧が印加されずＬＣはＯＦＦ状態を保つ。このよ
うに外部からの印加電圧をコントロールすることにより
ＬＣのＯＮ、ＯＦＦを任意に制御することができるため
、従来に比して表示容量の大巾な増大が図られる。
絶縁体薄膜としてタンタル酸化物層を用いる従来ＭＩＭ
素子によりＬＣＤパネルを駆動する場合を想定すると良
好な表示特性、高デー−ティー比を得るためにはＭＩＭ
素子の静電容量ＣＭｆＭはＬＣの静電容量ＣＬｅより充
分小さくなければならない。
素子によりＬＣＤパネルを駆動する場合を想定すると良
好な表示特性、高デー−ティー比を得るためにはＭＩＭ
素子の静電容量ＣＭｆＭはＬＣの静電容量ＣＬｅより充
分小さくなければならない。
ここでＣＭ□つは周知のごと（次式で与えられる。
ＣＭｒＭ ＝εｏ・εｒｌＩＳ／ｄ
上式中εｒは絶縁体薄膜固有の値を持ちタンタル酸化物
層の場合には２３〜２５となる。式中可変パラメーター
としてはｄおよびＳが挙げられるがＭＩＭ構造において
ｄはむやみに大きくすることはできないためＣＭＩＭを
小さくする方向へのｄの寄与は小さく、結果的にＳを極
力小さくすることでＣＭＩＭを小さくしているのが現状
である。この場合においても充分な表示特性を得るため
にはＭＩＭ素子面積はＬＣ駆動用画素電極面積の１万分
の１以下でなければならないとされており、この事はＬ
Ｃパネルの１ドツトの大きさを４００μｍ角とした時に
はＭＩＭ素子寸法は４μｍ角以下が必要となることを示
しており、この寸法の素子をパネル全体に、例えば１０
ｃｍ角全面に作成することは、アライメント精度、エツ
チング精度などを考慮すると非常に困難な事であり、で
きれば特性を維持したまま素子寸法を大きくできること
が望ましい。また、絶縁体薄膜材料をεｒのより小さな
物質に変更することによるＳの増加も考えられているが
、膜厚０．０５μｍ以下の超薄膜状態でかつピンホール
フリー状態を広範囲に再現性良く形成する手段がないた
め従来方法のタンタル酸化物層に代わる材料を検討する
ことすらできないというのが現状である。本発明は以上
の点を鑑みてなされたものであり、絶縁体薄膜としてε
ｒの小さな有機薄膜を用いることにより上記ＬＣＤ駆動
条件を満足しつつ、かつ素子寸法の大きなＭＩＭ素子を
提供するものであり、この際有機薄膜形成法としてプラ
ズマ重合法を用いることにより０．０５μｍ以下におい
ても充分なピンホールフリー特性を広範囲に再現性良く
得ることができる。本発明の他の目的は、より大きなＭ
ＩＭ素子を形成した時にスイッチング素子自体が目立つ
のを防ぎ、かつ開口率を上げるためにすべて透明体で構
成したＭＩＭ素子を提供するものである。
層の場合には２３〜２５となる。式中可変パラメーター
としてはｄおよびＳが挙げられるがＭＩＭ構造において
ｄはむやみに大きくすることはできないためＣＭＩＭを
小さくする方向へのｄの寄与は小さく、結果的にＳを極
力小さくすることでＣＭＩＭを小さくしているのが現状
である。この場合においても充分な表示特性を得るため
にはＭＩＭ素子面積はＬＣ駆動用画素電極面積の１万分
の１以下でなければならないとされており、この事はＬ
Ｃパネルの１ドツトの大きさを４００μｍ角とした時に
はＭＩＭ素子寸法は４μｍ角以下が必要となることを示
しており、この寸法の素子をパネル全体に、例えば１０
ｃｍ角全面に作成することは、アライメント精度、エツ
チング精度などを考慮すると非常に困難な事であり、で
きれば特性を維持したまま素子寸法を大きくできること
が望ましい。また、絶縁体薄膜材料をεｒのより小さな
物質に変更することによるＳの増加も考えられているが
、膜厚０．０５μｍ以下の超薄膜状態でかつピンホール
フリー状態を広範囲に再現性良く形成する手段がないた
め従来方法のタンタル酸化物層に代わる材料を検討する
ことすらできないというのが現状である。本発明は以上
の点を鑑みてなされたものであり、絶縁体薄膜としてε
ｒの小さな有機薄膜を用いることにより上記ＬＣＤ駆動
条件を満足しつつ、かつ素子寸法の大きなＭＩＭ素子を
提供するものであり、この際有機薄膜形成法としてプラ
ズマ重合法を用いることにより０．０５μｍ以下におい
ても充分なピンホールフリー特性を広範囲に再現性良く
得ることができる。本発明の他の目的は、より大きなＭ
ＩＭ素子を形成した時にスイッチング素子自体が目立つ
のを防ぎ、かつ開口率を上げるためにすべて透明体で構
成したＭＩＭ素子を提供するものである。
上記目的は本発明によれば、各種メタル層もしくは透明
導電膜からなる２つの導体薄膜にはさまれた絶縁体薄膜
がプラズマ重合法を用いて作成された有機薄膜であるこ
とを特徴とするＭＩＭスイッチング素子を提供すること
で達成され、以下に実施例を図面に基づいて詳細に述べ
る。
導電膜からなる２つの導体薄膜にはさまれた絶縁体薄膜
がプラズマ重合法を用いて作成された有機薄膜であるこ
とを特徴とするＭＩＭスイッチング素子を提供すること
で達成され、以下に実施例を図面に基づいて詳細に述べ
る。
〔実施例１〕
第１図に示すように、ガラス基板１０上に下部導体薄膜
として突起形状１１１部の巾が４μｍにパターン化され
た銅薄膜１１を形成した後、銅薄膜１１の電極取り出し
部を除いた部分に絶縁体薄膜としてプラズマ重合アセト
ニトリル薄膜１２を形成した。その際、アセトニトリル
流量＝８゜Ｃ輻、基板温度：１００℃、装置圧カニ ０
．５ ＴｏｒｒＲＦ電カニ１００Ｗ、処理時間：１０分
と重合条件を設定することにより膜厚０．０５μｍのプ
ラズマ重合アセトニトリル薄膜１２を得た。このプラズ
マ重合アセトニトリル薄膜１２の比誘電率は測定の結果
３〜５の値を示し、良好な整流性、ピンホールフリー性
を示した。ついで上部導体薄膜として巾４μｍのクロム
薄膜１６、画素電極１４として透明導電膜を順次形成し
て素子面積１６μ扉のＭＩＭ素子を構成し、通常の組み
立て工程に従ってプラズマ重合アセトニトリル薄膜１２
を用いたＭＩＭ素子を具備したＬＣＤパネルを作成した
。
として突起形状１１１部の巾が４μｍにパターン化され
た銅薄膜１１を形成した後、銅薄膜１１の電極取り出し
部を除いた部分に絶縁体薄膜としてプラズマ重合アセト
ニトリル薄膜１２を形成した。その際、アセトニトリル
流量＝８゜Ｃ輻、基板温度：１００℃、装置圧カニ ０
．５ ＴｏｒｒＲＦ電カニ１００Ｗ、処理時間：１０分
と重合条件を設定することにより膜厚０．０５μｍのプ
ラズマ重合アセトニトリル薄膜１２を得た。このプラズ
マ重合アセトニトリル薄膜１２の比誘電率は測定の結果
３〜５の値を示し、良好な整流性、ピンホールフリー性
を示した。ついで上部導体薄膜として巾４μｍのクロム
薄膜１６、画素電極１４として透明導電膜を順次形成し
て素子面積１６μ扉のＭＩＭ素子を構成し、通常の組み
立て工程に従ってプラズマ重合アセトニトリル薄膜１２
を用いたＭＩＭ素子を具備したＬＣＤパネルを作成した
。
このＬＣＤパネルは従来パネルに比して応答が早く、良
好な表示特性を示した。これはｃＭＩＭが従来の１１５
〜１７８に低減したことによる液晶層充電時間の短縮に
起因するものと考えられる。なお、本実施例では下部導
体薄膜として銅薄膜を、上部導体薄膜としてクロム薄膜
を用いたが、他の任意の金属膜が使用可能であり基板に
悪影響を及ぼさないエッチャントを選択することにより
、従来構造で必要とされていたタンタル酸化物層を省略
することが可能である。
好な表示特性を示した。これはｃＭＩＭが従来の１１５
〜１７８に低減したことによる液晶層充電時間の短縮に
起因するものと考えられる。なお、本実施例では下部導
体薄膜として銅薄膜を、上部導体薄膜としてクロム薄膜
を用いたが、他の任意の金属膜が使用可能であり基板に
悪影響を及ぼさないエッチャントを選択することにより
、従来構造で必要とされていたタンタル酸化物層を省略
することが可能である。
〔実施例２〕
基本的構成は実施例１と同様であるが下部導体薄膜およ
び上部導体薄膜のパターン寸法を変えてＭＩＭ累子面子
面積来の１６μｍ’から６４μ醪にしたことが異なる。
び上部導体薄膜のパターン寸法を変えてＭＩＭ累子面子
面積来の１６μｍ’から６４μ醪にしたことが異なる。
このようにして作成したＬＣＤパネルは従来パネルと遜
色のない基本表示特性を示し、かつＭＩＭ素子寸法が倍
になったことによりアライメント精度およびエツチング
精度に対する制限も従来に比して大巾に緩和され、この
ため特別高価な露光装置などを使用しな（ても従来装置
によって１０ｃｍ角パネルの製造が充分可能となり大型
低価格パネルが実現できた。
色のない基本表示特性を示し、かつＭＩＭ素子寸法が倍
になったことによりアライメント精度およびエツチング
精度に対する制限も従来に比して大巾に緩和され、この
ため特別高価な露光装置などを使用しな（ても従来装置
によって１０ｃｍ角パネルの製造が充分可能となり大型
低価格パネルが実現できた。
〔実施例３〕
基本的構成は実施例２と同一であるが下部および上部導
体薄膜を金属膜から透明導電膜に変えたことが異なり、
透明導電膜、プラズマ重合アセトニ） ＩＪル薄膜、透
明導電膜のＭＩＭ構造がすべて透明体で構成されたスイ
ッチング素子を作成した。
体薄膜を金属膜から透明導電膜に変えたことが異なり、
透明導電膜、プラズマ重合アセトニ） ＩＪル薄膜、透
明導電膜のＭＩＭ構造がすべて透明体で構成されたスイ
ッチング素子を作成した。
上記構成で作成したＬＣＤパネルは特性的には従来と同
程度かもしくはそれ以上の特性を示した。
程度かもしくはそれ以上の特性を示した。
これは透明導電膜の比抵抗が２ Ｘ １０−’オーム・
センチメートルと従来タンタル薄膜の約１７２に低下し
たことによると思われ大型パネル化に対して有効な方法
といえる。さらにＭＩＭ素子がすべて透明体で構成され
ているため素子寸法が太き（なっても外観的にはほとん
ど識別されず表示特性上非常に好ましい構造である。
センチメートルと従来タンタル薄膜の約１７２に低下し
たことによると思われ大型パネル化に対して有効な方法
といえる。さらにＭＩＭ素子がすべて透明体で構成され
ているため素子寸法が太き（なっても外観的にはほとん
ど識別されず表示特性上非常に好ましい構造である。
実施例１〜３においては絶縁体薄膜としてプラズマ重合
アセトニトリル薄膜を用いて説明してきたが、同様の特
性は他にプラズマ重合法によるエチレン薄膜、プロピレ
ン薄膜、アセチレン薄膜、フッ化ビニリデン薄膜、スチ
レン薄膜、ベンゼン薄膜、ビニルカルバゾール薄膜など
で得られており、材料によりＶ−Ｉ特性が若干具なるた
め用途に応じた選択が必要となるが、本発明の絶縁性有
機薄膜として充分に使用可能である。
アセトニトリル薄膜を用いて説明してきたが、同様の特
性は他にプラズマ重合法によるエチレン薄膜、プロピレ
ン薄膜、アセチレン薄膜、フッ化ビニリデン薄膜、スチ
レン薄膜、ベンゼン薄膜、ビニルカルバゾール薄膜など
で得られており、材料によりＶ−Ｉ特性が若干具なるた
め用途に応じた選択が必要となるが、本発明の絶縁性有
機薄膜として充分に使用可能である。
以上述べてきたように本発明によるプラズマ重合有機薄
膜を絶縁性薄膜として使用することにより０．０５μｍ
以下の膜厚での広範囲にわたるピンホールフＩＪ−１か
つ比誘電率の低い膜が比較的容易に得られるため、ＭＩ
Ｍ素子特性の向上、大型パネル作成、工程簡略化および
信頼性増大などに多大の効果がある。また、すべて透明
体でＭＩＭ構成することにより表示外観品質が改善され
る。
膜を絶縁性薄膜として使用することにより０．０５μｍ
以下の膜厚での広範囲にわたるピンホールフＩＪ−１か
つ比誘電率の低い膜が比較的容易に得られるため、ＭＩ
Ｍ素子特性の向上、大型パネル作成、工程簡略化および
信頼性増大などに多大の効果がある。また、すべて透明
体でＭＩＭ構成することにより表示外観品質が改善され
る。
第１図は本発明によるＭＩＭ素子の一実施例を示す断面
図、第２図は従来ＭＩＭ素子を示し、第２図（ａｌは正
面図、第２図（ｂｌは断面図である。 １０・・・・・・基板、１１・・・・・・銅薄膜、１２
・・・・・・プラズマ重合６アセトニトリル薄膜、１６
・・・・・・クロム薄膜、１４・・・・・・画素電極、
１１１・・・・・・突起形状。
図、第２図は従来ＭＩＭ素子を示し、第２図（ａｌは正
面図、第２図（ｂｌは断面図である。 １０・・・・・・基板、１１・・・・・・銅薄膜、１２
・・・・・・プラズマ重合６アセトニトリル薄膜、１６
・・・・・・クロム薄膜、１４・・・・・・画素電極、
１１１・・・・・・突起形状。
Claims (1)
- 基板表面に導体薄膜、絶縁体薄膜および導体薄膜を順次
積層した三層構造からなるＭＩＭスイッチング素子にお
いて、絶縁体薄膜としてプラズマ重合法により形成され
る絶縁性有機薄膜を用いたことを特徴とするＭＩＭスイ
ッチング素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025591A JPH077851B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | Ｍｉｍスイツチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025591A JPH077851B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | Ｍｉｍスイツチング素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183579A true JPS62183579A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH077851B2 JPH077851B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=12170151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61025591A Expired - Fee Related JPH077851B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | Ｍｉｍスイツチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077851B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5485294A (en) * | 1987-12-18 | 1996-01-16 | Seiko Epson Corporation | Process for producing MIM elements by electrolytic polymerization |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7626198B2 (en) | 2005-03-22 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonlinear element, element substrate including the nonlinear element, and display device |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61025591A patent/JPH077851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5485294A (en) * | 1987-12-18 | 1996-01-16 | Seiko Epson Corporation | Process for producing MIM elements by electrolytic polymerization |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077851B2 (ja) | 1995-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |