JP2011119719A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
   前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極上の第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
   前記第１のゲート絶縁膜は、一酸化二窒素を有する第１のガスが、水素化珪素を有する第２のガスの流量より高い流量で、供給された状態で形成され、
   前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜より誘電率が高いことを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
   前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極上の第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
   前記第１のゲート絶縁膜は、一酸化二窒素を有する第１のガスが、水素化珪素を有する第２のガスの流量より高い流量で、供給された状態で形成され、
   前記第２のゲート絶縁膜は、ハフニウムを有することを特徴とする半導体装置。
3. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のソース電極と、
   前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、
   前記ソース電極および前記ドレイン電極上の第１のゲート絶縁膜と、
   前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
   前記第２のゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
   前記第１のゲート絶縁膜は、一酸化二窒素を有する第１のガスが、水素化珪素を有する第２のガスの流量より高い流量で、供給された状態で形成され、
   前記第２のゲート絶縁膜は、スパッタリング法によって形成されたことを特徴とする半導体装置。