JP2011107697A5 - 表示装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 画素を有し、
   前記画素は、酸化物と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、を有し、
   前記酸化物は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第１の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第２の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記第４の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
   前記第５の導電層は、前記トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第５の導電層と同層に設けられており、
   前記第４の導電層は、前記第５の導電層と同層に設けられていることを特徴とする表示装置。
2. 画素を有し、
   前記画素は、酸化物と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、第６の導電層と、を有し、
   前記酸化物は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
   前記第１の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
   前記第２の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
   前記第４の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
   前記第５の導電層は、前記トランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第６の導電層は、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第５の導電層と同層に設けられており、
   前記第４の導電層は、前記第５の導電層と同層に設けられていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項２において、
   前記第６の導電層の電位は、前記第５の導電層の電位とおおむね同じであることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物のキャリア濃度は、５×１０ ^１４ ／ｃｍ ^３ 以下であることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化物のエネルギーギャップは、２ｅＶ以上であることを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   ドレイン電圧が１Ｖ又は１０Ｖである場合であって、且つゲート電圧が−２０Ｖ〜−５Ｖの範囲のいずれかであるときの前記トランジスタのドレイン電流は、１×１０ ^−１３ Ａ以下であることを特徴とする表示装置。