JP2011091381A - 半導体素子、半導体素子の作製方法 - Google Patents
半導体素子、半導体素子の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011091381A JP2011091381A JP2010209431A JP2010209431A JP2011091381A JP 2011091381 A JP2011091381 A JP 2011091381A JP 2010209431 A JP2010209431 A JP 2010209431A JP 2010209431 A JP2010209431 A JP 2010209431A JP 2011091381 A JP2011091381 A JP 2011091381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- semiconductor layer
- oxide
- substrate
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 294
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 190
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 145
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 74
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 64
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 43
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 89
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 417
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 76
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 57
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 48
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 46
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 22
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 17
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 13
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 13
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 12
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004698 pseudo-potential method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、H2Oなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。
【選択図】図3
Description
本実施の形態では、半導体素子の作製方法について説明する。なお、本実施の形態では、一例として、図1に示す薄膜トランジスタの構成及びその作製方法について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体素子の作製に用いる連続成膜装置および当該装置を用いた成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、連続成膜を行う工程を説明し、その他の工程は、実施の形態1に従って薄膜トランジスタを作製すればよい。
本実施の形態では、酸化物半導体層の成膜装置および当該装置を用いた酸化物半導体層の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、酸化物半導体層の成膜工程を説明し、その他の工程は、実施の形態1に従って薄膜トランジスタを作製すればよい。
本実施の形態では、酸化物半導体層上に形成する酸化物絶縁層、及び保護膜の連続成膜装置および当該装置を用いた酸化物絶縁層、及び保護膜の連続成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、酸化物絶縁層、及び保護膜の成膜工程を説明し、その他の工程は、実施の形態1に従って薄膜トランジスタを作製すればよい。
102 ゲート絶縁層
102a ゲート絶縁層
102b ゲート絶縁層
103 酸化物半導体層
107 酸化物絶縁層
108 保護絶縁層
111a ゲート電極
111b ゲート配線層
113 酸化物半導体層
115c 配線層
123 酸化物半導体層
128 コンタクトホール
151 薄膜トランジスタ
400 ガラス基板
401 酸化窒化絶縁層
402 酸化物半導体層
403 酸化珪素絶縁層
410 界面
411 水素濃度比
412 水素濃度比
421 珪素イオン強度プロファイル
422 水素濃度プロファイル
1000 連続成膜装置
1100 搬送室
1101 搬送機構
1110 ローダー室
1111 カセット
1120 アンローダー室
1121 カセット
1200 搬送室
1201 搬送機構
1205 排気手段
1210 処理室
1211 基板加熱機構
1215 排気手段
1220 処理室
1225 排気手段
1230 処理室
1235 排気手段
1240 処理室
1245 排気手段
2000 成膜装置
2100 搬送室
2101 搬送機構
2110 ローダー室
2111 カセット
2120 アンローダー室
2121 カセット
2200 搬送室
2201 搬送機構
2205 排気手段
2210 処理室
2215 排気手段
2220 処理室
2221 基板加熱機構
2225 排気手段
2230 処理室
2235 排気手段
2240 処理室
2241 冷却機構
2245 排気手段
3000 連続成膜装置
3100 搬送室
3101 搬送機構
3105 排気手段
3110 ローダー室
3111 カセット
3115 排気手段
3120 アンローダー室
3121 カセット
3125 排気手段
3210 処理室
3211 基板加熱機構
3215 排気手段
3220 処理室
3225 排気手段
3230 処理室
3235 排気手段
3240 処理室
3241 基板加熱機構
3245 排気手段
3250 処理室
3251 冷却機構
3255 排気手段
Claims (11)
- 基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に接して、端部を前記ゲート電極上に重畳するソース電極、及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、及びドレイン電極間の酸化物半導体層を覆う酸化物絶縁層を形成する酸化物半導体素子の作製方法であって、
減圧状態に保持された反応室内に前記基板を保持し、
前記基板を600℃以下の温度に加熱し、
前記反応室内の残留水分を除去しつつ、水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、
前記反応室内に装着されたターゲットを用いて前記基板にゲート絶縁層を形成し、
前記反応室内に装着された金属酸化物をターゲットに用いて前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成することを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。 - 請求項1において、クライオポンプを用いて排気することで残留水分を除去することを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
- 請求項1または請求項2において、前記金属酸化物ターゲットは、酸化亜鉛を主成分として含む金属酸化物であることを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
- 請求項1または請求項2において、前記金属酸化物ターゲットは、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物であることを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
- 基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に接して、端部を前記ゲート電極上に重畳するソース電極、及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、及びドレイン電極間の酸化物半導体層を覆う酸化物絶縁層を形成する酸化物半導体素子の作製方法であって、
減圧状態に保持された加熱室内に前記ゲート絶縁膜が形成された前記基板を保持し、
前記加熱室内の残留水分を除去しつつ、前記基板を室温以上400℃以下の温度に予備加熱し、
減圧状態に保持された反応室内に基板を保持し、
前記基板を室温又は600℃以下の温度に加熱し、
前記反応室内の残留水分を除去しつつ、前記反応室内に装着された金属酸化物をターゲットに用いて前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成することを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。 - 請求項5において、クライオポンプを用いて排気することで残留水分を除去することを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
- 請求項5または請求項6において、前記金属酸化物ターゲットは、酸化亜鉛を主成分として含む金属酸化物であることを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
- 請求項5または請求項6において、前記金属酸化物ターゲットは、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物であることを特徴とする酸化物半導体素子の作製方法。
- 基板上にゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接し、前記ゲート電極に端部を重畳するソース電極、及びドレイン電極と、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成される前記酸化物半導体層を覆う酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層と前記酸化物絶縁層の界面の水素濃度が5×1019cm−3以上1×1022cm−3以下である薄膜トランジスタ。 - 基板上にゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接し、前記ゲート電極に端部を重畳するソース電極、及びドレイン電極と、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成される前記酸化物半導体層を覆う酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層と前記酸化物絶縁層の界面の水素濃度に比べ、前記界面から30nm離れた部分における前記酸化物絶縁層の水素濃度が低く、その差が5倍以上100倍以下である薄膜トランジスタ。 - 基板上にゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接し、前記ゲート電極に端部を重畳するソース電極、及びドレイン電極と、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成される前記酸化物半導体層を覆う酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層に含まれる水素濃度が1×1018cm−3以上2×1020cm−3以下である薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010209431A JP2011091381A (ja) | 2009-09-24 | 2010-09-17 | 半導体素子、半導体素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009219558 | 2009-09-24 | ||
JP2010209431A JP2011091381A (ja) | 2009-09-24 | 2010-09-17 | 半導体素子、半導体素子の作製方法 |
Related Child Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012169477A Division JP5116898B2 (ja) | 2009-09-24 | 2012-07-31 | 半導体素子の作製方法 |
JP2013000557A Division JP5216946B2 (ja) | 2009-09-24 | 2013-01-07 | 半導体素子の作製方法 |
JP2013183616A Division JP2014033208A (ja) | 2009-09-24 | 2013-09-05 | 半導体素子の作製方法 |
JP2015041958A Division JP6114769B2 (ja) | 2009-09-24 | 2015-03-04 | 半導体素子の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011091381A true JP2011091381A (ja) | 2011-05-06 |
JP2011091381A5 JP2011091381A5 (ja) | 2013-10-17 |
Family
ID=43755841
Family Applications (14)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010209431A Withdrawn JP2011091381A (ja) | 2009-09-24 | 2010-09-17 | 半導体素子、半導体素子の作製方法 |
JP2012169477A Active JP5116898B2 (ja) | 2009-09-24 | 2012-07-31 | 半導体素子の作製方法 |
JP2013000557A Active JP5216946B2 (ja) | 2009-09-24 | 2013-01-07 | 半導体素子の作製方法 |
JP2013183616A Withdrawn JP2014033208A (ja) | 2009-09-24 | 2013-09-05 | 半導体素子の作製方法 |
JP2015041958A Active JP6114769B2 (ja) | 2009-09-24 | 2015-03-04 | 半導体素子の作製方法 |
JP2017052114A Active JP6385491B2 (ja) | 2009-09-24 | 2017-03-17 | 半導体素子の作製方法 |
JP2018148183A Active JP6568273B2 (ja) | 2009-09-24 | 2018-08-07 | 半導体素子の作製方法 |
JP2019142123A Active JP6595144B1 (ja) | 2009-09-24 | 2019-08-01 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019173779A Active JP6620263B1 (ja) | 2009-09-24 | 2019-09-25 | 半導体装置 |
JP2019207687A Withdrawn JP2020074398A (ja) | 2009-09-24 | 2019-11-18 | 半導体装置 |
JP2019213967A Active JP6722812B2 (ja) | 2009-09-24 | 2019-11-27 | 半導体装置 |
JP2020203863A Active JP6990289B2 (ja) | 2009-09-24 | 2020-12-09 | 表示装置 |
JP2021143035A Withdrawn JP2021192451A (ja) | 2009-09-24 | 2021-09-02 | 半導体装置 |
JP2021196736A Withdrawn JP2022033140A (ja) | 2009-09-24 | 2021-12-03 | 液晶ディスプレイ、及び、エレクトロルミネセンスディスプレイ |
Family Applications After (13)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012169477A Active JP5116898B2 (ja) | 2009-09-24 | 2012-07-31 | 半導体素子の作製方法 |
JP2013000557A Active JP5216946B2 (ja) | 2009-09-24 | 2013-01-07 | 半導体素子の作製方法 |
JP2013183616A Withdrawn JP2014033208A (ja) | 2009-09-24 | 2013-09-05 | 半導体素子の作製方法 |
JP2015041958A Active JP6114769B2 (ja) | 2009-09-24 | 2015-03-04 | 半導体素子の作製方法 |
JP2017052114A Active JP6385491B2 (ja) | 2009-09-24 | 2017-03-17 | 半導体素子の作製方法 |
JP2018148183A Active JP6568273B2 (ja) | 2009-09-24 | 2018-08-07 | 半導体素子の作製方法 |
JP2019142123A Active JP6595144B1 (ja) | 2009-09-24 | 2019-08-01 | 半導体装置の作製方法 |
JP2019173779A Active JP6620263B1 (ja) | 2009-09-24 | 2019-09-25 | 半導体装置 |
JP2019207687A Withdrawn JP2020074398A (ja) | 2009-09-24 | 2019-11-18 | 半導体装置 |
JP2019213967A Active JP6722812B2 (ja) | 2009-09-24 | 2019-11-27 | 半導体装置 |
JP2020203863A Active JP6990289B2 (ja) | 2009-09-24 | 2020-12-09 | 表示装置 |
JP2021143035A Withdrawn JP2021192451A (ja) | 2009-09-24 | 2021-09-02 | 半導体装置 |
JP2021196736A Withdrawn JP2022033140A (ja) | 2009-09-24 | 2021-12-03 | 液晶ディスプレイ、及び、エレクトロルミネセンスディスプレイ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9171938B2 (ja) |
JP (14) | JP2011091381A (ja) |
KR (3) | KR101342343B1 (ja) |
CN (2) | CN102576677B (ja) |
TW (2) | TWI636508B (ja) |
WO (1) | WO2011037010A1 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012253331A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2014057051A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2014057049A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
KR20140066222A (ko) * | 2011-09-29 | 2014-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2014192210A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置 |
WO2014208520A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2016154365A (ja) * | 2011-05-19 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016158269A (ja) * | 2011-05-20 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017028324A (ja) * | 2012-05-01 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9570622B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2020038990A (ja) * | 2011-09-29 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2021044587A (ja) * | 2011-10-14 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022024159A (ja) * | 2012-05-10 | 2022-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011037008A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
KR20120084751A (ko) * | 2009-10-05 | 2012-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011043206A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN104867982B (zh) | 2009-10-30 | 2018-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2011145484A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8895375B2 (en) | 2010-06-01 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
US8441010B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8519387B2 (en) | 2010-07-26 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing |
JP5836680B2 (ja) | 2010-07-27 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
US20120298998A1 (en) | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
US20130037793A1 (en) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method |
TWI567985B (zh) | 2011-10-21 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI584383B (zh) * | 2011-12-27 | 2017-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9735280B2 (en) | 2012-03-02 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film |
CN104335332B (zh) * | 2012-05-28 | 2017-09-05 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
KR102141977B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-08-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102241249B1 (ko) * | 2012-12-25 | 2021-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
US9577107B2 (en) | 2013-03-19 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film |
KR102263827B1 (ko) * | 2014-03-21 | 2021-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체 증착장치 및 이를 이용한 산화물 반도체의 제조 방법 |
US9633839B2 (en) * | 2015-06-19 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing dielectric films via physical vapor deposition processes |
US10205008B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP7030285B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2022-03-07 | 天馬微電子有限公司 | 半導体装置、表示装置、半導体装置の製造方法及び表示装置の製造方法 |
JP7055285B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2022-04-18 | 天馬微電子有限公司 | 半導体装置、表示装置、半導体装置の製造方法及び表示装置の製造方法 |
JP7126823B2 (ja) | 2016-12-23 | 2022-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6640759B2 (ja) * | 2017-01-11 | 2020-02-05 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
JP2018187189A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP2018187191A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
CN110616406A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-12-27 | 爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司 | 磁控溅射镀膜机 |
US20210066321A1 (en) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Memory device |
KR102599124B1 (ko) * | 2019-09-03 | 2023-11-07 | 한국전자통신연구원 | 메모리 소자 |
CN112981346B (zh) * | 2021-02-08 | 2021-10-19 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 一种多室磁控多层光学镀膜设备及镀膜方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288864A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体、薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2007103918A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法 |
JP2007173489A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
JP2008141119A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
JP2009135436A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを有する表示装置 |
WO2009084537A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | a-IGZO酸化物薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (144)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
US5210050A (en) * | 1990-10-15 | 1993-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor film |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000206508A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4373085B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN1998087B (zh) | 2004-03-12 | 2014-12-31 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 非晶形氧化物和薄膜晶体管 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
EP2453480A2 (en) | 2004-11-10 | 2012-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
RU2358354C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Светоизлучающее устройство |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
KR100911698B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-08-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI481024B (zh) | 2005-01-28 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4958253B2 (ja) | 2005-09-02 | 2012-06-20 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073698A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | トランジスタ |
CN101258607B (zh) * | 2005-09-06 | 2011-01-05 | 佳能株式会社 | 使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非晶氧化物膜的制造方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP1998374A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
CN101283388B (zh) * | 2005-10-05 | 2011-04-13 | 出光兴产株式会社 | Tft基板及tft基板的制造方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP5224676B2 (ja) | 2005-11-08 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP5089139B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN101667544B (zh) | 2005-11-15 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
JP5099740B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2012-12-19 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP2007212699A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5110803B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5196813B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP5127183B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US8129714B2 (en) * | 2007-02-16 | 2012-03-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor, semiconductor device, complementary transistor circuit device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
WO2008126879A1 (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JP2008277326A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Canon Inc | アモルファス酸化物半導体、半導体デバイス及び薄膜トランジスタ |
US8748879B2 (en) * | 2007-05-08 | 2014-06-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor device, thin film transistor and a method for producing the same |
KR101334182B1 (ko) * | 2007-05-28 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5361249B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-12-04 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5242083B2 (ja) | 2007-06-13 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ |
JP5331407B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2013-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5354999B2 (ja) | 2007-09-26 | 2013-11-27 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP4759598B2 (ja) | 2007-09-28 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置 |
JP5213422B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
KR101518091B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2015-05-06 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 반도체를 이용한 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
CN101911303B (zh) * | 2007-12-25 | 2013-03-27 | 出光兴产株式会社 | 氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 |
JP5291928B2 (ja) | 2007-12-26 | 2013-09-18 | 株式会社日立製作所 | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2009164519A (ja) | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Shimadzu Corp | 低温ポリシリコン用保護膜の成膜方法、低温ポリシリコン用保護膜の成膜装置および低温ポリシリコンtft |
JP5467728B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
TWI500160B (zh) | 2008-08-08 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US8129718B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
JP5537787B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JPWO2010047077A1 (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-22 | 出光興産株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101743164B1 (ko) * | 2009-03-12 | 2017-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011027664A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
WO2011037008A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
WO2011037050A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN104867982B (zh) * | 2009-10-30 | 2018-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
-
2010
- 2010-09-01 KR KR1020137013720A patent/KR101342343B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-01 CN CN201080043261.1A patent/CN102576677B/zh active Active
- 2010-09-01 KR KR1020127006049A patent/KR101809759B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-01 CN CN201510349006.4A patent/CN104934483B/zh active Active
- 2010-09-01 KR KR1020137012370A patent/KR101342179B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-01 WO PCT/JP2010/065363 patent/WO2011037010A1/en active Application Filing
- 2010-09-17 JP JP2010209431A patent/JP2011091381A/ja not_active Withdrawn
- 2010-09-23 US US12/888,835 patent/US9171938B2/en active Active
- 2010-09-23 TW TW105115975A patent/TWI636508B/zh active
- 2010-09-23 TW TW099132252A patent/TWI585862B/zh active
-
2012
- 2012-07-31 JP JP2012169477A patent/JP5116898B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-07 JP JP2013000557A patent/JP5216946B2/ja active Active
- 2013-09-05 JP JP2013183616A patent/JP2014033208A/ja not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-01-02 US US14/146,093 patent/US9530872B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-04 JP JP2015041958A patent/JP6114769B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-17 JP JP2017052114A patent/JP6385491B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-07 JP JP2018148183A patent/JP6568273B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-01 JP JP2019142123A patent/JP6595144B1/ja active Active
- 2019-09-25 JP JP2019173779A patent/JP6620263B1/ja active Active
- 2019-11-18 JP JP2019207687A patent/JP2020074398A/ja not_active Withdrawn
- 2019-11-27 JP JP2019213967A patent/JP6722812B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-09 JP JP2020203863A patent/JP6990289B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-02 JP JP2021143035A patent/JP2021192451A/ja not_active Withdrawn
- 2021-12-03 JP JP2021196736A patent/JP2022033140A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288864A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体、薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2007103918A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Canon Inc | アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法 |
JP2007173489A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
JP2008141119A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
JP2008281988A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-11-20 | Canon Inc | 発光装置とその作製方法 |
JP2009135436A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを有する表示装置 |
WO2009084537A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | a-IGZO酸化物薄膜の製造方法 |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9893195B2 (en) | 2011-05-11 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2012253331A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2016154365A (ja) * | 2011-05-19 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016158269A (ja) * | 2011-05-20 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11750194B2 (en) | 2011-05-20 | 2023-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10505547B2 (en) | 2011-05-20 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10897258B2 (en) | 2011-05-20 | 2021-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2020038990A (ja) * | 2011-09-29 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US11791415B2 (en) | 2011-09-29 | 2023-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10290744B2 (en) | 2011-09-29 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102128369B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2020-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20140066222A (ko) * | 2011-09-29 | 2014-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200077623A (ko) * | 2011-09-29 | 2020-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10622485B2 (en) | 2011-09-29 | 2020-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11217701B2 (en) | 2011-09-29 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102304125B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2021-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2021071730A (ja) * | 2011-09-29 | 2021-05-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、発光装置 |
JP2022171784A (ja) * | 2011-10-14 | 2022-11-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021044587A (ja) * | 2011-10-14 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017028324A (ja) * | 2012-05-01 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022024159A (ja) * | 2012-05-10 | 2022-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7346530B2 (ja) | 2012-05-10 | 2023-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014057051A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2014057049A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP6083053B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-02-22 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置 |
US9799772B2 (en) | 2013-05-29 | 2017-10-24 | Joled Inc. | Thin film transistor device, method for manufacturing same and display device |
JPWO2014192210A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-02-23 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置 |
WO2014192210A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置 |
WO2014208520A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US9660103B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-05-23 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing same |
JP2015029051A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-02-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US9824898B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9570622B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6620263B1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5537787B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2022010406A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016026382A (ja) | 成膜装置 | |
JP5791934B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP7507285B2 (ja) | 液晶ディスプレイ及びエレクトロルミネセンスディスプレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130903 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140825 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141216 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20150310 |