JP2016026382A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016026382A JP2016026382A JP2015154218A JP2015154218A JP2016026382A JP 2016026382 A JP2016026382 A JP 2016026382A JP 2015154218 A JP2015154218 A JP 2015154218A JP 2015154218 A JP2015154218 A JP 2015154218A JP 2016026382 A JP2016026382 A JP 2016026382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- film
- oxide semiconductor
- substrate
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 102
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 142
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 60
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 37
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 224
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 description 319
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 163
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical class [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3457—Sputtering using other particles than noble gas ions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Abstract
Description
連続成膜装置に関する。
PUは、半導体ウェハから切り離された半導体集積回路(少なくともトランジスタ及びメ
モリ)を有し、接続端子である電極が形成された半導体素子の集合体である。
配線板に実装され、様々な電子機器の部品の一つとして用いられる。
置は、無線タグ、RFIDタグなどと呼ばれる。実用化されているものは、アンテナと半
導体基板を用いて形成された半導体回路(ICチップ)とを有しているものが多い。
の他の材料として酸化物半導体が注目されている。酸化物半導体の材料としては、酸化亜
鉛又は酸化亜鉛を成分とするものが知られている。そして、電子キャリア濃度が1018
/cm3未満である酸化物半導体なるもので形成されたトランジスタが開示されている(
特許文献1乃至3)。
にはn型であり、上記特許文献に開示される薄膜トランジスタのオンオフ比は十分な値を
得られていない。このような薄膜トランジスタのオンオフ比が低い理由は、オフ電流が高
いことによるものである。低消費電力の半導体装置を実現するためには、薄膜トランジス
タなどの半導体素子のオフ電流は極めて低い値が要求される。
、及び酸化物半導体層に接する層中に水、水素、水酸基などの不純物が混入せず、水素濃
度が十分に低減されている必要がある。
純物を除去できていないことがある。このような成膜装置内で、成膜した膜には不純物が
混入してしまう。
、半導体素子の作製工程に加熱処理を加えることで、工程数が増え、素子作製にかかる所
要時間が増加する、及び加熱を行うためエネルギーの消費が増える等の課題がある。
供することを課題とする。本発明の一態様は、該半導体素子の作製方法に用いる連続成膜
装置を提供することを課題とする。
作製工程中に成膜装置内を極めて清浄な状態に保ち、作製工程中の半導体素子を大気に曝
すことなく連続して成膜を行い、半導体素子を作製すれば良い。具体的には、成膜前後に
おいて、成膜室内の圧力を10−8Pa以下に保持することによって、成膜室内の不純物
を十分に除去することができる。このような成膜室で酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜
に接する膜を連続成膜し、半導体素子を作製すれば良い。
加熱手段を有する成膜室は、室内で10−8Pa以下の圧力を実現でき、室内の不純物を
十分に除去することができる。このような成膜室を複数有する成膜装置を用いて、半導体
素子を作製すれば良い。
ク室と、基板を加熱する第1の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持
部周辺の壁面を加熱する第2の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するター
ゲット保持部とが備えられ、それぞれが10−8Pa以下に真空排気する手段と接続する
複数の成膜室と、10−8Pa以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロッ
ク室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、10−6Pa以
下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、
成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜
装置である。
固定するターゲット保持部を備え、少なくとも一つの成膜室が金属酸化物ターゲットを固
定するターゲット保持部を備えることが好ましい。または、少なくとも一つの成膜室が金
属酸化物ターゲットを固定するターゲット保持部を備え、少なくとも一つの成膜室が金属
ターゲットを固定するターゲット保持部を備えることが好ましい。または、少なくとも一
つの成膜室が絶縁体ターゲットを固定するターゲット保持部を備え、少なくとも一つの成
膜室が金属酸化物ターゲットを固定するターゲット保持部を備え、少なくとも一つの成膜
室が金属ターゲットを固定するターゲット保持部を備えることが好ましい。
a・m3/s以下であることが好ましい。
下で加熱しながら成膜する手段を有することが好ましい。
に真空排気する手段とを備えた処理室を有することが好ましい。
していると好ましい。
以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された加熱室に搬送し、基板に
加熱処理を施し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内
に高純度のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて、基板上にゲー
ト絶縁膜を形成し、成膜室内を10−8Pa以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以
下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内に高純度のスパッタリング用のガスを導入
し、スパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する、半導体素
子の作製方法である。
以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された加熱室に搬送し、基板に
加熱処理を施し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内
に高純度のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて、基板上に酸化
物半導体膜を形成し、成膜室内を10−8Pa以下に真空排気し、基板を、10−8Pa
以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内に高純度のスパッタリング用のガスを導
入し、スパッタリング法を用いて、酸化物半導体膜上に導電膜を形成する、半導体素子の
作製方法である。
以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された加熱室に搬送し、基板に
加熱処理を施し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内
に高純度のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて、基板上にゲー
ト絶縁膜を形成し、成膜室内を10−8Pa以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以
下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内に高純度のスパッタリング用のガスを導入
し、スパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、成膜室内を
10−8Pa以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された成膜室に搬
送し、成膜室内に高純度のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて
、酸化物半導体膜上に導電膜を形成する、半導体素子の作製方法である。
気した後に、基板を、10−8Pa以下に真空排気された処理室に搬送し、酸化物半導体
膜に酸素ラジカル処理を行うことが好ましい。
以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された加熱室に搬送し、基板に
加熱処理を施し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内
に高純度のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて、基板上に、第
1の酸化物半導体膜を形成し、成膜室内を10−8Pa以下に真空排気し、基板を、10
−8Pa以下に真空排気された加熱室に搬送し、基板に加熱処理を施し、基板を、10−
8Pa以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内に高純度のスパッタリング用のガ
スを導入し、スパッタリング法を用いて、基板上に、第2の酸化物半導体膜を形成し、成
膜室内を10−8Pa以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された加
熱室に搬送し、基板に加熱処理を施し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された処理
室に搬送し、第2の酸化物半導体膜上に酸素ラジカル処理を行う、半導体素子の作製方法
である。
以下に真空排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された加熱室に搬送し、基板に
加熱処理を施し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内
に高純度のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて、基板上に、加
熱処理を施しながら第1の酸化物半導体膜を形成し、成膜室内を10−8Pa以下に真空
排気し、基板を、10−8Pa以下に真空排気された成膜室に搬送し、成膜室内に高純度
のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて、基板上に、第2の酸化
物半導体膜を形成し、成膜室内を10−8Pa以下に真空排気し、基板を、10−8Pa
以下に真空排気された加熱室に搬送し、基板に加熱処理を施す、半導体素子の作製方法で
ある。
供することができる。本発明の一態様は、該半導体素子の作製方法に用いる連続成膜装置
を提供することができる。
発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本明
細書の実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施
の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の
符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置について図面を参照して説明する。
(図1では、第1の成膜室113、第2の成膜室115、第3の成膜室117、第4の成
膜室121、及び第5の成膜室127)、加熱室(図1では、第1の加熱室119及び第
2の加熱室123)、処理室125、基板待機室129、第2のロードロック室131、
及び基板搬送手段133を有する。なお、図示しないが、本実施の形態の連続成膜装置は
、装置の内壁を300℃以上に加熱する手段を有する。
室129、第2のロードロック室131は、それぞれ排気手段1111〜1131と接続
する。
として、10−6Pa以下、好ましくは10−8Pa以下に真空排気する手段と接続して
いる。これらの排気手段は、各室の使用用途に応じて適宜排気装置を選定すればよく、例
えば、吸着型のポンプを備えた排気手段や、ターボポンプにコールドトラップを備えた排
気手段等が挙げられる。特に、吸着型のポンプを備えることが好ましい。吸着型のポンプ
としては、例えば、クライオポンプ、スパッタイオンポンプ、チタンサブリメーションポ
ンプ等の、吸着手段を有するポンプが挙げられる。
空排気する手段と接続する。排気手段と、前述の装置の内壁を300℃以上に加熱する手
段を用いることで、各室内の圧力を10−12Pa以上10−8Pa以下とすることがで
きる。室内の圧力を10−12Pa以上10−8Pa以下とすることで、室内の不純物を
十分に除去することができる。排気手段としては、前述の吸着型のポンプを用いる。
ドロック室111、処理済みの基板を収納する基板ホルダを有する場所として、第2のロ
ードロック室131を設けたが、本発明の一態様の成膜装置は、これに限らず、一室で基
板の搬入出を行っても良い。
。
いる。本実施の形態の連続成膜装置は、2つの加熱室を有する構成としたが、加熱室は1
つ以上の任意の数だけ設ければ良い。
素を含むプラズマ発生装置により供給されてもよいし、オゾン発生装置により供給されて
もよい。供給された酸素ラジカル又は酸素を薄膜に照射することによって膜表面を改質す
ることができる。また、処理室で行う処理は、酸素ラジカル処理に限定されない。連続成
膜装置において、処理室は必要でなければ設けなくても良いし、複数設けても良い。
。基板待機室129は、冷却手段を有していても良い。冷却手段を有することで、基板待
機室129において、成膜等のために熱された基板を十分に冷却することができる。冷却
は、ヘリウム、ネオン、アルゴン等を基板待機室129に導入して行っても良い。なお、
冷却に用いる窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含
まれないことが好ましい。または、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス
の純度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上
(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい
。連続成膜装置において、基板待機室は必要でなければ設けなくても良い。
の圧力は10−8Pa以下に保持されている。これを実現する排気手段としては、前述の
吸着型のポンプを用いる。成膜室の大気のリーク量は、10−11Pa・m3/s以下で
あることが好ましい。
の成膜室117、第4の成膜室121、及び第5の成膜室127)を有する構成としたが
、成膜室の数はこれに限定されず、連続成膜する膜の数に合わせて適宜定めればよい。
に応じた方法で成膜が可能な設備を適宜設ければ良い。成膜中の成膜室の圧力は、成膜方
法、及び成膜材料に応じて最適なものとすれば良いが、成膜前後の成膜室内の圧力は10
−8Pa以下に保持する。図2に、具体的な成膜室の構成の一例を示す。本実施の形態で
は、スパッタリング法を用いて成膜を行う成膜室を例として説明する。
205、電源209、ガス導入手段210、ターゲット保持部に保持されたスパッタリン
グ用ターゲット211、防着板212、メインバルブ213、自動圧力制御装置215、
クライオポンプ217、ドライポンプ219を有する。
搬送室112を通って、成膜室200の基板保持部201に搬送される。基板保持部20
1にある基板ホルダ(図示しない)は、上下駆動機構によって上下に移動し、基板を固定
することが可能である。図2に示すように、フェイスダウン方式(基板の被成膜面が下を
向いた状態で成膜する方式)を採用すると、基板301へのゴミの付着などを抑えること
ができるため、好ましい。
ば、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する手
段を用いてもよいし、ランプから発する光(電磁波)の輻射により被処理物を加熱する手
段を用いてもよい。基板301を基板加熱手段203で加熱しながら成膜を行うことがで
きる。
転させることが好ましい。
を有する。定期的に成膜室の内壁を加熱し、内壁に吸着する不純物を脱離処理することで
高真空を実現することができる。
グ用ターゲット211としては、例えば、酸化物絶縁層を形成するためのターゲット、窒
化物絶縁層を形成するためのターゲット、酸化物半導体層を形成するためのターゲット、
導電層を形成するためのターゲット等を用いることができる。具体的には、絶縁体ターゲ
ット、金属酸化物ターゲット、金属ターゲット等を用いることができる。なお、スパッタ
リング用ターゲット211と基板301の間にはシャッター(図示しない)が設けられて
いる。
リング法のいずれを用いても良い。例えば、成膜室200において、絶縁層を成膜する場
合には、RFスパッタリング法を用いれば良く、金属からなる導電層を成膜する場合には
、DCスパッタリング法を用いれば良い。
きる。
されている。また、スパッタイオンポンプを併用しても良い。これら排気手段を用いるこ
とで、成膜前後において、成膜室200内の圧力を、10−8Pa以下に保持することが
できる。また、成膜室200内に不純物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとして
は、高純度のガスを用いる。成膜室200内に導入されるこれらのガスは、装置内に導入
される前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化され
た後に成膜装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガ
ス中に含まれる水等の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純
物が導入されるのを防ぐことができる。
し、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する加熱手段を備え、室内の圧力を10−8
Pa以下とすることができる成膜室を有している。成膜を行う前後に、室内の圧力を10
−8Pa以下とすることで、室内の不純物を十分に除去することができる。このような成
膜室を備えた連続成膜装置を用いて、大気開放せずに連続成膜を行うことで、酸化物半導
体層中、及び酸化物半導体層に接する層中に不純物が混入せず、水素濃度が十分に低減さ
れた高純度な酸化物半導体層を有する半導体素子を作製することができる。このような半
導体素子は、オフ電流が低く、低消費電力の半導体装置を実現できる。
本実施の形態では、実施の形態1に示した連続成膜装置を用いてボトムゲート型のトラン
ジスタを作製する方法について図1、図3(A)、及び図4を用いて説明する。本実施の
形態では、酸化物半導体層を用いた半導体素子を作製する方法について説明する。
形態1で例示する成膜装置を用いることにより、酸化物半導体に主成分以外の不純物が極
力含まれないように酸化物半導体を高純度化し、I型(真性)の酸化物半導体、又はI型
(真性)に限りなく近い酸化物半導体にできる。すなわち、不純物を添加してI型化する
のでなく、水素や水等の不純物を極力取り込まないことにより、高純度化されたI型(真
性半導体)又はそれに近づけて酸化物半導体を成膜する。従って、本実施の形態で作製す
るトランジスタは、高純度化及び電気的にI型(真性)化された酸化物半導体層を有する
。
きる。具体的には、キャリア濃度を1×1012/cm3未満、好ましくは1×1011
/cm3未満まで抑制できる。また、高純度化された酸化物半導体中の水素濃度は、1×
1016atoms/cm3未満である。
めて少なくすることができる。このような高純度化された酸化物半導体層をトランジスタ
のチャネル形成領域に適用することにより、トランジスタのオフ電流を少なくすることが
できる。なお、オフ電流は少なければ少ないほど消費電力を低減できるため好ましい。
す。トランジスタ300は、ゲート電極層303、第1のゲート絶縁層305、第2のゲ
ート絶縁層307、高純度化された酸化物半導体層312、ソース電極層311a、ドレ
イン電極層311b、絶縁層313、保護絶縁層315を有する。
4を用いて説明する。
成し、エッチングによりゲート電極層303を形成する(図4(A))。
スやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いる。
ンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料または
これらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
半導体層、及び導電層を大気にさらすことなく連続成膜する。
室111に搬入する。そして、排気手段1111を用いて第1のロードロック室111内
を減圧する。このとき、第1のロードロック室111内の圧力が10−6Pa以下、好ま
しくは10−8Pa以下となるまで排気する。
まで搬送される。搬送室112内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1112を用
いることで、10−6Pa以下、好ましくは10−8Pa以下に保持されている。また、
定期的に装置の内壁を加熱し、内壁に吸着する不純物を脱離処理することで高真空を実現
する。
熱室123)に搬送し、加熱室と搬送室112とを仕切るゲートバルブを閉じる。加熱室
は、クライオポンプなどの排気手段を用いることで10−8Pa以下に保持されている。
次いで、予備加熱を行う。予備加熱を行うことで、基板301に吸着した不純物を脱離し
、排気することができる。不純物としては、例えば、水素原子やH2O等の水素原子を含
む化合物や、炭素原子を含む化合物をその例に挙げることができる。予備加熱の温度は、
室温以上600℃以下であれば良く、100℃以上400℃以下であることが特に好まし
い。
いで、クライオポンプなどの排気手段1113を用いて第1の成膜室113の内圧を制御
しながら高純度のスパッタリング用のガスを導入し、スパッタリング法を用いて、ゲート
電極層303上に第1のゲート絶縁層305となる窒化珪素膜を成膜する。成膜終了後に
第1の成膜室113内の圧力は、排気手段1113を用いて、10−8Pa以下に再び排
気され、第1の成膜室113内が清浄な状態に保たれる。成膜前後に10−8Pa以下に
排気されて清浄に保たれる成膜室で第1のゲート絶縁層305を成膜するため、第1のゲ
ート絶縁層305に含まれる不純物は効果的に低減される。
ート絶縁層305上に、スパッタリング法を用いて、第1のゲート絶縁層305の成膜方
法と同様に、酸化珪素膜を成膜し、第2のゲート絶縁層307を形成する。成膜前後にお
いて、第2の成膜室115内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1115を用いる
ことで、10−8Pa以下に保持されている。
電荷に対して極めて敏感であるため、酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面は重要であ
る。そのため高純度化された酸化物半導体に接する第2のゲート絶縁層307は、高品質
化が要求される。第1の成膜室113及び第2の成膜室115は、クライオポンプ等によ
り排気され、成膜室内の不純物濃度が極めて低減されている。不純物が低減された成膜室
内で積層された窒化珪素膜と酸化珪素膜は、不純物濃度が抑制されたゲート絶縁層として
機能する。
ト絶縁層はこれに限らず、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、
酸化アルミニウム膜等の単層又は積層構造とすることができる。後に形成する酸化物半導
体層と接する層は酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。ゲート絶縁層の形成方法として
はプラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いることができるが、層中に水素が多量
に含まれないようにするためには、スパッタリング法で成膜することが好ましい。ゲート
絶縁層の厚さは特に限定されないが、例えば、10nm以上500nm以下とすることが
できる。
ト絶縁層307上に、スパッタリング法を用いて、酸化物半導体膜309を成膜する。成
膜前後において、第3の成膜室117内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段111
7を用いることで、10−8Pa以下に保持され、極めて清浄な状態に保たれる。成膜前
後に清浄に保たれた成膜室で酸化物半導体膜309を成膜するため、酸化物半導体膜30
9に含まれる不純物は効果的に低減される。
a−Zn−O系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系酸化物
半導体、In−Sn−Zn−O系酸化物半導体、In−Al−Zn−O系酸化物半導体、
Sn−Ga−Zn−O系酸化物半導体、Al−Ga−Zn−O系酸化物半導体、Sn−A
l−Zn−O系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるIn−Zn−O系酸化物半導体
、Sn−Zn−O系酸化物半導体、Al−Zn−O系酸化物半導体、Zn−Mg−O系酸
化物半導体、Sn−Mg−O系酸化物半導体、In−Mg−O系酸化物半導体や、単元系
金属酸化物であるIn−O系酸化物半導体、Sn−O系酸化物半導体、Zn−O系酸化物
半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体膜にSiO2を含んでもよい
。ここで、例えば、In−Ga−Zn−O系酸化物半導体とは、少なくともInとGaと
Znを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の
元素を含んでもよい。
数でない)で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、Mnお
よびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及び
Al、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。
により酸化物半導体膜309を成膜する。この段階での断面図が図4(B)に相当する。
酸化物半導体膜309は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、又は
希ガスと酸素の混合雰囲気下において形成することができる。
、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol比](すなわち
、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom比])を用いることができる。また、I
n2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol比](In:Ga:Zn=1:1:
1[atom比])、やIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:4[mol比](I
n:Ga:Zn=1:1:2[atom比])の組成比を有するターゲットを用いてもよ
い。酸化物ターゲットの充填率は90.0%以上100%以下、好ましくは95.0%以
上99.9%以下である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜
した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いる。
、直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下の条件が適用さ
れる。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質(パーティクル、ご
みともいう)が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
膜厚2nm以上200nm以下の酸化物半導体膜を10分以内に成膜することができる。
ことが好ましい。本実施の形態では、処理室125で酸素ラジカル処理を行う。処理前後
において、処理室125内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1125を用いるこ
とで、10−8Pa以下に保持されている。
置により供給されてもよい。供給された酸素ラジカル又は酸素を薄膜に照射することによ
って膜表面を改質することができる。酸素ラジカル処理の代わりに、アルゴンと酸素のラ
ジカル処理を行ってもよい。アルゴンと酸素のラジカル処理とは、アルゴンガスと酸素ガ
スを導入してプラズマを発生させて薄膜表面の改質を行うことである。
発生している反応空間中のAr原子(Ar)は、放電プラズマ中の電子により励起又は電
離され、アルゴンラジカル(Ar*)やアルゴンイオン(Ar+)や電子となる。アルゴ
ンラジカル(Ar*)はエネルギーの高い準安定状態にあり、周辺にある同種又は異種の
原子と反応し、それらの原子を励起又は電離させて安定状態に戻ろうとして雪崩現象的に
反応が発生する。その時に周辺に酸素があると、酸素原子(O)が励起又は電離され、酸
素ラジカル(O*)や酸素イオン(O+)となる。その酸素ラジカル(O*)が被処理物
である薄膜表面の材料と反応し、表面改質が行われ、表面にある有機物と反応して有機物
を除去するプラズマ処理が行われる。なお、不活性ガスのラジカルは、反応性ガスのラジ
カルと比較して準安定状態が長く維持されるという特徴があり、そのためプラズマを発生
させるのに不活性ガスを用いるのが一般的である。
タリング法を用いて、導電膜310を成膜する(図4(C))。成膜前後において、第5
の成膜室127内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1127を用いることで、1
0−8Pa以下に保持されている。
れた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等
を用いることができる。また、Al膜、Cu膜などの金属膜の下側又は上側の一方または
双方にTi膜、Mo膜、W膜などの高融点金属膜を積層させた構成としても良い。また、
Al膜に生ずるヒロックやウィスカーの発生を防止する元素(Si、Nd、Scなど)が
添加されているAl材料を用いることで耐熱性を向上させることが可能となる。導電膜は
、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジ
ウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム酸化
スズ合金(In2O3−SnO2、ITOと略記する)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(
In2O3−ZnO)またはこれらの金属酸化物材料に酸化珪素を含ませたものを用いる
ことができる。
に搬入する前に別の場所で待機させる必要が生じた場合は、基板待機室129に基板を搬
入すれば良い。基板待機室129内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1129を
用いることで、10−8Pa以下に保持されている。
グにより導電膜310及び酸化物半導体膜309の不要な部分を除去する。次いで、第3
のフォトマスクを用いて、酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳する導電膜をエッチ
ングし、ソース電極層311a、及びドレイン電極層311bを形成する(図4(D))
。
ガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水
などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、大気に触れることなく、酸化物半導
体層の一部に接する保護絶縁膜となる絶縁層313を形成する。
3に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。絶縁層
313に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入、又は水素による酸化物
半導体層中の酸素の引き抜きが生じ酸化物半導体層のバックチャネルが低抵抗化(N型化
)してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁層313はできる
だけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。
において、クライオポンプなどの排気手段を用いることで、10−8Pa以下に保持され
ている。
を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、特に、酸化
物絶縁膜を用いることが好ましい。代表的には酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化アルミ
ニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。
法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上500℃以下とすれば良い。酸化珪
素膜のスパッタリング法による成膜は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰
囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において行うことができる。絶縁層313を
、成膜する際に用いるスパッタリング用のガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不
純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。スパッタリング用ターゲットとし
ては、酸化珪素ターゲットまたは珪素ターゲットを用いることができる。例えば、珪素タ
ーゲットを用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタ法により酸化珪素膜を形成することが
できる。
用いて窒化珪素膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層の成膜
方法として好ましい。保護絶縁層は、水分などの不純物を含まず、これらが外部から侵入
することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化珪素膜、窒化アルミニウム膜などを用い
る。本実施の形態では、保護絶縁層315を、窒化珪素膜を用いて形成する(図4(E)
)。
後において、クライオポンプなどの排気手段を用いることで、10−8Pa以下に保持さ
れている。
で、酸化物半導体層中、及び酸化物半導体層に接する層中に不純物が混入せず、水素濃度
が十分に低減された高純度な酸化物半導体層を有する半導体素子を作製することができる
。また、酸化物半導体層に接する層も不純物が低減されているため、酸化物半導体層は高
純度に保たれる。このような高純度化された酸化物半導体層を用いた半導体素子は、オフ
電流が低く、低消費電力の半導体装置を実現できる。
本実施の形態では、実施の形態1に示した連続成膜装置を用いて、実施の形態2で説明し
たトランジスタとは異なる構成を有するトランジスタを作製する方法について図1、図3
(B)、及び図5を用いて説明する。本実施の形態では、酸化物半導体層を用いた半導体
素子を作製する方法について説明する。
ランジスタ400は、ゲート電極層303、第1のゲート絶縁層305、第2のゲート絶
縁層307、高純度化された酸化物半導体層308、ソース電極層314a、ドレイン電
極層314b、絶縁層313、保護絶縁層315を有する。
図5を用いて説明する。まず、実施の形態2と同様の方法で、基板301上にゲート電極
層303を形成する(図5(A))。
ゲート絶縁層305、第2のゲート絶縁層307)及び酸化物半導体膜306を大気にさ
らすことなく連続成膜する(図5(B))。ゲート絶縁層及び酸化物半導体膜306の成
膜は、実施の形態2と同様の方法で行えば良い。
08に加工する(図5(C))。酸化物半導体層308を形成するためのレジストマスク
は、インクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成する
とフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
ッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜309のウェットエッ
チングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などを用いること
ができる。また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
に、スパッタリング法を用いて、導電膜を成膜する。酸化物半導体膜306の成膜時と同
様に、成膜前後において、導電膜を成膜する成膜室内の圧力は、クライオポンプなどの排
気手段を用いることで、10−8Pa以下に保持されていることが好ましい。そして、フ
ォトリソグラフィ工程により、導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチング
を行って、ソース電極層311a、及びドレイン電極層311bを形成する。
る酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。
5として窒化珪素膜を成膜する。
で、酸化物半導体層中、及び酸化物半導体層に接する層中に不純物が混入せず、水素濃度
が十分に低減された高純度な酸化物半導体層を有する半導体素子を作製することができる
。また、酸化物半導体層に接するゲート絶縁膜、及び導電膜も不純物が低減されているた
め、酸化物半導体層は高純度に保たれる。このような高純度化された酸化物半導体層を用
いた半導体素子は、オフ電流が低く、低消費電力の半導体装置を実現できる。
本実施の形態では、実施の形態1に示した連続成膜装置を用いて、実施の形態2、及び実
施の形態3で説明した半導体素子とは異なる構成を有するトランジスタを作製する方法に
ついて図1、図3(C)、及び図6を用いて説明する。本実施の形態では、特に、結晶領
域を有する酸化物半導体層を用いたトランジスタを作製する方法について説明する。
スタ500は、ゲート電極層303、第1のゲート絶縁層305、第2のゲート絶縁層3
07、第1の酸化物半導体層406、第2の酸化物半導体層408、ソース電極層411
a、ドレイン電極層411b、絶縁層313、保護絶縁層315を有する。なお、第1の
酸化物半導体層406、及び第2の酸化物半導体層408は結晶化している。
図6を用いて説明する。まず、基板301上に導電膜を形成し、第1のフォトリソグラフ
ィ工程により、ゲート電極層303を形成する。
05、及び第2のゲート絶縁層307を形成する(図6(A))。
ト絶縁層307上に、結晶領域を有する酸化物半導体層を形成する。酸化物半導体層を2
回に分けて成膜し、2回に分けて加熱処理を行うことで、膜厚の厚い結晶領域、即ち、膜
表面に垂直にc軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体層が形成できる。なお、このよ
うな方法を用いることで、下地部材の材料が酸化物、窒化物、金属など材料を問わず、酸
化物半導体に結晶領域を形成することができる。
の成膜室117内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1117を用いることで、1
0−8Pa以下に保持されている。
体を用いることができる。
種として用いるため、結晶成長する厚さとすればよく、代表的には一原子層以上30nm
以下、好ましくは2nm以上5nm以下でよい。第1の酸化物半導体膜405の厚さを薄
くすることで成膜処理及び加熱処理におけるスループットを高めることができる。
処理を行い、第1の酸化物半導体膜の表面を含む領域に結晶領域(板状結晶を含む)を形
成する。第1の加熱処理によって、表面を含む領域に結晶領域(板状結晶を含む)を有す
る第1の酸化物半導体膜405が形成される(図6(B))。
処理の温度は、450℃以上850℃以下、好ましくは550℃以上750℃以下とする
。また、加熱時間は1分以上24時間以下とする。加熱処理前後において、第1の加熱室
119内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1119を用いることで、10−8P
a以下に保持されている。
。
加熱しながら成膜することで、結晶成長を促すことができる。成膜中に第1の酸化物半導
体層の結晶を成長させることで、第1の加熱処理を省略することができる。基板加熱条件
としては、基板301を室温以上500℃以下に加熱すればよい。
膜よりも厚い第2の酸化物半導体膜を、スパッタリング法を用いて、第2の酸化物半導体
膜を形成する。なお、成膜前後において、第4の成膜室121内の圧力は、クライオポン
プなどの排気手段1121を用いることで、10−8Pa以下に保持されている。
体を用いることができる。
ればよい。
ながら成膜しても良い。
がら膜厚2nm以上30nm以下の第1の酸化物半導体膜を10分以内に成膜した後、第
4の成膜室121で、膜厚20nm以上200nm以下の第2の酸化物半導体膜を10分
以内に連続成膜することが可能である。
処理を行う。加熱処理前後において、第2の加熱室123内の圧力は、クライオポンプな
どの排気手段1123を用いることで、10−8Pa以下に保持されている。
2の加熱処理を行う。第1の酸化物半導体膜405を結晶成長の種として、上方に結晶成
長させ、第2の酸化物半導体膜の全体を結晶化させ、結果として膜厚の厚い結晶領域を有
する第2の酸化物半導体膜407を形成する(図6(B))。
2の酸化物半導体膜407の界面を点線で示したが、第1の酸化物半導体膜405及び結
晶領域を有する第2の酸化物半導体膜407の境界が判別できず、同一の層とみなせるこ
ともある。
化物半導体膜の表面に、酸素ラジカル処理を行う事が好ましい。本実施の形態では、処理
室125で酸素ラジカル処理を行う。処理前後において、処理室125内の圧力は、クラ
イオポンプなどの排気手段1125を用いることで、10−8Pa以下に保持されている
。酸素ラジカル処理は実施の形態2と同様の方法で行うことができる。
スパッタリング法を用いて、導電膜409を成膜する(図6(C))。導電膜409は実
施の形態2で示した導電膜310と同様の材料、方法を用いて形成することができる。よ
って、詳細については、実施の形態2の記載を参酌することができる。また、成膜前後に
おいて、第5の成膜室127内の圧力は、クライオポンプなどの排気手段1127を用い
ることで、10−8Pa以下に保持され、第5の成膜室127内は清浄な状態に保たれて
いる。
程及びエッチングにより、第1の酸化物半導体層406、第2の酸化物半導体層408、
ソース電極層411a、及びドレイン電極層411bを形成する(図6(D))。
保護絶縁層315として窒化硅素膜を成膜する。
る(図6(E))。
晶領域を有する酸化物半導体層が、単層でも、3層以上であっても良い。
半導体膜を形成し、第1の加熱室119において加熱処理を行えばよい。また、基板30
1を加熱し結晶化を促しながら成膜しても良いし、処理室125において、成膜後の酸化
物半導体膜に酸素ラジカル処理を行っても良い。
工してから、その上に導電膜を形成する工程を用いてトランジスタを作製する場合は、酸
化物半導体膜の形成を除いて実施の形態3に示した方法を適用することができる。よって
、詳細については、実施の形態3の記載を参酌することができる。
ずに連続成膜可能な成膜装置を用いることにより、酸化物半導体層中、及び酸化物半導体
層に接する層中に混入する水素などの不純物の混入を抑止でき、その結果、水素濃度が十
分に低減された高純度な酸化物半導体層を有する半導体素子を作製することができる。こ
のような半導体素子は、オフ電流が低く、低消費電力の半導体装置を実現できる。
112 搬送室
113 第1の成膜室
115 第2の成膜室
117 第3の成膜室
119 第1の加熱室
121 第4の成膜室
123 第2の加熱室
125 処理室
127 第5の成膜室
129 基板待機室
131 第2のロードロック室
133 基板搬送手段
200 成膜室
201 基板保持部
203 基板加熱手段
205 基板回転手段
209 電源
210 ガス導入手段
211 スパッタリング用ターゲット
212 防着板
213 メインバルブ
215 自動圧力制御装置
217 クライオポンプ
219 ドライポンプ
300 トランジスタ
301 基板
303 ゲート電極層
305 第1のゲート絶縁層
306 酸化物半導体膜
307 第2のゲート絶縁層
308 酸化物半導体層
309 酸化物半導体膜
310 導電膜
311a ソース電極層
311b ドレイン電極層
312 酸化物半導体層
313 絶縁層
314a ソース電極層
314b ドレイン電極層
315 保護絶縁層
400 トランジスタ
405 第1の酸化物半導体膜
406 第1の酸化物半導体層
407 第2の酸化物半導体膜
408 第2の酸化物半導体層
409 導電膜
411a ソース電極層
411b ドレイン電極層
500 トランジスタ
1111 排気手段
1112 排気手段
1113 排気手段
1115 排気手段
1117 排気手段
1119 排気手段
1121 排気手段
1123 排気手段
1125 排気手段
1127 排気手段
1129 排気手段
Claims (4)
- 10−6Pa以下に真空排気される、ロードロック室と、
それぞれが、10−8Pa以下に真空排気される、複数の成膜室と、
10−8Pa以下に真空排気される、加熱室と、
10−6Pa以下に真空排気される、搬送室と、
10−8Pa以下に真空排気される、処理室と、を有し、
前記ロードロック室には、第1の真空排気する手段が接続され、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つは、
基板を加熱する第1の加熱手段が設けられた基板保持部と、
前記基板保持部周辺の内壁を加熱する第2の加熱手段と、
ターゲット保持部と、
を有し、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つには、第2の真空排気する手段が接続され、
前記加熱室には、内壁を加熱する第3の加熱手段と、第3の真空排気する手段とが接続され、
前記搬送室には、第4の真空排気する手段が接続され、
前記処理室は、酸素ラジカルを発生させる手段と、内壁を加熱する第4の加熱手段と、第5の真空排気する手段とが接続され、
前記第5の真空排気手段により、前記処理室は、処理前後において、圧力が10−8Pa以下に保持され、
前記ロードロック室、前記複数の成膜室、前記加熱室、及び前記処理室は、それぞれ、前記搬送室を介して連結されていることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1において、
前記第1乃至第5の真空排気する手段は、クライオポンプ、スパッタイオンポンプ、又はチタンサブリメーションポンプであることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つにおける大気のリーク量は、10−11Pa・m3/s以下であることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
さらに、基板待機室を有し、
前記基板待機室は、冷却手段を有し、
前記冷却手段により、窒素、ヘリウム、ネオン、又はアルゴンが導入されることを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015154218A JP6220829B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-08-04 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010043575 | 2010-02-26 | ||
JP2010043575 | 2010-02-26 | ||
JP2015154218A JP6220829B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-08-04 | 成膜装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011037059A Division JP2011199271A (ja) | 2010-02-26 | 2011-02-23 | 半導体素子の作製方法、成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016026382A true JP2016026382A (ja) | 2016-02-12 |
JP6220829B2 JP6220829B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=44505516
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011037059A Withdrawn JP2011199271A (ja) | 2010-02-26 | 2011-02-23 | 半導体素子の作製方法、成膜装置 |
JP2015154218A Expired - Fee Related JP6220829B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-08-04 | 成膜装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011037059A Withdrawn JP2011199271A (ja) | 2010-02-26 | 2011-02-23 | 半導体素子の作製方法、成膜装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8772160B2 (ja) |
JP (2) | JP2011199271A (ja) |
KR (1) | KR20130009978A (ja) |
TW (2) | TWI605520B (ja) |
WO (1) | WO2011105183A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11309181B2 (en) | 2016-06-06 | 2022-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering apparatus, sputtering target, and method for forming semiconductor film with the sputtering apparatus |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011001881A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8952377B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6059968B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び液晶表示装置 |
US9968985B2 (en) | 2012-04-26 | 2018-05-15 | Fuji Seiko Co., Ltd | Bead ring winding device |
KR102380379B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2022-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI681233B (zh) * | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
KR102391754B1 (ko) | 2016-05-20 | 2022-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 또는 이를 포함하는 표시 장치 |
US10043659B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device or display device including the same |
US9990460B2 (en) * | 2016-09-30 | 2018-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Source beam optimization method for improving lithography printability |
IT201700066256A1 (it) * | 2017-06-15 | 2018-12-15 | Gianluca Battiloro | Procedimento e impianto per la cromatura di pezzi o prodotti. |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0693427A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-05 | Fuji Electric Co Ltd | 真空成膜方法 |
JPH1032167A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Sony Corp | 半導体基板の処理方法及び半導体処理装置 |
JPH1070089A (ja) * | 1996-04-29 | 1998-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製装置および半導体装置の作製方法 |
JPH10196788A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空部品および真空リーク量低減方法 |
JP2001102170A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置の作製方法及び薄膜形成装置 |
JP2002008994A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法 |
JP2003193243A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高誘電率酸化膜の形成方法及び該方法に用いる半導体製造装置 |
JP2004128390A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2009054767A (ja) * | 2006-10-10 | 2009-03-12 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体の積層構造及びその製造方法と半導体発光素子とランプ |
JP2009057605A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Hitachi Ltd | 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子 |
Family Cites Families (144)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2607239B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1997-05-07 | シャープ株式会社 | 分子線エピタキシヤル装置 |
US5310410A (en) * | 1990-04-06 | 1994-05-10 | Sputtered Films, Inc. | Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus |
US5286296A (en) * | 1991-01-10 | 1994-02-15 | Sony Corporation | Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means |
JPH0883768A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
JPH08288219A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Sony Corp | 半導体処理装置及び半導体処理方法 |
EP0820644B1 (en) * | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6066558A (en) * | 1996-03-05 | 2000-05-23 | Tokyo Electron Limited | Multilevel interconnection forming method for forming a semiconductor device |
US6057234A (en) * | 1996-04-29 | 2000-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
JPH10183347A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-14 | Ulvac Japan Ltd | 磁気抵抗ヘッド用成膜装置 |
JP3361986B2 (ja) * | 1998-01-07 | 2003-01-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US6482684B1 (en) * | 1998-03-27 | 2002-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a TFT with Ge seeded amorphous Si layer |
US6554972B1 (en) * | 1998-06-26 | 2003-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium and its manufacturing method |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) * | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4620846B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2011-01-26 | 新日本製鐵株式会社 | 光触媒活性を有する金属板 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP3596757B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2004-12-02 | シャープ株式会社 | 真空チャンバーの減圧方法 |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
US6568896B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-05-27 | Applied Materials, Inc. | Transfer chamber with side wall port |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4821074B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) * | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4463492B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
EP1876385B1 (en) * | 2003-07-02 | 2010-01-06 | S.C.Johnson & Son, Inc | Lamp and bulb for illumination and ambiance lighting |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
AR045134A1 (es) * | 2003-07-29 | 2005-10-19 | Smithkline Beecham Plc | Compuesto de 1h - imidazo [4,5-c] piridin-ilo, composicion farmaceutica que lo comprende, proceso para prepararla, su uso para preparar dicha composicion farmaceutica, combinacion farmaceutica, uso de la combinacion farmaceutica para la preparacion de un medicamento, procedimientos para preparar dic |
US7145174B2 (en) * | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
CN1998087B (zh) | 2004-03-12 | 2014-12-31 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 非晶形氧化物和薄膜晶体管 |
US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
WO2006051994A2 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
RU2399989C2 (ru) * | 2004-11-10 | 2010-09-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7868326B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
JP5118810B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
KR100978160B1 (ko) * | 2005-01-28 | 2010-08-27 | 파나소닉 주식회사 | Pvd법에 의한 성막 방법 및 pvd법에 이용하는 성막용타깃 |
TWI412138B (zh) * | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) * | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) * | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
US7465674B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
EP1995787A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP5128767B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2013-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置とその製造方法 |
CN101577282A (zh) | 2005-11-15 | 2009-11-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US8008214B2 (en) * | 2005-12-16 | 2011-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming an insulation structure and method of manufacturing a semiconductor device using the same |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) * | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
US20100024732A1 (en) * | 2006-06-02 | 2010-02-04 | Nima Mokhlesi | Systems for Flash Heating in Atomic Layer Deposition |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US8895388B2 (en) * | 2006-07-21 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and a non-volatile semiconductor storage device including the formation of an insulating layer using a plasma treatment |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP5127183B2 (ja) | 2006-08-23 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4332545B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4630856B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-02-09 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US8500963B2 (en) * | 2006-10-26 | 2013-08-06 | Applied Materials, Inc. | Sputtering of thermally resistive materials including metal chalcogenides |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
WO2008069259A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device |
KR101303578B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP2008235726A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Hitachi Ltd | 半導体多層膜の製造方法 |
JP4727684B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
US7795613B2 (en) * | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) * | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
EP2158608A4 (en) * | 2007-06-19 | 2010-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | OXIDE SEMICONDUCTORS AND THIN FILM TRANSISTORS THEREWITH |
KR101484297B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 표시장치의 제작방법 |
JP2009130229A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US8202365B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
US8247315B2 (en) * | 2008-03-17 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP4532605B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2010-08-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | 相変化メモリ素子、相変化メモリセル、真空処理装置及び相変化メモリ素子の製造方法 |
TWI500159B (zh) * | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
US9666719B2 (en) * | 2008-07-31 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8945981B2 (en) * | 2008-07-31 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI450399B (zh) * | 2008-07-31 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5608347B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
TWI637444B (zh) * | 2008-08-08 | 2018-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5480554B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
TWI569454B (zh) * | 2008-09-01 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US20100092747A1 (en) * | 2008-10-14 | 2010-04-15 | Northwestern University | Infrared-reflecting films and method for making the same |
AU2009324921A1 (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-17 | Carnegie Institution Of Washington | Production of single crystal CVD diamond rapid growth rate |
JP5724157B2 (ja) * | 2009-04-13 | 2015-05-27 | 日立金属株式会社 | 酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法 |
EP2256814B1 (en) | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2011171450A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
-
2011
- 2011-01-27 WO PCT/JP2011/052196 patent/WO2011105183A1/en active Application Filing
- 2011-01-27 KR KR1020127024854A patent/KR20130009978A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-02-17 US US13/029,169 patent/US8772160B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-23 JP JP2011037059A patent/JP2011199271A/ja not_active Withdrawn
- 2011-02-24 TW TW105115977A patent/TWI605520B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-02-24 TW TW100106193A patent/TWI590330B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-06-12 US US14/302,815 patent/US20140290569A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-08-04 JP JP2015154218A patent/JP6220829B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0693427A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-05 | Fuji Electric Co Ltd | 真空成膜方法 |
JPH1070089A (ja) * | 1996-04-29 | 1998-03-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製装置および半導体装置の作製方法 |
JPH1032167A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Sony Corp | 半導体基板の処理方法及び半導体処理装置 |
JPH10196788A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空部品および真空リーク量低減方法 |
JP2001102170A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置の作製方法及び薄膜形成装置 |
JP2002008994A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造方法 |
JP2003193243A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高誘電率酸化膜の形成方法及び該方法に用いる半導体製造装置 |
JP2004128390A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2009054767A (ja) * | 2006-10-10 | 2009-03-12 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体の積層構造及びその製造方法と半導体発光素子とランプ |
JP2009057605A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Hitachi Ltd | 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11309181B2 (en) | 2016-06-06 | 2022-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering apparatus, sputtering target, and method for forming semiconductor film with the sputtering apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201630074A (zh) | 2016-08-16 |
US20140290569A1 (en) | 2014-10-02 |
US20110212605A1 (en) | 2011-09-01 |
JP6220829B2 (ja) | 2017-10-25 |
TW201203364A (en) | 2012-01-16 |
WO2011105183A1 (en) | 2011-09-01 |
TWI590330B (zh) | 2017-07-01 |
US8772160B2 (en) | 2014-07-08 |
JP2011199271A (ja) | 2011-10-06 |
KR20130009978A (ko) | 2013-01-24 |
TWI605520B (zh) | 2017-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6220829B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6620263B1 (ja) | 半導体装置 | |
US20220384443A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP6211643B2 (ja) | トランジスタの作製方法 | |
US9331207B2 (en) | Oxide semiconductor device and manufacturing method therof | |
JP6062015B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5791934B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2019135797A (ja) | 薄膜トランジスターの製造方法及び記憶媒体 | |
JP6143423B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160705 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6220829 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |