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上記の課題を解決するセラミクスは、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向していることを特徴とする。
上記の課題を解決する圧電素子は、上記のセラミクスと、前記セラミクスに設けられた一対の電極を有することを特徴とする。
また、上記の課題を解決する圧電素子の製造方法は、下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクス粉末を含むセラミクススラリーを得るスラリー工程と、前記セラミクススラリーを磁場中で成形して配向したセラミクス成形体を得る配向工程と、前記セラミクス成形体を焼成してセラミクス焼結体を得る焼成工程と、前記セラミクス焼結体を挟持して一対の電極を形成する電極形成工程とを有し、前記スラリー工程のセラミクス粉末にはＢｉＦｅＯ３が３０ｍｏｌ％以上、固溶または混合されていることを特徴とする圧電素子の製造方法である。


Claims (6)

  1. 下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクスであって、擬立方晶の表示で｛１１０｝面に配向していることを特徴とするセラミクス。
    Figure 2010254560
     （式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。）
  2. 擬立方晶の表示で｛１１０｝面のロットゲーリングファクタＦが１０％以上１００％以下であることを特徴とする、請求項１記載のセラミクス。
  3. 前記セラミクスの厚みは５０μｍ以上であることを特徴とする、請求項１または２記載のセラミクス。
  4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミクスと、前記セラミクスに設けられた一対の電極を有することを特徴とする圧電素子。
  5. 前記電極が擬立方晶の表示で｛１１０｝配向面に沿って設けられていることを特徴とする、請求項４記載の圧電素子。
  6. 下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型の酸化物を含むセラミクス粉末を含むセラミクススラリーを得るスラリー工程と、
    前記セラミクススラリーを磁場中で成形して配向したセラミクス成形体を得る配向工程と、
    前記セラミクス成形体を焼成してセラミクス焼結体を得る焼成工程と、
    前記セラミクス焼結体を挟持して一対の電極を形成する電極形成工程と、
    を有し、
    前記スラリー工程のセラミクス粉末にはＢｉＦｅＯ３が３０ｍｏｌ％以上、固溶または混合されていることを特徴とする、圧電素子の製造方法。
    Figure 2010254560
     （式中、Ａ及びＢは一種または複数の金属イオンで、Ａは１価、２価または３価の金属イオン、Ｂは３価、４価または５価の金属イオンを表す。ただし、ｘは０．３≦ｘ≦１である。）
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