JP5208696B2 - 板状多結晶粒子 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 259
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 181
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 65
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 17
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 93
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 34
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 28
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 19
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 18
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003892 tartrate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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Description
断面視したときに粒界が凹凸のうねりを有する曲線により構成され、隣接する結晶粒子の凸部の曲線が該凹部に入り込み、隣接する結晶粒子の凹部の曲線が該凸部に入り込むうねり構造を有する結晶粒子を複数含むものである。
板状多結晶粒子10に用いる無機粒子としては、ペロブスカイト構造を有する酸化物となるものが好ましく、一般式ABO3で表される酸化物のAサイトとしてPbを含むものとし、Bサイトとして、Zr、Ti、Nb、Mg、Ni及びZnから選ばれる1種以上を含むものとするのが好ましい。また、一般式ABO3で表される酸化物が上記式(1)の組成であり、且つ、M成分の過剰量としてのzが0.002≦z≦0.42であるものとしてもよい。また、このM成分を過剰量とするに際して、配合するM成分は、Mg,Ni,Znから選ばれる1以上とするのが好ましく、例えばMgO,NiO,ZnOなどの酸化物として配合することがより好ましい。こうすれば、M成分が過剰量含まれている際に発現する効果を奏しやすい。ここで、一般式ABO3で表される酸化物のAサイトにPbを含み、BサイトにZr,Ti,Nb,Mg,Ni及びZnより選ばれる2種以上を含むペロブスカイト構造の酸化物では、例えば、その配合比を調整し、極薄のシート状の成形体として粒成長させると、粒界が曲線で構成されるうねり構造を有する粒子に成長することがある。このとき、成形体内に(100)面が成長することにより成形体の垂直方向に結晶面(100)が配向しやすくなることがある。即ち、このような酸化物では、成形体に平行な表面を持った粒子は、その2面を除く他の面が成長面として成形体内の全方位に含まれるからシート内で粒成長し、板状多結晶粒子の表面に存在する残りの2面が無理なく拡がるため、アスペクト比の大きな粒子が得られやすい。
無機粒子を成形体の厚さが15μm以下の自立したシート状の成形体に成形する。ここで、「自立した成形体」とは、それ単体でシート状の成形体の形状を保つことができるものや、それ単体ではシート状の成形体の形状を保つことができないものであってもなんらかの基板に貼り付けたり成膜したりして、焼成前、又は焼成後に、この基板から剥離したものをも含む。成形体の成形方法としては、例えば、無機粒子を含むスラリーを用いたドクターブレード法や、無機粒子を含む坏土を用いた押出成形法などによって行うことができる。ドクターブレード法を用いる場合、可撓性を有する板(例えばPETフィルムなどの有機ポリマー板など)にスラリーを塗布し、塗布したスラリーを乾燥固化して成形体とし、この成形体と板とを剥がすことにより板状多結晶粒子の焼成前の成形体を作製してもよい。成形前にスラリーや坏土を調製するときには、無機粒子を適当な分散媒に分散させ、バインダーや可塑剤などを適宜加えてもよい。また、スラリーは、粘度が50000〜500000cPとなるように調製するのが好ましく、減圧化で脱泡するのが好ましい。成形体の厚さとしては、15μm以下とするが、10μm以下に形成することがより好ましく、5μm以下に形成することが更に好ましく、2μm以下とすることが最も好ましい。15μm以下では高い結晶粒子12の配向度を得ることができ、10μm以下であればより一層高い結晶粒子12の配向度を得ることができる。また、成形体の厚さは、0.1μm以上とするのが好ましい。厚さが0.1μm以上であれば、自立したシート状の成形体を作成しやすい。結晶粒子12の大きさを比較的大きくするには、成形体の厚さを5〜10μm程度とするのが好ましい。このシート状の成形体の厚さは、略そのまま板状多結晶粒子10の厚さとなり、ひいては結晶粒子12の粒径にも関係するから、板状多結晶粒子10の用途に合わせて、適宜設定するものとする。なお、その他の成形方法としては、エアロゾルデポジション法などの、粒子の高速吹き付け法や、スパッタ、CVD、PVDなどの気相法などにより、樹脂、ガラス、セラミックス及び金属などの基板へ膜付けし、基板から剥離することで板状多結晶粒子の焼成前の成形体を作製してもよい。この場合、焼成前の成形体の密度を高くすることができるため、低温での粒成長、構成元素の揮発防止、得られる板状多結晶粒子が高い密度である、などの利点がある。
成形工程で得られた成形体をこの成形体と実質的に反応しない不活性層(例えば、焼成済みのセラミック板やPt板、カーボン板、黒鉛板、モリブデン板、タングステン板など)に隣接させた状態で焼成するか、又は、この成形体のままの状態で焼成する。例えば、アルミナ、ジルコニア、スピネル、カーボン、黒鉛、モリブデン、タングステン、白金など、成形体の焼成温度では不活性な層の上に成形体を配置して焼成するものとしてもよい。あるいは、成形体と不活性シートとを重ねた状態でロール状に巻いて焼成してもよい。あるいは、不活性層の上にシート状に成形体を形成し、焼成後にこの不活性層から剥離させるものとしてもよい。あるいは、不活性層に成形体を成膜し、焼成後に不活性層を除去するものとしてもよい。例えば、不活性層に黒鉛を用いる場合などでは、非酸化性雰囲気(例えば窒素中)で焼成し、不活性層の存在下で所望の焼成成形体を得たあと、その温度以下の酸化雰囲気(例えば大気中)で再び熱処理し、黒鉛を燃焼させることで除去するものとしてもよい。ここでは、成形体の厚さが15μm以下と成形体の厚さ方向への粒成長が限られており、成形体の面の方向に粒成長がより促されるため、特定の結晶面が成形体の面内に成長することにより、アスペクト比が大きく配向度の高いものとなる。こうして、成形体の厚さ方向には略1個だけ結晶粒子12が存在するようになるのである。この結晶粒子のアスペクト比は、2以上とすることが好ましく、3以上とすることがより好ましい。アスペクト比が2以上では、結晶粒子を配向させやすい。また、この結晶粒子は、板状多結晶粒子の面方向の結晶粒子の長さが結晶粒子の厚さ方向の長さ以上であることが好ましい。この結晶粒子のアスペクト比は、上述したように、走査型電子顕微鏡を用いてSEM観察を行い板状多結晶粒子の厚さWを求め、板状多結晶粒子の面を観察し、結晶粒子が20〜40個程度含まれる視野において、板状多結晶粒子10の最長長さYを求め、求めた最長長さYを板状多結晶粒子10の粒径と仮定しこの粒径を板状多結晶粒子の厚さWで除算して各板状多結晶粒子のアスペクト比を算出し、これを平均した値を板状多結晶粒子10のアスペクト比とするものとする。
次に、得られた焼成成形体を解砕、分級する。ここでは、目的とする粒子サイズに合わせた開口部を有するメッシュ(ふるい)を用いるものとし、1.0mm以下のメッシュを用いることが好ましい。図3は、メッシュ粉砕工程の一例の説明図である。このメッシュ粉砕工程では、例えば、開口径が45μm、25μm、20μmなどのメッシュを用いることができる。成形体を焼成した焼成成形体32は比較的解砕しやすいため、メッシュ34上に載置したあと、例えばへら状などの押圧部材36などにより軽く焼成成形体32を押圧しながらメッシュ34を篩うことによりメッシュ粉砕工程を行うことができる。こうすれば、焼成成形体32の解砕と、解砕した板状多結晶粒子10(図1参照)の分級とを同時並行で行うことができる。また、より大きな粒径及びより大きなアスペクト比の板状多結晶粒子10を得ようとすれば、メッシュの開口部を大きくすればよいし、より小さな粒径及びより小さなアスペクト比の板状多結晶粒子10を得ようとすれば、メッシュの開口部を小さくすればよいため、メッシュの開口部の大きさを変えるという簡単な処理で板状多結晶粒子10の特性を変化させることができる。このようにして、図1に示した板状多結晶粒子10を得ることができる。
(原料調製工程)
板状多結晶粒子の組成が0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.35PbTiO3+0.45PbZrO3(基本組成1とも称する)に0.002molのMgOを添加した組成比となる合成粉末とジルコニアボールと分散媒としてイオン交換水とをポリポットに入れ、ボールミルで16h、湿式混合を行った。得られたスラリーを乾燥機で乾燥したあと、800℃、2hの条件下で仮焼した。この仮焼粉末と、ジルコニアボールと分散媒としてイオン交換水とを入れ、ボールミルで16h湿式粉砕し、乾燥機によって乾燥し、無機粒子の粉体を得た。この粉体をHORIBA製レーザ回折/散乱式粒度分布測定装置LA−750を用い、水を分散媒として平均粒径を測定したところ、メディアン径(D50)は、0.4μmであった。
得られた第1無機粒子と、分散媒としてのトルエン、イソプロパノールを等量混合したものに、バインダーとしてポリビニルブチラール(BM−2、積水化学製)、可塑剤(DOP、黒金化成製)と、分散剤(SP−O30、花王製)とを混合し、スラリー状の成形原料を作製した。各原料の使用量は、無機粒子100重量部に対して、分散媒100重量部、バインダー10重量部、可塑剤4重量部及び分散剤2重量部とした。次に、得られたスラリーを、ドクターブレード法によってPETフィルムの上にシート状に乾燥後の厚さが2μmとなるよう成形した。PETフィルムから剥がした成形体をカッターで50mm角に切り出し、ジルコニアからなるセッター(寸法60mm角、高さ5mm)の中央に載置した。この成形体をマグネシアからなる鞘(寸法90mm角、高さ50mm)に0.12Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.38PbTiO3+0.50PbZrO3に0.02molのNiOを添加した組成粉末(共存材料)を20g共存させた難揮発状態(焼成雰囲気Aとも称する)で600℃、2h脱脂後、1280℃で2h焼成を行った。ロットゲーリング法による配向度は20%であった。なお、配向度の算出方法は後述する。得られた焼成成形体を300メッシュ(開口径45μm)のふるいに載せ、軽く焼成成形体をへらで押し付けながら解砕・分級した。得られた粒子を実験例1の板状多結晶粒子とした。なお、一般式がABO3であり次式a×Pb(Mx,Nby)O3+b×PbZrO3+c×PbTiO3}+zMO(a+b+c=1、x+y=1,MはMg,Ni,Znより選ばれる1以上)のうち添加組成(zMO)を除いた部分の基本組成と、焼成時に共存させる共存材料の組成とをまとめて表1に示した。なお、この表1では、後述する実験例2〜27の基本組成及び共存材料組成についても示した。
実験例1では板状多結晶粒子の組成が0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.35PbTiO3+0.45PbZrO3にMgOを0.002mol添加した組成比とした。この添加組成比を、NiOを0.020mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例2とした。また、この添加組成比を、MgOが0.01mol、NiOが0.02mol、全体で0.030mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例3とした。また、この添加組成比を、MgOが0.04mol、NiOが0.02mol、全体で0.060mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例4とした。また、この添加組成比を、MgOが0.08mol、NiOが0.02mol、全体で0.100mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例5とした。また、この添加組成比を、MgOが0.4mol、NiOが0.02mol、全体で0.420mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例6とした。また、この添加組成比を、MgOが1mol、NiOが0.02mol、全体で1.020mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例7とした。また、この添加組成比を、MgOが0mol、NiOが0.06mol、全体で0.060mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例8とした。また、この添加組成比を、MgOが0mol、NiOが0.02mol、ZnOが0.04mol、全体で0.060mol添加した組成比とした以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例9とした。また、この添加組成比を、MgOが0.08mol、NiOが0.02mol、全体で0.100mol添加した組成比とし、0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3−0.35PbTiO3−0.45PbZrO3となる組成粉末を5g共存させた状態(焼成雰囲気Bとも称する)で焼成した以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例10とした。
原料調製工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.35PbTiO3+0.45PbZrO3(基本組成1)に0.02molのNiOを添加した組成比となるよう原料を配合した。また、焼成工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.35PbTiO3+0.45PbZrO3に0.02molのNiOを添加した組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気Cとも称する)で焼成した。これ以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例11とした。また、原料調製工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.35PbTiO3+0.45PbZrO3(基本組成1)に0.08molのMgO及び0.02molのNiOを添加した組成比となるよう原料を配合した。また、焼成工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.35PbTiO3+0.45PbZrO3に0.02molのNiO及び0.08molのMgOを添加した組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気D)で焼成した。これ以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例12とした。
原料調製工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.37PbZrO3(基本組成2)に0.002molのNiOを添加した組成比となるよう原料を配合した。また、焼成工程で0.12Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.45PbZrO3に0.02molのNiOを添加した組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気E)で焼成した。これ以外は実験例1と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例13とした。また、この添加組成比を、NiOが0.02mol(全体で0.02mol)添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例14とした。また、この添加組成比を、MgOが0.01mol、NiOが0.02mol、全体で0.030mol添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例15とした。また、この添加組成比を、MgOが0.04mol、NiOが0.02mol、全体で0.060mol添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例16とした。また、この添加組成比を、MgOが0.08mol、NiOが0.02mol、全体で0.100mol添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例17とした。また、この添加組成比を、MgOが0.4mol、NiOが0.02mol、全体で0.42mol添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例18とした。また、この添加組成比を、MgOが1mol、NiOが0.02mol、全体で1.020mol添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例19とした。また、この添加組成比を、MgOが0mol、NiOが0.06mol、全体で0.060mol添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例20とした。また、この添加組成比を、MgOが0mol、NiOが0.02mol、ZnOが0.04mol、全体で0.060mol添加した組成比とした以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例21とした。また、この添加組成比を、MgOが0.08mol、NiOが0.02mol、全体で0.100mol添加した組成比とし、0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3−0.43PbTiO3−0.37PbZrO3となる組成粉末を5g共存させた状態(焼成雰囲気Fとも称する)で焼成した以外は実験例13と同様の処理を行い作製した板状多結晶粒子を実験例22とした。
原料調製工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.37PbZrO3(基本組成2)に0.02molのNiOを添加した組成比となるよう原料を配合し、焼成工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.37PbZrO3に0.02molのNiOを添加した組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気G)で焼成した以外は実験例1と同様の処理を行い、作製した板状多結晶粒子を実験例23とした。また、原料調製工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.37PbZrO3(基本組成2)に0.08molのMgO及び0.02molのNiOを添加した組成比となるよう原料を配合し、焼成工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.37PbZrO3に0.08molのMgO及び0.02molのNiOを添加した組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気H)で焼成した以外は実験例1と同様の処理を行い、作製した板状多結晶粒子を実験例24とした。
原料調製工程で0.2Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.37PbZrO3(基本組成2)に0.08molのMgOを添加した組成比となるよう原料を配合し、焼成工程で0.12Pb(Mg0.33Nb0.67)O3+0.43PbTiO3+0.45PbZrO3に0.02molのNiOを添加した組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気E)で焼成した以外は実験例1と同様の処理を行い、作製した板状多結晶粒子を実験例25とした。また、原料調製工程で0.25Pb(Ni0.33Nb0.67)O3+0.40PbTiO3+0.35PbZrO3(基本組成3)に0.06molのNiOを添加した組成比となるよう原料を配合し、焼成工程で0.18Pb(Ni0.33Nb0.67)O3+0.40PbTiO3+0.42PbZrO3の組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気I)で焼成した以外は実験例1と同様の処理を行い、作製した板状多結晶粒子を実験例26とした。また、原料調製工程で0.15Pb(Zn0.33Nb0.67)O3+0.425PbTiO3+0.425PbZrO3(基本組成4)に0.04molのZnOを添加した組成比となるよう原料を配合し、焼成工程で0.12Pb(Zn0.33Nb0.67)O3+0.38PbTiO3+0.50PbZrO3の組成粉末を20g共存させた状態(焼成雰囲気J)で焼成した以外は実験例1と同様の処理を行い、作製した板状多結晶粒子を実験例27とした。なお、実験例2〜27の原料調製工程での無機粒子の平均粒径を測定したところ、メディアン径(D50)が、おおよそ0.4μmであった。
実験例1〜27について、XRD回折装置(リガク社製RINT TTRIII)を用い、焼成成形体(板状多結晶粒子)の結晶面に対してX線を照射したときのXRD回折パターンを測定した。この測定結果を用い、ロットゲーリング法によって擬立方(100)面の配向度を、擬立方(100),(110),(111)のピークを使用して上述の式(2)を用いて計算した。
実験例1〜27について、走査型電子顕微鏡(日本電子製JSM−6390)を用いてSEM写真を撮影した。図5は、実験例5の焼成成形体のSEM写真であり、図6は、実験例8の焼成成形体のSEM写真であり、図7は、実験例11の焼成成形体のSEM写真であり、図8は、実験例22の解砕処理前の焼成成形体及び解砕処理後の板状多結晶粒子のSEM写真である。また、実験例1〜27について、電子顕微鏡写真を用いて、湾曲度を計算した。この湾曲度は、まず、粒子が20〜40個含まれる視野を電子顕微鏡(SEM)で観察しその写真を撮影し、粒子全体が視野に含まれている(視野で切れていない)すべての結晶粒子について、その結晶面の最長の長さを求めてそれを粒径とし、この平均値を計算して平均粒径を求めた。次に、平均粒径よりも大きな粒子を任意に5個選択し、選択した粒子において、隣接する粒界の3重点を任意に選択し、これらを直線で結びこの結んだ直線に平行な直線を引き、粒界と接する点から先の直線までの垂線の長さを求めた。3重点の距離と垂線の距離とを用い、(垂線の距離)/(3重点の距離)を計算し、この計算をすべての粒界について行い、そのうちの最大値をこの結晶粒子の湾曲度とした。任意に選択した5個の結晶粒子の湾曲度の平均値を求め、これをこの板状多結晶粒子の湾曲度とした。
測定結果として、各試料の基本組成、式(1)におけるM成分の添加種及び添加量、焼成雰囲気、湾曲度、ロットゲーリング法による配向度をまとめて表2に示す。なお、焼成雰囲気A,B,E,F,I,Jは、成形体と異なる組成の共存材料を共存させて焼成する雰囲気(所定の難揮発状態)であり、焼成雰囲気C,D,G,Hは、成形体と同じ組成の共存材料を共存させて焼成する雰囲気である。図5〜8に示すように、実験例5及び8は、結晶粒子が、断面視したときに粒界が凹凸のうねりを有する曲線により構成され、隣接する結晶体の凸部の曲線がこの凹部に入り込み、隣接する結晶体の凹部の曲線がこの凸部に入り込むうねり構造を有する結晶体を複数含んでおり、アスペクト比の高い平板状に粒成長していた。実験例5では、板状多結晶粒子のロットゲーリング法による配向度が80%であり、実験例8では、同配向度が60%であり、結晶の配向性が高かった。これに対して、実験例11,12,23,24のように、M成分(Mg.Ni及びZn)を過剰に入れ、成形体と同様の組成の材料を共存させて焼成しても、うねり構造は生成しないし、配向もしないことがわかった。また、共存材料を、成形体よりもPb(Mx,Nby)O3の配合量が小さく且つPbZrO3の配合量が大きいものを用いて焼成した実験例1〜6,8〜10や、実験例13〜18,20〜22では、湾曲度が比較的高く、配向度が高く良好な結果であった。この結果より、M成分の添加量zが0.002以上1.020未満で、成形体よりも揮発成分の揮発が進む組成であり且つ適切な揮発量を有する共存材料と共に焼成するとうねり構造が生じ、良好な配向性が得られるものと推察された。また、実験例25〜27に示すように、M成分を変更しても、同様の結果が得られることがわかった。また、結晶を配向させるに際して、板状多結晶粒子の成分を過剰に添加すれば結晶が配向することから、板状多結晶粒子以外の成分を添加して配向度を高めるものに比して、配向度を高める有効な方法であることが明らかとなった。更に、図8に示すように、板状多結晶粒子は、断面視したときに粒界が凹凸のうねりを有する曲線により構成され、隣接する結晶粒子の凸部の曲線がこの凹部に入り込み、隣接する結晶粒子の凹部の曲線がこの凸部に入り込むうねり構造を有する結晶粒子を複数含み、厚さ方向で結晶粒子が1個である部分が広範囲を占めていることが観察された。このため、板状多結晶粒子は、結晶粒子同士が結合した粒界部で比較的簡単に解砕することができることがわかった。即ち、実験例1〜6,8〜10や、実験例13〜18,20〜22では、メッシュ開口径を変化させることにより板状多結晶粒子のアスペクト比や大きさを容易に変化させられることがわかった。
Claims (7)
- 板状多結晶粒子であって、
断面視したときに粒界が凹凸のうねりを有する曲線により構成され、隣接する結晶粒子の凸部の曲線が該凹部に入り込み、隣接する結晶粒子の凹部の曲線が該凸部に入り込むうねり構造を有する結晶粒子を複数含み、
前記結晶粒子は、一般式ABO 3 で表される酸化物を主成分とし、AサイトがPbを含み、BサイトがMg,Zn,Nb,Ni,Ti及びZrから選ばれる1種以上を含む粒子であり、
前記板状多結晶粒子は、配向度がロットゲーリング法で15%以上である、
板状多結晶粒子。 - 前記結晶粒子は、隣接する粒界の3重点を結ぶ第1直線の距離と、該第1直線からの前記粒界までの垂線の距離とにより計算される湾曲度が0.1以上である、請求項1に記載の板状多結晶粒子。
- 一般式がABO3であり次式(1)により表される酸化物を主成分とし0.002≦z≦0.42となる無機粒子を配合し該無機粒子を自立したシート状の成形体に成形する成形工程と、前記成形体を該成形体と反応しない不活性層に隣接させ又は、該成形体のまま焼成する焼成工程と、所定サイズの開口部を通過させることにより前記焼成後の成形体を解砕及び分級する粉砕工程と、を含む工程によって作製されている、請求項1又は2に記載の板状多結晶粒子。
a×Pb(M1/3,Nb2/3)O3+b×PbTiO3+c×PbZrO3+z×MO(a+b+c=1、MはMg,Ni,Znより選ばれる1以上) …式(1) - 前記板状多結晶粒子は、厚さ方向の前記結晶粒子が1個である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の板状多結晶粒子。
- 前記板状多結晶粒子は、アスペクト比が2以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の板状多結晶粒子。
- 前記板状多結晶粒子は、15μm以下の厚さで形成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の板状多結晶粒子。
- 前記結晶粒子は、板状多結晶粒子の面方向の該結晶粒子の長さが該結晶粒子の厚さ方向の長さ以上である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の板状多結晶粒子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008303235A JP5208696B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-11-27 | 板状多結晶粒子 |
EP20090250598 EP2105422A3 (en) | 2008-03-21 | 2009-03-02 | Plate-like polycrystalline particle |
US12/395,749 US8367205B2 (en) | 2008-03-21 | 2009-03-02 | Plate-like polycrystalline particle |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074427 | 2008-03-21 | ||
JP2008074427 | 2008-03-21 | ||
JP2008152099 | 2008-06-10 | ||
JP2008152099 | 2008-06-10 | ||
JP2008303235A JP5208696B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-11-27 | 板状多結晶粒子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010018511A JP2010018511A (ja) | 2010-01-28 |
JP5208696B2 true JP5208696B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=40848669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008303235A Expired - Fee Related JP5208696B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-11-27 | 板状多結晶粒子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8367205B2 (ja) |
EP (1) | EP2105422A3 (ja) |
JP (1) | JP5208696B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5281269B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2013-09-04 | 日本碍子株式会社 | セラミックスシート及び結晶配向セラミックスの製造方法 |
JP5307379B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2013-10-02 | 日本碍子株式会社 | 板状多結晶粒子、板状多結晶粒子の製造方法、結晶配向セラミックスの製造方法 |
JP2010018510A (ja) * | 2007-12-27 | 2010-01-28 | Ngk Insulators Ltd | 結晶配向セラミックス |
JP2010021512A (ja) * | 2008-01-30 | 2010-01-28 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪膜型素子及びその製造方法 |
JP5475272B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2014-04-16 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子 |
JP5557572B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | セラミクス、圧電素子および圧電素子の製造方法 |
DE102010007655A1 (de) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Marmot Passive Monitoring Technologies SA, Vaud | Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen von natürlichem CO2-Lagerstätten |
JP6016333B2 (ja) | 2011-05-27 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | ニオブ酸ナトリウム粉末、ニオブ酸ナトリウム粉末の製造方法、板状粒子、板状粒子の製造方法、配向セラミックスの製造方法 |
JP6347553B2 (ja) | 2013-05-31 | 2018-06-27 | 日本碍子株式会社 | 複合基板用支持基板および複合基板 |
WO2019082916A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | 日本碍子株式会社 | 配向セラミック焼結体の製法及びフラットシート |
US11881553B1 (en) | 2019-09-23 | 2024-01-23 | Ampcera Inc. | Dendrite suppressing solid electrolyte structures and related methods and systems |
EP4364236A1 (en) * | 2021-06-27 | 2024-05-08 | Ampcera Inc. | Batteries comprising solid-state ionic conductive membranes |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5089455A (en) * | 1989-08-11 | 1992-02-18 | Corning Incorporated | Thin flexible sintered structures |
JPH08138459A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Ngk Insulators Ltd | 超電導性シート及びその製造方法 |
JP3557854B2 (ja) | 1997-05-29 | 2004-08-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 結晶配向材料の製造方法 |
JP3975518B2 (ja) | 1997-08-21 | 2007-09-12 | 株式会社豊田中央研究所 | 圧電セラミックス |
JP4135389B2 (ja) | 2001-04-23 | 2008-08-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 結晶配向セラミックスの製造方法、並びに、異方形状粉末及びその製造方法 |
JP2003267796A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Akio Ikesue | ペロブスカイト構造を有する酸化物及びその製造方法 |
JP3985144B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2007-10-03 | 明生 池末 | 酸化物イオン伝導性結晶体の製造方法 |
JP4782412B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-09-28 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪体、圧電/電歪積層体、及び圧電/電歪膜型アクチュエータ |
JP2006202990A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Ngk Insulators Ltd | 圧電素子 |
JP4750491B2 (ja) | 2005-07-19 | 2011-08-17 | 神島化学工業株式会社 | 板状チタン酸金属化合物およびその製造方法 |
US8158255B2 (en) * | 2007-02-26 | 2012-04-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Plate-like polycrystalline particle, method for producing plate-like polycrystalline particles, and method for producing crystallographically-oriented ceramic |
EP2351720A3 (en) | 2007-02-26 | 2011-08-10 | NGK Insulators, Ltd. | Ceramic sheet, method for producing the same, and method for producing crystallographically-oriented ceramic |
US8211328B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-07-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Crystallographically-oriented ceramic |
JP5475272B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2014-04-16 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子 |
-
2008
- 2008-11-27 JP JP2008303235A patent/JP5208696B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-02 US US12/395,749 patent/US8367205B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-02 EP EP20090250598 patent/EP2105422A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8367205B2 (en) | 2013-02-05 |
EP2105422A2 (en) | 2009-09-30 |
EP2105422A3 (en) | 2010-03-17 |
US20090239041A1 (en) | 2009-09-24 |
JP2010018511A (ja) | 2010-01-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110817 |
|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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