JP2008505507A - 光抽出向上のために基板修正を用いたｌｅｄ、およびそれを作製する方法 - Google Patents

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Abstract

ＬＥＤ光放出表面の表面形態は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを光放出表面に適用することによって変化させられる。角錐台など、エッチングされた特徴は、ＲＩＥプロセスに先立って、のこ歯またはマスク式エッチング技法を使用してその表面に切り込むことにより、放出表面上に形成することができる。側壁カットもまた、ＲＩＥプロセスに先立って放出表面中において行うことができる。ソー切り込みに関連する、光を吸収する損傷材料層が、ＲＩＥプロセスによって除去される。ＲＩＥプロセスによって作製された表面形態は、グリット研磨やドライエッチングが後に続く粗面化された材料または粒子の層の堆積などの非ＲＩＥプロセスの異なる様々な組合せを使用してエミュレートすることができる。

Description

本出願は、２００４年７月２日に出願された米国仮特許出願第６０／５８５，３２６号の恩典を主張するものである。
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関し、より詳細には、ＬＥＤからの光の抽出を向上するための新しい表面形態と、かかる表面を有するＬＥＤを製造する方法に関する。
ＬＥＤ（発光ダイオード）は、電気エネルギーを光に変換する重要な部類のソリッドステートデバイスであり、一般に２層の正負逆のドープ層間に挟まれた半導体材料の活性層を備える。バイアスがこれらのドープ層を跨いで印加されたとき、正孔と電子が活性層中に注入され、活性層で正孔と電子が再結合し光を生成する。光は、ＬＥＤの活性層から、またすべての表面から全方向に放出される。
近年、高い破壊電界、広いバンドギャップ（室温でＧａＮについては３．３６ｅＶ）、大きな伝導帯オフセット、高い飽和電子ドリフト速度を含む材料特性の独特の組合せのために、ＩＩＩ族窒化物ベースの材料系から形成されたＬＥＤに大きな関心が集まっている。これらのドープ層および活性層は、一般にシリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）など異なる材料から作製することができる基板上に形成される。ＳｉＣウェハは、結晶格子の整合性がＩＩＩ族窒化物にずっと近いのでしばしば好ましく、より高い品質のＩＩＩ族窒化膜が得られる。ＳｉＣはまた、非常に高い熱伝導度を有し、その結果、ＳｉＣ上のＩＩＩ族窒化物デバイスの総出力パワーは、（サファイアまたはＳｉ上に形成された一部のデバイスと同様に）ウェハの熱抵抗によって制限されない。また、半絶縁性ＳｉＣウェハが使用可能であることにより、商用デバイスを可能にするデバイス分離のための能力と寄生キャパシタンス低減が実現される。ＳｉＣ基板は、ノースカロライナ州ダラム市のＣｒｅｅ，Ｉｎｃ．社から入手可能であり、ＳｉＣ基板を作製するための方法は、科学文献ならびに特許文献に記載されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
ＬＥＤからの光の効率的な抽出は、高効率ＬＥＤの製造における主要な関心事である。単一の出力結合（ｏｕｔ−ｃｏｕｐｌｉｎｇ）表面を有する従来のＬＥＤでは、外部量子効率は、基板を通過するＬＥＤの放出領域からの光の全反射（ＴＩＲ）によって制限される。ＴＩＲは、ＬＥＤの半導体と周囲の環境との間の屈折率の大きな差によって引き起こされる可能性がある。ＳｉＣ基板を有するＬＥＤは、エポキシ（約１．５）など、周囲の材料の屈折率に比べて高いＳｉＣの屈折率（約２．７）のために、光抽出効率が比較的低い。この差により、活性域からの光線が、ＳｉＣ基板からエポキシへと伝わり、最終的にＬＥＤパッケージから脱出することができる脱出コーン（ｅｓｃａｐｅ ｃｏｎｅ）が小さくなる。
ＴＩＲを低減させ、光抽出全体を改善するために異なる手法が開発されており、より普及している手法の１つが表面テキスチャー化である。表面テキスチャー化は、脱出コーンを見出す複数の機会をフォトンに与える、変化のある表面を提供することにより、光の脱出可能性を増大させる。脱出コーンを見出さない光は、引き続きＴＩＲを受け、脱出コーンを見出すまで様々な角度で、テキスチャー化表面で反射する。表面テキスチャー化の利点は、いくつかの文献において論じられている（例えば、非特許文献１、非特許文献２、非特許文献３、非特許文献４を参照）。
Ｃｒｅｅ，Ｉｎｃ．に譲渡された米国特許（例えば、特許文献４）は、第１のスプレッディング層（ｓｐｒｅａｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）と第２のスプレッディング層との間に形成された電気的に相互接続されたマイクロＬＥＤのアレイを含むＬＥＤ構造を開示している。これらのスプレッダ（ｓｐｒｅａｄｅｒ）の間にバイアスが印加されたとき、これらのマイクロＬＥＤは、光を放出する。各マイクロＬＥＤからの光は、短い距離だけ伝搬した後で表面に到達し、それによってＴＩＲを低減させる。
やはりＣｒｅｅ，Ｉｎｃ．に譲渡された米国特許（例えば、特許文献５）は、アレイの形に形成された内部光学素子および外部光学素子の使用を介してＬＥＤ中の光抽出を向上するための構造を開示している。これらの光学素子は、半球や角錐など多数の異なる形状を有し、ＬＥＤの様々な層の表面上に、またはこれらの層の内部に配置することができる。これらの素子は、光が屈折する、または散乱する表面を提供する。
米国再発行特許第３４，８６１号明細書 米国特許第４，９４６，５４７号明細書 米国特許第５，２００，０２２号明細書 米国特許第６，４１０，９４２号明細書 米国特許第６，６５７，２３６号明細書 米国特許第４，８６５，６８５号明細書 米国特許第４，９８１，５５１号明細書 Windisch et al.，"Impact of Texture-Enhanced Transmission on High-Efficiency Surface Textured Light Emitting Diodes," Appl.Phys.Lett.，Vol.79，No.15，Oct.2001，Pgs.2316-2317 Schnitzer et al.，"30% External Quantum Efficiency From Surface Textured，Thin Film Light Emitting Diodes," Appl.Phys.Lett.，Vol 64，No.16，Oct.1993，Pgs.2174-2176 Windisch et al.，"Light Extraction Mechanisms in High-Efficiency Surface Textured Light Emitting Diodes," IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics，Vol.8，No.2，March/April 2002，Pgs.248-255 Streubel et al.，"High Brightness AlGaNInP Light Emitting Diodes," IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics，Vol.8，No.March/April 2002 Kasugai et al.，"Moth-Eye Light Emitting Diodes," Mater.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.831，2005 Material Research Society
簡潔に、また一般的に言えば、本発明は、光抽出を向上する表面の作製を可能にするプロセスによって形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）、および、かかる表面を有するＬＥＤを製造する方法に関する。
いくつかの態様の１つにおいては、本発明は光放出表面を有する基板を含むＬＥＤを製造する方法に関する。本方法は、表面の形態を変化させるのに十分な期間の間、光放出表面の少なくとも一部分に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを適用することを含む。
他の態様においては、本発明は、光を吸収する損傷材料層を伴う少なくとも１つの切込み表面（ｃｕｔ ｓｕｒｆａｃｅ）を有する光放出表面を有する基板を含むＬＥＤを製造する方法に関する。本方法は、切込み表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを適用して、損傷材料層の少なくとも一部分を除去することを含む。
他の態様においては、本発明は、基板の第１の側の表面上に光放出領域を成長させることを含むプロセスにより形成されたＬＥＤに関する。光放出領域は、ｐ形材料層と、ｎ形材料層と、そのｐ形層とそのｎ形層の間の活性層とを含む。本プロセスはまた、表面の形態を変化させるのに十分な期間の間、基板の第１の側の表面と反対側の第２の側の表面の少なくとも一部分に対してＲＩＥプロセスを適用することも含む。
さらに他の態様においては、本発明は、基板の第１の側の表面上に光放出領域を成長させることを含むプロセスによって形成されたＬＥＤに関する。光放出領域は、ｐ形材料層と、ｎ形材料層と、そのｐ形層とそのｎ形層との間の活性層とを含む。本プロセスはまた、基板の第１の側の表面と反対側の第２の側の表面に刻み目を生成して、光を吸収する損傷材料層を有する少なくとも１つの切込み表面を形成することも含む。本プロセスは、表面損傷の少なくとも一部分を除去するのに十分な期間の間、切込み表面の少なくとも一部分にＲＩＥプロセスを適用することをさらに含む。
他の態様においては、本発明は、くぼみのあるテキスチャーを備えるＲＩＥエッチングされた表面を有する光放出表面を有する基板を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。ＬＥＤは、基板の表面上の光放出領域も含む。光放出領域は、第１と第２の正負逆のドープ層間の活性層を含む。
さらに他の態様においては、本発明は、第１の表面と第２の表面とを有する導電性基板を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。第１の表面の一部分は、モスアイ形態（ｍｏｔｈ−ｅｙｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）を有する。ＬＥＤは、第２の表面上に光放出領域も含む。光放出領域は、第１と第２の正負逆のドープ層間の活性層を含む。ＬＥＤは、第１のドープ層または第２のドープ層のうちの一方と接触する、第１の表面上の第１の接点と、第１のドープ層または第２のドープ層のうちの他方と接触する第２の接点とをさらに含む。
さらに他の態様においては、本発明は、基板の第１の表面上に光放出領域を成長させることを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法を含む。光放出領域は、第１と第２の正負逆のドープ層間の活性層を含む。本方法はまた、基板の第２の表面の少なくとも一部分にモスアイ形態を生成すること、第１のドープ層または第２のドープ層のうちの一方と接触する、基板の第２の表面上に第１の接点を形成すること、および第１のドープ層または第２のドープ層のうちの他方と接触する第２の接点を形成することを含む。
他の態様においては、本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する他の方法に関する。本方法は、基板の第１の表面上に光放出領域を成長させることを含む。光放出領域は、第１と第２の正負逆のドープ層間の活性層を含む。本方法はまた、基板の第２の表面上に層を形成することも含む。この層は、基板とほぼ同じ屈折率と、モスアイ表面形態とを有する。本方法は、第１のドープ層または第２のドープ層のうちの一方と接触してその層上に第１の接点を形成すること、および第１のドープ層または第２のドープ層のうちの他方と接触して第２の接点を形成することをさらに含む。
本発明のこれらおよび他の態様および利点は、以降の詳細な説明と、本発明の特徴を例として示す添付図面から明らかになろう。
本発明は、ＬＥＤ基板の裏面に特定のタイプの表面形態を追加することにより、発光ダイオード（ＬＥＤ）について光抽出を改善する。その表面形態は、ＬＥＤ製造プロセス内の１つまたは複数の追加ステップを介して基板中に作製される。
一実施形態においては、ＳｉＣ基板の裏面形態は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを、より詳細には誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）プロセスを使用して、修正される。このプロセスは、顕微鏡スケールの、くぼみのあるテキスチャーによって特徴づけられる１つまたは複数の表面区域を生成する。くぼみのある表面は、普通ならＬＥＤ中にトラップされるはずの光が、全反射（ＴＩＲ）によって、基板から脱出して、光放出に寄与することができるようにする、変化のある表面を実現する。表面の変化は、ＴＩＲ光が臨界角内で基板表面に到達し放出されることになる可能性を増大させる。表面を介して基板を脱出しない光については、表面の変化により、その光が異なる角度で反射され、次の通過で脱出することになる可能性が増大される。結果として生じる散乱表面形態により、光抽出が改善され、従来のデバイスに比べてパッケージ後のＬＥＤダイから出る光が増す。
他の実施形態においては、角錐や、角錐台などエッチングされた特徴（ｅｔｃｈｅｄ ｆｅａｔｕｒｅ）が、ＲＩＥプロセスに先立って、基板表面内に作製される。これらのエッチングされた特徴は、角度付きのこ歯（ａｎｇｌｅｄ ｓａｗ ｂｌａｄｅ）を使用して、ＳｉＣ内に微細な小平面またはベベルを切り込むこと（ｃｕｔｔｉｎｇ）により作製される。光学的モデリングの結果ではそうなるはずであるにもかかわらず、ベベルカット（ｂｅｖｅｌ ｃｕｔ）は、それら自体では光出力を改善しない。これは、ＳｉＣ基板を切り込むプロセスが、切込み表面に、光を吸収する損傷材料層を残すと思われるからである。この場合には、ＲＩＥプロセスで、切込み表面における損傷材料層を除去し、１つまたは複数の基板表面区域上にくぼみのある表面を生成する。くぼみのある散乱表面形態と基板を切り込むことにより残された損傷材料の除去との組合せは、従来デバイスに対して光出力を改善する。
本発明の他の実施形態においては、角錐、角錐台、円錐、六角錐などが、ＲＩＥプロセスとＧａＰエッチングなどの湿式化学プロセスとを含むＳｉＣエッチングプロセスとの組合せで、知られているマスキング技法を使用して、基板表面内に作製される。これらのエッチングされた特徴は、高さ、表面積共により小さくし、切込み技法を使用して作製されるエッチングされた特徴を有する表面より高い密度のエッチングされた特徴を有する基板表面を生成することができる。他の実施形態においては、エッチングされた特徴がＳｉＣ中に作製された後に、また従来の側壁カットが作製された後に、ＲＩＥプロセスが、基板の裏面に適用される。
次に図面を、とりわけ図１を参照すると、本発明によるＬＥＤパッケージ１０の一実施形態が示されており、この実施形態は、基板を通過するＬＥＤ光の光抽出を改善するように修正された裏面１６を有する基板１４を備えるＬＥＤ１２を含む。基板１４は、多数の材料から作製することができ、また多くの異なる厚みとすることができ、適切な基板は、１２５〜５００ミクロンの厚みの範囲をもつ４Ｈポリタイプの炭化ケイ素であるが、３Ｃポリタイプ、６Ｈポリタイプ、１５Ｒポリタイプを含めて他の炭化ケイ素ポリタイプを使用することもできる。炭化ケイ素は、サファイアよりもＩＩＩ族窒化物にずっと近い結晶格子の整合を有しており、より高品質のＩＩＩ族窒化膜をもたらす。炭化ケイ素はまた、非常に高い熱伝導度を有し、その結果、炭化ケイ素上のＩＩＩ族窒化物デバイスの総出力パワーは、（サファイア上に形成された一部のデバイスの場合と同様に）基板の熱放散によって制限されない。炭化ケイ素基板が使用可能であることにより、商用デバイスを可能にするデバイス分離のための能力と寄生キャパシタンス低減が実現される。
ＬＥＤ１２は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）など知られているプロセスを使用して基板１４上に形成された標準放出領域１８を備える。従来のＬＥＤの動作の詳細については知られており、簡単にしか論じない。ＬＥＤの放出領域１８は、２層の正負逆のドープ層間に挟まれた活性層を含んでいてもよく、これらの層は、標準的な厚みを有し、活性層は、バイアスが正負逆のドープ層間を跨いで印加されたとき、光を全方向に放出する。
放出領域の諸層は、ＩＩＩ族窒化物ベースの材料系など異なる材料系から製造することができる。ＩＩＩ族窒化物は、窒素と、周期律表のＩＩＩ族中の元素、通常はアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、およびインジウム（Ｉｎ）との間で形成される半導体化合物を意味する。この用語はまた、ＡｌＧａＮやＡｌＩｎＧａＮなどの三元化合物および第三化合物を意味する。好ましい実施形態においては、ドープ層を形成する材料は、ＧａＮであり、活性層を形成する材料は、ＩＮＧａＮである。代替実施形態においては、ドープ層の材料は、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰであってもよい。
ＬＥＤ１２は、パッケージ１０内でフリップチップの向きで配列され、基板１４の上部がＬＥＤの主要放出表面である。側面など基板１４の他の表面もまた、光を放出するが、上部表面が、一般に主要放出表面である。ＬＥＤ１２は、第１および第２の金属層上、またはサブマウント２２の一部分であるはんだバンプ２０ａ、２０ｂ上にフリップチップ技術で載置される。第１の接点２４は、第１の金属層２０ａと、放出領域１８中の正負逆のドープ層のうちの一方との間で結合され、第２の接点２６は、第２の金属層２０ｂと、放出領域の他方のドープ層との間で結合される。バイアスは、第１の金属層２０ａと第２の金属層２０ｂとを介して接点２４、２６に印加され、次いでそのバイアスは、接点２４、２６を介して放出領域中の正負逆のドープ層に伝えられ、活性層に光を放出させる。
電荷を伝えるのに十分に導電性である基板を有する他のＬＥＤ実施形態においては、基板接点２８を使用して、正負逆のドープ層のうちの一方にバイアスを印加することができる。他方のドープ層は、金属層２０ａ、２０ｂとＬＥＤとの間に配列された接点２４、２６のうちの一方に接触される。バイアスは、接点２８と、金属層２０ａ、２０ｂのうちの一方を介してＬＥＤに印加され、そのバイアスは、これらの金属層のうちの他方から基板接点に対して、金属層から基板接点に走る導電性ワイヤ（図示せず）を介して伝えることができる。
金属層２０ａ、２０ｂの上部表面は、放出領域から金属層に向かって放出された光が反射して戻され、ＬＥＤパッケージ１０の放出全体に寄与するように、反射性とすることもできる。ＬＥＤ１２とその接点は、透明な保護材料３０中に入れることができ、保護材料は、典型的にはＬＥＤ１２と金属層２０ａ、２０ｂの上部表面を覆う透明なエポキシである。
代わりに、ＬＥＤ１２は、一般に放出領域の正負逆のドープ層の上の接点間にバイアスを印加するための導電性経路（図示せず）を有する「金属カップ（ｍｅｔａｌ ｃｕｐ）」の水平なベース上に取り付けることもできる。金属カップの上部表面はまた、放出領域から光を反射するように反射性にし、その結果、その光がＬＥＤパッケージの光放出に寄与するようにすることもできる。
基板１４は、ＬＥＤ１２のフリップチップ構成において、ＬＥＤの上部の主要な放出表面となる修正された裏面１６を備える。修正された表面１６は、ＬＥＤ１２の光放出を向上する。従来のＬＥＤの効率は、活性層によって生成されるすべての光を放出することができないことにより制限される。フリップチップ構成されたＬＥＤが光を放出するときに、光は、多数の異なる角度で主要放出基板表面に到達する。典型的な基板半導体材料は、周囲空気、またはカプセル化用のエポキシに比べて高い屈折率を有する。高い屈折率を有する領域から、（表面の法線方向に対して）ある臨界角内にある低い屈折率を有する領域へと移動する光は、低い屈折率領域へと交差することになる。その臨界角を超えて表面に到達する光は、交差しないことになり、全反射（ＴＩＲ）を受けることになる。ＬＥＤの場合には、ＴＩＲ光は、吸収されるまでＬＥＤ内で反射され続ける可能性がある。この現象のために、従来のＬＥＤによって生成される光の多くは、放出されず、その効率を低下させる。
修正された表面１６は、普通なら全反射（ＴＩＲ）によってＬＥＤ中にトラップされてしまうはずの光が、基板から脱出して光放出に寄与することができるようにする、変化のある表面を実現することにより、ＬＥＤ１２の光抽出を改善する。修正された表面内の変化は、ＴＩＲ光が臨界角内で基板表面に到達し放出されることになる可能性を増大させる。修正された表面を介して基板を脱出しない光については、修正された表面の変化により、その光が異なる角度で反射され、次の通過で脱出することになる可能性が増大される。
修正された表面の特性と修正された表面を作製するプロセスについての詳細は、様々な例示的なプロセスランの状況の中で、以下に提供される。しかし、これらのプロセスランについて説明する前に、修正された基板表面を有するＬＥＤの追加の実施形態について説明する。
多数の異なるタイプのＬＥＤでは、本発明による修正された表面を利用して、光抽出を増大させることができる。図２は、半導体放出領域４６が一方の表面上に形成された基板４４を有するＬＥＤ４２を含む、本発明によるＬＥＤパッケージ４０の他の実施形態を示す。放出領域４６は、図１の放出領域１８と類似している。ＬＥＤ４２は、放出領域４６中の正負逆のドープ層に接触するために接点５０、５２を有する第１および第２の金属層４８ａ、４８ｂ上に載置される。金属層４８ａ、４８ｂに印加されるバイアスは、接点５０、５２を介して正負逆のドープ層に印加することができる。ＬＥＤ４２は、基板の裏面が、ＬＥＤ４２の主要放出表面になるように、フリップチップ実装される。ＬＥＤ４２は、保護用の透明なエポキシ５４中に入れることもできる。
ＬＥＤの放出表面５６（基板４４の表面）は、平坦ではなく、その代わりに複数のエッチングされた特徴５７を有しており、これらの特徴は、図２の構成においては、角錐台である。角錐台５７は、角度付きのこ歯を使用して格子パターンの形の複数のベベルカット５８を切り込むことにより、形成することができる。角錐台５７のサイズと形状は、のこ歯により基板４４の表面内に切り込まれる深さを調整することにより、変化させることができる。他の構成においては、カットの深さは、角錐を形成するように設定することができる。切り込むプロセスは、光を吸収する損傷材料の上にある層を有する実質的に滑らかな切込み表面５９をもたらすことが知られている。
エッチングされた特徴５７を形成した後で、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが、切込み表面５９と非切込み表面６０とを含めて、放出表面５６に対して適用される。最終的に、非切込み表面６０に対応する非常に多数のくぼみのある表面区域と、切込み表面５９に対応する滑らかな損傷のない表面とを有する放出表面５６が得られる。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、非切込み表面６０などの初めから粗い表面の表面形態をくぼみのある表面へと変化させ、損傷材料層を除去し、切込み表面５９などの初めから滑らかな表面を不変のままにすることが観察されている。
エッチングされた特徴は、エッチングプロセスと組み合わせて、知られているマスキング技法を使用して形成することもできる。例えば、ＳｉＣ基板４４では、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスを使用することもでき、あるいは代わりにＧａＰエッチングなどの湿式化学エッチングプロセスを使用することもできる。エッチングされた特徴５７が生成され、マスキングが除去された後に、エッチングプロセス、例えばＩＣＰ−ＲＩＥを基板に適用して、マスキングによって覆われた表面のこれらの区域にくぼみのある表面区域を生成することができる。
マスキング／エッチング技法を使用したエッチングされた特徴の生成は、以降の理由のためにベベル切り込み技法よりも有利であると考えることができる。すなわち、第１に、これらにより、角錐および角錐台だけでなく、円錐および六角錐も含めて、より広範な様々なエッチングされた特徴幾何形状の形成が可能になるからである。第２に、これらにより、エッチングされた特徴のより高密度なアレイの形成が可能になるからである。第３に、これらは、損傷材料の層を形成することなく、これらのエッチングされた特徴を生成するからである。
エッチングされた特徴５７は、さらなる変化を表面に与えて、ＴＩＲ光がＬＥＤから脱出できるようにすることにより、光抽出を向上する。これらのくぼみのある表面区域と組み合わされたエッチングされた特徴５７は、図１に示されるような平坦なくぼみのある基板表面に比べて、より高い程度の光抽出を実現する。
図３は、基板７４と放出領域７６とを備えるフリップチップ実装されたＬＥＤ７２も有する、本発明によるＬＥＤパッケージ７０の他の実施形態を示している。ＬＥＤ７２は、放出領域７６にバイアスを印加するために接点８０、８２を用いて金属層７８ａ、７８ｂに実装される。ＬＥＤ７２はまた、保護用の透明なエポキシ８４中に入れられる。
ＬＥＤ７２の放出表面８６は、図２に関して説明されたエッチングされた特徴と同様にして複数のベベルカット９０によって形成された複数のエッチングされた特徴８８を含む。さらに、ＬＥＤ７２は、角度付きのこ歯を使用して作製された周部の周りで側壁カット９２を含む。側壁カット９２は、２つの基板表面、すなわち垂直側壁表面９４と角度付き側壁表面９６とを含む。側壁表面９４，９６は、ベベル切込み表面９８と同様にそれらの表面に関連する損傷材料層を有する。
エッチングされた特徴８０および側壁カット９４の作製に続いて、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが、ベベル切込み表面９８、角度付き側壁表面９６および非切込み表面１００を含めて基板表面８６に適用される。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスの適用は、非切込み表面１００に垂直であるので、そのプロセスは、垂直側壁表面９４に影響を及ぼさない。最終的に、非切込み表面１００に対応する非常に多くのくぼみのある表面区域と、ベベル切込み表面９８に対応する滑らかな損傷のない表面と、角度付き側壁表面９６を有する放出表面８６が得られる。
代替構成においては、ＧａＰエッチングなどの湿式化学エッチングを放出表面８６に適用することもできる。ＩＣＰ−ＲＩＥエッチングとは異なり、ＧａＰエッチングは、垂直側壁９４に影響を及ぼし、垂直側壁に関連する損傷材料層を除去する。しかし、このエッチングは、非切込み表面１００にはくぼみのある表面を生成しない。
エッチングされた特徴８０と側壁カット９２は、ＴＩＲ光がＬＥＤから脱出できるように表面にさらなる変化をもたらすことにより、光抽出を向上する。エッチングされた特徴８０と、側壁カット９２と、くぼみのある表面区域は、図１および２に示されるような平坦なくぼみのある基板表面に比べて、より大きな度合いの光抽出を実現する。
本発明によれば、前述のＬＥＤの実施形態は、エッチングプロセス、とりわけＩＣＰ−ＲＩＥプロセスを含む方法を使用して製造される。例示的なＬＥＤは、以降のように製造された。すなわち、一般には、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが、標準の裏面仕上げを有する露出した４Ｈ ＳｉＣウェハおよび６Ｈ ＳｉＣウェハに適用された。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、エッチング剤としてＳＦ6を必要とし、ＳｉＣエッチングについて標準の処理条件を使用した。ウェハは、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセス中にサファイアキャリアウェハ上に表を下にして配置された。ＧａＰエッチングなどの湿式化学作用エッチングを含めて、他の処理条件または化学作用も可能とすることができ、また本発明は、本明細書中に説明されている特定の条件および化学作用だけには決して限定されるものではない。
基板に適用されたとき、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、基板材料を除去する。単位時間当たりの平均速度で材料を除去することに加えて、ＩＣＰ−ＲＩＥエッチングは、特定の諸表面に顕微鏡スケールのくぼみのあるテキスチャーを形成させる。より詳細には、ウェハを作製するために基板材料コアをワイヤカット（ｗｉｒｅ ｃｕｔ）することに由来する表面など、初めから粗面の基板表面は、図４に示されるように、エッチングされたときくぼみのある表面を形成することになり、一方、ソーカット（ｓａｗ ｃｕｔ）してベベルを形成することに由来する表面など、初めから滑らかな表面は、図５に示されるようにエッチングされたとき滑らかなままとなることが観察されている。初めの粗面の表面からくぼみのある表面への表面形態における変化は、図６、７、８に示される。図６は、ＩＣＰ−ＲＩＥエッチングの前のＳｉＣウェハの２０μｍ×２０μｍスケールの画像である。図７は、約５分間のＩＣＰ−ＲＩＥエッチング後のＳｉＣウェハの１００μｍ×１００μｍスケールの画像である。図８は、約３０分間のＩＣＰ−ＲＩＥエッチング後のＳｉＣウェハの２０μｍ×２０μｍスケールの画像である。
図９は、エッチング時間の増加に伴うＳｉＣ表面形態の進展を示す。この図から、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスによって生成されるくぼみがエッチング時間の増加と共に増大することは、明らかである。したがって、エッチング時間を調整して所望のくぼみのサイズを得ることにより、表面形態を制御することが可能である。エッチングプロセスにより除去されるＳｉＣの厚みは、時間の関数として変化する。図１０は、除去されたＳｉＣ材料 対 エッチング時間のグラフである。エッチングに続いて、ウェハは、総積分散乱（ＴＩＳ）ツールを使用して特徴が調べられる。ＴＩＳ信号は、どれだけ有効に表面粗さがウェハ中において内部で光を散乱するかを測定し、ＬＥＤ光抽出の代用になる。図に示されるＴＩＳデータは、１５から６０分のエッチング時間を示唆し、この時間は現在のプロセス条件について任意選択である。
ＩＣＰ−ＲＩＥエッチングによって生成されたくぼみのある表面テキスチャーは、いくつかの点で有利である。第１にくぼみのある形態は、他の周知の粗面化プロセス（例えば、機械研磨）からもたらされる他の表面形態に比べてより一貫性があり、より規則的であり、これは、観察される光抽出向上に寄与する可能性がある。第２に、エッチングプロセスは、より制御可能であり、他の粗面化プロセス（例えば、機械研磨）よりも損傷表面または部分表面の層を残す可能性は少ない。
第３に、ＩＣＰ−ＲＩＥエッチングプロセスは、これらのくぼみのある特徴を生成するためにフォトリソグラフィまたはマスキング、あるいは他のパターン形成を必要としない。このエッチングプロセスは、一様な露出されたＳｉＣ表面に適用され、くぼみのある特徴は、自然発生的に形成される（しかし、以前に示したように、くぼみのある表面の形成は、特定の開始表面、すなわち粗面 対 平滑面に依存する）。したがって、そのエッチングプロセスは、ＬＥＤ製造フローに組み込むのに比較的簡単で安価である。第４に、ＩＣＰ−ＲＩＥエッチングプロセスは、エピ成長前を含めてＬＥＤ製造プロセス中におけるいくつかのポイントで挿入することができる点で柔軟である。
例示的なプロセスラン
ＩＣＰ−ＲＩＥを伴うＬＥＤ
一連のプロセスランにおいて、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、最終的なウェハレベルプロセスステップとして、９００μｍ×９００μｍのＬＥＤに適用された。標準的なＬＥＤウェハは、ｎ接点が（裏面がベアのままである）ウェハのエピ側にあるような横方向の接点幾何形状を有する以外は、ノースカロライナ州、ダラム市のＣｒｅｅ Ｉｎｃ．によって製造されるＸＢ９００タイプのＬＥＤと同様に製造された。それ以外すべてが等しければ、横方向幾何形状のデバイスは、従来の垂直幾何形状のＸＢ９００デバイスと比べてランプ内で同様に機能することがこれまでに示されている。処理した後で、横方向幾何形状のＬＥＤは、側壁小平面を含めて、通常のように単一化され、次いでＰｂＳｎはんだバンプを用いてＳｉサブマウントにフリップチップ実装され、次いで通常の方法でランプの形に作製される。
１つのプロセスラン（ＲＩＥ＃１）においては、１２０分のＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが、４Ｈウェハに適用された。これらのＩＣＰ−ＲＩＥサンプルでは、匹敵するエピ材料から作製された従来のＸＢ９００デバイスについての従来の平均に比べて２３％明るいランプが得られた。エッチングプロセスは、全面ウェハ（ｆｕｌｌ ｗａｆｅｒ）を使用することを必要としており、したがって対照サンプル（エッチングなし、同じウェハ）は、直接の比較のために使用可能ではなかった。
他のプロセスラン（ＲＩＥ＃３）においては、１２０分のＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが、適用された。１枚の４Ｈウェハと１枚の６Ｈウェハの場合、これらのＩＣＰ−ＲＩＥサンプルでは、匹敵するエピ材料から作製された従来のＸＢ９００デバイスについての従来の平均に比べてそれぞれ５％と９％明るいランプが得られた。エッチングプロセスは、全面ウェハを使用することを必要としており、したがって対照サンプル（エッチングなし、同じウェハ）は、直接の比較のために使用可能ではなかった。
ベベルとＩＣＰ−ＲＩＥを伴うＬＥＤ
第２の一連のプロセスランにおいては、エッチングされた特徴は、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスに先立ってＬＥＤウェハの裏面内で作製されたベベルカットを使用して、基板表面に追加された。これらのベベルカットは、カットの深さが約１００μｍから約１５０μｍになるように設定された角度付きのこ歯を使用して、作製された。上記のプロセスランにおける場合と同様に、これらのＬＥＤは、横方向接点幾何形状を有する点以外はＸＢ９００と同様であった。図１２〜１８は、ベベルカットの一部の実施例を示している。図１２および１６においては、ベベルカットは、ＬＥＤの周部に対して対角線上に配置され、一方、図１３〜１５、１７、１８においては、これらのカットは、直角に配置されている。図１２、１３、１４、１６においては、カットの深さは、作製されたエッチングされた特徴が、角錐台となるようになっていた。図１５および１７において、カットの深さは、作製されたエッチングされた特徴が角錐となるように増大された。図１８においては、のこ歯の形状と、カットの深さは、作製されたエッチングされた特徴が正方形の垂直な突起部を有する、角錐台となるようになっていた。
プロセスラン中に使用されるカット幾何形状と異なるカット幾何形状が、可能であり、より優れていると判明するかもしれない。例えば、周知のマスキング技法をＩＣＰ−ＲＩＥエッチングプロセスまたは、湿式化学エッチングなど、他の周知のエッチングプロセスと組み合わせて使用して、円錐状または六角形の角錐表面の特徴となる表面カットを形成することができる。異なるエッチングされた特徴幾何形状を実現することに加えて、これらの技法は、単位面積当たり、より多くのエッチングされた特徴の形成を可能にする。これは、前述のベベルカットする技法において使用されるのこ歯のサイズによって課せられる制限の点でそうである。浅い表面カットを有する密度の高いエッチングされた特徴によって特徴づけられる基板表面は、横方向接点幾何形状とは異なる垂直接点幾何形状を有するＬＥＤを生成するように基板上で電気接点を配置することを可能にするのに十分な表面積を提供することができる点で、有利である。エッチング切込み（ｅｔｃｈｅｄ ｃｕｔｔｉｎｇ）を使用したときに可能な浅い切込み表面はまた、ソーカットすることによってもたらされる基板に対して全体的に厚い基板となる。厚みを増大することは、基板の電流スプレッディング、例えばＬＥＤの光出力を増大させる電気抵抗のより低い基板を提供する。
特定のプロセスランに関しては、１つのラン（ＲＩＥ＃６）において、対角線のベベルカットが６Ｈウェハに適用され、その後、３０分のＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが行なわれた。これらのカットは、約１００μｍの深さであった。ベベル＋ＩＣＰ−ＲＩＥによるサンプルでは、ＩＣＰ−ＲＩＥだけのサンプルに比べて２２％明るいランプが得られた。１方向だけに対角線カットを有するサンプルでは、約半分の改善であった。
他のプロセスラン（ＲＩＥ＃７）においては、対角線のベベルカットが、３枚の４Ｈウェハに適用され、それに６０分のＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが続いた。これらのカットは、約１００μｍの深さであった。ウェハ＃１および＃２の場合、ベベル＋ＩＣＰ−ＲＩＥのサンプルとＩＣＰ−ＲＩＥだけのサンプルは、同等の明度のランプとなった。ウェハ＃３の場合、ベベル＋ＩＣＰ−ＲＩＥのサンプルでは、ＩＣＰ−ＲＩＥだけのサンプルよりも１０％明るいランプが得られた。エッチングは、その時点で全面ウェハを必要とし、したがって対照サンプル（エッチングなし、ベベルなし）は、直接に使用可能ではなかった。しかし、これらのベベルとＩＣＰ−ＲＩＥ表面は、その後にウェハ＃３から研磨され、すなわち除去され、ランプは、ベベル＋ＩＣＰ−ＲＩＥ＋研磨のサンプルから作製され、同様に研磨された標準のＬＥＤウェハと比較された。これにより、本発明者等は、ベベル＋ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスにより標準のＬＥＤと比べて約２５％明るいランプが得られることを推論することができた。
さらに他のプロセスラン（ＲＩＥ＃９）においては、四つ切りウェハが、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスのために使用された。約１００μｍの深さの対角線のベベルがＳｉＣに対して適用されてから、（ａ）３０分間および（ｂ）６０分間エッチングされた。４Ｈウェハの場合、ベベル＋３０分のＩＣＰ−ＲＩＥと、ベベル＋６０分のＩＣＰ−ＲＩＥプロセスでは、対照サンプル（エッチングなし、ベベルなし）に比べてそれぞれ１０％と１４％さらに明るいランプが得られた。６Ｈウェハの場合、ベベル＋３０分のＩＣＰ−ＲＩＥと、ベベル＋６０分のＩＣＰ−ＲＩＥプロセスでは、対照サンプルに比べてそれぞれ１４％と２２％さらに明るいランプが得られた。
前述のプロセスランの組においては、追加のプロセスステップは、基板の裏面全体にわたって小平面が刻まれたソーカット（「ベベル」）の適用と、それに続く、くぼみのある表面テキスチャーを有する区域を生成し、ソーカットに関連する表面損傷を除去するＩＣＰ−ＲＩＥプロセスとを含んでいた。これらのプロセスステップは、様々な理由のために有利である。第１に、チップの周部だけに角度付き側壁を付与する既存の小平面を刻む技術に比べて、これらのベベルは、チップの裏面上により大きな面積の角度付き小平面を生成するからである。これによって、この小平面を刻む技術は、増大するチップサイズと共にスケールすることができるようになる。
第２に、これらのベベル自体は、より良好な光抽出をあまり確実にもたらさないこと（また物事をさらに悪化させることさえあり得ること）が示されている。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスにより、切り込むプロセスに起因する損傷表面層を除去することによって、ベベルの理論的な光抽出の利点を実現することができるようになる。
第３に、これらのベベルに関連する表面損傷を除去するための代替方法−ＳｉＣの湿式エッチング−に比べて、ＩＣＰ−ＲＩＥにより設けられるくぼみのある表面テキスチャーは、これらのベベルの脱出コーンにＴＩＲ光を散乱する助けとなる。ウェハの前面の方がエッチング剤から保護することが簡単であるという意味において、製造するのがより容易となり得る。
ＡＴＯＮ、ベベルおよびＩＣＰ−ＲＩＥを伴うＬＥＤ
第３の一連のプロセスランにおいては、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、ベベルカットおよび従来の側壁（ＡＴＯＮ）カットが横方向幾何形状のＸＢ９００ウェハに対して行われた後で適用された。ＬＥＤウェハは、深い側壁カット部での早期破壊を防止するために、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセス中にサファイアキャリアウェハに接合された。その他の点では、そのプロセスは、前述のプロセスと同様であった。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスが最後に行われるので、実質的にすべてのソー（ｓａｗ）損傷は除去される。
１つのプロセスラン（ＲＩＥ＃１０）においては、ベベル＋ＡＴＯＮ＋ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスを伴う４Ｈウェハと６Ｈウェハでは、それぞれ対照サンプル（同じウェハ、ＡＴＯＮのみ）に比べて２１％と２２％さらに明るいランプが得られた。
本発明は、そのある種の好ましい構成に関して詳細に説明してきたが、他のバージョンも可能である。例えば、横方向接点幾何形状のＬＥＤの代わりに、前述のプロセスは、垂直接点幾何形状のＬＥＤに適用することもできる。垂直接点幾何形状のＬＥＤにおいては、ＩＣＰ−ＲＩＥプロセス中にｎ接点金属領域を保護するための注意を払う必要があるはずである。
湿式化学作用を含めて他のエッチング剤の化学作用を使用することもできる。例えば、ＧａＰエッチングは、表面損傷の除去のためのＩＣＰ−ＲＩＥに対する代替方法として使用することができる。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、Ｃｒｅｅ，Ｉｎｃ．によって製造されるＥＺ−ＸＴ ＬＥＤなどの極薄ＬＥＤにおいて使用される基板を含めて様々な厚みの基板に対して適用することができる。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、チップスケールパッケージＬＥＤを含めて将来の「薄いチップ」のＬＥＤに対して適用することもでき、この場合には、散乱性の高い表面粗さが望ましい。
本発明は、すべてのフリップチップＬＥＤ製品中で使用することができるが、特に大面積のＬＥＤで使用することができる。横方向接点幾何形状のデバイスを用いて実施することが最も簡単であるが、垂直幾何形状のデバイスにも同様に適用可能である。すべてのＡＴＯＮ切込み表面、あるいは別の方法で切り込まれた表面に対してＩＣＰ−ＲＩＥプロセスを適用し、ソー損傷を除去することができる。ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスは、他のタイプのＬＥＤ基板（サファイア、ＧａＰなど）についても適用可能とすることができる。
本発明は、表面損傷を除去する手段を提供することにより、ＳｉＣに現在適用されている機械的処理プロセス（すなわち、ソーのグリットサイズ、ワイヤソー（ｗｉｒｅ ｓａｗ）の速度、ダイシングソー（ｄｉｃｉｎｇ ｓａｗ）の速度）におけるより大きな柔軟性を可能にすることができる。
図１９は、基板の表面のうちの一方の上に形成された半導体放出領域１１４を有する導電性基板１１２を含む、本発明によるＬＥＤ１１０の他の実施形態を示す。放出領域１１４は、図１における放出領域１８と類似している。ＬＥＤ１１０は、放出領域１１４中の正負逆のドープ層と接触する第１および第２の接点１１６、１１８を含む。バイアスが正負逆のドープ層に接点１１６、１１８を介して印加されたとき、光が放出される。放出領域１１４と反対側の基板表面１２０が、ＬＥＤの主要放出表面となるように、ＬＥＤ１１０は、フリップチップ実装することができる。
主要放出表面１２０の一部分１２２は、幾何形状要素の集まりを含む表面形態を含む。要素の「プロファイル」または形状、例えば円錐、角錐、半球と、要素の「深さ」ならびに要素の「周期性」、すなわち隣接する要素の同様の特徴の間、例えばピーク間の間隔とを含む属性を使用して、特定の表面形態を特徴づけることができる。以下で説明するように、一構成においては、放出表面１２０のこれらの変形された一部分１２２は、基板１１２中に全体、且つ、直接に、また好ましくはマスクを使用せずに形成される。他の構成においては、変形された一部分１２２は、少なくとも部分的に基板内に形成される。他の構成においては、変形された一部分１２２は、基板１１２の放出表面１２０の上部の上の他の材料層中に形成される。
第１の接点１１６の下の一部分など、主要放出表面１２０の他の一部分１２４は、実質的に滑らかである。滑らかな表面は、接点１１６と基板１１２との直接接触する大きな表面積をもたらし、それによって、接点から基板への電流の効率的な移動が可能になる。
図２０を参照すると、好ましい実施形態においては、主要放出表面１２０は、追加の滑らかな表面区域１２６を含む。導電性要素１２８がこれらの表面区域１２６上に形成され、第１の接点１１６に電気的に接続される。これらの追加の導電性要素１２８は、基板１１２の表面区域全体にわたってより効率的な電流分布をもたらす電流スプレッディング構造を形成する。これらの滑らかな一部分１２４、１２６は、変形された一部分１２２を作製する前に基板の上部表面１２０をマスクすることによって形成される。
図２１を参照すると、代替構成において、より効率的な電流スプレッディングが、主要放出表面１２０上に配置された電流スプレッディング層１３０によって提供される。一構成においては、電流スプレッディング層１３０は、主要放出表面１２０上に堆積された透明導電性材料の層である。透明導電性材料は、約２ｎｍと２０ｎｍとの間の厚みを有するＰｄ、Ｎｉ、Ａｕなどの金属、約１００ｎｍの厚みを有するインジウムスズ酸化物などの透明導電性酸化物、または半導体材料であってもよい。
半導体材料構成では、その材料は、主要放出表面１２０上に堆積された高濃度にドープされた（ｈｅａｖｉｌｙ ｄｏｐｅｄ）半導体材料の追加層であってもよい。この場合には、「高濃度にドープ」は、基板１１２よりも高濃度にドープされることを意味する。このような半導体材料は、例えばＳｉＣ、ＧａＮおよびＡｌＩｎＧａＮを含んでいてもよい。この材料は、一般に基板１１２と同じまたは類似した屈折率を有し、また基板と同じｎ形またはｐ形のドーピングを有する。したがって、基板１１２がｎ形ＳｉＣから形成される場合、追加材料１３０の層は、ｎ形のＳｉＣまたはＡｌＩｎＧａＮであってもよく、基板がｎ形ＧａＮから形成される場合には、追加材料はｎ形ＧａＮとなるはずである。半導体材料層の厚みは、ドーピング濃度に依存する。例えば、ドーピング濃度が１20ｃｍ-3よりも高濃度である場合、約１００ｎｍの厚みで十分なはずである。
図２２を参照すると、他の構成においては、電流スプレッディング層１３０は、基板１１２それ自体の一部分である。この実施形態においては、基板１１２の上部表面領域１３２は、その電気伝導度を増大させるために、さらにドーピングを受ける。基板１１２の高濃度にドープされた上部表面領域１３２は、追加の材料層を必要とせずに電流スプレッディングを実現する。この場合に、「高濃度にドープ」は、基板１１２の上部表面領域１３２が基板の残りの部分よりも高濃度にドープされることを意味する。基板のこのより高濃度にドープされた領域１３２の厚みは、ドーピング濃度に依存する。例えば、ドーピング濃度が１20ｃｍ-3よりも高濃度である場合、約１００ｎｍの厚みで十分なはずである。
図１９に戻ると、主要放出表面１２０の変形された一部分１２２は、それぞれが当技術分野において周知の技法を使用したいくつかのプロセスのうちのどれを使用しても形成することができる。一方法においては、変形された一部分１２２は、マスクを使用せずに、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチングプロセスを使用して、基板１１２の主要放出表面１２０を直接にエッチングすることにより形成される。このプロセスは、図２３に示されるような表面形態を基板表面に持たせることが知られている。かかる形態は、「モスアイ」表面と称されている（例えば、非特許文献５参照）。
図２４を参照すると、他の実施形態において、変形された一部分１２２（図１９）は、放出表面１２０を材料または粒子の薄い不連続層１３４でコーティングすることにより形成される。本明細書中で使用される「不連続層」は、層の断面を顕微鏡レベルで非一様な厚みにする上部表面要素１３６を有する、１つまたは複数の部分層から形成することができる層を意味する。一実施形態においては、層１３４中の要素の密度とこれらの要素のサイズは、層の上部表面が、ＲＩＥエッチングを用いて実現されるモスアイ表面と同様の周期性、プロファイルおよび深さをもつ形態を有するように選択される。不連続層１３４の表面形態１３８は、その場合には不連続層を部分的または完全に除去することによって、基板１１２に少なくとも部分的に転写される。この場合に使用される「転写」は、不連続層１３４の部分的または完全な除去の後に、基板１１２の表面が、除去または部分的な除去のプロセスに先立って不連続層が有していたのと実質的に同じ表面形態を有することを意味する。
不連続層１３４は、ドライエッチングプロセスを使用して除去されることが好ましい。コストを節約する対策として、ドライエッチングプロセスは、好ましくはＲＩＥプロセスではなく、例えば、三フッ化窒素、窒素酸化物、三フッ化アンモニウム、酸素、六フッ化イオウ、四フッ化炭素、これらの混合物などのフッ素含有ガスを用いたエッチングを含むことができる。炭化ケイ素をドライエッチングするための例示的な技法については、全体が参照により本明細書に組み込まれている特許文献中に記載されている（例えば、特許文献６および特許文献７参照）。この実施形態においては、不連続層１３４は、基板１１２とほぼ同じ速度でエッチングされる１つまたは複数の材料から作られる。このようなエッチング速度は、不連続層１３４の表面形態１３８が基板１１２に少なくとも部分的に転写されるようにする。
他の実施形態においては、不連続層１３４の表面形態１３８は、基板１１２についての所望の表面形態と一致しなくてもよい。例えば、不連続層１３４の表面上の要素１３６の深さは、所望の深さよりも深くてもよい。この場合に、不連続層１３４は、基板１１２に対してさらに速い速度でエッチングされる１つまたは複数の材料から作られていてもよい。最終的に、不連続層１３４の要素１３６よりも浅い深さをもつ要素を有する表面形態を伴う基板１１２が得られる。不連続層１３４の表面形態の特性と、基板１１２に対する不連続層のエッチング速度は、基板表面形態の形状の制御を可能にする。それぞれの適切な選択を介して、所望の基板表面形態を得ることができる。
一構成においては、不連続層１３４は、その層を不連続にする条件下で金属、例えば金またはアルミニウムの薄層を堆積させることによって形成される。例えば、金属は、金属を拡散し、層の表面から突出するアイランドを形成するのに十分な高い温度にさらすことができる。温度が高くなるほど、またさらす時間が長くなるほど、アイランドが少なくなり、大きくなる。したがって、これらのアイランドのサイズ、形状、密度を、温度およびさらす時間によって制御し、所望の表面形態を作製することができる。
他の構成においては、不連続層１３４は、最初に金属の一様な層を堆積させ、次いで１）一様な層上に不連続的なマスク層を堆積させ、次いで金属の層をエッチングして所望の表面形態を形成し、または２）エアロゾルまたは他のガス相の化学反応を使用して一様な層上にナノ粒子を堆積させ、次いでエッチングして下にある一様な層上に所望の表面形態を形成することにより、一様な層を非一様にすることにより形成される。
他の実施形態においては、非一様な層１３４は、ナノ粒子から形成することもできる。これらの粒子は、例えば粒子の層の所望の厚みと液体の特性によって回転速度を決定したスピナを使用して基板表面１２０上に一様に堆積される液体中で懸濁させることができる。液体層が堆積された後に、高温または室温で液体を蒸発させて、液体を除去し、粒子だけを残すことができる。他の実施形態においては、粒子の層を基板表面１２０上に直接に噴霧することもできる。粒子は、金やアルミニウムなどの金属、アルミナ、炭化ケイ素、シリカ、窒化ホウ素などのセラミックス、グラファイトやバッキーボールなどの炭素、あるいは有機材料から形成することもできる。
ドライエッチングを使用したプロセスにおいては、損傷材料層は、放出表面１２０の変形された一部分１２２上にそのまま残っていてもよい。これらの場合には、損傷層を形成する材料は、ＫＯＨプロセスなどの知られている化学エッチングプロセスを使用して変形された一部分１２２をエッチングすることにより、または水素や塩化水素などのガスを流すことにより除去することができる。代わりに、損傷層を形成する材料の有害な影響は、アニールプロセスによって実質的に低減させることもできる。この場合に、アニールプロセスは、２つの機能を果たす。すなわち、アニールプロセスは、基板中のドーパントを活性化し、またアニールプロセスは、損傷層の影響を低減させる。
他の実施形態においては、変形された一部分１２２は、周知のグリット研磨プロセスを使用して作製される。これらのプロセスにおいては、グリット粒子、例えばダイヤモンド粒子は、光放出表面１２０を薄く削ってその表面形態を概して滑らかな表面から粗面に変化させる。グリット中の粒子の密度、粒子のサイズ、および粒子と表面１２０との間の研磨力は、得られる表面形態が、前述のＲＩＥエッチングプロセスを用いて達成されるモスアイ表面に類似した周期性、プロファイル、深さを有するように選択される。
図２５を参照すると、他の構成においては、変形された一部分１２２は、基板１１２の放出表面１２０の上部に堆積された材料１３２の層中に形成される。この材料は、基板と実質的に同じ屈折率を有することが好ましい。例えば、ＳｉＣ基板１１２上に堆積された材料１４０は、ＳｉＣまたはＡｌＩｎＧａＮであってもよいが、ＧａＮ基板中に堆積された材料は、ＧａＮであってもよい。材料１４０はまた、基板１１２と同じｎ形ドーピングまたはｐ形ドーピングを有する。その材料は、ＭＯＣＶＤ、ＣＶＤ、ＨＶＰＥ、ＭＢＥ、スパッタリングなど、周知の、より低温の技法を使用して堆積させることができる。所望の表面形態は、温度など成長条件の制御を介して得ることができる。例えば、中間の堆積温度は、滑らかな表面をおそらくもたらすであろう高すぎる、または低すぎる堆積温度とは対照的に、所望の表面形態を生成する可能性がより高くなる。表面形態の形成は、堆積される広いバンドギャップの半導体のタイプにも依存する。ＧａＮでは、Ｖ／ＩＩＩ族の比率は、形態にかなり影響を与えることになる。また、Ｎ極性のＧａＮは、典型的なＭＯＣＶＤ成長条件の下で、一般に小平面が多く刻まれて成長する。
他の実施形態においては、基板１１２の材料の粒子または同様な屈折率を有する材料が、基板の上部表面１２０上に堆積される。次いで、粒子は接着またはアニールを用いて表面１２０に対して機械的に固定される。粒子のサイズ、形状、密度は、得られる表面形態１２２が、前述のＲＩＥエッチングプロセスを用いて達成されるモスアイ表面と類似した周期性、プロファイル、深さを有するように選択される。
本発明の特定の形態について、例示し説明してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく様々な変更を行うことができることが、前述のことから明らかになろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲による以外には、限定されないものとする。
修正された表面形態を有する放出表面を含むＬＥＤの断面図である。 エッチングされた特徴を有する放出表面を含むＬＥＤの断面図である。 エッチングされた特徴と側壁カットとを有する放出表面を含むＬＥＤの断面図である。 ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスからもたらされる、くぼみのある表面形態を有する非切込み表面の画像を示す図である。 ＩＣＰ−ＲＩＥプロセスに続くベベル切込み表面の底部の画像を示す図である。 修正される前の基板表面の２０μｍ×２０μｍのスケールのレンダリング（ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ）を示す図である。 第１の期間の間、ＩＣＰ−ＲＩＥエッチングの後の基板表面の１００μｍ×１００μｍのスケールのレンディング（ｒｅｎｄｉｎｇ）を示す図である。 図７の存続時間より長い第２の期間の間、のＩＣＰ−ＲＩＥエッチングの後の基板表面の２０μｍ×２０μｍのスケールのレンディングを示す図である。 表面形態の進展を示す光学顕微鏡画像を示す図である。 エッチング時間の関数として除去された平均の基板の厚みを示す、いくつかのウェハについてのデータのグラフを示す図である。 エッチング時間の関数として４Ｈ−ＳｉＣウェハからの全体の積分された散乱信号のグラフを示す図である。 様々なベベルカットのうちの一実施例の写真を示す図である。 様々なベベルカットのうちの一実施例の写真を示す図である。 様々なベベルカットのうちの一実施例の写真を示す図である。 様々なベベルカットのうちの一実施例の写真を示す図である。 様々なベベルカットのうちの一実施例の写真を示す図である。 様々なベベルカットのうちの一実施例の写真を示す図である。 様々なベベルカットのうちの一実施例の写真を示す図である。 モスアイ表面形態を有する放出表面を含むＬＥＤの断面図である。 図１５のＬＥＤの上面図である。 透明な導電性材料の上にある層を伴うモスアイ放出表面を含むＬＥＤの断面図である。 基板の電流スプレッディング領域に形成されたモスアイ放出表面を含むＬＥＤの断面図である。 モスアイ表面の断面画像を示す図である。 その上部表面上に形成された不連続層を有するＬＥＤ基板の断面図である。 基板上に追加のモスアイ表面をもつ層を含むＬＥＤの断面図である。

Claims (53)

  1. 光放出表面を有する基板を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法であって、
    表面の形態を変化させるのに十分な期間の間、前記光放出表面の少なくとも一部分に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを適用すること
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記ＲＩＥプロセスは、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）プロセスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記基板の前記放出表面と反対側の表面上に光放出領域を成長させることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記ＲＩＥプロセスは、前記光放出領域を成長させる前に適用されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
  5. 前記ＲＩＥプロセスは、前記光放出領域を成長させた後に適用されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
  6. 前記ＲＩＥプロセスを適用する前に前記光放出表面に関連する複数のエッチングされた特徴を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  7. 前記エッチングされた特徴は、複数のベベルを前記光放出表面に切り込むことにより形成されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
  8. 前記切り込むことは、角度付きのこ歯を使用して行われることを特徴とする請求項７に記載の方法。
  9. 前記切り込むことは、マスク式エッチング技法を使用して行われることを特徴とする請求項７に記載の方法。
  10. 前記ＲＩＥプロセスを適用する前に前記光放出表面に関連する複数の側壁カットを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  11. 光を吸収する損傷材料層を有する少なくとも１つの切込み表面を有する光放出表面を有する基板を含むＬＥＤを製造する方法であって、
    前記損傷材料層の少なくとも一部分を除去するのに十分な期間の間、前記切込み表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを適用すること
    を含むことを特徴とする方法。
  12. 前記ＲＩＥプロセスは、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）プロセスであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  13. 基板の第１の側の表面上に、ｐ形材料層と、ｎ形材料層と、前記ｐ形層と前記ｎ形層の間に活性層とを備える光放出領域を成長させること、および
    表面の形態を変化させるのに十分な期間の間、前記基板の前記第１の側の表面と反対側の第２の側の表面の少なくとも一部分に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを適用すること
    を含むプロセスにより形成されることを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）。
  14. 前記ＲＩＥプロセスは、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）プロセスであることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  15. 前記ＲＩＥプロセスは、前記放出領域を成長させる前に適用されることを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
  16. 前記ＲＩＥプロセスは、前記放出領域を成長させた後に適用されることを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
  17. 前記ＲＩＥプロセスは、約１５分と１８０分の間に及ぶ時間の間、適用されることを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
  18. 前記第２の側の表面に複数のベベルを切り込み、前記第２の側の表面の少なくとも一部分を形成する関連表面区域を有する複数のエッチングされた特徴を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
  19. 前記切り込むことは、前記ＲＩＥプロセスを適用する前に実施されることを特徴とする請求項１８に記載のプロセス。
  20. 前記第２の側の表面の少なくとも一部分を形成する側壁表面を形成する複数の側壁カットを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
  21. 前記切り込むことは、前記ＲＩＥプロセスを適用する前に実施されることを特徴とする請求項２０に記載のプロセス。
  22. 前記第１の側の表面上の前記ｐ形材料層と接触してｐ接点を形成すること、および前記第１の側の表面上の前記ｎ形材料層と接触してｎ接点を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
  23. 前記第１の側の表面と前記第２の側の表面のうちの一方の表面上の前記ｐ形材料層と接触してｐ接点を形成すること、および前記第１の側の表面と前記第２の側の表面のうちの他方の表面上の前記ｎ形材料層と接触してｎ接点を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
  24. 基板の第１の側の表面上に、ｐ形材料層と、ｎ形材料層と、前記ｐ形層と前記ｎ形層の間に活性層とを備える光放出領域を成長させること、
    前記基板の前記第１の側の表面と反対側の第２の側の表面にカットを生成して、光を吸収する損傷材料層を有する少なくとも１つの切込み表面を形成すること、および
    前記損傷材料層の少なくとも一部分を除去するのに十分な期間の間、前記切込み表面の少なくとも一部分に対して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを適用すること
    を含むプロセスにより形成されることを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）。
  25. 前記ＲＩＥエッチングプロセスは、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）プロセスであることを特徴とする請求項２４に記載のプロセス。
  26. 前記ＲＩＥプロセスは、前記光放出領域を成長させる前に適用されることを特徴とする請求項２４に記載のプロセス。
  27. 前記ＲＩＥプロセスは、前記光放出領域を成長させた後に適用されることを特徴とする請求項２４に記載のプロセス。
  28. くぼみのあるテキスチャーを備えるＲＩＥエッチングされた表面を有する光放出表面を有する基板と、
    前記基板の表面上の、第１と第２の正負逆のドープ層間に活性層を含む光放出領域と
    を備えることを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）。
  29. 前記光放出表面は、少なくとも１つの切込み表面と少なくとも１つの非切込み表面とを有するエッチングされた特徴を備え、前記くぼみのあるテキスチャーは、前記非切込み表面上だけに存在することを特徴とする請求項２８に記載のＬＥＤ。
  30. 第１の表面、および第２の表面を有し、前記第１の表面の一部分がモスアイ形態を有する導電性基板と、
    前記第２の表面上の、第１と第２の正負逆のドープ層間に活性層を含む光放出領域と、
    前記第１の表面上の、前記第１または第２のドープ層のうちの一方と接触する第１の接点と、
    前記第１または第２のドープ層のうちの他方と接触する第２の接点と
    を備えることを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）。
  31. 前記第１の表面上の実質的に滑らかな領域をさらに備え、前記第１の接点は、前記滑らかな領域上に存在することを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤ。
  32. 前記第１の接点に接触する電流スプレッディング構造をさらに備えることを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤ。
  33. 前記電流スプレッディング構造は、
    前記第１の接点と接触する、前記第１の表面上の少なくとも１つの導電性要素
    を備えることを特徴とする請求項３２に記載のＬＥＤ。
  34. 前記電流スプレッディング構造は、
    前記第１の表面上の実質的に滑らかな領域と、
    前記滑らかな領域上の、前記第１の接点と接触する導電性要素と
    を備えることを特徴とする請求項３２に記載のＬＥＤ。
  35. 前記電流スプレッディング構造は、前記第１の表面の少なくとも一部分上の透明な導電性層を備えることを特徴とする請求項３２に記載のＬＥＤ。
  36. 前記透明な導電性層は、金属であることを特徴とする請求項３５に記載のＬＥＤ。
  37. 前記透明な導電性層は、ドープされた半導体材料であることを特徴とする請求項３５に記載のＬＥＤ。
  38. 前記ドープされた半導体材料は、前記基板の一部分であることを特徴とする請求項３７に記載のＬＥＤ。
  39. 発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法であって、
    基板の第１の表面上に、第１と第２の正負逆のドープ層間の活性層を含む光放出領域を成長させること、
    前記基板の第２の表面の少なくとも一部分中にモスアイ形態を生成すること、
    前記基板の前記第２の表面上に前記第１または第２のドープ層のうちの一方と接触して第１の接点を形成すること、および
    前記第１または第２のドープ層のうちの他方と接触して第２の接点を形成すること
    を含むことを特徴とする方法。
  40. 前記モスアイ形態は、前記第２の表面を反応性イオンエッチングすることにより生成されることを特徴とする請求項３９に記載の方法。
  41. 前記モスアイ形態は、
    表面形態を有する前記第２の表面上に層を形成すること、および
    前記層と下にある第２の表面とをエッチングして前記モスアイ形態を生成すること
    により生成されることを特徴とする請求項３９に記載の方法。
  42. 前記層は、
    前記第２の表面上に実質的に一様な材料層を堆積させること、および
    前記一様な層中に前記表面形態を形成すること
    により形成されることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
  43. 前記表面形態は、ある温度で前記表面形態を形成するのに十分な期間の間、前記一様な層をアニールすることにより、前記一様な層中に形成されることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
  44. 前記表面形態は、
    前記一様な層上にマスク層を堆積させること、および
    前記マスクを用いて前記材料層をエッチングして、前記表面形態を形成すること
    により前記一様な層中に形成されることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
  45. 前記表面形態は、
    前記一様な層上にナノ粒子を堆積させること、および
    前記粒子と下にある層をエッチングして、前記表面形態を形成すること
    により前記一様な層中に形成されることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
  46. 前記層は、前記第２の表面上にナノ粒子の層を堆積させることにより形成されることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
  47. 前記層および第２の表面は、ドライエッチングプロセスを使用してエッチングされることを特徴とする請求項４１に記載の方法。
  48. 前記第２の表面がドライエッチングされた後に、前記第２の表面に対して化学エッチングを適用することをさらに含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
  49. 前記第２の表面がドライエッチングされた後に、前記第２の表面をアニールすることをさらに含むことを特徴とする請求項４７に記載の方法。
  50. 前記形態は、グリット研磨プロセスを使用して生成されることを特徴とする請求項３９に記載の方法。
  51. 発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法であって、
    基板の第１の表面上に、第１と第２の正負逆のドープ層間の活性層を含む光放出領域を成長させること、
    前記基板の第２の表面上に、前記基板と実質的に同じ屈折率とモスアイ表面形態を有する層を形成すること、
    前記層上に、前記第１または第２のドープ層のうちの一方と接触して第１の接点を形成すること、および
    前記第１または第２のドープ層のうちの他方と接触して第２の接点を形成すること
    を含むことを特徴とする方法。
  52. 前記層は、
    前記モスアイ表面形態を形成する成長条件の下で前記第２の表面上に材料を堆積させること
    により形成されることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
  53. 前記層は、
    前記第２の表面上に、前記モスアイ表面を形成するサイズ、形状および密度を有するナノ粒子を堆積させること、および
    前記ナノ粒子を前記第２の表面に対して機械的に固定すること
    により形成されることを特徴とする請求項５１に記載の方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150036383A (ko) * 2012-07-05 2015-04-07 코닌클리케 필립스 엔.브이. 투명한 스페이서에 의해 ｌｅｄ로부터 분리된 인광체
JP2015532012A (ja) * 2012-09-17 2015-11-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 成形された基板を含む発光デバイス
US9318327B2 (en) 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060005763A1 (en) 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US7638346B2 (en) 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7265374B2 (en) * 2005-06-10 2007-09-04 Arima Computer Corporation Light emitting semiconductor device
US8674375B2 (en) * 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
JP5281408B2 (ja) 2005-12-02 2013-09-04 クリスタル・イズ，インコーポレイテッド ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
JP2007165613A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
CN103925521A (zh) * 2005-12-21 2014-07-16 科锐公司 照明装置
KR100844722B1 (ko) 2006-03-07 2008-07-07 엘지전자 주식회사 나노콘 성장방법 및 이를 이용한 발광 다이오드의제조방법
EP2918708B1 (en) 2006-03-30 2019-10-30 Crystal Is, Inc. Method for annealing of aluminium nitride wafer
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US8158990B2 (en) * 2006-10-05 2012-04-17 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device using GaN LED chip
TWI338380B (en) * 2006-10-11 2011-03-01 Chuan Yu Hung Light emitting diode incorporating high refractive index material
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
EP2095437A4 (en) * 2006-11-15 2013-11-20 Univ California SPHERE LED WITH HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY
WO2008088838A1 (en) 2007-01-17 2008-07-24 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9028612B2 (en) 2010-06-30 2015-05-12 Crystal Is, Inc. Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
CN101652832B (zh) 2007-01-26 2011-06-22 晶体公司 厚的赝晶氮化物外延层
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8088220B2 (en) 2007-05-24 2012-01-03 Crystal Is, Inc. Deep-eutectic melt growth of nitride crystals
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
TWI492412B (zh) * 2007-09-07 2015-07-11 Cree Inc 晶圓級磷光體塗佈方法及使用該方法製造之裝置
JP2010541295A (ja) * 2007-10-08 2010-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体波長コンバータが接合された発光ダイオード
TW201442280A (zh) * 2007-11-30 2014-11-01 Univ California 利用表面粗糙之高度光取出效率之氮化物基發光二極體
DE102007057756B4 (de) * 2007-11-30 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
CN101897038B (zh) * 2007-12-10 2012-08-29 3M创新有限公司 波长转换发光二极管及其制造方法
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
EP2234182B1 (en) * 2007-12-28 2016-11-09 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
JP5167974B2 (ja) * 2008-06-16 2013-03-21 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
JP5282503B2 (ja) * 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR101363022B1 (ko) * 2008-12-23 2014-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN101800274B (zh) * 2009-02-11 2011-11-09 晶发光电股份有限公司 具有凹凸基板的半导体元件的制造方法
CN101877377B (zh) * 2009-04-30 2011-12-14 比亚迪股份有限公司 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法
US8994071B2 (en) 2009-05-05 2015-03-31 3M Innovative Properties Company Semiconductor devices grown on indium-containing substrates utilizing indium depletion mechanisms
CN102460741A (zh) 2009-05-05 2012-05-16 3M创新有限公司 具有增大的提取效率的再发光半导体构造
EP2427924A1 (en) 2009-05-05 2012-03-14 3M Innovative Properties Company Re-emitting semiconductor carrier devices for use with leds and methods of manufacture
US8434883B2 (en) 2009-05-11 2013-05-07 SemiOptoelectronics Co., Ltd. LLB bulb having light extracting rough surface pattern (LERSP) and method of fabrication
US8299341B2 (en) * 2009-05-13 2012-10-30 The California Institute Of Technology Fabrication of vertically aligned metallic nanopillars
US7977123B2 (en) * 2009-05-22 2011-07-12 Lam Research Corporation Arrangements and methods for improving bevel etch repeatability among substrates
CN102474932B (zh) 2009-06-30 2015-12-16 3M创新有限公司 具有可调节色温的白光电致发光器件
WO2011008474A1 (en) 2009-06-30 2011-01-20 3M Innovative Properties Company Electroluminescent devices with color adjustment based on current crowding
JP2012532454A (ja) 2009-06-30 2012-12-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー カドミウム非含有の再発光半導体構成体
EP2282360A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electric device and method for manufacturing the same
KR101114047B1 (ko) * 2009-10-22 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
CN102598314A (zh) * 2009-11-03 2012-07-18 加利福尼亚大学董事会 通过结晶学蚀刻获得的超发光二极管
DE102010008603A1 (de) * 2010-02-19 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Elektrisches Widerstandselement
WO2011156042A2 (en) 2010-03-23 2011-12-15 California Institute Of Technology Heterojunction wire array solar cells
US8349626B2 (en) * 2010-03-23 2013-01-08 Gtat Corporation Creation of low-relief texture for a photovoltaic cell
US8538224B2 (en) 2010-04-22 2013-09-17 3M Innovative Properties Company OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
EP2641277A4 (en) 2010-11-18 2016-06-15 3M Innovative Properties Co LIGHT EMITTING DIODE COMPONENT COMPRISING A POLYSILAZANE BONDING LAYER
US8482020B2 (en) * 2010-12-08 2013-07-09 Bridgelux, Inc. System for wafer-level phosphor deposition
US8841145B2 (en) 2010-12-08 2014-09-23 Bridgelux, Inc. System for wafer-level phosphor deposition
JP5758116B2 (ja) * 2010-12-16 2015-08-05 株式会社ディスコ 分割方法
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
TWI426624B (zh) * 2011-02-14 2014-02-11 私立中原大學 高效率發光二極體之製作方法
KR101781438B1 (ko) * 2011-06-14 2017-09-25 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조방법
US9337387B2 (en) 2011-06-15 2016-05-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US10319881B2 (en) 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
US10522714B2 (en) 2011-06-15 2019-12-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US9741899B2 (en) 2011-06-15 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US9142741B2 (en) 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
WO2012174367A2 (en) 2011-06-15 2012-12-20 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US10170668B2 (en) 2011-06-21 2019-01-01 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with improved current spreading and light extraction and associated methods
US8274091B1 (en) * 2011-07-07 2012-09-25 Yuan Ze University Light emitting device with light extraction layer and fabricating method thereof
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
EP2737575B1 (en) 2011-07-29 2024-05-01 University of Saskatchewan Polymer-based resonator antennas
KR101772588B1 (ko) * 2011-08-22 2017-09-13 한국전자통신연구원 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 ｍｉｔ 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치
US9324560B2 (en) 2011-09-06 2016-04-26 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
CA2883101A1 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Trilogy Environmental Systems Inc. Hybrid desalination system
US10032956B2 (en) 2011-09-06 2018-07-24 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
US8957440B2 (en) 2011-10-04 2015-02-17 Cree, Inc. Light emitting devices with low packaging factor
CN104040735B (zh) 2011-10-06 2017-08-25 皇家飞利浦有限公司 半导体发光器件的表面处理
EP2613367A3 (en) * 2012-01-06 2013-09-04 Imec Method for producing a led device .
WO2013126432A1 (en) 2012-02-21 2013-08-29 California Institute Of Technology Axially-integrated epitaxially-grown tandem wire arrays
WO2013152132A1 (en) 2012-04-03 2013-10-10 The California Institute Of Technology Semiconductor structures for fuel generation
CN103378223B (zh) * 2012-04-25 2016-07-06 清华大学 外延结构体的制备方法
CN105074941B (zh) 2012-12-06 2019-10-08 首尔伟傲世有限公司 发光二极管、照明模块、照明设备和背光单元
US9536924B2 (en) * 2012-12-06 2017-01-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode and application therefor
US9553223B2 (en) 2013-01-24 2017-01-24 California Institute Of Technology Method for alignment of microwires
EP2951885B1 (en) * 2013-01-31 2020-01-15 University of Saskatchewan Meta-material resonator antennas
JP6275817B2 (ja) 2013-03-15 2018-02-07 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 仮像電子及び光学電子装置に対する平面コンタクト
FR3009428B1 (fr) * 2013-08-05 2015-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice avec collage temporaire via des couches metalliques
US10784583B2 (en) 2013-12-20 2020-09-22 University Of Saskatchewan Dielectric resonator antenna arrays
CN103794688B (zh) * 2014-02-13 2016-11-09 厦门大学 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法
US10147854B2 (en) 2014-05-10 2018-12-04 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
US20160064631A1 (en) * 2014-05-10 2016-03-03 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for Ultraviolet Optoelectronic Device
US9263653B2 (en) 2014-05-15 2016-02-16 Empire Technology Development Llc Light-emissive devices and light-emissive displays
GB201420860D0 (en) * 2014-11-24 2015-01-07 Infiniled Ltd Micro-LED device
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
KR101729683B1 (ko) * 2015-09-16 2017-04-25 한국기계연구원 선격자 편광자의 제조 방법
US10400322B2 (en) 2015-12-04 2019-09-03 The University Of Florida Research Foundation, Inc. Fabrication of thermally stable nanocavities and particle-in-cavity nanostructures
US10461221B2 (en) 2016-01-18 2019-10-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
EP3410215B1 (en) 2016-01-27 2020-06-17 LG Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
KR102089835B1 (ko) 2016-01-27 2020-03-16 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2017131498A1 (ko) 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
WO2018038927A1 (en) 2016-08-26 2018-03-01 The Penn State Research Foundation High light-extraction efficiency (lee) light-emitting diode (led)
JP6871706B2 (ja) * 2016-09-30 2021-05-12 日機装株式会社 半導体発光素子の製造方法
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
WO2019083729A1 (en) * 2017-10-23 2019-05-02 Trustees Of Boston University ENHANCED THERMAL TRANSPORT THROUGH INTERFACES
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN109585685B (zh) * 2018-12-07 2021-06-01 纳晶科技股份有限公司 光取出结构、其制作方法及发光器件
WO2020146318A1 (en) 2019-01-07 2020-07-16 Glint Photonics, Inc. Antireflective structures for light emitting diodes
CN109830589B (zh) * 2019-01-29 2021-04-16 泉州三安半导体科技有限公司 一种led封装器件及其制造方法
DE102019114169A1 (de) * 2019-05-27 2020-12-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
CN110600598B (zh) * 2019-08-21 2021-02-05 苏州紫灿科技有限公司 一种双层纳米阵列结构的倒装紫外led及制备方法
JP2021170595A (ja) 2020-04-15 2021-10-28 国立大学法人東海国立大学機構 窒化ガリウム半導体装置およびその製造方法
US11088093B1 (en) * 2020-05-28 2021-08-10 X-Celeprint Limited Micro-component anti-stiction structures
FR3132593A1 (fr) * 2022-02-08 2023-08-11 Centre National De La Recherche Scientifique - Cnrs - Creation d’une fenetre de sortie de rayonnement pour un composant photoemetteur

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0335568A (ja) * 1989-06-27 1991-02-15 Hewlett Packard Co <Hp> 発光ダイオードおよびその製造方法
JPH03187229A (ja) * 1989-12-18 1991-08-15 Hitachi Ltd 半導体形状の改善方法
JPH04313281A (ja) * 1991-04-10 1992-11-05 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2002100609A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Shiro Sakai 半導体の表面を荒くする方法
JP2002353497A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
JP2003046117A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Kyocera Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2003174191A (ja) * 2001-06-25 2003-06-20 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003258296A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Toshiba Corp 発光素子およびその製造方法
JP2004031856A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法
JP2004505434A (ja) * 1999-12-03 2004-02-19 クリー　インコーポレイテッド 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ
JP2004511080A (ja) * 1999-12-03 2004-04-08 クリー　インコーポレイテッド 内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード
JP2004119839A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (305)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS508494Y1 (ja) 1970-11-13 1975-03-14
US3896479A (en) * 1973-09-24 1975-07-22 Bell Telephone Labor Inc Reduced stresses in iii-v semiconductor devices
US4152044A (en) * 1977-06-17 1979-05-01 International Telephone And Telegraph Corporation Galium aluminum arsenide graded index waveguide
JPS5722581Y2 (ja) 1979-08-21 1982-05-17
US4476620A (en) * 1979-10-19 1984-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making a gallium nitride light-emitting diode
DE3128187A1 (de) 1981-07-16 1983-02-03 Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg Opto-elektronisches bauelement
US4675575A (en) 1984-07-13 1987-06-23 E & G Enterprises Light-emitting diode assemblies and systems therefore
JPS6159886A (ja) 1984-08-31 1986-03-27 Fujitsu Ltd 光半導体装置の製造方法
FR2586844B1 (fr) 1985-08-27 1988-04-29 Sofrela Sa Dispositif de signalisation utilisant des diodes electroluminescentes.
JPH07120807B2 (ja) 1986-12-20 1995-12-20 富士通株式会社 定電流半導体装置
JPS63156367A (ja) 1986-12-20 1988-06-29 Fujitsu Ltd レベル・シフト・ダイオ−ド
JPS63288061A (ja) 1987-05-20 1988-11-25 Fujitsu Ltd 半導体負性抵抗素子
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4865685A (en) * 1987-11-03 1989-09-12 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
US4981551A (en) 1987-11-03 1991-01-01 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
JPH0770755B2 (ja) 1988-01-21 1995-07-31 三菱化学株式会社 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法
US4912532A (en) 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
US5087949A (en) 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
US5103271A (en) 1989-09-28 1992-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5034783A (en) * 1990-07-27 1991-07-23 At&T Bell Laboratories Semiconductor device including cascadable polarization independent heterostructure
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
FR2679253B1 (fr) * 1991-07-15 1994-09-02 Pasteur Institut Proteines de resistance a la cycloheximide. utilisation comme marqueur de selection par exemple pour controler le transfert d'acides nucleiques.
JP3068119B2 (ja) 1991-09-10 2000-07-24 サンケン電気株式会社 ショットキ障壁を有する半導体装置
US5198390A (en) * 1992-01-16 1993-03-30 Cornell Research Foundation, Inc. RIE process for fabricating submicron, silicon electromechanical structures
JP3173117B2 (ja) 1992-03-30 2001-06-04 株式会社村田製作所 ショットキーバリア半導体装置
DE4228895C2 (de) * 1992-08-29 2002-09-19 Bosch Gmbh Robert Kraftfahrzeug-Beleuchtungseinrichtung mit mehreren Halbleiterlichtquellen
US5298767A (en) 1992-10-06 1994-03-29 Kulite Semiconductor Products, Inc. Porous silicon carbide (SiC) semiconductor device
JP2932467B2 (ja) 1993-03-12 1999-08-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5705321A (en) * 1993-09-30 1998-01-06 The University Of New Mexico Method for manufacture of quantum sized periodic structures in Si materials
GB9320291D0 (en) 1993-10-01 1993-11-17 Brown John H Optical directing devices for light emitting diodes
JP2932468B2 (ja) 1993-12-10 1999-08-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2800666B2 (ja) 1993-12-17 1998-09-21 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
US5656832A (en) * 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
JPH08148280A (ja) 1994-04-14 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP2790242B2 (ja) 1994-10-07 1998-08-27 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
JP2921746B2 (ja) 1995-01-31 1999-07-19 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
US5628917A (en) * 1995-02-03 1997-05-13 Cornell Research Foundation, Inc. Masking process for fabricating ultra-high aspect ratio, wafer-free micro-opto-electromechanical structures
US5614734A (en) 1995-03-15 1997-03-25 Yale University High efficency LED structure
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
US5900650A (en) * 1995-08-31 1999-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3135041B2 (ja) 1995-09-29 2001-02-13 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2891348B2 (ja) 1995-11-24 1999-05-17 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP2900990B2 (ja) 1995-11-24 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP3298390B2 (ja) 1995-12-11 2002-07-02 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体多色発光素子の製造方法
US6388272B1 (en) 1996-03-07 2002-05-14 Caldus Semiconductor, Inc. W/WC/TAC ohmic and rectifying contacts on SiC
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
US5985687A (en) 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
US5612567A (en) * 1996-05-13 1997-03-18 North Carolina State University Schottky barrier rectifiers and methods of forming same
JP2760344B2 (ja) 1996-06-12 1998-05-28 日本電気株式会社 照光スイッチ
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
US6550949B1 (en) 1996-06-13 2003-04-22 Gentex Corporation Systems and components for enhancing rear vision from a vehicle
US20040239243A1 (en) 1996-06-13 2004-12-02 Roberts John K. Light emitting assembly
US6030848A (en) * 1996-06-28 2000-02-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a GaN-based compound semiconductor light emitting device
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19640594B4 (de) 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
EP1017113B1 (en) 1997-01-09 2012-08-22 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JPH10209569A (ja) 1997-01-16 1998-08-07 Hewlett Packard Co <Hp> ｐ型窒化物半導体装置とその製造方法
FR2759188B1 (fr) 1997-01-31 1999-04-30 Thery Hindrick Dispositif de signalisation lumineuse, notamment pour regulation du trafic routier
EP0960353B1 (en) 1997-02-13 2010-04-14 Honeywell International Inc. Illumination system with light recycling to enhance brightness
US5767534A (en) 1997-02-24 1998-06-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Passivation capping layer for ohmic contact in II-VI semiconductor light transducing device
US5939732A (en) 1997-05-22 1999-08-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Vertical cavity-emitting porous silicon carbide light-emitting diode device and preparation thereof
JP3642157B2 (ja) 1997-05-26 2005-04-27 ソニー株式会社 ｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体、発光ダイオードおよび半導体レーザ
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
DE19723176C1 (de) 1997-06-03 1998-08-27 Daimler Benz Ag Leistungshalbleiter-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US5888886A (en) * 1997-06-30 1999-03-30 Sdl, Inc. Method of doping gan layers p-type for device fabrication
JP3606015B2 (ja) 1997-07-23 2005-01-05 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体素子の製造方法
DE69835216T2 (de) 1997-07-25 2007-05-31 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
JP3744211B2 (ja) 1997-09-01 2006-02-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JPH11238913A (ja) 1998-02-20 1999-08-31 Namiki Precision Jewel Co Ltd 半導体発光デバイスチップ
KR100611352B1 (ko) 1998-03-12 2006-09-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
DE19813269A1 (de) * 1998-03-25 1999-09-30 Hoechst Diafoil Gmbh Siegelfähige Polyesterfolie mit hoher Sauerstoffbarriere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JPH11330552A (ja) 1998-05-18 1999-11-30 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子及び発光装置
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US6225647B1 (en) 1998-07-27 2001-05-01 Kulite Semiconductor Products, Inc. Passivation of porous semiconductors for improved optoelectronic device performance and light-emitting diode based on same
JP3817915B2 (ja) 1998-07-31 2006-09-06 株式会社デンソー ショットキーダイオード及びその製造方法
US6063699A (en) * 1998-08-19 2000-05-16 International Business Machines Corporation Methods for making high-aspect ratio holes in semiconductor and its application to a gate damascene process for sub- 0.05 micron mosfets
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US7132691B1 (en) 1998-09-10 2006-11-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
JP3525061B2 (ja) 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
CN1227749C (zh) 1998-09-28 2005-11-16 皇家菲利浦电子有限公司 照明系统
JP3063756B1 (ja) 1998-10-06 2000-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2000133883A (ja) 1998-10-22 2000-05-12 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP2000150920A (ja) 1998-11-12 2000-05-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ショットキ接合型半導体ダイオード装置の製法
JP3470622B2 (ja) 1998-11-18 2003-11-25 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3705047B2 (ja) 1998-12-15 2005-10-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6744800B1 (en) 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US6212213B1 (en) 1999-01-29 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Projector light source utilizing a solid state green light source
US6320206B1 (en) 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6389051B1 (en) 1999-04-09 2002-05-14 Xerox Corporation Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
JP3656456B2 (ja) 1999-04-21 2005-06-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
DE19918370B4 (de) 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
US6258699B1 (en) 1999-05-10 2001-07-10 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same
JP3719047B2 (ja) 1999-06-07 2005-11-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6489637B1 (en) 1999-06-09 2002-12-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
EP1059678A2 (en) 1999-06-09 2000-12-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP2000353826A (ja) 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
EP1065734B1 (en) 1999-06-09 2009-05-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof.
JP2000357820A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Pioneer Electronic Corp 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
WO2000079605A1 (en) 1999-06-23 2000-12-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
DE19931689A1 (de) 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
JP4055303B2 (ja) * 1999-10-12 2008-03-05 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体及び半導体素子
US6482711B1 (en) * 1999-10-28 2002-11-19 Hrl Laboratories, Llc InPSb/InAs BJT device and method of making
DE19952932C1 (de) 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
US6646292B2 (en) 1999-12-22 2003-11-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Semiconductor light emitting device and method
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
JP2000315826A (ja) 2000-01-01 2000-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法、砲弾型発光ダイオード、チップタイプｌｅｄ
TW465123B (en) 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
AU3226101A (en) 2000-02-09 2001-08-20 Nippon Leiz Corporation Light source
DE10008583A1 (de) 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
JP4060511B2 (ja) 2000-03-28 2008-03-12 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の分離方法
US6331944B1 (en) 2000-04-13 2001-12-18 International Business Machines Corporation Magnetic random access memory using a series tunnel element select mechanism
US7319247B2 (en) 2000-04-26 2008-01-15 Osram Gmbh Light emitting-diode chip and a method for producing same
US6534346B2 (en) 2000-05-16 2003-03-18 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass and glass tube for encapsulating semiconductors
JP2001332770A (ja) 2000-05-23 2001-11-30 Koha Co Ltd Ｌｅｄチップの樹脂封止方法
JP4695819B2 (ja) * 2000-05-29 2011-06-08 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング Ｌｅｄをベースとする白色発光照明ユニット
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4386693B2 (ja) 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｌｅｄランプおよびランプユニット
JP2001345485A (ja) 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6526082B1 (en) 2000-06-02 2003-02-25 Lumileds Lighting U.S., Llc P-contact for GaN-based semiconductors utilizing a reverse-biased tunnel junction
US6331915B1 (en) 2000-06-13 2001-12-18 Kenneth J. Myers Lighting element including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent
US6330111B1 (en) * 2000-06-13 2001-12-11 Kenneth J. Myers, Edward Greenberg Lighting elements including light emitting diodes, microprism sheet, reflector, and diffusing agent
US6737801B2 (en) 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
US6586762B2 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
US6562648B1 (en) 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
DE10042947A1 (de) 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
JP3839236B2 (ja) 2000-09-18 2006-11-01 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US6429460B1 (en) 2000-09-28 2002-08-06 United Epitaxy Company, Ltd. Highly luminous light emitting device
US6998281B2 (en) 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
WO2002035612A1 (en) 2000-10-20 2002-05-02 Josuke Nakata Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for fabricating the same
JP4091261B2 (ja) 2000-10-31 2008-05-28 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2002151928A (ja) 2000-11-08 2002-05-24 Toshiba Corp アンテナ、及びアンテナを内蔵する電子機器
WO2002041364A2 (en) * 2000-11-16 2002-05-23 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
NL1016779C2 (nl) * 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6930737B2 (en) 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
MY145695A (en) 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP3830083B2 (ja) 2001-03-07 2006-10-04 スタンレー電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6468824B2 (en) 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
US6746889B1 (en) * 2001-03-27 2004-06-08 Emcore Corporation Optoelectronic device with improved light extraction
JP2003115204A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Toyoda Gosei Co Ltd 遮光反射型デバイス及び光源
US6833566B2 (en) 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
KR101008294B1 (ko) 2001-03-30 2011-01-13 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 디바이스
JP2002299699A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6616862B2 (en) 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
US6946788B2 (en) 2001-05-29 2005-09-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP4789350B2 (ja) 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3548735B2 (ja) 2001-06-29 2004-07-28 士郎 酒井 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
US20030020069A1 (en) 2001-07-25 2003-01-30 Motorola, Inc. Structure and method for optimizing transmission media through dielectric layering and doping in semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
US20030030063A1 (en) 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
JP4147755B2 (ja) 2001-07-31 2008-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
TW506145B (en) * 2001-10-04 2002-10-11 United Epitaxy Co Ltd High Luminescence LED having transparent substrate flip-chip type LED die
JP3905343B2 (ja) 2001-10-09 2007-04-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US6498355B1 (en) 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6833564B2 (en) 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
WO2003044870A1 (fr) 2001-11-22 2003-05-30 Mireille Georges Dispositif optique d'eclairage a diodes electroluminescentes
AU2002359628A1 (en) 2001-12-06 2003-06-23 Hrl Laboratories, Llc High power-low noise microwave gan heterojunction field effet transistor
US6552495B1 (en) 2001-12-19 2003-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Adaptive control system and method with spatial uniform color metric for RGB LED based white light illumination
TW520616B (en) * 2001-12-31 2003-02-11 Ritdisplay Corp Manufacturing method of organic surface light emitting device
US6480389B1 (en) 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP3802424B2 (ja) 2002-01-15 2006-07-26 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP3782357B2 (ja) 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
EP1471583B1 (en) 2002-01-28 2009-10-07 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
JP2003234509A (ja) 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6878975B2 (en) 2002-02-08 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Polarization field enhanced tunnel structures
JP4504610B2 (ja) 2002-03-01 2010-07-14 株式会社日立製作所 リッジ型半導体レーザ素子
KR200277135Y1 (ko) 2002-03-04 2002-05-30 주식회사 토우그린 레이저 안개등
JP3801931B2 (ja) 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
US6716654B2 (en) 2002-03-12 2004-04-06 Opto Tech Corporation Light-emitting diode with enhanced brightness and method for fabricating the same
CN100430456C (zh) 2002-03-22 2008-11-05 日亚化学工业株式会社 氮化物荧光体,其制造方法及发光装置
AU2003215785A1 (en) 2002-03-25 2003-10-08 Philips Intellectual Property And Standards Gmbh Tri-color white light led lamp
US7262434B2 (en) 2002-03-28 2007-08-28 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with a silicon carbide substrate and ohmic metal layer
JP2003298115A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6878634B2 (en) * 2002-04-10 2005-04-12 Canon Kabushiki Kaisha Structure having recesses and projections, method of manufacturing structure, and functional device
GB0212011D0 (en) * 2002-05-24 2002-07-03 Univ Heriot Watt Process for fabricating a security device
JP2003347601A (ja) 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオード照明装置
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4349782B2 (ja) 2002-09-11 2009-10-21 東芝ライテック株式会社 Ｌｅｄ照明装置
TW546859B (en) * 2002-09-20 2003-08-11 Formosa Epitaxy Inc Structure and manufacturing method of GaN light emitting diode
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
TW569479B (en) 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
KR100495215B1 (ko) 2002-12-27 2005-06-14 삼성전기주식회사 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
US6693357B1 (en) * 2003-03-13 2004-02-17 Texas Instruments Incorporated Methods and semiconductor devices with wiring layer fill structures to improve planarization uniformity
US20040183081A1 (en) 2003-03-20 2004-09-23 Alexander Shishov Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
JP4377600B2 (ja) 2003-03-24 2009-12-02 株式会社東芝 ３族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び３族窒化物半導体装置
JP4274843B2 (ja) 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびｌｃｄ表示装置
US6964507B2 (en) 2003-04-25 2005-11-15 Everbrite, Llc Sign illumination system
US7087936B2 (en) * 2003-04-30 2006-08-08 Cree, Inc. Methods of forming light-emitting devices having an antireflective layer that has a graded index of refraction
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
WO2004097947A2 (en) * 2003-05-02 2004-11-11 University College Cork-National University Of Ireland, Cork Light emitting diodes and the manufacture thereof
US6869812B1 (en) 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
JP4030463B2 (ja) 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JP2004356116A (ja) 2003-05-26 2004-12-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6923002B2 (en) 2003-08-28 2005-08-02 General Electric Company Combustion liner cap assembly for combustion dynamics reduction
US20050173724A1 (en) * 2004-02-11 2005-08-11 Heng Liu Group III-nitride based LED having a transparent current spreading layer
US6806112B1 (en) 2003-09-22 2004-10-19 National Chung-Hsing University High brightness light emitting diode
US6972438B2 (en) * 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
US20050077535A1 (en) 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
KR20050034936A (ko) 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법
US20050082562A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
JP4458804B2 (ja) 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色ｌｅｄ
US6841804B1 (en) 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
JP4590905B2 (ja) 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
JP2005142311A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
JP4124102B2 (ja) 2003-11-12 2008-07-23 松下電工株式会社 多重反射防止構造を備えた発光素子とその製造方法
TWI291770B (en) 2003-11-14 2007-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface light source device and light emitting diode
KR101127314B1 (ko) 2003-11-19 2012-03-29 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체소자
JP2005166937A (ja) 2003-12-02 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005167079A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7095056B2 (en) 2003-12-10 2006-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. White light emitting device and method
JP4289144B2 (ja) 2003-12-15 2009-07-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US6932497B1 (en) * 2003-12-17 2005-08-23 Jean-San Huang Signal light and rear-view mirror arrangement
US7102152B2 (en) 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7066623B2 (en) 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
JP4442216B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-31 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ装置
JP4637478B2 (ja) 2003-12-26 2011-02-23 日本パイオニクス株式会社 気相成長装置
KR100566700B1 (ko) * 2004-01-15 2006-04-03 삼성전자주식회사 반도체 공정에서 포토레지스트 패턴 형성 방법,포토레지스트 패턴 형성용 템플레이트 및 이의 제조 방법.
US7170111B2 (en) 2004-02-05 2007-01-30 Cree, Inc. Nitride heterojunction transistors having charge-transfer induced energy barriers and methods of fabricating the same
JP4233466B2 (ja) 2004-02-12 2009-03-04 三菱化学株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP4363215B2 (ja) 2004-02-19 2009-11-11 日亜化学工業株式会社 アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2005266124A (ja) 2004-03-17 2005-09-29 Sharp Corp 粉体排出装置及び画像形成装置
US7009285B2 (en) 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
JP2005294736A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
JP3983793B2 (ja) 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
DE102004020363A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-17 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines Masters, Master und Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen sowie optischen Element
JP4128564B2 (ja) 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
EP1594001B1 (en) * 2004-05-07 2015-12-30 Obducat AB Device and method for imprint lithography
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
WO2006005062A2 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
WO2006006555A1 (ja) 2004-07-12 2006-01-19 Rohm Co., Ltd. 半導体発光素子
TWI274209B (en) 2004-07-16 2007-02-21 Chi Lin Technology Co Ltd Light emitting diode and backlight module having light emitting diode
US7203409B2 (en) 2004-08-16 2007-04-10 Covega Corporation Superluminescent diodes having high output power and reduced internal reflections
KR100524098B1 (ko) 2004-09-10 2005-10-26 럭스피아 주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US8513686B2 (en) 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
JP4121536B2 (ja) 2004-09-27 2008-07-23 松下電器産業株式会社 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法、並びに発光装置
EP1653255A3 (en) 2004-10-29 2006-06-21 Pentair Water Pool and Spa, Inc. Selectable beam lens for underwater light
US7194170B2 (en) * 2004-11-04 2007-03-20 Palo Alto Research Center Incorporated Elastic microchannel collimating arrays and method of fabrication
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7858408B2 (en) 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7413918B2 (en) 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
JP5140922B2 (ja) 2005-01-17 2013-02-13 オムロン株式会社 発光光源及び発光光源アレイ
US7374968B2 (en) * 2005-01-28 2008-05-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of utilizing a contact printing stamp
TWI255566B (en) 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
TW200707799A (en) 2005-04-21 2007-02-16 Aonex Technologies Inc Bonded intermediate substrate and method of making same
KR100682874B1 (ko) 2005-05-02 2007-02-15 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ
TWM277882U (en) 2005-05-31 2005-10-11 Sheng-Li Yang Diffusion type light source structure
US7348212B2 (en) 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
US7491626B2 (en) 2005-06-20 2009-02-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Layer growth using metal film and/or islands
EP1897146A2 (en) 2005-06-27 2008-03-12 Lamina Lighting, Inc. Light emitting diode package and method for making same
EP1902466A4 (en) 2005-07-05 2010-09-08 Int Rectifier Corp SCHOTTKY DIODE WITH IMPROVED TOP CAPABILITY
JP2007036010A (ja) 2005-07-28 2007-02-08 Toshiba Corp ショットキーバリアダイオード装置及びその製造方法
CN100449888C (zh) 2005-07-29 2009-01-07 日亚化学工业株式会社 半导体激光元件
US7265911B2 (en) 2005-08-22 2007-09-04 Eastman Kodak Company Zoom lens system having variable power element
US7214626B2 (en) * 2005-08-24 2007-05-08 United Microelectronics Corp. Etching process for decreasing mask defect
JP4857735B2 (ja) 2005-11-28 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7514721B2 (en) 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007073496A2 (en) 2005-12-22 2007-06-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US7682850B2 (en) 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
US7364338B2 (en) 2006-03-29 2008-04-29 Tpo Displays Corp. Systems for providing backlight module with stacked light source
JP2009534799A (ja) 2006-04-18 2009-09-24 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 制御された色混合のための光学デバイス
CN102800786B (zh) 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
US7626210B2 (en) 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
US8080828B2 (en) 2006-06-09 2011-12-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer
US20070295968A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Kheng Leng Tan Electroluminescent device with high refractive index and UV-resistant encapsulant
US7820075B2 (en) 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
DE102007046743A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
DE102007057674A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED mit Stromaufweitungsschicht
US20090173958A1 (en) 2008-01-04 2009-07-09 Cree, Inc. Light emitting devices with high efficiency phospor structures
JP5388666B2 (ja) 2008-04-21 2014-01-15 キヤノン株式会社 面発光レーザ
JP5371375B2 (ja) 2008-10-30 2013-12-18 三菱レイヨン・テキスタイル株式会社 ワイピング用布帛
US20110018013A1 (en) 2009-07-21 2011-01-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thin-film flip-chip series connected leds

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0335568A (ja) * 1989-06-27 1991-02-15 Hewlett Packard Co <Hp> 発光ダイオードおよびその製造方法
JPH03187229A (ja) * 1989-12-18 1991-08-15 Hitachi Ltd 半導体形状の改善方法
JPH04313281A (ja) * 1991-04-10 1992-11-05 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2004505434A (ja) * 1999-12-03 2004-02-19 クリー　インコーポレイテッド 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ
JP2004511080A (ja) * 1999-12-03 2004-04-08 クリー　インコーポレイテッド 内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード
JP2002100609A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Shiro Sakai 半導体の表面を荒くする方法
JP2002353497A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
JP2003174191A (ja) * 2001-06-25 2003-06-20 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2003046117A (ja) * 2001-07-30 2003-02-14 Kyocera Corp 半導体発光素子の製造方法
JP2003258296A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Toshiba Corp 発光素子およびその製造方法
JP2004031856A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法
JP2004119839A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6013019252; Ｈｉｄｅｋｉ　Ｋａｓｕｇａｉ　他: '"Ｍｏｔｈ-Ｅｙｅ　Ｌｉｇｈｔ-Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ"' Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｓｙｍｐｏｓｉａ　ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ Ｖｏｌ．８３１, 2004, Ｅ１．９．１-６ *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9318327B2 (en) 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
KR20150036383A (ko) * 2012-07-05 2015-04-07 코닌클리케 필립스 엔.브이. 투명한 스페이서에 의해 ｌｅｄ로부터 분리된 인광체
KR102183516B1 (ko) 2012-07-05 2020-11-27 루미리즈 홀딩 비.브이. 투명한 스페이서에 의해 ｌｅｄ로부터 분리된 인광체
JP2015532012A (ja) * 2012-09-17 2015-11-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 成形された基板を含む発光デバイス

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