JP2008306154A5 - - Google Patents

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Claims (20)

  1. 入射光を光電変換する受光部を有する固体撮像装置において、
    前記受光部の受光面に形成した界面準位を下げる膜と、
    前記界面準位を下げる膜上に形成した負の固定電荷を有する膜とを有し、
    前記受光部の受光面側にホール蓄積層が形成される
    固体撮像装置。
  2. 前記負の固定電荷を有する膜は、
    酸化ハフニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化タンタル膜、または酸化チタン膜である請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 前記界面準位を下げる膜は酸化シリコン膜からなる
    請求項１記載の固体撮像装置。
  4. 前記受光部の側部に周辺回路が形成された周辺回路部を有し、
    前記負の固定電荷を有する膜の前記周辺回路部表面からの距離が前記受光部表面からの距離よりも長くなるように、前記周辺回路部表面と前記負の固定電荷を有する膜との間に絶縁膜が形成されている
    請求項１記載の固体撮像装置。
  5. 前記受光部の側部に周辺回路が形成された周辺回路部を有し、
    前記周辺回路部上と前記負の固定電荷を有する膜との間の絶縁膜とは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜の１種もしくは、複数の膜種の積層構造によって構成されている
    請求項１記載の固体撮像装置。
  6. 前記固体撮像装置は、
    入射光量を電気信号に変換する受光部を有する複数の画素部と、前記画素部が形成された半導体基板の一面側に配線層を備え、前記配線層が形成されている面とは反対側より入射される光を前記受光部で受光する裏面照射型固体撮像装置である
    請求項１記載の固体撮像装置。
  7. 入射光を光電変換する受光部を有する固体撮像装置において、
    前記受光部の受光面に形成した前記入射光を透過する絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成した負電圧を印加する膜とを有し、
    前記受光部の受光面側にホール蓄積層が形成される
    固体撮像装置。
  8. 前記負電圧を印加する膜は、前記入射光を透過する導電性材料からなる
    請求項７記載の固体撮像装置。
  9. 前記受光部の側部に周辺回路が形成された周辺回路部を有し、
    前記負電圧を印加する膜の前記周辺回路部表面からの距離が前記受光部表面からの距離よりも長くなるように、前記周辺回路部表面と前記負電圧を印加する膜との間に絶縁膜が形成されている
    請求項７記載の固体撮像装置。
  10. 前記受光部の側部に周辺回路が形成された周辺回路部を有し、
    前記周辺回路部上と前記負電圧を印加する膜との間に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜の１種もしくは、複数の膜種の積層構造によって構成された膜が形成されている
    請求項７記載の固体撮像装置。
  11. 前記固体撮像装置は、
    入射光量を電気信号に変換する受光部を有する複数の画素部と、前記画素部が形成された半導体基板の一面側に配線層を備え、前記配線層が形成されている面とは反対側より入射される光を前記受光部で受光する裏面照射型固体撮像装置である
    請求項７記載の固体撮像装置。
  12. 入射光を光電変換する受光部を有する固体撮像装置において、
    前記受光部の受光面側上層に形成した絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成したもので前記光電変換する受光部の受光面側の界面よりも仕事関数の値が大きい膜とを有する
    固体撮像装置。
  13. 前記固体撮像装置は、
    入射光量を電気信号に変換する受光部を有する複数の画素部と、前記画素部が形成された半導体基板の一面側に配線層を備え、前記配線層が形成されている面とは反対側より入射される光を前記受光部で受光する裏面照射型固体撮像装置である
    請求項１２記載の固体撮像装置。
  14. 半導体基板に入射光を光電変換する受光部を形成する固体撮像装置の製造方法において、
    前記受光部が形成された半導体基板上に界面準位を下げる膜を形成する工程と、
    前記界面準位を下げる膜上に負の固定電荷を有する膜を形成する工程とを有し、
    前記負の固定電荷を有する膜により前記受光部の受光面側にホール蓄積層を形成させる
    固体撮像装置の製造方法。
  15. 前記負の固定電荷を有する膜を形成する工程は、
    原子層蒸着法によって前記界面準位を下げる膜上に第１酸化ハフニウム膜を形成する工程と、
    物理的気相成長法によって前記第１酸化ハフニウム膜上に第２酸化ハフニウム膜を形成する工程とを有する
    請求項１４記載の固体撮像装置の製造方法。
  16. 半導体基板に入射光を光電変換する受光部を形成する固体撮像装置の製造方法において、
    前記受光部の受光面に前記入射光を透過する絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上に負電圧を印加する膜を形成する工程とを有し、
    前記負電圧を印加する膜に負電圧を印加することにより前記受光部の受光面側にホール蓄積層を形成させる
    固体撮像装置の製造方法。
  17. 半導体基板に入射光を光電変換する受光部を形成する固体撮像装置の製造方法において、
    前記受光部の受光面側上層に絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上に前記光電変換する受光部の受光面側の界面よりも仕事関数の値が大きい膜を形成する工程とを有する
    固体撮像装置の製造方法。
  18. 入射光を集光する集光光学部と、
    前記集光光学部で集光した前記入射光を受光して光電変換する固体撮像装置と、
    光電変換された信号電荷を処理する信号処理部とを備え、
    前記固体撮像装置は、
    前記入射光を光電変換する前記固体撮像装置の受光部の受光面に形成した界面準位を下げる膜と、
    前記界面準位を下げる膜に形成した負の固定電荷を有する膜とを有し、
    前記受光部の受光面にホール蓄積層が形成される
    撮像装置。
  19. 入射光を集光する集光光学部と、
    前記集光光学部で集光した前記入射光を受光して光電変換する固体撮像装置と、
    光電変換された信号電荷を処理する信号処理部とを備え、
    前記固体撮像装置は、
    前記入射光を光電変換する前記固体撮像装置の受光部の受光面に形成した絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成した負電圧を印加する膜とを有し、
    前記絶縁膜は前記入射光を透過する絶縁膜からなり、
    前記受光部の受光面にホール蓄積層が形成される
    撮像装置。
  20. 入射光を集光する集光光学部と、
    前記集光光学部で集光した前記入射光を受光して光電変換する固体撮像装置と、
    光電変換された信号電荷を処理する信号処理部とを備え、
    前記固体撮像装置は、
    前記入射光を信号電荷に変換する前記固体撮像装置の受光部の受光面側上層に形成した絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成したもので前記光電変換する受光部の受光面側の界面よりも仕事関数の値が大きい膜とを有する
    撮像装置。
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US12/244,889 US8288836B2 (en) 2007-05-07 2008-10-03 Solid state imaging device capable of supressing generation of dark current
TW097138732A TWI464866B (zh) 2007-05-07 2008-10-08 固體攝像裝置和其製造方法及攝像裝置
KR1020080099843A KR101531055B1 (ko) 2007-10-11 2008-10-10 촬상 장치, 고체 촬상 장치, 및 그 제조방법
CN200810161899XA CN101409301B (zh) 2007-10-11 2008-10-13 固态成像装置及其制造方法和成像装置
US12/763,615 US8334552B2 (en) 2007-05-07 2010-04-20 Solid state imaging device that suppresses generation of dark current, and imaging apparatus
US12/763,644 US8034649B2 (en) 2007-05-07 2010-04-20 Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and imaging apparatus
US12/977,756 US8471347B2 (en) 2007-05-07 2010-12-23 Solid-state imaging device capable of suppressing generation of dark current and imaging apparatus
US12/977,766 US8946840B2 (en) 2007-05-07 2010-12-23 Solid state imaging device, with suppressed dark current, method of manufacturing, and imaging apparatus
US14/570,784 US9368536B2 (en) 2007-05-07 2014-12-15 Solid state imaging device for reducing dark current, method of manufacturing the same, and imaging apparatus
KR1020150026536A KR101596629B1 (ko) 2007-10-11 2015-02-25 촬상 장치, 고체 촬상 장치, 및 그 제조방법
US15/161,805 US9735192B2 (en) 2007-05-07 2016-05-23 Solid state imaging device for reducing dark current and imaging apparatus
US15/667,556 US10192921B2 (en) 2007-05-07 2017-08-02 Solid state imaging device for reducing dark current, method of manufacturing the same, and imaging apparatus
US16/230,197 US10770500B2 (en) 2007-05-07 2018-12-21 Solid state imaging device for reducing dark current

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Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
TWI426602B (zh) * 2007-05-07 2014-02-11 Sony Corp A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus
JP5151375B2 (ja) * 2007-10-03 2013-02-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法および撮像装置
US8257997B2 (en) * 2007-10-17 2012-09-04 Sifotonics Technologies (Usa) Inc. Semiconductor photodetectors
JP5374980B2 (ja) * 2008-09-10 2013-12-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
JP5185236B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード
JP5185206B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
JP5185205B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
JP5185208B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ
JP5185207B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードアレイ
JP4924634B2 (ja) 2009-03-04 2012-04-25 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP5347999B2 (ja) 2009-03-12 2013-11-20 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5773379B2 (ja) * 2009-03-19 2015-09-02 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
US9123653B2 (en) * 2009-07-23 2015-09-01 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US8319262B2 (en) 2009-07-31 2012-11-27 Sri International Substrate bias for CMOS imagers
JP5418049B2 (ja) 2009-08-03 2014-02-19 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP5306141B2 (ja) * 2009-10-19 2013-10-02 株式会社東芝 固体撮像装置
JP5899519B2 (ja) 2009-11-05 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置
GB2475086B (en) 2009-11-05 2014-02-05 Cmosis Nv Backside illuminated image sensor
JP5509846B2 (ja) * 2009-12-28 2014-06-04 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5172819B2 (ja) 2009-12-28 2013-03-27 株式会社東芝 固体撮像装置
KR20110077451A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 삼성전자주식회사 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치
JP2011159848A (ja) 2010-02-02 2011-08-18 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2011198854A (ja) 2010-03-17 2011-10-06 Fujifilm Corp 光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置
JP5663925B2 (ja) * 2010-03-31 2015-02-04 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
US8278690B2 (en) 2010-04-27 2012-10-02 Omnivision Technologies, Inc. Laser anneal for image sensors
WO2011142065A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
WO2011160130A2 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Sionyx, Inc High speed photosensitive devices and associated methods
JP2012054321A (ja) 2010-08-31 2012-03-15 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置及び撮像装置
JP5581954B2 (ja) * 2010-10-07 2014-09-03 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
JP2012084609A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
KR101133154B1 (ko) 2011-02-03 2012-04-06 디지털옵틱스 코포레이션 이스트 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 차등 높이 실리콘을 포함하는 이면 조사 센서 패키지
KR101095945B1 (ko) 2011-02-03 2011-12-19 테쎄라 노쓰 아메리카, 아이엔씨. 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 흡광 재료를 포함하는 이면 조사 센서 패키지
JP5708025B2 (ja) * 2011-02-24 2015-04-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5810551B2 (ja) 2011-02-25 2015-11-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP6299058B2 (ja) * 2011-03-02 2018-03-28 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
JP2012191005A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
JP2013012506A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、電子機器の製造方法、および電子機器。
US20130016203A1 (en) 2011-07-13 2013-01-17 Saylor Stephen D Biometric imaging devices and associated methods
FR2980304A1 (fr) * 2011-09-20 2013-03-22 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'un capteur d'image eclaire par la face arriere avec couche antireflet
US8760543B2 (en) 2011-09-26 2014-06-24 Truesense Imaging, Inc. Dark reference in CCD image sensors
JP5943577B2 (ja) * 2011-10-07 2016-07-05 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
US9224773B2 (en) 2011-11-30 2015-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same
JP2013157422A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器
US9379275B2 (en) 2012-01-31 2016-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for reducing dark current in image sensors
JP6095268B2 (ja) 2012-02-24 2017-03-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び撮像システム
US8772899B2 (en) * 2012-03-01 2014-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for backside illumination sensor
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
US8759928B2 (en) 2012-04-04 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor cross-talk reduction system and method
JP5801245B2 (ja) 2012-04-09 2015-10-28 株式会社東芝 固体撮像装置
US9659981B2 (en) 2012-04-25 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside illuminated image sensor with negatively charged layer
US8709854B2 (en) 2012-05-10 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside structure and methods for BSI image sensors
US9356058B2 (en) 2012-05-10 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside structure for BSI image sensor
US9401380B2 (en) 2012-05-10 2016-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside structure and methods for BSI image sensors
CN104380468B (zh) 2012-06-29 2018-05-22 索尼半导体解决方案公司 固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备
CN102800686B (zh) * 2012-08-28 2016-12-21 豪威科技(上海)有限公司 背照式cmos影像传感器
US8957359B2 (en) * 2012-10-12 2015-02-17 Omnivision Technologies, Inc. Compact in-pixel high dynamic range imaging
KR102007279B1 (ko) 2013-02-08 2019-08-05 삼성전자주식회사 3차원 이미지 센서의 거리 픽셀, 이를 포함하는 3차원 이미지 센서 및 3차원 이미지 센서의 거리 픽셀의 구동 방법
JP5568150B2 (ja) * 2013-02-25 2014-08-06 株式会社東芝 固体撮像装置および携帯情報端末
US20140252521A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image Sensor with Improved Dark Current Performance
US9224881B2 (en) 2013-04-04 2015-12-29 Omnivision Technologies, Inc. Layers for increasing performance in image sensors
US9209345B2 (en) 2013-06-29 2015-12-08 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
JP5725123B2 (ja) * 2013-10-04 2015-05-27 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
TWI753351B (zh) 2013-11-29 2022-01-21 日商索尼半導體解決方案公司 攝像元件及電子機器
JP6616070B2 (ja) * 2013-12-01 2019-12-04 ユージェヌス インコーポレイテッド 誘電性複合体構造の作製方法及び装置
US9859326B2 (en) * 2014-01-24 2018-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof
KR102242580B1 (ko) 2014-04-23 2021-04-22 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
US9281333B2 (en) 2014-05-01 2016-03-08 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging devices having light shielding partitions with variable dimensions
JP6345519B2 (ja) 2014-07-09 2018-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2016046336A (ja) * 2014-08-21 2016-04-04 ソニー株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに放射線撮像装置
JP6048483B2 (ja) * 2014-12-10 2016-12-21 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP6780503B2 (ja) * 2014-12-18 2020-11-04 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置
JP6163511B2 (ja) * 2015-04-16 2017-07-12 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
KR102435031B1 (ko) 2015-08-11 2022-08-22 삼성전자주식회사 고정 전하막을 갖는 이미지 센서
JP6879919B2 (ja) * 2015-09-17 2021-06-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法
FR3043495A1 (fr) * 2015-11-09 2017-05-12 St Microelectronics Crolles 2 Sas Capteur d'images a obturation globale
JP6176313B2 (ja) * 2015-12-02 2017-08-09 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
CN105445237B (zh) * 2015-12-31 2018-01-05 哈尔滨工业大学 一种外加电场条件下测量液体吸收系数的方法
JP2017163010A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 ソニー株式会社 撮像装置、電子機器
US11522098B2 (en) * 2016-04-01 2022-12-06 Trustees Of Dartmouth College UV/VIS/IR backside-illuminated photon-counting sensor
JP6567468B2 (ja) 2016-06-20 2019-08-28 株式会社東芝 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ
KR102563588B1 (ko) 2016-08-16 2023-08-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR102666073B1 (ko) 2016-12-28 2024-05-17 삼성전자주식회사 이미지 센서
TWI640929B (zh) * 2017-04-18 2018-11-11 Gingy Technology Inc. 指紋辨識方法以及指紋辨識裝置
JP6920110B2 (ja) * 2017-06-13 2021-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JP6663887B2 (ja) * 2017-07-11 2020-03-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US10361237B2 (en) * 2017-12-27 2019-07-23 International Business Machines Corporation Low dark current backside illumination sensor
CN108336105B (zh) * 2018-04-04 2019-02-15 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种图像传感器及其器件邻近结构
CN108321158B (zh) * 2018-04-11 2024-04-16 南京邮电大学 基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法
US11320568B2 (en) 2018-05-11 2022-05-03 Corning Incorporated Curved surface films and methods of manufacturing the same
JP7214373B2 (ja) 2018-06-04 2023-01-30 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、撮像システム
JP7362198B2 (ja) 2018-07-18 2023-10-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、測距モジュール、および、電子機器
KR102386104B1 (ko) 2018-12-21 2022-04-13 삼성전자주식회사 후면조사형 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 기기
JP7414492B2 (ja) * 2019-11-29 2024-01-16 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法
KR102199999B1 (ko) * 2020-10-08 2021-01-08 주식회사 유진테크 머티리얼즈 표면 보호 물질을 이용한 박막 형성 방법
WO2023047663A1 (ja) * 2021-09-27 2023-03-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および電子機器
JP2023073713A (ja) * 2021-11-16 2023-05-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5538823B2 (ja) * 1971-12-22 1980-10-07
JPS5124341B2 (ja) * 1971-12-24 1976-07-23
JPH01256168A (ja) 1988-04-06 1989-10-12 Matsushita Electron Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0438872A (ja) 1990-06-04 1992-02-10 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像素子
JPH05335546A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Sony Corp 固体撮像装置
JPH06268243A (ja) 1993-03-12 1994-09-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体エネルギー検出器の製造方法
JP3070513B2 (ja) * 1997-04-07 2000-07-31 日本電気株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US6170390B1 (en) * 1998-12-21 2001-01-09 Alan L. Backus Enclosed rotisserie with added convenience
US6890766B2 (en) * 1999-03-17 2005-05-10 International Business Machines Corporation Dual-type thin-film field-effect transistors and applications
US6809359B2 (en) * 2001-05-16 2004-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device, method for manufacturing the same, and method for driving the same
JP3759435B2 (ja) * 2001-07-11 2006-03-22 ソニー株式会社 Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
JP4123415B2 (ja) * 2002-05-20 2008-07-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
US6902681B2 (en) * 2002-06-26 2005-06-07 Applied Materials Inc Method for plasma etching of high-K dielectric materials
JP4540320B2 (ja) 2003-09-19 2010-09-08 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4046067B2 (ja) * 2003-11-04 2008-02-13 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2005142510A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
KR20050064335A (ko) * 2003-12-23 2005-06-29 삼성전자주식회사 집광층을 포함하는 고체 촬상 소자 제조 방법
US7148525B2 (en) * 2004-01-12 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Using high-k dielectrics in isolation structures method, pixel and imager device
US20050167734A1 (en) * 2004-01-20 2005-08-04 The Regents Of The University Of California Flash memory devices using large electron affinity material for charge trapping
JP4525144B2 (ja) * 2004-04-02 2010-08-18 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US20050274994A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Rhodes Howard E High dielectric constant spacer for imagers
US20050274996A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
US7282409B2 (en) * 2004-06-23 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Isolation structure for a memory cell using Al2O3 dielectric
JP4779320B2 (ja) * 2004-08-10 2011-09-28 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR100672701B1 (ko) * 2004-12-29 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서 및 그의 제조 방법
CN100442530C (zh) * 2005-02-21 2008-12-10 索尼株式会社 固态成像器件及其驱动方法和照相装置
JP2006261638A (ja) * 2005-02-21 2006-09-28 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP4979893B2 (ja) 2005-03-23 2012-07-18 ソニー株式会社 物理量分布検知装置並びに物理情報取得方法および物理情報取得装置
JP2006269789A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2006278539A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｍｏｓ型固体撮像装置
JP2007048893A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP2007048894A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP4940607B2 (ja) * 2005-09-22 2012-05-30 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ
US7619266B2 (en) * 2006-01-09 2009-11-17 Aptina Imaging Corporation Image sensor with improved surface depletion
JP4992446B2 (ja) * 2006-02-24 2012-08-08 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ
US7531399B2 (en) * 2006-09-15 2009-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Semiconductor devices and methods with bilayer dielectrics
TWI426602B (zh) * 2007-05-07 2014-02-11 Sony Corp A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus

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