JP2011049503A5 - - Google Patents
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Description
本発明の１つの側面に係る光電変換装置は、光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置であって、半導体基板の上に配され、前記画素配列領域の配線層の数よりも前記周辺領域の配線層の数が多い多層配線構造と、前記画素配列領域における前記多層配線構造の上に配された複数の層内レンズと、を備え、前記複数の層内レンズのそれぞれは、第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体の上に配され、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有する第２の絶縁体と、を含み、前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の層間絶縁膜とは、同じ材料で形成されていることを特徴とする。
Claims (10)
- 光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置であって、
半導体基板の上に配され、前記画素配列領域の配線層の数よりも前記周辺領域の配線層の数が多い多層配線構造と、
前記画素配列領域における前記多層配線構造の上に配された複数の層内レンズと、を備え、
前記複数の層内レンズのそれぞれは、
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の上に配され、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有する第２の絶縁体と、を含み、
前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の層間絶縁膜とは、同じ材料で形成されている
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の層間絶縁膜とは、シリコン酸化物からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。 - 前記第１の絶縁体は、前記光電変換部の上方に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。 - 前記第１の絶縁体の上面は、前記半導体基板の表面から離れる方向へ膨出した曲面を含む
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記第１の絶縁体は、前記半導体基板の表面に垂直な方向の断面が矩形である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記画素配列領域における最上の配線層と前記周辺領域における最上の配線層とを覆う保護膜をさらに備え、
前記第２の絶縁体と前記保護膜とは、同じ材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記第２の絶縁体と前記保護膜とは、シリコン窒化物からなる
ことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。 - 前記複数の層内レンズのそれぞれは、前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体との間に反射抑制膜をさらに含む
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 請求項１から８のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。 - 光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
半導体基板の上方における前記画素配列領域及び前記周辺領域に絶縁層を形成する第１の工程と、
前記絶縁層をパターニングすることにより、前記画素配列領域における第１の絶縁体と、多層配線構造における前記周辺領域の最上の層間絶縁膜とを形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁体の上に、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有した材料で第２の絶縁体を形成する第３の工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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