KR100781545B1 - 감도가 향상된 이미지 센서 및 그의 제조방법 - Google Patents
감도가 향상된 이미지 센서 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100781545B1 KR100781545B1 KR1020060076334A KR20060076334A KR100781545B1 KR 100781545 B1 KR100781545 B1 KR 100781545B1 KR 1020060076334 A KR1020060076334 A KR 1020060076334A KR 20060076334 A KR20060076334 A KR 20060076334A KR 100781545 B1 KR100781545 B1 KR 100781545B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- level metal
- level
- region
- sensor region
- peripheral circuit
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 194
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 194
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
광전 변환 소자로부터 최상위의 마이크로 렌즈까지의 수직 거리가 최소화 된 이미지 센서 및 그의 제조방법이 제공한다. 센서 영역과 상기 주변 회로 영역이 정의된 기판, 센서 영역의 상기 기판 내에 형성된 복수 개의 광전 변환 소자, 및 기판 상에 차례로 형성된 제 1레벨 금속 배선 내지 제 n(단, n은 2 이상의 자연수)레벨 금속 배선을 포함하되, 센서 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 배선의 두께가 주변회로 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 배선의 두께보다 얇다.
금속 배선, 이미지 센서, 구리(Copper), 광 도파관
Description
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도 1의 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100 : 기판
105 : 광전 변환 소자
130, 145, 160, 160a: 금속 배선
120: 층간 절연막
135,150, 165, 165a : 금속 층간 절연막
본 발명은 이미지 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 씨모스(CMOS) 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시킨다. 최근들어 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라 등 다양한 분야에서 이미지 센서의 수요가 증대하고 있다.
CMOS 이미지 센서는 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝(scanning) 방식으로 구현 가능하다. 또한, 신호 처리 회로를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능하며, CMOS 공정 기술을 호환하여 사용할 수 있어 제조 단가를 낮출 수 있다. 전력 소모 또한 매우 낮아 배터리 용량이 제한적인 제품에 적용이 용이하다.
앞에서 언급한 바와 같이, CMOS 이미지 센서는 CMOS 공정 기술을 이용하여 제조하는 것이 일반적이며, CMOS 공정기술에 널리 이용되는 알루미늄(Aluminum)을 CMOS 이미지 센서의 금속 배선으로 널리 이용하여 왔다.
그런데, 일반적으로 알루미늄 배선은 면 저항(Sheet Resistance)값이 높아서 구리(copper) 배선에 비해 높은 두께를 사용하게 된다.
또한, 통상적으로 듀얼 다마신(Dual Damascene) 공정을 이용하는 형성하는 구리 배선에 비해 알루미늄 배선의 경우 금속 층간 절연막(Interlayer Dielectric)의 두께도 높게 된다.
이와 같이, 알루미늄 배선을 사용하게 되면, 기판 내에 형성된 광전 변환 소자(Photoelectric conversion element)로부터 최상위의 마이크로 렌즈(microlens)까지의 수직 거리가 길어 지게 되고, 이는 외부로부터 광전 변환 소자까지 입사되 는 광로 길이(Optical path)가 길어지는 결과를 의미하므로, 감도(Sensitivity)가 떨어지는 문제를 발생하게 된다.
상기와 같은 문제를 극복하기 위해서, 구리배선(Copper)을 적용하는 연구가 한창 진행 중이나, 이는 기존 설비 이외의 막대한 추가 투자 비용을 필요로 한다.
따라서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서는 기존의 알루미늄(Aluminum)배선을 이용하면서 감도가 향상된 이미지 센서 및 그 제조방법이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 본 발명이 속하는 기술 분야에서의 요구에 부응하여 광전 변환 소자로부터 최상위의 마이크로 렌즈까지의 수직 거리가 최소화 된 이미지 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따른 이미지 센서는 센서 영역과 주변회로 영역이 정의된 기판, 센서 영역의 상기 기판 내에 형성된 복수개의 광전 변환 소자, 및 기판 상에 차례로 형성된 제 1레벨 금속 배선 내지 제 n(단, n은 2이상의 자연수)레벨 금속 배선을 포함하되, 센서 영역 상의 제 n레벨 금속 배선의 두께가 상기 주변회로 영역 상의 제 n레벨 금속 배선의 두께보다 얇다.
예를 들어, 제 n레벨 금속 배선이 제 2레벨 또는 제 3레벨의 금속 배선인 것 을 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 태양에 따른 이미지 센서는 메인 센서 영역과 더미 센서 영역을 포함하는 센서 영역과 주변 회로 영역이 정의된 기판, 상기 센서 영역의 기판 내에 형성된 복수 개의 광전 변환 소자, 기판 상에 형성된 복수 개의 금속 배선, 및 복수 개의 금속 배선을 둘러싸는 복수개의 금속 층간 절연막을 포함하되, 메인 센서 영역 상의 적어도 하나의 상기 금속 배선의 두께가 상기 주변 회로 영역 상의 동일레벨의 상기 금속 배선의 두께보다 얇은 것을 포함한다.
예를 들어, 주변 회로 영역의 동일레벨의 금속 배선보다 얇은 메인 센서 영역의 금속 배선은 최상위 레벨의 금속 배선일 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따른 이미지 센서의 제조방법은 센서 영역과 더미 센서 영역을 포함하는 센서 영역과 주변 회로 영역이 정의된 기판을 준비하는 단계; 센서 영역의 상기 기판 내에 복수 개의 광전 변환 소자를 형성하는 단계; 기판 상에 제 1레벨 금속 배선을 형성하는 단계; 제 1레벨 금속 배선 상에 제 n(단, n은 2이상의 자연수)레벨 금속 배선을 형성하는 단계; 메인 센서 영역을 노출시키는 제 1 마스크를 형성하는 단계; 및 제 1 마스크를 이용하여, 상기 메인 센서 영역 상의 상기 제 n 금속 배선을 식각하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제 1레벨 금속 배선을 둘러싸는 제 1레벨 금속 층간 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제 n레벨을 둘러싸는 제 n레벨 금속 층간 절연막을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예들에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되어지는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따르는 이미지 센서의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 이미지 센서(CIS)는 메인 센서 영역(20)과 더미 센서 영역(30)을 구비한 센서 영역(10)과 상기 센서 영역을 둘러싸는 주변 회로 영역(40)으로 구성되어 있다.
메인 센서 영역(Main Sensor Region, 20)은 각 단위 픽셀(Unit Pixel)이 매트릭스(Matrix) 형태의 어레이(Array)로 이루어져 있다.
여기서, 단위 픽셀(Unit Pixel)은 외부의 광 정보를 전기적 신호로 바꾸는 광전 변환 소자(Photoelectric conversion element)와 트랜스퍼 트랜지스터(Transfer Transistor), 리셋 트랜지스터(Reset Transistor), 선택 트랜지스 터(Select Transistor) 또는 드라이브 트랜지스터(Drive Transistor)로 구성된 독출 소자들(Read-out elements)로 구성되어 있다.
예를 들어, 광전 변환 소자들은 포토 다이오드 또는 포토 게이트 일 수 있다.
더미 센서 영역(Dummy Sensor Region, 30)은 메인 센서 영역(20)과 동일하게 단위 픽셀(Pixel)이 매트릭스 형태의 어레이로 구성되어 있다.
하지만, 더미 센서 영역(30)의 픽셀은 외부의 광을 전기적 신호로 바꾸는 역할을 하지 않고, 메인 광전 변환 소자의 더미 역할 또는 기준 픽셀(pixel) 역할을 한다.
예를 들어, OB(Optical Black) 영역은 메인 센서 영역의 광전 변화 소자에 대한 기준(Reference)이 되는 역할을 하게 된다.
또한, 상기 더미 센서 영역(30)은 더미 패턴만 있는 영역일 수도 있고, OB 영역을 포함한 영역일 수도 있다.
주변 회로 영역(40)은 센서 영역(10)을 제외한 영역으로 아날로그 회로와 디지털 회로로 구성되어 있다.
예를 들어, CDS(corrected double sampling), ISP(Image Signal Processing), ADC(Analog to Digital convertor) 등의 아날로그 또는 디지털 회로가 형성된다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서를 설명하기 위하여 도 1의 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 2를 참조하면, 메인 센서 영역(20), 더미 센서 영역(30)과 주변 회로 영역(40)으로 구성된 기판(100)에 광전 변화 소자(Photoelectric conversion element, 105)가 형성되어 있다.
상기 광전 변환 소자(105)는 N형의 포토다이오드와 기판 표면에 형성되는 P형 포토다이오드로 이루어질 수 있다.
여기서, N형 포토다이오드는 외부광에 비례해서 전자(Electron)를 발생(Generation)시키는 부분이고, P형 포토다이오드는 기판(100) 표면의 결함 등에 의해 발생하는 암전류(Dark current) 등을 제거하기 위한 부분이다.
복수 개의 트랜지스터들(110)이 기판(100) 상에 형성되어 있다. 주변 회로 영역(40)의 트랜지스터들(110)은 N형 또는 P형 트랜지스터 일 수 있다.
또한, 메인 센서 영역(20)과 더미 센서 영역(30)은 독출 소자들(Read-out elements)을 구성하는 트랜지스터들(미도시)이 형성된다.
독출 소자들은 예를 들어, 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 선택 트랜지스터 등일 수 있다.
도 2를 참조하면, 층간 절연막(Interlayer dielectric, 120)이 기판(100) 상에 형성된다.
또한, 상기 층간 절연막(120) 내에는 금속 배선들과 트랜지스터 등을 전기적으로 연결하는 제 1콘택(Contact, 125)이 형성된다.
상기 층간 절연막(120)과 제 1콘택(125) 상에 제 1레벨 금속 배선(130)이 형성된다.
여기서, 제 1레벨 금속 배선(130)은 알루미늄(Aluminum) 또는 구리(Copper)를 포함한 금속막일 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1레벨 금속 배선(130)의 두께는 약 1500Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
다음에, 제 1레벨 금속 배선(130) 상에 제 1레벨 금속 층간 절연막(135)이 형성되어 있다.
상기 제 1레벨 금속 층간 절연막(135) 내에 제 2콘택(140)이 형성된다.
여기서, 제 2콘택(140)은 상부의 금속 배선과 하부의 금속 배선 사이를 전기적으로 연결하기 위한 콘택(contact) 이다.
도 2를 참조하면, 제 2콘택(140)과 제 1레벨 금속 층간 절연막(135) 상에 제 2레벨 금속 배선(145)이 형성된다.
여기서, 제 2레벨 금속 배선(145)은 알루미늄(Aluminum) 또는 구리(Copper)를 포함한 금속막일 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2레벨 금속 배선(145)의 두께는 약 1500Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
제 2레벨 금속 배선(145) 상에 제 2레벨 금속 층간 절연막(150)이 형성 된다.
또한, 제 2레벨 금속 층간 절연막(150)내에 제 3콘택(155)이 형성된다.
도 2를 다시 참조하면, 상기 제 3콘택(155)과 제 2레벨 금속 층간 절연막(150) 상에 제 3레벨 금속 배선(160a, 160)이 형성된다.
센서 영역, 특히 메인 센서 영역(20) 내의 제 3레벨 금속 배선(160a)은 주변 회로 영역(40) 내의 제 3레벨 금속 배선(160) 보다 두께가 얇다.
예를 들어, 주변 회로 영역(40) 내의 제 3레벨 금속 배선(160)의 두께가 약 4000Å 내지 약 6000Å 일 수 있고, 센서 영역(20) 내의 제 3레벨 금속 배선(160a)의 두께는 약 1500Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
여기서, 상기 제 3레벨 금속 배선(160a, 160)은 알루미늄(Aluminum)을 포함한 금속일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제 1레벨 내지 제 3레벨의 금속 배선을 가진 이미지 센서를 설명하였으나, 최상위 레벨의 금속 배선은 제 2 레벨의 금속 배선이 될 수 있으며, 제 n(단, n은 2 이상의 자연수) 레벨의 금속 배선이 될 수도 있다.
더미 센서 영역(30) 내의 본 실시예의 최상위 레벨의 금속 배선인 제 3레벨 금속 배선(160b)은 일부 메인 센서 영역(20) 내의 제 3레벨 금속 배선(160a)의 두께이며, 나머지 일부는 주변 회로 영역(40) 내의 제 3레벨 금속 배선(160)의 두께로 구성되어 있다.
최상위 레벨의 금속 배선은 센서 영역(20) 내에서 광 차단 금속막(Optical Shield Metal)로 사용되거나, 외부의 인가 접압(Vdd)가 연결되는 금속 배선을 의미할 수 있다.
상기 제 3레벨의 금속 배선(160a, 160)들 사이를 절연하는 제 3레벨 금속 층간 절연막(165a, 165)이 형성된다.
메인 센서 영역(20) 내의 제 3레벨 금속 층간 절연막(165a)은 메인 센서 영 역의 제 3레벨 금속 층간 절연막(160a)과 같은 두께로 형성될 수 있으며, 주변 회로 영역(40) 내의 제 3레벨 금속 층간 절연막(165)은 주변 회로 영역의 제 3레벨 금속 층간 절연막(160)과 같은 두께로 형성될 수 있다.
여기서, 제 3레벨 금속 층간 절연막(165)은 제 3레벨 금속 배선(160)과 동일 높이 일 수도 있고, 제 3레벨 금속 배선(160)을 덮고 있는 구조 일 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 제 1레벨 내지 제 3레벨의 금속 층간 절연막을 가진 이미지 센서를 설명하였으나, 최상위 레벨의 금속 배선은 제 2 레벨 내지 제 n레벨의 의 금속 배선이냐에 따라, 최상위 레벨의 금속 층간 절연막은 제 2 레벨 내지 제 n 레벨의 금속 층간 절연막이 될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 메인 센서 영역(20) 내의 광전 변화 소자(105)들 상부의 층간 절연막(120)과 금속 층간 절연막들(135,150,165) 내에 광 도파관(Optical Light Guide, 170)이 형성된다.
예를 들어, 상기 광 도파관(170)은 이미지 센서의 금속 배선 수 또는 광 특성 등을 고려하여 광전 변환 소자(105)으로부터 일정 거리를 두고 형성된다.
본 실시예에서, 광 도파관(170)은 금속 층간 절연막들(135, 150, 165)의 전부와 층간 절연막(120)의 일부를 제거하여 형성되었으나, 금속 층간 절연막들(135,150,165)의 전부 또는 일부에만 형성될 수도 있다.
상기 광 도파관(170)은 층간 절연막(120) 내지 금속 층간 절연막들(135,150,165) 보다 높은 굴절율(Refractive index)을 가진 FSG 등 절연막으로 채워져 있다.
예를 들어, 상기 광 도파관(170)은 최상위 레벨의 금속 배선에 대해 자기 정렬된 형태를 가진다.
도 2를 다시 참조하면, 더미 센서 영역(30)의 일부 내지 주변 회로 영역(40)에 패시베이션 막(175)이 형성된다.
예를 들어, 패시베이션 막(175)은 실리콘 질화막(SiN)을 포함한 막 일 수 있다.
상기 패시베이션 막(175), 광 도파관(170) 내지 최상위 레벨 금속 배선(160) 상에 평탄 층(180)이 형성된다.
다음으로, 평탄 층(180) 상에 칼라 필터(185a, 185b, 185c)가 메인 센서 영역(20) 내에 형성된다.
상기 칼라 필터는 RED(185b), GREEN(185c), BLUE(185a)의 세가지 색의 필터를 가지고 각 광전 변환 소자(105) 상에 형성된다
그 다음으로, 상기 칼라필터(185a, 185b, 185c) 상에 마이크로 렌즈(Microlens, 190)가 형성된다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 메인 센서 영역(20), 더미 센서 영역(30)을 갖는 센서 영역(10)과 상기 센서 영역을 둘러싸는 주변 회로 영역(40)을 갖는 기판(100)을 준비한다.
상기 기판(100)의 센서 영역(10) 내에 광전 변환 소자(105)를 형성한다.
광전 변환 소자(105)는 입사되는 외부의 광에 비례해서 전하(Charge)를 발생하는 수광 소자이다,
예를 들면, 상기 광전 변환 소자(105)는 N형의 포토다이오드와 기판 표면에 형성되는 P형 포토다이오드로 이루어질 수 있다.
여기서, N형 포토다이오드는 외부광에 비례해서 전자(Electron)을 발생 (Generation) 시키는 부분이고, P형 포토다이오드는 기판표면의 결함 등에서 발생하는 암전류(Dark current) 등을 제거하기 위한 부분이다.
또한, 상기 기판(100)은 소자를 분리하는 소자 분리막(미도시), 깊은 웰(미도시), 또는 소스/드레인 영역(미도시) 등이 추가로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 기판(100) 상에 게이트 패턴(110)을 형성한다.
예를 들어, 상기 게이트 패턴(110)은 주변 회로 영역(40) 내에 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터를 위한 게이트 패턴 일수 있고, 센서 영역(10) 내의 트랜스퍼 게이트, 리셋 게이트, 선택 게이트 또는 드라이브 게이트 등의 독출 소자(미도시)를 위한 게이트 패턴 일 수도 있다.
다음에, 상기 게이트 패턴(110)과 기판(100) 상에 층간 절연막(120)을 증착한다.
상기 층간 절연막(120) 내에 제 1콘택(125)을 형성한다.
여기서, 텅스텐 또는 구리 등의 금속으로 포함하는 제 1콘택(125)은 상부의 금속 배선들과 실리콘 기판의 소스/드레인(미도시) 또는 게이트 패턴(110)과 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
도 3a를 참조하면, 상기 제 1콘택(125)과 층간 절연막(120)에 제 1레벨 금속 배선(130)을 형성한다.
여기서, 제 1레벨 금속 배선(130)은 알루미늄(Aluminum) 또는 구리(Copper)를 포함한 금속막일 수 있다.
예를 들어, 제 1레벨 금속 배선(130)의 두께는 약 1500Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
본 실시예의 도면에서는 알루미늄 금속 배선의 형성과정을 나타냈지만, 듀얼 다마신(Dual Damascene) 공정을 이용하여 형성된 구리(Copper)배선에도 적용할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 제 1레벨 금속 층간 절연막(135)을 형성한다.
이어서, 제 2콘택(140)을 상기 제 1레벨 금속 층간 절연막(135) 내에 형성하다. 상기 제 2콘택(140)은 상부와 하부의 금속 배선을 전기적으로 연결하기 위한 콘택(Contact)이다.
제 2콘택(140)과 제 1레벨 금속 층간 절연막(135) 상부에 제 2레벨 금속 배선(145)을 형성한다.
여기서, 제 2레벨 금속 배선(145)은 알루미늄(Aluminum) 또는 구리(Copper)를 포함한 금속막일 수 있다.
예를 들어, 제 2레벨 금속 배선(145)의 두께는 약 1500Å내지 약 3000Å일 수 있다.
본 실시 예의 도면에서는 알루미늄 금속 배선의 형성과정을 나타냈지만, 듀 얼 다마신(Dual Damascene) 공정을 이용하여 형성된 구리(Copper)배선에서 적용할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 제 2레벨 금속 배선(145)과 제 1레벨 금속 층간 절연막(135) 상에 제 2레벨 금속 층간 절연막(150)을 형성한다.
다음으로, 제 3콘택(155)을 상기 제 2레벨 금속 층간 절연막(150) 내에 형성하다. 이제 3콘택(155)은 상부와 하부의 금속 배선을 전기적으로 연결하기 위한 콘택(Contact)이다.
제 3콘택(155)과 제 2레벨 금속 층간 절연막(150) 상부에 제 3레벨 금속 배선(160)을 형성한다.
여기서, 제 3레벨 금속 배선(160)은 알루미늄(Aluminum) 또는 구리(Copper)를 포함한 금속막일 수 있다.
본 실시 예에서는 예를 들어, 알루미늄(Aluminum) 배선을 사용한 공정을 설명하였다.
또한, 제 3레벨 금속 배선(160)은 약 4000Å내지 약 6000Å이다.
본 실시 예에서는 최상위 레벨의 금속 배선을 제 3레벨을 예로 들어 설명하였으나, 최상위 레벨의 금속 배선은 제 2 레벨의 금속 배선이 될 수 있으며, 또한 제 n(단, n은 2 이상의 자연수) 레벨의 금속 배선이 될 수도 있다.
도 3d를 참조하면, 제 3레벨 금속 배선(160)을 감싸는 제 3레벨 금속 층간 절연막(165)을 형성한다.
상기 제 3레벨 금속 층간 절연막(165)은 제 3레벨 금속 배선(160)과 동일 높 이일 수도 있고, 제 3레벨 금속 배선(160)을 덮고 있는 구조 일 수도 있다.
다음으로, 제 3레벨 금속 층간 절연막(165) 또는 제 3레벨 금속 배선(160) 상에 패시베이션 막(175)을 형성한다.
예를 들어, 패시베이션 막(175)은 실리콘 질화막(SiN)을 포함한 막일 수 있다.
그 다음으로, 적어도 메인 센서 영역(20)을 노출하는 제 1 마스크 패턴(200)을 형성한다.
여기서, 제 1 마스크 패턴(200)은 일부 더미 센서 영역(30)을 더 노출하게 형성할 수도 있다.
도 3e를 참조하면, 제 1마스크 패턴(200)을 이용하여, 메인 센서 영역(20) 내의 패시베이션 막(175), 최상위 금속 배선, 예를 들어 제 3레벨 금속 배선(160), 그리고 최상위 금속 층간 절연막, 예를 들어 제 3레벨 금속 층간 절연막(165)을 차례로 식각하여 제거한다.
여기서, 상기 식각(Etch) 공정은 Flourine 계열의 가스를 식각 소스를 사용할 수 있다.
예를 들어, CF4 가스를 사용하는 경우 절연막 대 금속 배선의 식각률이 약 3:1 내지 약 5:1 일 수 있다.
또한, 제 3레벨 금속 배선(160)을 마스크로 하여 자기 정렬(Self-align)된 광 도파관(170)을 추가 식각을 통하여 형성한다.
상기 광 도파관(170)은 이미지 센서의 금속 배선 수 또는 광 특성 등을 고려 하여, 광 도파관(170)은 광전 변환 소자(105)에 대응되어 형성되고 광전 변환 소자(105)로부터 일정 거리를 두고 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 광 도파관(170)은 금속 층간 절연막들(135, 150, 165)의 전부와 층간 절연막(120)의 일부를 제거하여 형성되었으나, 금속 층간 절연막들(135,150,165)의 전부 또는 일부에만 형성할 수도 있다.
이렇게 형성된 이미지 센서는 센서영역, 특히 메인 센서 영역(20) 내의 제 3레벨 금속 배선(160a)은 주변 회로 영역(40) 내의 제 3레벨 금속 배선(160) 보다 두께가 얇다.
예를 들어, 주변 회로 영역(40) 내의 제 3레벨 금속 배선(160)의 두께가 약 4000Å내지 약 6000Å일 수 있고, 센서 영역(20) 내의 제 3레벨 금속 배선(160a)의 두께는 약 1500Å내지 약 3000Å일 수 있다.
여기서, 상기 제 3레벨 금속 배선(160a, 160)은 알루미늄(Aluminum)을 포함한 금속일 수 있다.
본 실시 예에 따르면, 제 1레벨 내지 제 3레벨의 금속 배선을 가진 이미지 센서를 설명하였으나, 최상위 레벨의 금속 배선은 제 2 레벨의 금속 배선이 될 수 있으며, 제 n 레벨의 금속 배선이 될 수도 있다.
더미 센서 영역(30) 내의 본 실시 예의 최상위 레벨의 금속 배선인 제 3레벨 금속 배선(160b)은 일부 메인 센서 영역(20) 내의 제 3레벨 금속 배선(160a)의 두께이며, 나머지 일부는 주변 회로 영역(40) 내의 제 3레벨 금속 배선(160)의 두께로 구성되어 있다.
도 3f를 참조하면, 상기 광 도파관(170)에 층간 절연막(120) 내지 금속 층간 절연막들(135,150,165) 보다 높은 굴절율(Refractive index)을 가진 FSG 등의 절연막으로 채운다.
후속의 칼라 필터와 마이크로 렌즈의 형성을 위한 평탄층(Flattening layer, 180)을 형성한다.
다음으로, 평탄 층(180) 상에 칼라 필터(185a, 185b, 185c)를 메인 센서 영역(20) 내에 형성한다.
각각의 광전 변환 소자(105)가 RED(185b), GREEN(185c), 또는 BLUE(185a)의 세가지 색 중 한가지 색의 칼라필터를 갖게 된다.
그 다음으로, 상기 칼라필터(185a, 185b, 185c) 상에 마이크로 렌즈(Microlens, 190)를 형성한다.
이상 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예들에 따르면 센서 영역의 제 n레벨 금속 배선의 두께가 주변 회로 영역의 동일 레벨의 금속 배선 두께보다 얇아 감도(Sensitivity)가 개선된 이미지 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
Claims (23)
- 센서 영역과 주변 회로 영역이 정의된 기판;상기 센서 영역의 상기 기판 내에 형성된 복수 개의 광전 변환 소자; 및상기 센서 영역과 상기 주변 회로 영역 상에 차례로 형성된 제1 레벨 금속 배선 내지 제 n(단, n은 2 이상의 자연수) 레벨 금속 배선을 포함하되,상기 센서 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 배선의 두께가 상기 주변 회로 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 배선의 두께보다 얇은 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 센서 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 배선의 두께는 약 1500Å내지 3000Å이고, 상기 주변 회로 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 배선의 두께는 약 4000Å 내지 6000Å인 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 제 n레벨 금속 배선은 제 2레벨 금속 배선인 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 제 n레벨 금속 배선은 제 3레벨 금속 배선인 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 제 n레벨 금속 배선은 알루미늄(Aluminum)을 포함한 금속으로 이루어진 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 센서 영역 내의 상기 제 1레벨 금속 배선 내지 제 n-1레벨 금속 배선의 두께는 상기 주변회로 영역 내의 상기 제 1레벨 금속 배선 내지제 n-1레벨 금속 배선의 두께와 각각 동일한 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1레벨 금속 배선 내지 제 n레벨 금속 배선에 각각 대응하는 제 1레벨 금속 층간 절연막 내지 제 n레벨 금속 층간 절연막을 더 포함하는 이미지 센서.
- 제 7항에 있어서,상기 센서 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 층간 절연막의 두께는 상기 주변회로 영역 상의 상기 제 n레벨 금속 층간 절연막의 두께보다 얇은 이미지 센서.
- 제 7항에 있어서,상기 복수 개의 광전 변환 소자에 각각 대응되어 형성된 복수 개의 광 도파관으로, 상기 각 광 도파관은 상기 제n레벨 금속 배선에 자기 정렬되어 상기 금속 층간 절연막 내에 형성된 복수 개의 광 도파관을 더 포함하는 이미지 센서.
- 제 9항에 있어서,상기 복수 개의 광전 변화 소자들 상에 각각 형성된 복수 개의 칼라 필터; 및상기 복수 개의 칼라 필터 상에 각각 형성된 복수 개의 마이크로 렌즈를 더 포함하는 이미지 센서.
- 메인 센서 영역과 더미 센서 영역을 포함하는 센서 영역과, 주변 회로 영역이 정의된 기판;상기 센서 영역의 상기 기판 내 형성된 복수 개의 광전 변환 소자;상기 메인 센서 영역, 상기 더미 센서 영역, 상기 주변 회로 영역 상에 형성되고, 복수 개의 배선 레벨에 형성된 복수 개의 금속 배선을 포함하되,상기 메인 센서 영역 상에 형성된 복수 개의 금속 배선 중 적어도 하나의 상기 금속 배선의 두께는, 상기 주변 회로 영역 상에 형성된 동일 레벨의 상기 금속 배선의 두께보다 얇은 이미지 센서.
- 제 11항에 있어서,상기 주변 회로 영역 상에 형성된 동일 레벨의 상기 금속 배선보다 두께가 얇은 상기 메인 센서 영역 상에 형성된 상기 금속 배선은, 최상위 레벨의 금속 배선인 이미지 센서.
- 제 12항에 있어서,상기 최상위 레벨의 금속 배선은 알루미늄(Aluminum)을 포함한 금속인 이미지 센서.
- 제 11항에 있어서,상기 더미 센서 영역 상에 형성된 복수 개의 금속 배선 중 적어도 하나의 금속 배선에서, 일정 부분의 두께가 나머지 부분의 두께보다 얇은 이미지 센서.
- 제 14항에 있어서,상기 더미 센서 영역 상에 형성된 금속 배선에서 상기 얇은 두께를 갖는 일정 부분은 상기 메인 센서 영역과 인접한 부분인 이미지 센서.
- 메인 센서 영역과 더미 센서 영역을 포함하는 센서 영역과, 주변 회로 영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;상기 센서 영역의 상기 기판 내에 복수 개의 광전 변환 소자를 형성하는 단계;상기 메인 센서 영역, 상기 더미 센서 영역, 상기 주변 회로 영역 상에 제 1레벨 금속 배선을 형성하는 단계;상기 제 1레벨 금속 배선 상에 제 n(단, n은 2 이상의 자연수)레벨 금속 배선을 형성하는 단계;상기 메인 센서 영역을 노출시키는 제 1 마스크를 형성하는 단계; 및상기 제 1 마스크를 이용하여, 상기 메인 센서 영역 상의 상기 제 n 레벨 금속 배선의 일부를 식각하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제 1레벨 금속 배선을 둘러싸는 제 1레벨 금속 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제 n레벨을 둘러싸는 제 n레벨 금속 층간 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 17항에 있어서,상기 메인 센서 영역의 상기 제 n레벨 금속 배선 식각시, 상기 제 n레벨 금속 층간 절연막을 식각하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 18항에 있어서,상기 제 n레벨 금속 층간 절연막 내지 제 1레벨 금속 층간 절연막을 식각하여, 광 도파관을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제 n레벨 금속 배선은 알루미늄(Aluminum)을 포함한 금속인 이미지 센 서의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제 n레벨 금속 배선은 제 2레벨 금속 배선인 이미지 센서의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 제 n레벨 금속 배선은 제 3레벨 금속 배선인 이미지 센서의 제조방법.
- 16항에 있어서,상기 메인 센서 영역 상에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060076334A KR100781545B1 (ko) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | 감도가 향상된 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
| US11/820,170 US7598552B2 (en) | 2006-08-11 | 2007-06-18 | Image sensor having improved sensitivity and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060076334A KR100781545B1 (ko) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | 감도가 향상된 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100781545B1 true KR100781545B1 (ko) | 2007-12-03 |
Family
ID=39049870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060076334A KR100781545B1 (ko) | 2006-08-11 | 2006-08-11 | 감도가 향상된 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7598552B2 (ko) |
| KR (1) | KR100781545B1 (ko) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100954908B1 (ko) | 2007-12-24 | 2010-04-27 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20100122446A (ko) * | 2009-05-12 | 2010-11-22 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 전자기기 및 고체 촬상 장치의 제조 방법 |
| WO2011022690A3 (en) * | 2009-08-21 | 2011-06-16 | California Institute Of Technology | Systems and methods for optically powering transducers and related transducers |
| TWI393250B (zh) * | 2008-01-24 | 2013-04-11 | Sony Corp | 固態成像裝置及其製造方法 |
| US8883645B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-11-11 | California Institute Of Technology | Nanopillar field-effect and junction transistors |
| US9031102B2 (en) | 2012-03-01 | 2015-05-12 | California Institute Of Technology | Methods of modulating microlasers at ultralow power levels, and systems thereof |
| US9070733B2 (en) | 2012-07-25 | 2015-06-30 | California Institute Of Technology | Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes |
| US11996420B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor comprising a grid pattern and a conductive pattern |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100827445B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-05-06 | 삼성전자주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100824628B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-04-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| JP4852016B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2012-01-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20090189055A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor and fabrication method thereof |
| US8237832B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-08-07 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with focusing interconnections |
| JP5574419B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2013149758A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
| AU2016200223B2 (en) * | 2015-01-16 | 2017-02-09 | Personal Genomics Taiwan, Inc. | Optical sensor with light-guiding feature and method for preparing the same |
| DE102016208841B4 (de) * | 2016-05-23 | 2020-12-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Farbsensor mit winkelselektiven Strukturen |
| JP2021019058A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
| US11515437B2 (en) * | 2019-12-04 | 2022-11-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Light sensing system and light sensor with polarizer |
| FR3128576B1 (fr) * | 2021-10-27 | 2024-02-09 | Commissariat Energie Atomique | Filtre pixelisé |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150846A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| KR20060086029A (ko) * | 2005-01-25 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120471A (ja) | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2001298175A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | 撮像システム |
| JP2003282851A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP4556475B2 (ja) | 2004-04-05 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4325557B2 (ja) * | 2005-01-04 | 2009-09-02 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
| KR100809323B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2008-03-05 | 삼성전자주식회사 | 크로스토크가 감소하고 감도가 증가한 이미지 센서 |
-
2006
- 2006-08-11 KR KR1020060076334A patent/KR100781545B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-06-18 US US11/820,170 patent/US7598552B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150846A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| KR20060086029A (ko) * | 2005-01-25 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100954908B1 (ko) | 2007-12-24 | 2010-04-27 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| TWI393250B (zh) * | 2008-01-24 | 2013-04-11 | Sony Corp | 固態成像裝置及其製造方法 |
| KR20100122446A (ko) * | 2009-05-12 | 2010-11-22 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 전자기기 및 고체 촬상 장치의 제조 방법 |
| KR101683290B1 (ko) | 2009-05-12 | 2016-12-06 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 전자기기 및 고체 촬상 장치의 제조 방법 |
| WO2011022690A3 (en) * | 2009-08-21 | 2011-06-16 | California Institute Of Technology | Systems and methods for optically powering transducers and related transducers |
| US8787752B2 (en) | 2009-08-21 | 2014-07-22 | California Institute Of Technology | Systems and methods for optically powering transducers and related transducers |
| US9031102B2 (en) | 2012-03-01 | 2015-05-12 | California Institute Of Technology | Methods of modulating microlasers at ultralow power levels, and systems thereof |
| US9407055B2 (en) | 2012-03-01 | 2016-08-02 | California Institute Of Technology | Methods of modulating microlasers at ultralow power levels, and systems thereof |
| US9070733B2 (en) | 2012-07-25 | 2015-06-30 | California Institute Of Technology | Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes |
| US8883645B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-11-11 | California Institute Of Technology | Nanopillar field-effect and junction transistors |
| US11996420B2 (en) | 2020-10-06 | 2024-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor comprising a grid pattern and a conductive pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080036023A1 (en) | 2008-02-14 |
| US7598552B2 (en) | 2009-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100781545B1 (ko) | 감도가 향상된 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| US11296134B2 (en) | Image sensor including planar boundary between optical black and active pixel sensor areas with a wiring layer comprising a stepped portion and a via contact portion that penetrates through the pad area of a substrate | |
| US11843015B2 (en) | Image sensors | |
| CN102130140B (zh) | 固体摄像装置 | |
| KR102553314B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| US8243186B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus and electronic apparatus | |
| JP2009252949A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| KR20070073108A (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 | |
| US20090090944A1 (en) | Image Sensor and Method of Fabricating the Same | |
| CN106340525A (zh) | 半导体元件及其制造方法 | |
| KR20200126477A (ko) | 이미지 센서 | |
| KR101692953B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20080100025A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 | |
| KR20090065980A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 이미지 센서 | |
| KR100840658B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US9263495B2 (en) | Image sensor and fabricating method thereof | |
| KR100667650B1 (ko) | 이미지 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100897814B1 (ko) | 반도체 소자와 그의 제조방법 | |
| US20230378206A1 (en) | Image sensor | |
| KR100868653B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20090085955A (ko) | 이미지 센서 | |
| KR100859483B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR100729736B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100958628B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| JP2024075482A (ja) | イメージセンサー |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |