JP2009252949A5 - - Google Patents

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  1. 光電変換素子を含む画素が複数配された第1領域と、前記第1領域の駆動のための周辺回路を含む第2領域と、前記光電変換素子の上部に配された層内レンズと、前記層内レンズの上部に配されたレンズと、を有する固体撮像装置の製造方法であって、
    前記第1領域及び前記第2領域の上に少なくとも第1金属配線層を形成する工程と、
    前記第1金属配線層の上にエッチングストップ層を形成する工程と、
    前記エッチングストップ層の上に第1絶縁膜を形成する工程と、
    前記第2領域の前記第1絶縁膜の上部に、前記第1金属配線層とは異なる第2金属配線層を形成する工程と、
    前記エッチングストップ層を用いて前記第1領域の前記第1絶縁膜を除去する工程と、
    前記第1絶縁膜が除去された第1領域と、前記第2領域とに第2絶縁膜を形成する工程と、
    前記第1領域の前記第2絶縁膜から、前記層内レンズを形成する工程と、を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記エッチングストップ層は、有機系低誘電率膜であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記第1領域の前記第1絶縁膜を除去する工程において、フォトレジストをマスクとして用いて前記第1絶縁膜を除去し、
    前記第1絶縁膜を除去する工程の後、前記フォトレジストと同時に前記エッチングストップ層を除去する工程を有する請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記エッチングストップ層は、窒化シリコン系膜であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記エッチングストップ層は、前記第1金属配線層の拡散防止膜を兼ねることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記光電変換素子の受光面から前記層内レンズまでに前記第1絶縁膜を含む複数の絶縁膜が形成され、前記複数の絶縁膜の屈折率が、前記受光面から前記層内レンズに向かって同じもしくは順次大なる関係を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 更に、前記第2領域の上であって、前記第1金属配線層と前記第2金属配線層との間に、第3金属配線層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記第2の絶縁膜は、前記第1領域及び前記第2領域の保護膜として機能することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 前記第2領域は、オプティカルブラック領域を有し、
    前記第1絶縁膜を除去する工程において、前記第2金属配線層よりも前記第1絶縁膜が前記第1領域に向って延在していることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  10. 光電変換素子を含む画素が複数配された第1領域と、前記第1領域の駆動のための周辺回路を含む第2領域と、前記光電変換素子の上部に配された層内レンズと、前記層内レンズの上部に配されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上部に配されたレンズと、を有する固体撮像装置において、
    前記第1領域における金属配線の層数は前記第2領域における金属配線の層数より少な、前記第1領域における最上層の金属配線と、前記第2領域における最上層の金属配線との間であって、前記第1領域に前記層内レンズが形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
  11. 前記第2領域の最上層の金属配線層の上に絶縁膜が設けられ、前記層内レンズは前記絶縁膜と同一の膜からなることを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9232968B2 (en) 2007-12-19 2016-01-12 DePuy Synthes Products, Inc. Polymeric pedicle rods and methods of manufacturing
US8641734B2 (en) 2009-02-13 2014-02-04 DePuy Synthes Products, LLC Dual spring posterior dynamic stabilization device with elongation limiting elastomers
US9320543B2 (en) 2009-06-25 2016-04-26 DePuy Synthes Products, Inc. Posterior dynamic stabilization device having a mobile anchor
US9445844B2 (en) 2010-03-24 2016-09-20 DePuy Synthes Products, Inc. Composite material posterior dynamic stabilization spring rod
JP5651986B2 (ja) 2010-04-02 2015-01-14 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器及びカメラモジュール
KR101769969B1 (ko) * 2010-06-14 2017-08-21 삼성전자주식회사 광 블랙 영역 및 활성 화소 영역 사이의 차광 패턴을 갖는 이미지 센서
JP2012038986A (ja) * 2010-08-10 2012-02-23 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP5783741B2 (ja) 2011-02-09 2015-09-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
CN106449676A (zh) 2011-07-19 2017-02-22 索尼公司 半导体装置和电子设备
JP5987275B2 (ja) * 2011-07-25 2016-09-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
US9013022B2 (en) * 2011-08-04 2015-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad structure including glue layer and non-low-k dielectric layer in BSI image sensor chips
JP6029266B2 (ja) * 2011-08-09 2016-11-24 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システムおよび撮像装置の製造方法
US9224773B2 (en) 2011-11-30 2015-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same
US9356058B2 (en) 2012-05-10 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside structure for BSI image sensor
US9401380B2 (en) 2012-05-10 2016-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside structure and methods for BSI image sensors
US8709854B2 (en) 2012-05-10 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside structure and methods for BSI image sensors
CN103390625B (zh) * 2012-05-10 2016-03-23 台湾积体电路制造股份有限公司 用于bsi图像传感器的背面结构和方法
CN103390624B (zh) * 2012-05-10 2016-09-07 台湾积体电路制造股份有限公司 用于bsi图像传感器的背面结构
JP6039294B2 (ja) * 2012-08-07 2016-12-07 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
US11335721B2 (en) 2013-11-06 2022-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside illuminated image sensor device with shielding layer
KR102136852B1 (ko) 2013-12-30 2020-07-22 삼성전자 주식회사 Tfa 기반의 시모스 이미지 센서 및 그 동작방법
US10249661B2 (en) * 2014-08-22 2019-04-02 Visera Technologies Company Limited Imaging devices with dummy patterns
JP2016133510A (ja) 2015-01-16 2016-07-25 パーソナル ジェノミクス タイワン インコーポレイテッドPersonal Genomics Taiwan,Inc. 導光機能を有する光学センサー及びその製造方法
TWI550842B (zh) * 2015-04-09 2016-09-21 力晶科技股份有限公司 影像感應器
US11127910B2 (en) 2016-03-31 2021-09-21 Sony Corporation Imaging device and electronic apparatus
JP2018046145A (ja) * 2016-09-14 2018-03-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法
CN110085684A (zh) * 2019-04-30 2019-08-02 德淮半导体有限公司 光电装置及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150846A (ja) 1998-11-12 2000-05-30 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP2001339059A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Sony Corp 固体撮像素子の製造方法
JP4298276B2 (ja) 2002-12-03 2009-07-15 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP2005057024A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、カメラ
KR100672995B1 (ko) * 2005-02-02 2007-01-24 삼성전자주식회사 이미지 센서의 제조 방법 및 그에 의해 형성된 이미지 센서
KR100807214B1 (ko) * 2005-02-14 2008-03-03 삼성전자주식회사 향상된 감도를 갖는 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2006229206A (ja) 2005-02-14 2006-08-31 Samsung Electronics Co Ltd 向上された感度を有するイメージセンサ及びその製造方法
JP2006286873A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
JP4944399B2 (ja) * 2005-07-04 2012-05-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置
KR100731128B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
JP4315457B2 (ja) * 2006-08-31 2009-08-19 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP5159120B2 (ja) * 2007-02-23 2013-03-06 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP2008270423A (ja) * 2007-04-18 2008-11-06 Rosnes:Kk 固体撮像装置
JP2009146957A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Panasonic Corp 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法

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