JP2011014733A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、カラーフィルタを用いずに光分離を行って光電変換を行なうことを特徴とする。
【解決手段】半導体基板11内に形成され、カラーフィルタを介さずに光が照射される複数のフォトダイオード12と、半導体基板11の光照射面とは反対側の面上に複数のフォトダイオード12に対応してそれぞれ形成され、それぞれ異なる波長帯域の光を反射して対応する複数のフォトダイオード12に戻す波長選択性を有する複数の多層反射膜15を具備している。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板11内に形成され、カラーフィルタを介さずに光が照射される複数のフォトダイオード12と、半導体基板11の光照射面とは反対側の面上に複数のフォトダイオード12に対応してそれぞれ形成され、それぞれ異なる波長帯域の光を反射して対応する複数のフォトダイオード12に戻す波長選択性を有する複数の多層反射膜15を具備している。
【選択図】 図1
Description
本発明は、CMOSイメージセンサなどの固体撮像装置に係り、特に裏面照射型の固体撮像装置に関する。
CMOSイメージセンサなどの固体撮像装置では、チップサイズの小型化、すなわち画素の狭ピッチ化に伴い、フォトダイオードへの入射光量を確保するのに優位な裏面照射型のタイプに移行すると考えられている。裏面照射型の固体撮像装置とは、配線や電極などが形成されている面とは反対面、つまり半導体基板の裏面側に被写体からの入射光が照射される構造のものをいう。
通常、イメージセンサでは、カラーフィルタを用いて入射光を例えば青(B)、緑(G)、赤(R)の三原色に分離している。しかし、カラーフィルタによって光が減衰されてしまうので、入射光を有効に利用できず、光電変換部(フォトダイオード)における変換効率が低下する。
さらに、裏面照射型のイメージセンサでは、光電変換部を透過した光が半導体基板の表面側に抜けてしまうことがあり、この光が配線などで反射され、迷光となって光電変換部に再照射され、これにより混色が発生する。
特許文献1には、読み出しゲート電極を被覆する反射膜を設けることで、隣接画素への混色を防止し、感度の向上を可能としたカラーフィルタを有する裏面照射型のイメージセンサが開示されている。また、特許文献2には、一部のフォトダイオードの入射面の反対側に、フォトダイオードを透過した光を反射する反射層を設けたカラーフィルタを有する裏面照射型のイメージセンサが開示されている。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、光電変換部における変換効率の改善が図れるとともに迷光による混色の防止が図れる固体撮像装置を提供することである。
本発明の一実施形態の固体撮像装置は、半導体基板内に形成された複数の光電変換部と、前記半導体基板の光照射面とは反対側の面上に前記複数の光電変換部に対応してそれぞれ形成され、それぞれ異なる波長帯域の光を反射して対応する前記複数の光電変換部に戻す波長選択性を有する複数の反射膜を具備している。
本発明によれば、光電変換部における変換効率の改善が図れるとともに迷光による混色の防止が図れる固体撮像装置を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の固体撮像装置を実施の形態により説明する。図1は本発明の一実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す断面図である。本実施形態の固体撮像装置は、光電変換部に半導体基板の裏面から光を照射する際に、カラーフィルタを介さずに直接に照射し、光電変換部を透過した光を、半導体基板の表面側に設けられた光の波長選択性を有する反射膜により反射させて光電変換部に戻すことにより、光電変換部に対して色毎に分離された光を入射させるようにしたものである。
図1に示すように、例えばシリコンからなる半導体基板11内には、光電変換部である複数のフォトダイオード12が配列形成されている。半導体基板11の光照射面である裏面上にはカラーフィルタは形成されておらず、複数のフォトダイオード12に対応して複数のマイクロレンズ13が形成されている。また、半導体基板11の光照射面とは反対面である表面上には層間絶縁膜14が形成されている。そして、この層間絶縁膜14内において、半導体基板11上には複数のフォトダイオード12に対応して複数の多層反射膜15が形成されている。これら複数の多層反射膜15は、複数のフォトダイオード12が例えば青(B)、緑(G)、赤(R)の三原色の光を光電変換するものである場合、それぞれのフォトダイオードで光電変換される三原色の光に適合する波長選択性を有し、それぞれ異なる波長帯域の光を反射して各フォトダイオード12に戻す機能を有する。さらに、複数の多層反射膜15上には、一定の曲率の反射面を有する例えばアルミニウム等からなる複数の金属反射膜16がそれぞれ形成されている。なお、図中の符号17は複数のフォトダイオード12で光電変換された信号電荷の読み出し制御を行なう読み出しゲート電極であり、符号18は読み出しゲート電極17に接続された電極であり、符号19は電極18に接続された配線である。
本実施形態の固体撮像装置では、配線19や電極18などが形成されている半導体基板11の表面側とは反対面、つまり半導体基板11の裏面側に、カラーフィルタを介さずに被写体からの入射光が照射される。この際、カラーフィルタによる光の減衰が発生しないので、複数のフォトダイオード12に対して有効に入射光が照射される。さらに複数のマイクロレンズ13によって集光されるので、複数のフォトダイオード12に対して有効に入射光が照射される。
本実施形態の固体撮像装置では、カラーフィルタが設けられていないので、青(B)、緑(G)、赤(R)の三原色の光を光電変換すべき複数のフォトダイオード12には同色(白色)の光が照射される。ところが、半導体基板11の表面側には、三原色の光に適合する波長選択性を有する複数の多層反射膜15が形成されている。このため、複数のフォトダイオード12を透過した光のうち複数の多層反射膜15が有する波長選択性に適合した波長帯域の光のみが反射され、対応するフォトダイオード12に戻される。この結果、複数のフォトダイオード12により、青(B)、緑(G)、赤(R)の三原色の光を分離して光電変換を行なうことができる。さらに、複数の多層反射膜15上には複数の金属反射膜16が形成されている。このため、多層反射膜15を透過した光は金属反射膜16により元の多層反射膜15に戻されるので、各フォトダイオード12を透過した光が半導体基板11の表面側において他のフォトダイオードに再照射されて混色が発生することを防止することができる。
図2は、図1の固体撮像装置で用いられる多層反射膜15の一例を示す断面図である。この多層反射膜15は光屈折率が異なる二つの層を交互に積層して構成されている。光屈折率が高い層21として例えばシリコン窒化層が使用でき、光屈折率が低い層22として例えばlow-k膜もしくはシリコン酸化膜が使用できる。
図2に示す多層反射膜15は、半導体基板11上に光屈折率が高い層21及び光屈折率が低い層22を交互に多層積層した後、青(B)、緑(G)、赤(R)の三原色毎に分けたマスクを用いて多層積層膜を選択的にエッチング除去し、光学膜厚が1/4λになるように残すことにより形成できる。このような構造の多層反射膜は1/4λ多層反射膜と称される。図3は上記のようにして形成された青(B)、緑(G)、赤(R)の三原色の多層反射膜15の反射特性を示している。図3中、横軸は波長(nm)を示しており、縦軸はガラス板上にアルミニウムを蒸着させた場合に緑(G)色の光の反射で規格化した反射率を示している。
図4は、図1の固体撮像装置で用いられる金属反射膜16の形成方法の一例を工程順に示す断面図である。金属反射膜は以下のようにして形成できる。すなわち、まず、図4(a)に示すように、半導体基板上の層間絶縁膜31上にレジスト膜32を形成する。続いて、図4(b)に示すように、凸状の一定の曲率形状を有するようにレジスト膜32をパターニングする。次に、図4(c)に示すように、レジスト膜32を用いて層間絶縁膜31をエッチングし、レジスト膜32の形状を層間絶縁膜31に転写する。続いて、図4(d)に示すように、全面上にアルミニウム33を一定の膜厚で堆積することにより金属反射膜が形成される。なお、金属反射膜の形成方法及び構造はあくまでも一例であり、他の形成方法及び構造であってもよい。
以上実施の形態を用いて本発明の説明を行ったが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。例えば、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
11…半導体基板、12…フォトダイオード、13…マイクロレンズ、14…層間絶縁膜、15…多層反射膜、16…金属反射膜、17…読み出しゲート電極、18…電極、19…配線。
Claims (5)
- 半導体基板内に形成された複数の光電変換部と、
前記半導体基板の光照射面とは反対側の面上に前記複数の光電変換部に対応してそれぞれ形成され、それぞれ異なる波長帯域の光を反射して対応する前記複数の光電変換部に戻す波長選択性を有する複数の反射膜
を具備したことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体基板の光照射面上に前記複数の光電変換部に対応してそれぞれ形成された複数のマイクロレンズをさらに具備し、前記マイクロレンズを透過した光が前記光電変換部にカラーフィルタを介さずに照射されることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記複数の反射膜上に形成された複数の金属反射膜をさらに具備したことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記複数の反射膜はそれぞれ、光屈折率が異なる少なくとも二つの層が積層された多層反射膜であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記少なくとも二つの層の一方がシリコン窒化層であり、他方がlow-k膜もしくはシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009157954A JP2011014733A (ja) | 2009-07-02 | 2009-07-02 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2009157954A JP2011014733A (ja) | 2009-07-02 | 2009-07-02 | 固体撮像装置 |
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JP2009157954A Withdrawn JP2011014733A (ja) | 2009-07-02 | 2009-07-02 | 固体撮像装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014086702A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Canon Inc | 固体撮像装置、その製造方法、およびカメラ |
CN104347652A (zh) * | 2013-07-26 | 2015-02-11 | 株式会社东芝 | 固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法 |
WO2019159561A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、電子装置、および、固体撮像素子の製造方法 |
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2009
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