CN104347652A - 固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够使受光灵敏度提高固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。通过本发明的一个实施方式提供固体摄像装置。固体摄像装置具备半导体层、反射板及元件分离区域。半导体层中二维阵列状地排列有多个光电转换元件。反射板覆盖半导体层的与光入射的面相反的面一侧并反射光。元件分离区域设为从半导体层的光入射的面起至到达反射板的深度为止，以便按每个光电转换元件划分半导体层，该元件分离区域使光电转换元件彼此电气性地元件分离并且具有光的反射面。
Description
关联申请的参照
本申请享受2013年7月26日申请的日本国专利申请编号2013－155182的优先权的利益，该日本国专利申请的全部内容援引于本申请。
技术领域
本发明的实施方式涉及固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。
背景技术
以往，数码相机、带相机功能便携终端等电子设备具备具有固体摄像装置的摄像机模块。固体摄像装置具备与摄像图像的各像素对应地排列成二维阵列状的多个光电转换元件。各光电转换元件将入射光光电转换为与受光量相应的量的电荷，并作为表示各像素的亮度的信号电荷而蓄积。
该固体摄像装置有表面照射型的和背面照射型。在表面照射型的固体摄像装置中，排列了光电转换元件的半导体层的表面成为受光面，在受光面侧设有布线层。另一方面，在背面照射型的固体摄像装置中，排列了光电转换元件的半导体层的背面成为受光面，在表面侧设有布线层。
这样，背面照射型的固体摄像装置中，在各光电转换元件的受光面侧不存在布线层，因此与表面照射型的固体摄像装置相比，能够进行有效的受光。然而，在背面照射型的固体摄像装置中，通过从背面侧研削半导体层而使其薄化，由此需要使各光电转换元件的受光面露出，因此存在应当接受的光的一部分透射薄化了的半导体层而受光灵敏度降低的问题。
发明内容
本发明要解决的课题在于，提供能够使受光灵敏度提高的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。
一实施方式的固体摄像装置，其特征在于，具备：半导体层，二维阵列状地排列有多个光电转换元件；反射板，覆盖所述半导体层的与光入射的面相反的面一侧，且反射光；以及元件分离区域，设为从所述半导体层的光入射的面起至到达所述反射板的深度为止，以便按每个所述光电转换元件划分所述半导体层，该元件分离区域使所述光电转换元件彼此物理性以及电气性地元件分离，并且具有光的反射面。
另一实施方式的固体摄像装置，其特征在于，具备：半导体层，二维阵列状地排列有多个光电转换元件；反射板，覆盖所述半导体层的与光入射的面相反的面一侧，且反射光；以及元件分离区域，设为从所述半导体层的光入射的面起至到达所述反射板的深度为止，以便按每个所述光电转换元件划分所述半导体层，该元件分离区域使所述光电转换元件彼此物理性以及电气性地元件分离，并且具有光的反射面，
所述反射板以及所述元件分离区域偏压为抑制所述光电转换元件中的暗电流的电位。
进而，另一实施方式的制造方法，其特征在于，包括：形成二维阵列状地排列有多个光电转换元件的半导体层的工序；形成覆盖所述半导体层的与光入射的面相反的面一侧并反射光的反射板的工序；以及形成元件分离区域的工序，该元件分离区域设为从所述半导体层的光入射的面起至到达所述反射板的深度为止，以便按每个所述光电转换元件划分所述半导体层，该元件分离区域使所述光电转换元件彼此电气性地元件分离并且具有光的反射面。
效果
根据上述结构的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法，能够使受光灵敏度提高。
附图说明
图1是表示具备实施方式的固体摄像装置的数码相机的概略结构的框图。
图2是表示实施方式的固体摄像装置的概略结构的框图。
图3是表示实施方式的像素阵列的剖面构造的说明图。
图4是表示实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖视示意图。
图5是表示实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖视示意图。
图6是表示实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖视示意图。
图7是表示实施方式的变形例的像素阵列的剖面构造的说明图。
符号说明
1数码相机，11摄像机模块，12后级处理部，13摄像光学系统，14固体摄像装置，15ISP，16存储部，17显示部，20图像传感器，21信号处理电路，22外围电路，23、23a像素阵列，24电压供给部，25垂直移位寄存器，26定时控制部，27CDS，28ADC，29线存储器，31微透镜，32滤色器，33波导，34P型的Si层，35多层布线层，36粘接层，37支承基板，38保护膜，39N型的Si区域，40光电转换元件，41、41a绝缘膜，42、42a导电性部件，43、43a元件分离区域，44层间绝缘膜，45读出栅极，46反射板，47布线，4半导体基板，5沟槽。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法进行详细地说明。另外，本发明并不受该实施方式限定。
图1是表示具备实施方式的固体摄像装置14的数码相机1的概略结构的框图。如图1所示，数码相机1具备摄像机模块11及后级处理部12。
摄像机模块11具备摄像光学系统13及固体摄像装置14。摄像光学系统13取入来自被拍摄体的光，使被拍摄体像成像。固体摄像装置14对通过摄像光学系统13而成像的被拍摄体像进行摄像，将通过摄像获得的图像信号输出至后级处理部（post-stage processing part）12。该摄像机模块11除了应用于数码相机1以外，例如还应用于带有摄像机的便携终端等电子设备。
后级处理部12具备：图像处理器（ISP，Image Signal Processor）15、存储部16以及显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。该ISP15进行例如噪声去除处理、缺陷像素修正处理、分辨率转换处理等的高画质化处理。
而且，ISP15将信号处理后的图像信号输出至存储部16、显示部17以及摄像机模块11内的固体摄像装置14所具备的后述的信号处理电路21（参照图2）。从ISP15向摄像机模块11反馈的图像信号用于固体摄像装置14的调整、控制。
存储部16将从ISP15输入的图像信号存储为图像。此外，存储部16根据用户的操作等将所存储的图像的图像信号输出至显示部17。显示部17显示与从ISP15或者存储部16输入的图像信号相应的图像。该显示部17例如是液晶显示器。
接下来，参照图2对摄像机模块11所具备的固体摄像装置14进行说明。图2是表示实施方式的固体摄像装置14的概略结构的框图。如图2所示，固体摄像装置14具备图像传感器20以及信号处理电路21。
在此，对图像传感器20是在与将入射光光电转换的光电转换元件的入射光所入射的面相反的面一侧形成有布线层的所谓背面照射型CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）图像传感器的情况进行说明。
图像传感器20具备：外围电路22、像素阵列23以及电压供给部24。此外，外围电路22具备：垂直移位寄存器25、定时控制部26、CDS（相关双采样部）27、ADC（模数转换部）28、以及线存储器29。
像素阵列23设于图像传感器20的摄像区域。该像素阵列23中，与摄像图像的各像素对应的多个光电转换元件沿水平方向（行方向）以及垂直方向（列方向）配列为二维阵列状（矩阵状）。而且，像素阵列23的与各像素对应的各光电转换元件产生与入射光量相应的信号电荷（例如，电子）并蓄积。
定时控制部26是输出对于垂直移位寄存器25而言成为动作定时的基准的脉冲信号的处理部。垂直移位寄存器25是将选择信号输出至像素阵列23的处理部，该选择信号用于以行为单位依次选择从排列成二维阵列（行列）状的多个光电转换元件之中读出信号电荷的光电转换元件。
像素阵列23将通过从垂直移位寄存器25输入的选择信号以行为单位选择的各光电转换元件中蓄积的信号电荷作为对各像素的亮度进行表示的像素信号，从光电转换元件输出至CDS27。
CDS27是通过相关双采样从由像素阵列23输入的像素信号中去除噪声并输出至ADC28的处理部。ADC28是将从CDS27输入的模拟的像素信号转换为数字的像素信号并输出至线存储器29的处理部。线存储器29是暂时保持从ADC28输入的像素信号，并按像素阵列23中的光电转换元件的每一行输出至信号处理电路21的处理部。
信号处理电路21是对于从线存储器29输入的像素信号进行规定的信号处理并输出至后级处理部12的处理部。信号处理电路21对于像素信号进行例如镜头阴影修正、缺陷修正、噪声降低处理等的信号处理。
电压供给部24通过对设于像素阵列23的后述的反射板以及元件分离区域施加负的电压来抑制暗电流的产生。关于该点，参照图3在后叙述。
这样，在图像传感器20中，配置成像素阵列23的多个光电转换元件将入射光转换为与受光量相应的量的信号电荷并蓄积，外围电路22将各光电转换元件中蓄积的信号电荷作为像素信号而读出由此进行摄像。
该图像传感器20具备通过使像素阵列23的各光电转换元件有效地接受来自被拍摄体的光来使受光灵敏度提高的结构。以下，对具备使受光灵敏度提高的结构的像素阵列23进行说明。
在此，首先，参照图3，对将像素阵列23在相对于受光面垂直的方向上切断的剖面观察的像素阵列23的剖面构造进行说明。图3是表示实施方式的像素阵列23的剖面构造的说明图。另外，图3中以直流电源（电池）的电路标记示意性地表示电压供给部24。
如图3所示，像素阵列23从光入射一侧起依次具备：微透镜31、滤色器32、波导（waveguide）33、P型的半导体（在此，设为Si：硅）层34、多层布线层35、粘接层36、支承基板37。
微透镜31是使入射的光聚光的平凸透镜。滤色器32是使红、绿、蓝、或白中任意一色光选择性地透射的滤色片。波导33是将透射滤色器32的光向P型的Si层34侧引导的区域，例如，通过氮化硅形成。在波导33的周围，例如设有通过氧化硅形成的保护膜38。
P型的Si层34例如是使掺杂了硼等P型的杂质的Si外延生长而形成的区域。另外，P型的Si层34也可以是对Si晶片进行离子注入P型的杂质而形成的区域。
P型的Si层34的内部中的光电转换元件40的形成位置设有N型的Si区域39。在像素阵列23中，通过P型的Si层34与N型的Si区域39的PN结而形成的光电二极管成为光电转换元件40。
此外，在P型的Si层34中，设有从P型的Si层34中的光入射的面起到达多层布线层35内部的后述的反射板46为止的元件分离区域43，以便按每个光电转换元件40划分P型的Si层34。
元件分离区域43具备导电性部件42，该导电性部件42上除了与反射板46的结合面以外的周面被绝缘膜41所被覆。导电性部件42例如是铜、铝、钨等的反射光的金属。该元件分离区域43通过设于周面的绝缘膜41将各光电转换元件40彼此电气性（electrically）元件分离。此外，元件分离区域43通过使绝缘膜41与导电性部件42的界面作为光的反射面发挥功能，将各光电转换元件40彼此光学性地元件分离。
多层布线层35包括在P型的Si层34中的与光入射的面相反的面一侧所设的层间绝缘膜44、设于层间绝缘膜44内部的读出栅极45、反射板46、布线47等。另外，关于粘接层36以及支承基板37，后述。
读出栅极45是从各光电转换元件40向浮动扩散部（图示省略）读出信号电荷的读出晶体管的栅极。此外，布线47向设于像素阵列23的各半导体元件传递控制信号等。
反射板46设为覆盖P型的Si层34中的与光入射的面相反的面一侧，将透射各光电转换元件40而来的光反射到光电转换元件40侧。该反射板46例如通过铜、铝等与布线47相同的金属材料形成。
另外，透射光电转换元件40后到达反射板46的光中，在三原色之中与蓝色光、绿色光相比波长较长的红色光的可能性高。为此，作为反射板46的材料，只要是光的折射率比介入于与P型的Si层34之间的层间绝缘膜44小且至少反射红色光的材料即可，不限于金属材料，能够使用任意的材料。
如本实施方式那样，在层间绝缘膜44的材料为氧化硅的情况下，作为反射板46的材料，也可以使用在氧化硅中添加了碳、氟的材料，作为光的折射率比氧化硅低且反射红色光的金属材料以外的材料，。
这样，在像素阵列23中，具备覆盖多个光电转换元件40排列成二维阵列状的P型的Si层34中的与光入射的面相反的面一侧并反射光的反射板46。
由此，如图3中以虚线箭头所示，即使入射到光电转换元件40的光透射光电转换元件40，也能够通过反射板46将透射了的光反射到光电转换元件40侧。因此，通过像素阵列23，使入射的光无浪费地被光电转换元件40所接收，由此能够使受光灵敏度提高。
并且，在像素阵列23中，如前所述，具有光的反射面的元件分离区域43，设为从P型的Si层34中的光入射的面至到达反射板46的深度为止，以便按每个光电转换元件40划分P型的Si层34。即，各光电转换元件40成为除了光入射一侧的面（受光面）以外的面被元件分离区域43和反射板46包围的状态。
由此，在像素阵列23中，如图3中以单点划线箭头所示，即使从任意的倾斜方向入射的光透射光电转换元件40，也能够通过元件分离区域43的反射面和反射板46将透射了的光反射到光电转换元件40侧。
因此，通过像素阵列23，即使对于从任意的倾斜方向向各光电转换元件40入射的光，也无浪费地被光电转换元件40接收，由此能够使受光灵敏度提高。
此外，在像素阵列23中，由于P型的Si层34中的端面的结晶缺陷、污染等，有时与光的入射的有无无关系地产生电子。与光的入射的有无无关系地产生的电子成为暗电流并被图像传感器20检测到，在摄像图像中成为白缺陷而显现出来，所以成为画质劣化的原因。
因此，图像传感器20通过具备对元件分离区域43的导电性部件42以及反射板46供给负的电压的电压供给部24，谋求暗电流的降低。电压供给部24在P型的Si层34中的光入射的面侧的一点与元件分离区域43的导电性部件42连接。
在此，元件分离区域43形成为俯视格子状，以划分P型的Si层34。为此，电压供给部24与元件分离区域43的导电性部件42中的一点连接，从而能够对包围多个光电转换元件40的导电性部件42整体施加负的电压。
此外，元件分离区域43的导电性部件42与反射板46为导通状态。为此，在通过电压供给部24对元件分离区域43的导电性部件42施加负的电压时，导电性部件42以及反射板46双方带负电。
由此，在P型的Si层34中的与层间绝缘膜44的结合面附近以及与元件分离区域43的结合面附近，吸引空穴从而产生电特性反转的反转区域。因此，通过像素阵列23，通过使该反转区域内的空穴与在P型的Si层34中的端面上与光的入射的有无无关地产生的电子再结合，由此能够降低暗电流。
接下来，参照图4～图6，对实施方式的固体摄像装置14的制造方法进行说明。另外，固体摄像装置14中的像素阵列23以外的部分的制造方法与一般的CMOS图像传感器相同。为此，以下，对固体摄像装置14中的像素阵列23部分的制造方法进行说明。
图4～图6是表示实施方式的固体摄像装置14的制造工序的剖视示意图。另外，在图4～图6中，选择性地示出像素阵列23中的图3所示的部分的制造工序。
如图4的（a）所示，在制造像素阵列23的情况下，在Si晶片等半导体基板4上形成P型的Si层34。此时，例如在半导体基板4上使掺杂了硼等P型的杂质的Si层外延生长，由此形成P型的Si层34。另外，该P型的Si层34也可以通过对Si晶片的内部进行离子注入P型的杂质后进行退火处理而形成。
接下来，对P型的Si层34中的光电转换元件40的形成位置离子注入例如磷等N型的杂质并进行退火处理，由此形成N型的Si区域39。由此，在像素阵列23中，由P型的Si层34与N型的Si区域39的PN结形成光电二极管即光电转换元件40。
之后，如图4的（b）所示，在P型的Si层34上形成读出栅极45之后，在读出栅极45以及P型的Si层34上，例如通过用CVD（Chemical VaporDeposition）层叠氧化硅，由此形成层间绝缘膜44。
接下来，如图4的（c）所示，在层间绝缘膜44上形成反射板46。该反射板46以覆盖P型的Si层34中的设置光电转换元件40的区域上的方式通过例如成膜出铜膜而形成。
另外，在此虽未图示，但在形成反射板46的工序中，在与形成反射板46的层相同的层中，例如，在形成铜膜之后施行规定的图案形成，第一层的布线47与反射板46同时形成。
这样，在形成第一层的布线47的工序中同时形成反射板46，所以仅仅通过在图案形成第一层的布线47时形成反射板46的图案，就能够在不另外追加形成反射板46的工序的情况下形成反射板46。
之后，反复进行在反射板46上形成层间绝缘膜44的工序、形成层间绝缘膜44的规定的布线图案的工序、在布线图案内埋入例如铜等而形成布线47的工序。由此，形成图4的（d）所示的多层布线层35。
接下来，如图5的（a）所示，在多层布线层35的上表面涂敷粘接剂而设置粘接层36，在粘接层36的上表面例如粘贴Si晶片等的支承基板37。之后，在使图5的（a）所示的构造体的上下反转之后，例如通过砂轮机等研磨装置从背面侧（在此，上表面侧）研磨半导体基板4，直到使半导体基板4薄化为规定的厚度为止。
进而，例如，用CMP（Chemical Mechanical Polishing）进一步研磨半导体基板4的背面侧，如图5的（b）所示，使P型的Si层34的作为受光面的背面（在此，上表面）露出。
之后，如图5的（c）所示，在P型的Si层34中的元件分离区域43（图3参照）的形成位置即各N型的Si区域39之间的位置，形成元件分离用的沟槽5。在形成沟槽5的工序中，例如，用反应式离子蚀刻（RIE，Reactive Ion Etching）形成了从P型的Si层34的上表面起到达反射板46的跟前为止的沟槽5后，进一步进行湿式蚀刻，从而使沟槽5达到反射板46为止。
接下来，如图6的（a）所示，在沟槽5的内周面，例如使用CVD、溅射等形成氧化硅等绝缘膜41。之后，对于沟槽5的内部进行各向异性蚀刻，由此如图6的（b）所示，使沟槽5的侧面中的绝缘膜41残留，选择性地去除沟槽5的底面中的绝缘膜41。
然后，向除了底面以外的侧面被绝缘膜41所被覆的沟槽5的内部，例如使用溅射等埋入铜等导电性部件42，由此如图6的（c）所示，形成元件分离区域43。
之后，如图3所示，在元件分离区域43的上表面侧，将导电性部件42与电压供给部24连接，形成了波导33以及保护膜38之后，依次形成滤色器32、微透镜31，由此形成像素阵列23。
如上所述，实施方式的固体摄像装置，在设有多个光电转换元件的半导体层的与光入射的面相反的面一侧，具备反射光的反射板。进而，固体摄像装置具备元件分离区域，该元件分离区域以俯视格子状地包围各光电转换元件的方式设为从半导体层的光入射的面起至到达反射板的深度为止，该元件分离区域将光电转换元件彼此电气性地元件分离并且具有光的反射面。即，实施方式的光电转换元件成为除了光入射一侧的面（受光面）以外的面被具备光反射功能的元件分离区域和反射板包围的状态。
由此，在实施方式的固体摄像装置中，即使相对于光电转换元件的受光面从任意的方向入射的光透射光电转换元件，也能够通过元件分离区域和反射板使透射了的光向光电转换元件侧反射。因此，根据实施方式的固体摄像装置，通过使入射的光无浪费地被各光电转换元件所接收，由此能够使受光灵敏度提高。
另外，上述的元件分离区域43的结构并不限定于上述的结构。最后，参照图7，对元件分离区域43的结构的变形例进行说明。图7是表示实施方式的变形例的像素阵列23a的剖面构造的说明图。
另外，在此，对于图7所示的结构要素中的具有与图3所示的结构相同的功能的结构要素，标注与图3所示的符号相同的符号，由此省略其说明。
如图7所示，变形例的像素阵列23a与图3所示的像素阵列23不同之处在于：元件分离区域43a的结构以及电压供给部24与元件分离区域43a和反射板46分别连接。
具体而言，元件分离区域43a的导电性部件42a除了侧面以外底面也被绝缘膜41a所被覆。其中，元件分离区域43a也与图6的（c）所示的元件分离区域43同样地，在底面与反射板46结合。
为此，通过变形例的像素阵列23a也是，即使相对于光电转换元件40的受光面从任意的方向入射的光透射光电转换元件40，也能够通过元件分离区域43a和反射板46使透射的光反射到光电转换元件40侧。因此，根据变形例的固体摄像装置，通过使入射的光无浪费地被各光电转换元件40所接收，由此能够使受光灵敏度提高。
并且，变形例的元件分离区域43a如图6（a）所示那样，能够在用绝缘膜41a被覆沟槽5的内周面之后，不去除沟槽5中的底面的绝缘膜41a而是向沟槽5的内部埋入绝缘性部件42a来形成。因此，变形例的像素阵列23a能够减少制造工序数并且能够使受光灵敏度提高。
但是，元件分离区域43a与反射板46未成为导通状态。为此，在像素阵列23a中，将电压供给部24与元件分离区域43a的导电性部件42a以及反射板46分别单独地连接。
由此，在像素阵列23a中，能够从电压供给部24向元件分离区域43a的导电性部件42a以及反射板46供给负的电压，所以与图3所示的像素阵列23同样地，能够降低暗电流。
另外，将电压供给部24与元件分离区域43a的导电性部件42a连接的连接线例如通过在形成第一层的布线47以及反射板46的工序同时图案形成连接线来形成。为此，能够在不使制造工序数增加的情况下使电压供给部24和导电性部件42a连接。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，意图不在于限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。上述实施方式及其变形包含于发明的范围及要旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其等同的范围。
Claims (20)
1.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：
半导体层，二维阵列状地排列有多个光电转换元件；
反射板，覆盖所述半导体层的与光入射的面相反的面一侧，且反射光；以及
元件分离区域，设为从所述半导体层的光入射的面起至到达所述反射板的深度为止，以便按每个所述光电转换元件划分所述半导体层，该元件分离区域使所述光电转换元件彼此物理性以及电气性地元件分离，并且具有光的反射面。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述元件分离区域分别具有包括反射面的反射导电性部件以及绝缘膜。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
还具备供给负电压的电压供给部，所述电压供给部与所述元件分离区域电连接。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述反射板由导电性部件形成，所述元件分离区域包括导电性部件，所述反射板以及所述元件分离区域为，所述反射板经由所述元件分离区域与所述电压供给部电连接。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
还包括电压供给部，该电压供给部分别与所述元件分离区域以及所述反射板电连接，并供给负电压。
6.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，还包括：
层间绝缘膜，设置于所述反射板与所述半导体层的与光入射的面的相反一侧的面之间；以及
读出晶体管，具有设于所述层间绝缘膜内的读出栅极，读出所述光电转换元件的电荷。
7.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
还包括多个微透镜，所述微透镜分别配置于所述光电转换元件上。
8.如权利要求7所述的固体摄像装置，其特征在于，
还包括多个滤色器，所述滤色器分别配置于所述微透镜与所述光电转换元件之间。
9.如权利要求8所述的固体摄像装置，其特征在于，
还包括多个波导，所述波导分别配置于所述滤色器与所述光电转换元件之间。
10.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：
半导体层，二维阵列状地排列有多个光电转换元件；
反射板，覆盖所述半导体层的与光入射的面相反的面一侧，且反射光；以及
元件分离区域，设为从所述半导体层的光入射的面起至到达所述反射板的深度为止，以便按每个所述光电转换元件划分所述半导体层，该元件分离区域使所述光电转换元件彼此物理性以及电气性地元件分离，并且具有光的反射面，
所述反射板以及所述元件分离区域偏压为抑制所述光电转换元件中的暗电流的电位。
11.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
还包括供给负电压的电压供给部，所述电压供给部与所述元件分离区域电连接。
12.如权利要求11所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述反射板以及所述元件分离区域电连接，所述反射板经由所述元件分离区域与所述电压供给部电连接。
13.如权利要求11所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述反射板以及所述元件分离区域各自分别与所述电压供给部电连接。
14.一种固体摄像装置的制造方法，其特征在于，包括：
形成二维阵列状地排列有多个光电转换元件的半导体层的工序；
形成覆盖所述半导体层的与光入射的面相反的面一侧并反射光的反射板的工序；以及
形成元件分离区域的工序，该元件分离区域设为从所述半导体层的光入射的面起至到达所述反射板的深度为止，以便按每个所述光电转换元件划分所述半导体层，该元件分离区域使所述光电转换元件彼此电气性地元件分离并且具有光的反射面。
15.如权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，
还包括在各个所述光电转换元件之上形成微透镜的工序。
16.如权利要求15所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，
还包括在所述光电转换元件与对应的所述微透镜之间，在各个所述光电转换元件上形成滤色器的工序。
17.如权利要求16所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，
还包括在所述光电转换元件与对应的所述滤色器之间，在各个所述光电转换元件上形成波导的工序。
18.如权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，还包括：
形成支承基板的工序；以及
在所述支承基板与所述反射板之间形成多层布线层的工序。
19.如权利要求14所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述层间绝缘膜与所述半导体层的与光入射的面相反一侧的面之间形成层间绝缘膜的工序；以及
形成读出晶体管的工序，该读出晶体管为在所述层间绝缘膜内配置有读出栅极，且读出所述光电转换元件的电荷。
20.如权利要求19所述的固体摄像装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体层通过形成p-型层的工序及在所述p-型层内形成各个光电转换元件所用的n-型区域的工序而形成。
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