TW201505165A - 固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種可提升受光靈敏度的固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法。
依照本發明的一個實施形態，係提供一種固態影像感測裝置。固態影像感測裝置具備半導體層、反射板、及元件分離區域。半導體層中，複數個光電變換元件排列成二維陣列狀。反射板，覆蓋半導體層中光入射之面的相反面側，並將光反射。元件分離區域，其設置成深度從半導體層中光入射之面到達至反射板，而對每個光電變換元件將半導體層區隔開來，以便將光電變換元件彼此電性地元件分離，且具有光的反射面。
Description
本申請案享受2013年7月26日申請之日本發明專利申請案編號2013-155182之優先權利益，該日本發明專利申請案的所有內容被援用於本申請案中。
本發明之實施形態係有關固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法。
習知，數位相機或附相機功能的行動終端等電子機器，具備具有固態影像感測裝置之相機模組。固態影像感測裝置係具備與攝像圖像的各像素相對應而以二維陣列狀排列之複數個光電變換元件。各光電變換元件因應受光量而將入射光光電變換成相應量之電荷，並蓄積成為表示各像素亮度之訊號電荷。
該固態影像感測裝置，有表面照射型者、及背面照射型者。表面照射型者當中，排列著光電變換元件
之半導體層的表面為受光面，在受光面側設有配線層。另一方面，背面照射型者當中，排列著光電變換元件之半導體層的背面為受光面，在表面側設有配線層。
像這樣，背面照射型者，由於在各光電變換元件的受光面側不存在配線層，故相較於表面照射型者可更有效率地受光。然而，背面照射型者當中，必須從背面側將半導體層予以研磨薄化，藉此使各光電變換元件的受光面露出，故應受光的光的一部分會穿透薄化後的半導體層而有受光靈敏度降低之問題。
本發明所欲解決之問題，在於提供一種可提升受光靈敏度的固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法。
一實施形態的固態影像感測裝置，其特徵為，具備：半導體層，係複數個光電變換元件排列成二維陣列狀；反射板，覆蓋前述半導體層中光入射之面的相反面側，並將光反射；及元件分離區域，係設置成深度從前述半導體層中光入射之面到達至前述反射板，而對每個前述光電變換元件將前述半導體層區隔開來，以便將前述光電變換元件彼此物理地及電性地元件分離，且具有光的反
射面。
另一實施形態之固態影像感測裝置，其特徵為，具備：半導體層，係複數個光電變換元件排列成二維陣列狀；及反射板，覆蓋前述半導體層中光入射之面的相反面側，並將光反射；及元件分離區域，係設置成深度從前述半導體層中光入射之面到達至前述反射板，而對每個前述光電變換元件將前述半導體層區隔開來，以便將前述光電變換元件彼此物理地及電性地元件分離，且具有光的反射面；前述反射板及前述元件分離區域，係被偏壓(biased)成抑制前述光電變換元件中的暗電流之電位。
又另一實施形態之製造方法，其特徵為，包含：形成複數個光電變換元件排列成二維陣列狀的半導體層之工程；形成覆蓋前述半導體層中光入射之面的相反面側，並將光反射的反射板之工程；及形成設置成深度從前述半導體層中光入射之面到達至前述反射板，而對每個前述光電變換元件將前述半導體層區隔開來，以便將前述光電變換元件彼此電性地元件分離，且具有光的反射面的元件分離區域之工程。
按照上述構成之固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法，便可提升受光靈敏度。
1‧‧‧數位相機
11‧‧‧相機模組
12‧‧‧後段處理部
13‧‧‧攝像光學系統
14‧‧‧固態影像感測裝置
15‧‧‧ISP
16‧‧‧記憶部
17‧‧‧顯示部
20‧‧‧影像感測器
21‧‧‧訊號處理電路
22‧‧‧周邊電路
23、23a‧‧‧像素陣列
24‧‧‧電壓供給部
25‧‧‧垂直移位暫存器
26‧‧‧時序控制部
27‧‧‧CDS
28‧‧‧ADC
29‧‧‧線記憶體
31‧‧‧微透鏡
32‧‧‧彩色濾光片
33‧‧‧導波路
34‧‧‧P型的Si層
35‧‧‧多層配線層
36‧‧‧黏著層
37‧‧‧支撐基板
38‧‧‧保護膜
39‧‧‧N型的Si區域
40‧‧‧光電變換元件
41、41a‧‧‧絕緣膜
42、42a‧‧‧導電性構件
43、43a‧‧‧元件分離區域
44‧‧‧層間絕緣膜
45‧‧‧讀出閘
46‧‧‧反射板
47‧‧‧配線
4‧‧‧半導體基板
5‧‧‧溝槽
[圖1]具備實施形態之固態影像感測裝置的數位相機概略構成示意方塊圖。
[圖2]實施形態之固態影像感測裝置的概略構成示意方塊圖。
[圖3]實施形態之像素陣列的截面構造示意說明圖。
[圖4]實施形態之固態影像感測裝置的製造工程示意截面模型圖。
[圖5]實施形態之固態影像感測裝置的製造工程示意截面模型圖。
[圖6]實施形態之固態影像感測裝置的製造工程示意截面模型圖。
[圖7]實施形態的變形例之像素陣列的截面構造示意說明圖。
以下參照所附圖面，詳細說明實施形態之固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法。另，本發明並非由該實施形態所限定。
圖1為具備實施形態之固態影像感測裝置14的數位相機1概略構成示意方塊圖。如圖1所示，數位相機1具備相機模組11與後段處理部12。
相機模組11具備攝像光學系統13與固態影像感測裝置14。攝像光學系統13攝入來自被攝體的光，
使被攝體像成像。固態影像感測裝置14，會將藉由攝像光學系統13而成像之被攝體像予以攝像，並將藉由攝像而得之圖像訊號輸出至後段處理部12。該相機模組11除了數位相機1以外，例如還可運用於附相機之行動終端等電子機器。
後段處理部12具備ISP(Image Signal Processor，影像訊號處理器)15、記憶部16及顯示部17。ISP15對於從固態影像感測裝置14輸入之圖像訊號進行訊號處理。該ISP15例如會進行雜訊除去處理、缺陷像素修正處理、解析度變換處理等高畫質化處理。
接著，ISP15會將訊號處理後的圖像訊號輸出至記憶部16、顯示部17以及相機模組11內的固態影像感測裝置14所具備之後述訊號處理電路21(參照圖2)。從ISP15反饋給相機模組11的圖像訊號，係用於固態影像感測裝置14的調整或控制。
記憶部16會將從ISP15輸入的圖像訊號記憶成為圖像。此外，記憶部16會將記憶的圖像之圖像訊號因應使用者之操作等而輸出至顯示部17。顯示部17會因應從ISP15或記憶部16輸入之圖像訊號而顯示圖像。該顯示部17例如為液晶顯示器。
接著參照圖2，說明相機模組11具備之固態影像感測裝置14。圖2為實施形態之固態影像感測裝置14的概略構成示意方塊圖。如圖2所示，固態影像感測裝置14具備影像感測器20、訊號處理電路21。
此處，係針對影像感測器20為所謂背面照射型CMOS(互補式金屬氧化物半導體，Complementary Metal Oxide Semiconductor)影像感測器的情形，亦即配線層是形成於將入射光做光電變換的光電變換元件中與入射光入射面相反側之面上的情形來說明。
影像感測器20具備周邊電路22、像素陣列23、電壓供給部24。此外，周邊電路22具備垂直移位暫存器25、時序控制部26、CDS(相關雙重取樣部，correlated double sampling)27、ADC(類比數位變換部)28、及線記憶體29。
像素陣列23設於影像感測器20的攝像區域。在該像素陣列23，與攝像圖像的各像素相對應之複數個光電變換元件，是朝水平方向(列方向)及垂直方向(行方向)排列成二維陣列狀(矩陣狀)。又，像素陣列23會使與各像素相對應之各光電變換元件產生相應於入射光量的訊號電荷(例如電子)並蓄積。
時序控制部26係為對垂直移位暫存器25輸出脈衝訊號以作為動作時序基準之處理部。垂直移位暫存器25，係為從排列成二維陣列(行列)狀的複數個光電變換元件當中，將用來以列單位依序選擇讀取訊號電荷的光電變換元件之選擇訊號輸出至像素陣列23之處理部。
像素陣列23係將藉由從垂直移位暫存器25輸入的選擇訊號而以列單位被選擇之各光電變換元件中蓄積的訊號電荷，從光電變換元件輸出至CDS27以作為示
意各像素亮度之像素訊號。
CDS27係為從自像素陣列23輸入的像素訊號中，藉由相關雙重取樣除去雜訊而輸出至ADC28之處理部。ADC28係為將從CDS27輸入的類比像素訊號變換成數位像素訊號並輸出至線記憶體29之處理部。線記憶體29係為暫時保持從ADC28輸入的像素訊號，並依像素陣列23中的每一列光電變換元件而輸出至訊號處理電路21之處理部。
訊號處理電路21係為對從線記憶體29輸入的像素訊號進行規定訊號處理並輸出至後段處理部12之處理部。訊號處理電路21係對像素訊號例如進行鏡頭陰影校正(shading correction)、傷痕修正、雜訊減低處理等訊號處理。
電壓供給部24係對設於像素陣列23之後述反射板及元件分離區域施加負電壓，藉此抑制暗電流產生。有關此點，參照圖3後述之。
像這樣，影像感測器20中，配置於像素陣列23的複數個光電變換元件會將入射光光電變換成與受光量相應的量之訊號電荷並蓄積，周邊電路22會將各光電變換元件中蓄積的訊號電荷讀取成為像素訊號，藉此進行攝像。
該影像感測器20具備下述構成，即，使來自被攝體的光藉由像素陣列23的各光電變換元件而有效率地受光，藉此提升受光靈敏度。以下，說明具備提升受光
靈敏度之構成的像素陣列23。
此處，首先參照圖3，說明將像素陣列23沿著相對於受光面為垂直之方向切斷之截面視圖下，像素陣列23的截面構造。圖3為實施形態之像素陣列23的截面構造示意說明圖。另，圖3中，係將電壓供給部24以直流電源(電池)的電路記號來模式化地表示。
如圖3所示，像素陣列23從光入射側依序具備微透鏡31、彩色濾光片32、導波路33、P型半導體(此處訂為Si(矽))層34、多層配線層35、黏著層36、支撐基板37。
微透鏡31為將入射的光聚光之平凸透鏡。彩色濾光片32為使紅、綠、藍或白的任一色光選擇性穿透之濾光片。導波路33為將穿透彩色濾光片32的光引導至P型的Si層34側之區域，例如由氮化Si所形成。在導波路33的周圍，例如設置由氧化Si所形成之保護膜38。
P型的Si層34為例如使摻入硼等P型雜質的Si進行磊晶成長而形成之區域。另，P型的Si層34亦可以是對Si晶圓將P型雜質離子植入而形成之物。
在P型的Si層34內部當中形成光電變換元件40的位置，設有N型的Si區域39。像素陣列23中，藉由P型的Si層34與N型的Si區域39之PN接合而形成之光二極體，會成為光電變換元件40。
此外，在P型的Si層34中，為了對每個光電變換元件40將P型的Si層34區隔開來，係設有元件
分離區域43，其從P型的Si層34當中光入射之面到達至多層配線層35內部之後述反射板46。
元件分離區域43具備導電性構件42，其除了與反射板46的接合面以外之周面係被絕緣膜41被覆。導電性構件42例如為銅、鋁、鎢等會反射光之金屬。該元件分離區域43，係藉由設於周面之絕緣膜41而與各光電變換元件40彼此電性地元件分離。此外，元件分離區域43，係使絕緣膜41與導電性構件42之交界面發揮光反射面之功能，藉此將各光電變換元件40彼此光學地元件分離。
多層配線層35包含：層間絕緣膜44，設於P型的Si層34中光入射之面的相反面側；及讀出閘45，設於層間絕緣膜44的內部；及反射板46、配線47等。另，黏著層36及支撐基板37後述之。
讀出閘45，係為從各光電變換元件40讀取訊號電荷至浮動擴散(floating diffusion，圖示略)之讀取電晶體的閘極。此外，配線47係對設於像素陣列23的各半導體元件傳送控制訊號等。
反射板46係設置成覆蓋P型的Si層34中光入射之面的相反面側，將穿透各光電變換元件40而來的光反射回光電變換元件40側。該反射板46，例如是由銅或鋁等這類與配線47相同之金屬材料來形成。
另，穿透光電變換元件40而到達反射板46的光，有較大的可能性是3原色當中波長比藍色光或綠色
光還長的紅色光。因此，作為反射板46的材料，只要是光折射率比介於P型的Si層34之間的層間絕緣膜44還小，且至少會反射紅色光之材料，那麼可不限於金屬材料而運用任意材料。
如本實施形態般，當層間絕緣膜44的材料為氧化Si的情形下，作為反射板46的材料，以光折射率還氧化Si還低且反射紅色光的金屬材料以外之材料而言，亦可運用在氧化Si中添加碳或氟而成之材料。
像這樣，像素陣列23中，係具備反射板46，其覆蓋著有複數個光電變換元件40排列成二維陣列狀之P型的Si層34中光入射之面的相反面側，並將光反射。
如此一來，如圖3中虛線箭頭所示，即使入射至光電變換元件40的光穿透光電變換元件40，仍能使穿透的光藉由反射板46反射回光電變換元件40側。是故，按照像素陣列23，會使入射的光不浪費地在光電變換元件40受光，藉此能夠提升受光靈敏度。
再者，像素陣列23中，如前所述，具有光反射面之元件分離區域43，為了對每個光電變換元件40將P型的Si層34區隔開來，係設置成深度從P型的Si層34中光入射之面到達至反射板46。也就是說，各光電變換元件40中，除了光入射側之面(受光面)以外的面，係成為被元件分離區域43與反射板46包圍之狀態。
如此一來，像素陣列23中，如圖3單點鏈線箭頭所示，即使從任意斜方向入射的光穿透光電變換元件
40，仍能使穿透的光藉由元件分離區域43的反射面以及反射板46而反射回光電變換元件40側。
是故，按照像素陣列23，針對從斜方向入射至各光電變換元件40的光，也會使其不浪費地在光電變換元件40受光，藉此能夠提升受光靈敏度。
此外，像素陣列23中，有時會因P型的Si層34當中端面的晶體缺陷或污染等，造成無論光有無入射均會產生電子。無論光有無入射均產生之電子，會成為暗電流而被影像感測器20檢測出來，而在攝像圖像中顯現成為白斑(white blemish)，故會導致畫質劣化。
鑑此，影像感測器20係具備對元件分離區域43的導電性構件42及反射板46供給負電壓之電壓供給部24，藉此謀求暗電流的減低。電壓供給部24，是在P型的Si層34中光入射之面側的1個點，與元件分離區域43的導電性構件42連接。
在此，元件分離區域43為了將P型的Si層34區隔開來，係形成為俯視格子狀。因此，電壓供給部24只要與元件分離區域43的導電性構件42中的一個點連接，便能對包圍複數個光電變換元件40之導電性構件42全體施加負電壓。
此外，元件分離區域43的導電性構件42與反射板46係為導通狀態。因此，若藉由電壓供給部24對元件分離區域43的導電性構件42施加負電壓，會使導電性構件42及反射板46雙方帶負電。
如此一來，在P型的Si層34中與層間絕緣膜44之接合面鄰近、及在與元件分離區域43之接合面鄰近，電洞會被拉近而產生電性特性反轉之反轉區域。是故，按照像素陣列23，會使該反轉區域內的電洞、與P型的Si層34中在端面無論光有無入射均產生之電子復合(recombination)，藉此便能使暗電流減低。
接著參照圖4至圖6，說明實施形態之固態影像感測裝置14之製造方法。另，固態影像感測裝置14當中像素陣列23以外的部分之製造方法，係與一般的CMOS影像感測器相同。因此，以下僅針對固態影像感測裝置14當中像素陣列23部分之製造方法進行說明。
圖4至圖6為實施形態之固態影像感測裝置14的製造工程示意截面模型圖。另，圖4至圖6中，係選擇性地揭示像素陣列23當中圖3所示部分之製造工程。
如圖4(a)所示，當製造像素陣列23的情形下，會在Si晶圓等半導體基板4上形成P型的Si層34。此時，例如在半導體基板4上使摻入硼等P型雜質之Si層磊晶成長，藉此形成P型的Si層34。另，該P型的Si層34，亦可藉由對Si晶圓內部離子植入P型雜質並進行退火處理來形成。
接著，對於P型的Si層34當中形成光電變換元件40之位置，例如將磷等N型雜質做離子植入並進行退火處理，藉此形成N型的Si區域39。如此一來，像
素陣列23中，藉由P型的Si層34與N型的Si區域39之PN接合而形成光二極體，即光電變換元件40。
其後，如圖4(b)所示，在P型的Si層34上形成讀出閘45後，在讀出閘45及P型的Si層34上，例如藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)使氧化Si層積，藉此形成層間絕緣膜44。
接著，如圖4(c)所示，在層間絕緣膜44上形成反射板46。該反射板46例如是藉由使銅膜成膜來形成，而覆蓋P型的Si層34中設有光電變換元件40之區域上。
另，此處雖未圖示，但在形成反射板46之工程中，在和形成反射板46之層的同一層上，例如於形成銅膜後施以規定之圖樣形成(patterning)，藉此便使第1層的配線47和反射板46同時形成。
像這樣，在形成第1層的配線47之工程的同時形成反射板46，故對第1層的配線47做圖樣形成時，只要預先形成反射板46的圖樣，便能不另行追加形成反射板46之工程而形成反射板46。
其後，在反射板46上反覆下述工程，即，形成層間絕緣膜44之工程、形成層間絕緣膜44的規定的配線圖樣之工程、及在配線圖樣內例如填埋銅等而形成配線47之工程。如此一來，便形成圖4(d)所示之多層配線層35。
接下來，如圖5(a)所示，在多層配線層35
的上面塗布黏著劑以設置黏著層36，在黏著層36的上面例如貼附Si晶圓等支撐基板37。其後，如圖5(a)所示將構造體上下翻轉之後，例如藉由磨床(grinder)等研磨裝置從背面側(此處為上面側)研磨半導體基板4，將半導體基板4減薄至成為規定厚度。
又，例如藉由CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)進一步研磨半導體基板4的背面側，如圖5(b)所示，使P型的Si層34的受光面即背面(此處為上面)露出。
其後，如圖5(c)所示，在P型的Si層34當中形成元件分離區域43(參照圖3)之位置，也就是各N型的Si區域39之間的位置，形成元件分離用之溝槽5。在形成溝槽5之工程中，例如藉由RIE(反應性離子蝕刻，Reactive Ion Etching)，形成從P型的Si層34的上面至幾乎到達反射板46之溝槽5後，再進行濕蝕刻，藉此使溝槽5到達至反射板46。
接著，如圖6(a)所示，在溝槽5的內周面，例如利用CVD或濺鍍等形成氧化Si等絕緣膜41。其後，對溝槽5的內部進行非等向性蝕刻(anisotropic etching)，藉此如圖6(b)所示，殘留下溝槽5的側面之絕緣膜41，而將溝槽5的底面之絕緣膜41選擇性除去。
然後，對於除了底面以外的側面均被絕緣膜41被覆之溝槽5的內部，例如利用濺鍍等來填埋銅等導
電性構件42，藉此如圖6(c)所示形成元件分離區域43。
其後，如圖3所示，在元件分離區域43的上面側，連接導電性構件42與電壓供給部24，並形成導波路33及保護膜38後，依序形成彩色濾光片32、微透鏡31，藉此形成像素陣列23。
如上所述，實施形態之固態影像感測裝置，是在設置著複數個光電變換元件之半導體層中光入射之面的相反面側，具備將光反射之反射板。又，固態影像感測裝置係具備元件分離區域，其設置成深度從半導體層中光入射之面到達至反射板，而將各光電變換元件包圍成俯視格子狀，以便將光電變換元件彼此電性地元件分離，且具有光的反射面。也就是說，實施形態之光電變換元件中，除了光入射側之面(受光面)以外的面，係成為被具備光反射功能的元件分離區域與反射板包圍之狀態。
如此一來，實施形態之固態影像感測裝置中，即使相對於光電變換元件的受光面從任意方向入射的光穿透光電變換元件，仍能使穿透的光藉由元件分離區域以及反射板而反射回光電變換元件側。是故，按照實施形態之固態影像感測裝置，會使入射的光不浪費地在各光電變換元件受光，藉此能夠提升受光靈敏度。
另，上述元件分離區域43之構成，並不限定於上述構成。最後，參照圖7，說明元件分離區域43之構成的變形例。圖7為實施形態的變形例之像素陣列23a
的截面構造示意說明圖。
另，在此，圖7所示之構成要素中，針對與圖3所示構成具有相同功能之構成要素，係標註與圖3所示符號相同之符號，並省略其說明。
如圖7所示，變形例之像素陣列23a，與圖3所示像素陣列23不同之處在於元件分離區域43a的構成、及電壓供給部24是個別連接至元件分離區域43a與反射板46。
具體而言，元件分離區域43a的導電性構件42a，除了側面以外連底面也被絕緣膜41a被覆。但元件分離區域43a仍如同圖6(c)所示元件分離區域43般，在底面與反射板46接合。
因此，按照變形例之像素陣列23a，同樣地，相對於光電變換元件40的受光面，即使從任意方向入射的光穿透光電變換元件40，仍能使穿透的光藉由元件分離區域43a以及反射板46而反射回光電變換元件40側。是故，按照變形例之固態影像感測裝置，會使入射的光不浪費地在各光電變換元件40受光，藉此能夠提升受光靈敏度。
再者，變形例之元件分離區域43a中，如圖6(a)所示，將溝槽5的內周面藉由絕緣膜41a被覆後，不需除去溝槽5的底面的絕緣膜41a，便能將絕緣性構件42a填埋而形成至溝槽5的內部。是故，變形例之像素陣列23a，可以減少製造工程數，同時提升受光靈敏度。
但，元件分離區域43a與反射板46並未成為導通狀態。因此，像素陣列23a中，係將電壓供給部24、與元件分離區域43a的導電性構件42a及反射板46分別個別地連接。
如此一來，像素陣列23a中，便能從電壓供給部24對元件分離區域43a的導電性構件42a及反射板46供給負電壓，故能如同圖3所示像素陣列23般減低暗電流。
另，將電壓供給部24與元件分離區域43a的導電性構件42a予以連接之連接線，例如可以在形成第1層的配線47及反射板46之工程中，同時將連接線做圖樣形成，藉此形成。因此，不需增加製造工程數，便能連接電壓供給部24與導電性構件42a。
以上已說明了本發明的數個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為示例，並非意圖限定發明之範圍。該些新穎之實施形態，可藉由其他各種形態而實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行種種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明之範圍或要旨中，且包含於申請專利範圍記載之發明及其均等範圍內。
23‧‧‧像素陣列
24‧‧‧電壓供給部
31‧‧‧微透鏡
32‧‧‧彩色濾光片
33‧‧‧導波路
34‧‧‧P型的Si層
35‧‧‧多層配線層
36‧‧‧黏著層
37‧‧‧支撐基板
38‧‧‧保護膜
39‧‧‧N型的Si區域
40‧‧‧光電變換元件
41‧‧‧絕緣膜
42‧‧‧導電性構件
43‧‧‧元件分離區域
44‧‧‧層間絕緣膜
45‧‧‧讀出閘
46‧‧‧反射板
47‧‧‧配線
Claims (20)
- 一種固態影像感測裝置，其特徵為，具備：半導體層，係複數個光電變換元件排列成二維陣列狀；反射板，覆蓋前述半導體層中光入射之面的相反面側，並將光反射；及元件分離區域，係設置成深度從前述半導體層中光入射之面到達至前述反射板，而對每個前述光電變換元件將前述半導體層區隔開來，以便將前述光電變換元件彼此物理地及電性地元件分離，且具有光的反射面。
- 如申請專利範圍第1項之固態影像感測裝置，其中，前述元件分離區域的各者，具有含有反射面之反射導電性構件及絕緣膜。
- 如申請專利範圍第1項之固態影像感測裝置，其中，更具備供給負電壓之電壓供給部，前述電壓供給部係與前述元件分離區域電性連接。
- 如申請專利範圍第3項之固態影像感測裝置，其中，前述反射板係由導電性構件所形成，元件分離區域含有導電性構件，前述反射板及前述元件分離區域，是前述反射板透過前述元件分離區域而與前述電壓供給部電性連接。
- 如申請專利範圍第1項之固態影像感測裝置，其中，更包含電壓供給部，其與前述元件分離區域及前述反射板分別電性連接，並供給負電壓。
- 如申請專利範圍第1項之固態影像感測裝置，其中，更包含：層間絕緣膜，設置於前述半導體層中光入射之面的相反側面與前述反射板之間；及讀取電晶體，具有設置於前述層間絕緣膜內之讀出閘，且讀取前述光電變換元件的電荷。
- 如申請專利範圍第1項之固態影像感測裝置，其中，更包含複數個微透鏡，前述微透鏡的各者，係配置於前述光電變換元件上。
- 如申請專利範圍第7項之固態影像感測裝置，其中，更包含複數個彩色濾光片，前述彩色濾光片的各者，係配置於前述微透鏡與前述光電變換元件之間。
- 如申請專利範圍第8項之固態影像感測裝置，其中，更包含複數個導波路，前述導波路的各者，係配置於前述彩色濾光片與前述光電變換元件之間。
- 一種固態影像感測裝置，其特徵為，具備：半導體層，係複數個光電變換元件排列成二維陣列狀；反射板，覆蓋前述半導體層中光入射之面的相反面側，並將光反射；及元件分離區域，係設置成深度從前述半導體層中光入射之面到達至前述反射板，而對每個前述光電變換元件將前述半導體層區隔開來，以便將前述光電變換元件彼此物理地及電性地元件分離，且具有光的反射面； 前述反射板及前述元件分離區域，係被偏壓(biased)成抑制前述光電變換元件中的暗電流之電位。
- 如申請專利範圍第1項之固態影像感測裝置，其中，更包含供給負電壓之電壓供給部，前述電壓供給部係與前述元件分離區域電性連接。
- 如申請專利範圍第11項之固態影像感測裝置，其中，前述反射板及前述元件分離區域係電性連接，前述反射板是透過前述元件分離區域而與前述電壓供給部電性連接。
- 如申請專利範圍第11項之固態影像感測裝置，其中，前述反射板及前述元件分離區域的各者，係分別與前述電壓供給部電性連接。
- 一種固態影像感測裝置之製造方法，其特徵為，包含：形成複數個光電變換元件排列成二維陣列狀的半導體層之工程；形成覆蓋前述半導體層中光入射之面的相反面側，並將光反射的反射板之工程；及形成設置成深度從前述半導體層中光入射之面到達至前述反射板，而對每個前述光電變換元件將前述半導體層區隔開來，以便將前述光電變換元件彼此電性地元件分離，且具有光的反射面的元件分離區域之工程。
- 如申請專利範圍第14項之固態影像感測裝置之製造方法，其中，更包含：在前述光電變換元件的各者之 上形成微透鏡之工程。
- 如申請專利範圍第15項之固態影像感測裝置之製造方法，其中，更包含：在前述光電變換元件與前述對應的微透鏡之間，於各個前述光電變換元件上形成彩色濾光片之工程。
- 如申請專利範圍第16項之固態影像感測裝置之製造方法，其中，更包含：在前述光電變換元件與前述對應的彩色濾光片之間，於各個前述光電變換元件上形成導波路之工程。
- 如申請專利範圍第14項之固態影像感測裝置之製造方法，其中，更包含：形成支撐基板之工程；及在前述支撐基板與前述反射板之間形成多層配線層之工程。
- 如申請專利範圍第14項之固態影像感測裝置之製造方法，其中，更包含：在前述層間絕緣膜與前述半導體層中光入射之面的相反側面之間，形成層間絕緣膜之工程；及形成在前述層間絕緣膜內配置有讀出閘，且讀取前述光電變換元件的電荷的讀取電晶體之工程。
- 如申請專利範圍第19項之固態影像感測裝置之製造方法，其中，前述半導體層，係由形成p-型層之工程、及在前述p-型層內形成光電變換元件的各者所用的n-型區域之工程，所形成。
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