CN106960853A - 图像传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种图像传感器。图像传感器包括像素阵列。像素阵列包括：多个像素；以及隔离结构，适用于在多个像素之间进行绝缘。隔离结构包括：第一导电类型导电层，形成在衬底之上；以及第二导电类型拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在多个像素中的每个之间。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年1月11日提交的第10-2016-0003084号、题为“图像传感器”的韩国专利申请的优先权，该申请通过引用整体合并于此。
背景技术
本发明的示例性实施例总体而言涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种图像传感器。
图像传感器将光学图像转换为电信号。随着计算机和通信产业的发展，在各种应用(诸如数字照相机、摄像机、智能电话、游戏机、监控摄像机、医用微型摄像机和机器人等)中对具有改善性能的图像传感器的需求有所增加。
发明内容
本发明的实施例针对一种具有改善性能的图像传感器。
根据本发明的实施例，一种图像传感器可以包括：多个单位像素组；以及隔离结构，适用于在多个单位像素组之间进行绝缘。隔离结构包括：第一导电类型导电层，形成在衬底之上；以及第二导电类型拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在多个单位像素组中的每个之间。此外，隔离结构还可以包括：元件隔离层，形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第二导电类型拾取区接触的底表面；以及插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第二导电类型拾取区。
正电压可以被施加至第二导电类型拾取区，所述正电压在高于接地电压至等于或低于电源电压的电压范围内变化。多个单位像素组以全局快门模式操作，正电压可以在积分时间(integration time)期间被施加至第二导电类型拾取区。多个单位像素组以卷帘快门模式操作，正电压可以一直被施加至第二导电类型拾取区。第一导电类型导电层可以包括在衬底中形成的第一导电类型阱，或者在衬底之上形成的第一导电类型外延层。每个单位像素组可以包括：光接收部分，包括多个光电转换元件，所述多个光电转换元件适用于响应于入射光而产生光电荷并且共用单个浮置扩散区；以及输出部分，适用于输出与光接收部分中产生的光电荷相对应的图像信号。第二导电类型拾取区可以设置在每个光接收部分之间。第二导电类型拾取区可以具有点的形状。
根据本发明的另一实施例，图像传感器包括：多个单位像素组；隔离结构，适用于在多个单位像素组之间进行隔离绝缘；以及第一导电类型的第一拾取区，形成在隔离结构中并且设置在多个单位像素组中的每个之间。隔离结构可以包括：第一导电类型导电层；以及第二导电类型的第二拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在多个单位像素组中的每个之间。此外，隔离结构还可以包括：元件隔离层，形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第一拾取区和第二拾取区接触的底表面；第一插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第一拾取区；以及第二插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第二拾取区。
正电压可以被施加至第二拾取区，所述正电压在高于接地电压至等于或低于电源电压的电压范围内变化。多个单位像素组以全局快门模式操作，正电压可以在积分时间期间被施加至第二拾取区。多个单位像素组以卷帘快门模式操作，正电压可以一直被施加至第二拾取区。接地电压可以被施加至第一拾取区。第一导电类型导电层可以包括在衬底中形成的第一导电类型阱，或者在衬底之上形成的第一导电类型外延层。每个单位像素组可以包括：光接收部分，包括多个光电转换元件，所述多个光电转换元件适用于响应于入射光而产生光电荷并且共用单个浮置扩散区；以及输出部分，适用于输出与光接收部分中产生的光电荷相对应的图像信号。第一拾取区可以设置在每个输出部分之间。第二拾取区可以设置在每个光接收部分之间。第一拾取区和第二拾取区可以具有点的形状。
附图说明
图1是示意性地图示根据本发明的实施例的图像传感器的框图。
图2是局部地图示根据本发明的第一实施例和第二实施例的像素阵列的俯视图。
图3是根据本发明的第一实施例的沿着图2中所示的像素阵列的A-A'线截取的截面图。
图4是根据本发明的第二实施例的沿着图2中所示的像素阵列的A-A'线截取的截面图。
图5是示意性地图示与图2的A-A'线相对应的势垒的图。
图6是局部地图示根据本发明的第三实施例和第四实施例的像素阵列的俯视图。
图7是根据本发明的第三实施例的沿着图6中所示的像素阵列的A-A'线截取的截面图。
图8是根据本发明的第四实施例的沿着图6中所示的像素阵列的A-A'线截取的截面图。
图9是图示根据本发明的实施例的电子设备的示图。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
附图不一定成比例，在某些情况下，附图中的至少一些结构的比例可以被放大以清楚地说明所描述示例或实施方式的某些特征。在附图或描述中表示一个在多层结构中具有两层或更多层的特定示例中，所示的这些层的相对位置关系或这些层的布置顺序反映了所述示例或所示示例的特定实施方式，而这些层的不同的相对位置关系或布置顺序可以是可能的。另外，所述或所示的多层结构的示例可以不反映在该特定多层结构中存在的所有层(例如，一个或更多个额外层可以存在于两个所示层之间)。作为特定实施例，当所述或所示多层结构中的第一层被称为在第二层“上”或“之上”或者在衬底“上”或“之上”，第一层不仅可以直接形成在第二层或衬底上，还可以表示一个或更多个其他的中间层可以存在于第一层和第二层或衬底之间的结构。
如下所述的本发明的各种实施例提供了具有改善性能的图像传感器。改善的性能可以指提供高像素图像的能力。更具体地，其可以指抑制通常随着图像传感器的集成密度增加而增加的高光溢出现象，以提供高像素图像。
如图1中所示，根据本发明的实施例的图像传感器可以包括像素阵列100、相关双采样单元(CDS)120、模数转换器(ADC)130、缓冲器140、行驱动器150、时序发生器160、控制寄存器170和斜坡信号发生器180。像素阵列100可以包括以矩阵结构布置的多个单位像素组110(或像素)。
时序发生器160可以产生用于控制行驱动器150、相关双采样单元120、模数转换器130和斜坡信号发生器180的操作的控制信号。控制寄存器170可以产生用于控制斜坡信号发生器180、时序发生器160和缓冲器140的操作的控制信号。
行驱动器150可以以行线为单位基数来驱动像素阵列100，即每次一个或更多个行线。例如，行驱动器150可以产生能够从多个行线中选择一个行线的选择信号。一个或更多个单位像素组110可以耦接至每个行线，而仅一个行线可以耦接至每个单位像素组110。在图1的实施例中，多个单位像素组110耦接至每个行线。
每个单位像素组110可以检测入射光以经由相应的列线将图像重置信号和图像信号输出至相关双采样单元120。相关双采样单元120可以对每个接收到的图像信号和每个图像重置信号进行采样。一个或更多个单位像素组110可以耦接至每个列线，而仅一个列线可以耦接至每个单位像素组110。模数转换器130可以将从斜坡信号发生器180接收的斜坡信号与从相关双采样单元120接收的采样信号进行比较，以产生比较信号。模数转换器130可以基于从时序发生器160接收的时钟信号而对比较信号的电平转变时间计数，以将计数值输出至缓冲器140。斜坡信号发生器180可以在时序发生器160的控制下操作。
缓冲器140可以储存从模数转换器130输出的多个计数值作为数字信号。缓冲器140可以感测放大及输出计数值。缓冲器140可以包括用于储存计数值的存储器(未示出)，所述计数值与从单位像素组110输出的信号相关联。缓冲器140还可以包括用于感测和放大从存储器输出的计数值的感测放大器(未示出)。
为了提供高分辨率图像，集成在像素阵列100中的像素的数量通常应是高的。因为，更多数量的像素应布置在有限区域以内，所以每个像素的尺寸已逐渐减小。而且，为了在更小尺寸的像素内获得最大填充因子，已引入具有多个单位像素组110的图像传感器，所述单位像素组具有共用的像素结构。然而，存在不利之处，因为随着像素尺寸减小，图像质量也可能由于高光溢出现象而降低，在所述高光溢出现象中，光电转换元件中产生的光电荷流入相邻的光电转换元件中。
以下参照附图描述的本发明的各个实施例针对能够抑制高光溢出现象的图像传感器。
图2是具体图示根据本发明的第一实施例和第二实施例的图像传感器中的像素阵列的一部分的俯视图。图3是根据本发明的第一实施例的沿着图2中所示的像素阵列的A-A'线截取的截面图。
如图2和图3所示，根据本发明的第一实施例，像素阵列100可以包括多个单位像素组110和用于在多个单位像素组110之间进行绝缘的隔离结构210。
在根据第一实施例的像素阵列100中，每个单位像素组110可以包括光接收部分111，被配置成响应于入射光而产生光电荷；和输出部分113，被配置成输出与光接收部分111中产生的光电荷的量相对应的图像信号。
光接收部分111可以包括一个或更多个光接收单元112，其可以共用单个浮置扩散区FD。每个光接收单元112可以包括：光电转换元件PD，被配置成响应于入射光而产生光电荷；和传输晶体管Tx，被配置成响应于传输信号而将光电转换元件PD中产生的光电荷传送到浮置扩散区FD。光电转换元件PD可以是任何合适的光电转换元件。例如，光电转换元件PD可以包括光电二极管(未示出)。根据图2所示的第一实施例，四个光接收单元112共用单个浮置扩散区FD。四个光接收单元112可以布置成围绕浮置扩散区FD，以优化空间利用。
输出部分113可以响应于经由行线施加的选择信号而将图像信号输出至列线。输出部分113可以包括重置晶体管Rx、源极跟随晶体管Dx和选择晶体管Sx。在每个单位像素组110中，当在列方向观察时，输出部分113可以位于光接收部分111的一侧。例如，根据第一实施例，当在列方向观察时，输出部分113可以位于光接收部分111上方。
在根据第一实施例的像素阵列100中，隔离结构210可以在多个单元像素组110之间进行绝缘，同时，还可以在每个单位像素组110中的光电转换元件PD、光发射部分111和输出部分113之间进行隔离。隔离结构210可以包括：导电层211，形成在衬底200上；和拾取区212，形成在导电层211上并且设置在两个相邻的单位像素组110之间。导电层211可以是或者包括第一导电类型层。拾取区可以是或者包括第二导电类型层。第一导电类型和第二导电类型可以是相反的导电类型。例如，第一导电类型可以是P型，而第二导电类型可以是N型。
衬底200可以包括半导体衬底。半导体衬底可以包括单晶态含硅材料。例如，衬底200可以包括单晶含硅材料。
第一导电类型导电层211可以包括与衬底200材料相同的材料。例如，导电层211可以包括含硅材料。具体地，导电层211可以包括在衬底200中形成的第一导电类型阱211，或者在衬底200上形成的第一导电类型外延层。第一实施例图示了导电层可以是第一导电类型阱211(即，P型阱211)并且P型阱可以贯穿整个衬底200而形成的情况。因此，“导电层”和“阱”将由同一参考标号“211”来表示。
在本文中，光接收部分111中的光电转换元件PD可以在导电层211的内部形成。每个传输晶体管Tx可以形成在导电层211的顶部上。每个光电转换元件PD可以包括光电二极管，并且光电二级管可以具有P型杂质区201和N型杂质区202的垂直层叠。
第二导电类型拾取区212可以用于抑制高光溢出现象，并且可以设置在两个相邻的单位像素组110之间。拾取区212可以具有点的形状。为了有效地抑制高光溢出现象，拾取区212可以设置在每个单位像素组110的光接收部分111的两个相邻的光接收单元112之间。例如，拾取区212可以位于相邻的光电转换元件PD之间的中心内。因此，可以有效地抑制高光溢出现象，并且可以在布局上没有特殊变化的情况下设置拾取区212。拾取区212和浮置扩散区FD可以沿任意方向交替地布置，例如沿行方向交替布置。
为了更有效地抑制高光溢出现象，可以对拾取区212施加高于接地电压(GND)的正电压。具体地，可以对拾取区212施加高于接地电压(GND)且等于或低于电源电压(VDD)的正电压。在本文中，施加至拾取区的电压可以在上述正电压范围内变化。例如，施加至拾取区212的电压可以基于暗图像中产生的噪声信号而改变。具体地，随着噪声信号增加，可以对拾取区212施加接近于电源电压(VDD)的电平的电压。另外，电压被施加至拾取区212的时间点可以根据快门模式而变化。具体地，如果可以使用卷帘快门模式，则可以一直将给定电压施加至拾取区212。另一方面，如果可以使用全局快门模式，则可以一直或者仅在积分时间期间将给定电压施加至拾取区212。在积分时间期间施加至拾取区212的电压可以以脉冲形式供应，这在功耗方面有利。例如，术语“积分时间”可以指可以通过将入射光照射至光电转换元件PD上而产生光电荷的时间，例如光电转换元件PD可暴露于入射光的时间。
如上所述，根据第一实施例的像素阵列100包括具有拾取区212的隔离结构210，这可以有效地抑制高光溢出现象。
图4是沿着图2的A-A’线截取的截面图，图示了根据本发明的第二实施例的像素阵列。为了方便说明，将使用与第一实施例中所使用的相同的参考标号，并且将省略与第一实施例中所使用的相同的元件的详细描述。
如图2和图4所示，根据本发明的第二实施例的像素阵列100可以包括多个单位像素组110和用于在多个单位像素组110之间进行绝缘的隔离结构210。
在根据第二实施例的像素阵列100中，隔离结构210除了根据第一实施例的隔离结构之外，还可以包括元件隔离层213和穿过元件隔离层213而形成的插塞214。
具体地，根据第二实施例的隔离结构210可以包括：第一导电类型导电层211，形成在衬底200上；元件隔离层213，形成在导电层211上，以在多个单位像素组110之间进行绝缘；第二导电类型拾取区212，形成在导电层211中和元件隔离层213之下，并且设置在两个相邻的单位像素组110之间；以及多个插塞214，穿过元件隔离层213而形成，以分别电连接至拾取区212。元件隔离层213可以通过浅沟槽隔离(STI)工艺来形成。元件隔离层213可以是由任何合适的电介质材料制成的单层，例如选自一组包括氧化物、氮化物和氮氧化物及其任意组合的电介质材料中的一种。元件隔离层可以是由两个或更多个层制成的多层，每层包括氧化物、氮化物和氮氧化物及其任意组合的一种或更多种适合的电介质材料。穿过元件隔离层213而形成的插塞214可以用于对拾取区212施加给定电压，并且可以具有柱形，其至少部分地与拾取区212重叠。插塞214可以是锥形的，在与拾取区212的接口处具有最小的横截面。
如上所述，根据第二实施例的像素阵列100可以包括具有拾取区212的隔离结构210，这可以有效地抑制高光溢出现象。
在后文中，将参照图5来描述通过拾取区212可以抑制高光溢出现象的原理。图5是示意性地图示与图2的A-A'线相对应的势垒的图。
如图5中所示，光电子可以在光电转换元件PD中累积，光电转换元件PD被第一导电类型导电层211(例如P型阱211)围绕。如果第二导电类型拾取区212(例如N型拾取区212)不存在，则P型阱中的势垒可以如虚线所示地形成，并且在光电转换元件PD中过量产生的光电荷将越过P型阱211的势垒到相邻的光电转换元件PD，以导致高光溢出现象。
然而，如果按以上实施例中所述地来提供N型拾取区212，则即使在光电转换元件PD中过量产生的光电荷越过P型阱211的势垒，这些光电荷也将被施加至N型拾取区212的电压(即，电源电压(VDD))移除，因此将不会影响相邻的光电转换元件PD。
另外，N型拾取区212还可以抑制当P型阱211中产生的电荷可以流入光电转换元件PD中时出现的暗电流。具体地，由于进入P型阱211的入射光、操作温度的升高或一些其他原因，P型阱211中产生的少数载流子电子可以被N型拾取区212移除。
如上所述，由于N型拾取区212可以抑制高光溢出现象和暗电流的产生，因此根据本发明的实施例的包括像素阵列100的图像传感器可以提供清楚而清晰的图像信号。
同时，在上述的第一实施例和第二实施例中，为了通过被施加了正电压的拾取区212来抑制高光溢出现象，第一导电类型导电层211(例如P型阱)应保持在恒定电压电平，例如接地电压(GND)电平。通常，因为施加给P型阱211的接地电压(GND)可以从像素阵列100的最外部来供应，所以像素阵列100的边缘的电压电平可以与图像传感器中P型阱211的电压电平不同。由于这个原因，图像传感器的特性可能会劣化。因此，如下所述的本发明的第三实施例和第四实施例针对用于抑制高光溢出现象，同时无论像素阵列100的位置如何都将P型阱211的电压电平保持在恒定电平的方法。
图6图示了根据本发明的第三实施例和第四实施例的像素阵列，并且更具体地，图6是仅图示像素阵列的一部分的俯视图。图7是根据的第三实施例的沿着图6的像素阵列的A-A’线截取的截面图。
如图6和图7所示，根据的第三实施例的像素阵列100可以包括：多个单位像素组110；隔离结构210，用于在多个单位像素组110之间进行隔离；以及第一导电类型的第一拾取区220，形成在隔离结构210中。在本文中，多个单位像素组110和包括第二拾取区212的隔离结构210可以与第一实施例中所述的基本相同，因此将省略其详细描述。以供参考，在第三实施例中的第二拾取区212与第一实施例中的拾取区212基本相同。
在根据第三实施例的像素阵列100中，第一导电类型的第一拾取区220可以用于将第一导电类型导电层211(例如P型阱211)保持在恒定电压电平，而无论像素阵列100的位置如何。可以一直对第一拾取区220施加接地电压(GND)。第一拾取区220可以设置在多个单位像素组110的两个相邻的单位像素组110之间，并且可以具有点的形状。在本文中，第一拾取区220可以设置在两个相邻的输出部分113之间，以便使用第二拾取区212来有效地抑制高光溢出现象。因此，第一拾取区220可以沿任意方向(例如，列方向)与第二拾取区212交替地布置。
如上所述，根据第三实施例，像素阵列100可以包括第一拾取区220和第二拾取区212，这可以更有效地抑制高光溢出现象。
图8是根据本发明的第四实施例的沿着图6的像素阵列的A-A’线截取的截面图。
如图6和图8所示，根据的第四实施例的像素阵列100可以包括：多个单位像素组110；隔离结构210，用于在多个单位像素组110之间进行绝缘；以及第一导电类型的第一拾取区220，形成在隔离结构210中。在本文中，多个单位像素组110和隔离结构210可以与第二实施例中所述的基本相同，因此将省略其详细描述。以供参考，根据第四实施例，可以包括在隔离结构210中的元件隔离层213、第二插塞214和第二拾取层212可以与上面参照第二实施例所描述的元件隔离层213、插塞214和拾取区基本相同。
在根据第四实施例的像素阵列100中，第一导电类型的第一拾取区220可以用于将第一导电类型导电层211(例如，P型阱211)保持在恒定电压电平，而无论像素阵列100的位置如何。可以通过第一插塞222对第一拾取区220一直施加接地电压(GND)，所述第一插塞222穿过元件隔离层213连接至第一拾取区220。第一拾取区220可以设置在单位像素组110的两个相邻的单位像素组110之间，并且可以具有点的形状。在本文中，第一拾取区220可以设置在输出部分113的两个相邻的输出部分113之间，以便使用第二拾取区212来有效地抑制高光溢出现象。因此，第一拾取区220可以沿列方向与第二拾取区212交替地布置。
如上所述，根据第四实施例，像素阵列100可以包括第一拾取区220和第二拾取区212，这可以有效地抑制高光溢出现象。
如上所述，根据本发明，使用拾取区可以抑制高光现象。
根据实施例的前述图像传感器可以应用至各种电子设备。在下文中，参照图9，描述了包括根据本发明的实施例的图像传感器的电子设备的示例。具体地，图9的电子设备可以是能够捕捉静止图像的数码相机。
如图9中所示，电子设备可以包括光学透镜310、快门311、图像传感器300、驱动电路313和信号处理电路312。图像传感器300可以具有与包括图2至图8中所示的像素阵列100的图像传感器相同的配置。
光学透镜310可以在图像传感器300的成像表面上形成来自物体的入射光的图像。因此，在预定时间段期间，与信号相对应的电荷可以在图像传感器300中累积。驱动电路313可以将传输操作信号供应至图像传感器300。可以由从驱动电路313供应的驱动信号(或时序信号)来执行图像传感器300的信号传输。信号处理电路312可以执行各种类型的信号处理。经历信号处理的图像信号可以被储存在诸如半导体存储器件的储存介质中，或者可以被输出至监控器。
虽然已经针对具体实施例来描述本发明，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离所附权利要求中限定的本发明的精神和/或范围的情况下，可以做出各种改变和变型。
Claims (20)
1.一种图像传感器，包括：
多个单位像素组；以及
隔离结构，适用于在所述多个单位像素组之间进行绝缘，
其中，隔离结构包括：
第一导电类型导电层，形成在衬底之上；以及
第二导电类型拾取区，形成在第一导电类型导电层中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其中隔离结构还包括：
元件隔离层，形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第二导电类型拾取区接触的底表面；以及
插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第二导电类型拾取区。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，正电压被施加至第二导电类型拾取区，所述正电压在高于接地电压至等于或低于电源电压的电压范围内变化。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，当所述多个单位像素组以全局快门模式操作时，正电压在积分时间期间被施加至第二导电类型拾取区。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，当所述多个单位像素组以卷帘快门模式操作时，正电压一直被施加至第二导电类型拾取区。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，第一导电类型导电层包括在衬底中形成的第一导电类型阱，或者在衬底之上形成的第一导电类型外延层。
7.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个单位像素组中的每个包括：
光接收部分，包括多个光电转换元件，所述多个光电转换元件适用于响应于入射光而产生光电荷并且共用单个浮置扩散区；以及
输出部分，适用于输出与光接收部分中产生的光电荷相对应的图像信号。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其中，第二导电类型拾取区设置在每个光接收部分之间。
9.如权利要求1所述的图像传感器，其中，第二导电类型拾取区具有点的形状。
10.一种图像传感器，包括：
多个单位像素组；
隔离结构，适用于在所述多个单位像素组之间进行绝缘；以及
第一导电类型的第一拾取区，形成在隔离结构中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间，
其中，隔离结构包括：
第一导电类型导电层；以及
第二导电类型的第二拾取层，形成在第一导电类型导电层中并且设置在所述多个单位像素组中的每个之间。
11.如权利要求10所述的图像传感器，其中隔离结构还包括：
元件隔离层，形成在第一导电类型导电层之上并且具有与第一拾取区和第二拾取区接触的底表面；
第一插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第一拾取区；以及
第二插塞，穿过元件隔离层而形成，并且连接第二拾取区。
12.如权利要求10所述的图像传感器，其中，正电压被施加至第二拾取区，所述正电压在高于接地电压至等于或低于电源电压的电压范围内变化。
13.如权利要求10所述的图像传感器，其中，当所述多个单位像素组以全局快门模式操作时，正电压在积分时间期间被施加至第二拾取区。
14.如权利要求10所述的图像传感器，其中，当所述多个单位像素组以卷帘快门模式操作时，正电压一直被施加至第二拾取区。
15.如权利要求10所述的图像传感器，其中，接地电压被施加至第一拾取区。
16.如权利要求10所述的图像传感器，其中，第一导电类型导电层包括在衬底中形成的第一导电类型阱，或者在衬底之上形成的第一导电类型外延层。
17.如权利要求10所述的图像传感器，其中，所述多个单位像素组中的每个包括：
光接收部分，包括多个光电转换元件，所述多个光电转换元件适用于响应于入射光而产生光电荷并且共用单个浮置扩散区；以及
输出部分，适用于输出与光接收部分中产生的光电荷相对应的图像信号。
18.如权利要求17所述的图像传感器，其中，第一拾取区设置在每个输出部分之间。
19.如权利要求17所述的图像传感器，其中，第二拾取区设置在每个光接收部分之间。
20.如权利要求10所述的图像传感器，其中，第一拾取区和第二拾取区具有点的形状。
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