JP2005303310A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 半導体装置の形成方法であって、
   金属形状を有する金属パターンを基板上に提供する工程と、
   前記金属形状上と前記金属形状間の前記基板上に、少なくとも一つの光透過性の第一絶縁層を成膜する工程と、
   少なくとも一つの前記第一絶縁層を研磨する工程と、
   前記金属形状と前記第一絶縁層上に、第二絶縁層を形成し、前記金属形状上は、相同の第一絶縁体厚さを有し、前記金属形状間の前記基板上は、相同の第二絶縁体厚さを有することを特徴とする方法。
2. 更に、前記金属形状間の領域の前記基板内、或いは、その上に、光学センサーを提供し、カラーフィルター、及び、前記光学センサー中の一つ以上に、少なくとも一つ以上のマイクロレンズを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 少なくとも一つの第一絶縁層を研磨する前記工程は、化学機械研磨工程を含み、前記工程は、前記金属形状よりも速い速度で、前記第一絶縁層を研磨し、前記金属形状の上表面より低い、少なくとも一つの前記第一絶縁層の上表面を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 更に、前記研磨の後、少なくとも一つの前記第一絶縁層を選択的にエッチングし、前記金属形状の上表面より低い、少なくとも一つの前記第一絶縁層の上表面を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記研磨は、前記金属形状の前記上表面を露出しないことを特徴とする請求項４に記載の方法。
6. 更に、少なくとも一つの前記第一絶縁層よりも速い速度で、前記金属形状を研磨し、少なくとも一つの前記第一絶縁層の上表面より低い、前記金属形状の上表面を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 更に、前記成膜の後、前記研磨工程に先立って、前記金属形状上に成膜された少なくとも一つの前記第一絶縁層をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記エッチングは、更に、少なくとも一つの前記第一絶縁層上に、フォトレジストパターンを形成する工程を含み、前記フォトレジストパターンは、前記金属形状上に形成された空洞領域を有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. 前記金属形状は、更に、異なる高さの上表面を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
10. 前記金属形状は、分離の金属層から形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
11. 半導体イメージセンサーの形成方法であって、
    金属形状を有する金属パターンを基板上に提供する工程と、
    前記金属形状と前記金属形状間の前記基板上に、少なくとも一つの光透過性の第一絶縁層を成膜する工程と、
    少なくとも一つの前記第一絶縁層を研磨し、前記金属形状の上表面を露出する工程と、
    化学機械研磨により、前記第一絶縁層よりも速い速度で、前記金属形状を研磨し、少なくとも一つの前記第一絶縁層の上表面より低い、前記金属形状の上表面を形成する工程と、
    前記金属形状とその間の前記第一絶縁層上に、第二絶縁層を形成し、前記金属形状上は、相同の第一絶縁体厚さを有し、前記金属形状間の領域の前記基板上は、相同の第二絶縁体厚さを有することを特徴とする方法。
12. ＣＭＯＳイメージセンサーに用いる半導体構造であって、
    半導体基板上に配置された第一金属形状と、
    前記半導体基板上に前記第一金属形状と隣接して同じ高さに配置された第二金属形状と、
    前記第一金属形状と前記第二金属形状との間に成膜された第一絶縁層と、
    前記第一金属形状と前記第二金属形状および前記第一絶縁層上を覆う第二絶縁層とからなり、
    前記第二絶縁層は前記第一絶縁層の上表面にほぼ平坦に形成されていることを特徴とする半導体構造。
13. 前記第一金属形状と前記第二金属形状との間の前記第一絶縁層の下の前記半導体基板上に、センサーが配置されていることを特徴とする請求項１２記載の半導体構造。
14. 前記第一絶縁層の最大厚さは、前記第一金属形状または前記第二金属形状の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１２記載の半導体構造。
15. 前記第一絶縁層の最大厚さは、前記第一金属形状または前記第二金属形状の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１２記載の半導体構造。
16. 前記第一絶縁層は、実質上の光透過層であることを特徴とする請求項１２記載の半導体構造。
17. 前記第二絶縁層は、実質上の光透過層であることを特徴とする請求項１２記載の半導体構造。
18. 前記第二絶縁層は、カラーフィルター層を重ねて形成されていることを特徴とする請求項１２記載の半導体構造。
19. 前記第二絶縁層は、マイクロレンズの層を重ねて形成されていることを特徴とする請求項１２記載の半導体構造。