JP2008526022A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008526022A5 JP2008526022A5 JP2007548302A JP2007548302A JP2008526022A5 JP 2008526022 A5 JP2008526022 A5 JP 2008526022A5 JP 2007548302 A JP2007548302 A JP 2007548302A JP 2007548302 A JP2007548302 A JP 2007548302A JP 2008526022 A5 JP2008526022 A5 JP 2008526022A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- layer
- interlayer dielectric
- pixel
- metal interconnect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 30
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 17
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 4
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910020160 SiON Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
Claims (36)
- ピクセルのアレイを含む画像センサであって、
前記アレイ中の対応するピクセルの各位置に形成された感光素子を含む半導体基板と、
前記基板の上に形成された第1の層間誘電体層と、
前記第1の層間誘電体層の上に形成された少なくとも1つの金属相互接続層であって、前記アレイ中の各感光素子の間に形成されたCu金属配線構造体を含む、金属相互接続層と、
前記アレイ中の前記金属相互接続層と入射光を受光する最上層との間に形成された第2の層間誘電体層とを備え、
前記金属相互接続層は、薄い第1及び第2の層間誘電体層が光路を短縮して前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させることを可能にする、画像センサ。 - 前記第1及び第2の層間誘電体層の各々は、2kÅから20kÅまでの間の範囲の厚みを有する、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記Cu金属配線構造体の各々の上に形成されたバリア材料層をさらに備え、前記バリア材料層は前記アレイの各ピクセルの前記光路を横切る、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記基板と前記第1の層間誘電体層との間に形成されたバリア材料層をさらに含む、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記金属相互接続層中に形成されたCu配線上に形成された前記バリア材料は、SiN、SiON、SiC、SiCN、SiCON又はSiCOの内から選択される材料を含む、請求項3に記載の画像センサ。
- 前記金属相互接続層中に形成されたCu配線上に形成された前記バリア材料は、20Åから2kÅまでの間の範囲の厚みを有する、請求項3に記載の画像センサ。
- 前記形成された金属相互接続層上に形成された前記バリア材料の部分は、前記アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、請求項3に記載の画像センサ。
- 各ピクセルの前記感光素子の上方で前記基板中に形成された絶縁体材料の構造体をさらに含む、請求項7に記載の画像センサ。
- 前記基板と前記第1の層間誘電体層との間に形成され、各ピクセルの前記感光素子の上方に形成された対応する絶縁体材料構造体の上方で部分が選択的に除去されたバリア材料層をさらに含む、請求項8に記載の画像センサ。
- 前記アレイの各ピクセルに対して、光反射性材料層がピクセル側壁上に形成され、前記光反射性材料層は前記感光素子が受光する光量を増大させることを可能にする、請求項7に記載の画像センサ。
- 前記アレイの各ピクセルに対して、前記反射性材料の層が前記ピクセル中の前記感光素子の上方の前記半導体基板の表面上にさらに形成される、請求項10に記載の画像センサ。
- 各ピクセルの側壁をライニングする前記反射性材料層は、SiN、SiC、Al、TiN、又はタングステン、Ru、ポリSi、ポリGeを含む、請求項10に記載の画像センサ。
- 各ピクセルの側壁をライニングする前記反射性材料層は、50Åから2kÅまでの間の範囲の厚みに堆積させられる、請求項11に記載の画像センサ。
- 前記第1及び第2の層間誘電体層材料は低k有機材料を含む、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記第1及び第2の層間誘電体層材料は低k無機材料を含む、請求項1に記載の画像センサ。
- フィルタ素子のアレイを含む最上層をさらに備え、各フィルタ素子はアレイ・ピクセルに対応する、請求項1に記載の画像センサ。
- 前記フィルタ素子のアレイと同じ光軸上で前記最上層の上に形成されたピクセル・マイクロレンズのアレイをさらに備え、各マイクロレンズは1つのフィルタ素子に対応する、請求項16に記載の画像センサ。
- ピクセルの画像センサ・アレイを製作する方法であって、
各アレイ・ピクセルに対応する感光素子を半導体基板中に形成するステップであって、前記素子はそれぞれのピクセルに入射する光を受光するように適合される、ステップと、
前記基板上に第1の層間誘電体層を形成するステップと、
前記第1の層間誘電体層の上に少なくとも1つの金属相互接続層を形成するステップであって、前記形成された金属相互接続層は、前記アレイ中の各感光素子の間に形成されたCu金属配線構造体を含む、ステップと、
前記アレイ中の前記金属相互接続層上に第2の層間誘電体層を形成するステップと
を含み、
前記Cu金属相互接続層は、光路を短縮して前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させる薄い第1及び第2の層間誘電体層の形成を可能にする、方法。 - 前記アレイ中の各感光素子の間の位置に形成されたCu金属配線構造体を含む金属相互接続層を形成する前記ステップは、
前記第1の層間誘電体層の上にマスクを適用するステップであって、前記マスクは前記第1の層間誘電体層中の各フォトダイオード間にトレンチを開けるようにパターン付けされている、ステップと、
各フォトダイオード間の前記位置で前記トレンチを開けるためのエッチング・プロセスを実行するステップと、
Cu金属を前記トレンチ内に堆積して前記金属配線構造体を形成するステップと
を含む、請求項18に記載の方法。 - 前記アレイ中の各感光素子の間の位置に形成されたCu金属配線構造体を含む金属相互接続層を形成する前記ステップは、前記金属配線構造体の化学機械研磨ステップを実行するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記金属相互接続層の前記Cu金属配線構造体の各々の上にバリア材料層を形成するステップをさらに含み、前記形成するステップは、前記金属相互接続層の前記Cu金属配線構造体の各々の上に前記バリア材料層を堆積する自己整合プロセスを実行するステップを含む、請求項20に記載の方法。
- 自己整合プロセスでバリア材料を前記Cu金属配線構造体の各々の上に堆積する前記ステップは、無電解めっきプロセスを実行するステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 前記無電解めっきプロセスで堆積される前記バリア材料はNiWP、CoWP又はCoWBを含む、請求項22に記載の方法。
- 前記Cu金属配線構造体の上及び前記第1の層間誘電体層の上にバリア材料を、各アレイ・ピクセルの光路を横切ってブランケット堆積することによって、前記金属相互接続層の前記Cu金属配線構造体の上にバリア材料層を形成するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記アレイの各ピクセルの光路に沿った領域で前記バリア材料層の部分を選択的に除去するステップをさらに含む、請求項24に記載の方法。
- 光路に沿った領域で前記バリア材料層の部分を選択的に除去する前記ステップは、前記バリア材料層をブランケット堆積した後に、
前記各ピクセルの光路を横切る位置で前記バリア材料層の領域を開けるようにリソグラフィによりパターン付けされたマスク構造体を適用するステップと、
前記領域において前記バリア材料層を除去するエッチング・プロセスを実行するステップと
を含む、請求項25に記載の方法。 - 光路に沿った領域で前記バリア材料層の部分を選択的に除去する前記ステップは、前記アレイ中の前記Cu金属相互接続層の上に第2の層間誘電体層を形成した後に、
前記各ピクセルの光路を横切る位置に孔を開けるようにリソグラフィによりパターン付けされたマスク構造体を適用するステップと、
前記領域において前記第2の層間誘電体層の部分及びバリア材料層の部分を選択的に除去するエッチング・プロセスを実行するステップと、
前記エッチングによって設けられた孔の中に層間誘電体材料を再充填するステップと
を含む、請求項25に記載の方法。 - 前記画像センサ・アレイは、カラー・フィルタ・アレイの下に形成され、前記アレイ中の各フォトダイオードの間に形成された金属ボンディング構造体を含む最上メタライゼーション層をさらに含み、光路に沿った領域で前記バリア材料層の部分を選択的に除去する前記ステップは、前記アレイ中に前記最上メタライゼーション層を形成した後に、
前記最上メタライゼーション層の前記金属ボンディング構造体を自己整合マスクとして利用してエッチング・プロセスを実行し、前記各ピクセルの光路を横切る前記領域において前記第2の層間誘電体層の部分及びバリア材料層の部分を選択的に除去するステップと、
前記エッチングによって設けられた孔の中に層間誘電体材料を再充填するステップと
を含む、請求項25に記載の方法。 - 前記各ピクセルの光路を横切る前記領域において前記第2の層間誘電体層の部分及びバリア材料層の部分を選択的に除去するエッチング・プロセスを実行する前記ステップは、前記領域において前記第1の層間誘電体層の部分を除去して前記ピクセル光路に対応する孔を開けるエッチング・ステップをさらに含み、前記再充填ステップに先立って、
前記エッチングされた孔の前記側壁に適合する光反射性材料の薄いライナーを堆積するステップを含む、請求項27に記載の方法。 - 前記各ピクセルの光路を横切る前記領域において前記第2の層間誘電体層の部分及びバリア材料層の部分を選択的に除去するエッチング・プロセスを実行する前記ステップは、前記領域において前記第1の層間誘電体層の部分を除去して前記ピクセルの光路に対応する孔を開けるエッチング・ステップをさらに含み、前記再充填ステップに先立って、
前記エッチングされた孔の側壁に適合する光反射性材料の薄いライナーを堆積するステップを含む、請求項28に記載の方法。 - 前記基板と前記第1の層間誘電体層との間にバリア材料層を形成するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 請求項31に記載の方法であって、
前記感光素子を半導体基板中に形成するステップは、各ピクセルの前記感光素子の上で前記基板内に絶縁体材料の構造体を形成するステップをさらに含み、前記方法は、各ピクセルの前記感光素子の上に形成された前記絶縁体材料の構造体に対応する領域において、前記基板の上の前記バリア材料層の部分を選択的に除去するステップをさらに含む、請求項31に記載の方法。 - フィルタ素子のアレイを含む最上層を形成するステップをさらに含み、各フィルタ素子はアレイ・ピクセルに対応する、請求項18に記載の方法。
- 前記フィルタ素子のアレイと同じ光軸上で前記最上層の上にピクセル・マイクロレンズのアレイを形成するステップをさらに含み、各マイクロレンズは1つのフィルタ素子に対応する、請求項33に記載の方法。
- ピクセルのアレイを含む画像センサであって、
入射光を受光するために、前記アレイ中の対応するピクセルの各位置に形成された感光素子を含む半導体基板と、
その中に形成された第1及び第2のレベルのCuメタライゼーションを有する層間誘電体層の積層体であって、前記積層体の第1の層間誘電体層は前記基板の上に形成され、前記メタライゼーションの各々は前記アレイ中の各感光素子の間に形成されたCu金属配線構造体を含む、積層体と
を備え、
前記Cuメタライゼーション・レベルは、層間誘電体層のより薄い積層体が光路を短縮して前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させることを可能にする、画像センサ。 - ピクセルの画像センサ・アレイを製作する方法であって、
各アレイ・ピクセルに対応する感光素子を半導体基板中に形成するステップであって、前記素子は入射光を受光するように適合されている、ステップと、
前記基板の上に層間誘電体層の積層体を形成するステップと、前記積層体の隣接する層間誘電体層の形成ステップの間に、前記アレイの各感光素子の間に形成されるCu金属配線構造体を含むCuメタライゼーション・レベルを形成するステップと
を含み、
前記Cuメタライゼーション・レベルは、層間誘電体層のより薄い積層体が光路を短縮して前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させることを可能にする、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/905,277 US7342268B2 (en) | 2004-12-23 | 2004-12-23 | CMOS imager with Cu wiring and method of eliminating high reflectivity interfaces therefrom |
PCT/US2005/045328 WO2006071540A2 (en) | 2004-12-23 | 2005-12-14 | Cmos imager of eliminating high reflectivity interfaces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008526022A JP2008526022A (ja) | 2008-07-17 |
JP2008526022A5 true JP2008526022A5 (ja) | 2008-11-27 |
Family
ID=36610397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007548302A Pending JP2008526022A (ja) | 2004-12-23 | 2005-12-14 | Cu配線を有するCMOSイメージャ及びそれから高反射性界面を除去する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7342268B2 (ja) |
EP (1) | EP1839338A4 (ja) |
JP (1) | JP2008526022A (ja) |
KR (1) | KR101020013B1 (ja) |
CN (1) | CN100552970C (ja) |
WO (1) | WO2006071540A2 (ja) |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
FR2862426B1 (fr) * | 2003-11-17 | 2006-03-03 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image |
US8029186B2 (en) * | 2004-11-05 | 2011-10-04 | International Business Machines Corporation | Method for thermal characterization under non-uniform heat load |
KR100672994B1 (ko) * | 2005-01-28 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
FR2885735B1 (fr) * | 2005-05-10 | 2007-08-03 | St Microelectronics Sa | Circuit integre guide d'ondes |
US7307327B2 (en) * | 2005-08-04 | 2007-12-11 | Micron Technology, Inc. | Reduced crosstalk CMOS image sensors |
KR100710204B1 (ko) * | 2005-09-08 | 2007-04-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US7598581B2 (en) | 2005-09-12 | 2009-10-06 | Crosstek Capital, LLC | Image sensor with decreased optical interference between adjacent pixels |
KR100720457B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
KR20070096115A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-10-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 |
US20070187787A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-16 | Ackerson Kristin M | Pixel sensor structure including light pipe and method for fabrication thereof |
US20070241418A1 (en) * | 2006-04-13 | 2007-10-18 | Ming-I Wang | Image sensing device and fabrication method thereof |
JP2007299929A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス装置とそれを用いた光学デバイスモジュール |
KR100795922B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2008-01-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 픽업 소자 및 이미지 픽업 소자의 제조방법 |
FR2906079B1 (fr) * | 2006-09-19 | 2009-02-20 | E2V Semiconductors Soc Par Act | Capteur d'image en couleur a colorimetrie amelioree |
US7781781B2 (en) * | 2006-11-17 | 2010-08-24 | International Business Machines Corporation | CMOS imager array with recessed dielectric |
KR100840649B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-06-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서용 반도체 소자의 제조 방법 |
US7803647B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical transmission improvement on multi-dielectric structure in advance CMOS imager |
KR101152389B1 (ko) * | 2007-09-13 | 2012-06-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서와 그 제조 방법 |
JP4693827B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
KR20090037004A (ko) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100894387B1 (ko) * | 2007-10-22 | 2009-04-22 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP4852016B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2012-01-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8212327B2 (en) * | 2008-03-06 | 2012-07-03 | Sionyx, Inc. | High fill-factor laser-treated semiconductor device on bulk material with single side contact scheme |
JP2009272596A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-11-19 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
EP2109143B1 (en) | 2008-04-09 | 2013-05-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device |
US8791470B2 (en) | 2009-10-05 | 2014-07-29 | Zena Technologies, Inc. | Nano structured LEDs |
US8890271B2 (en) | 2010-06-30 | 2014-11-18 | Zena Technologies, Inc. | Silicon nitride light pipes for image sensors |
US9478685B2 (en) | 2014-06-23 | 2016-10-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same |
US8835831B2 (en) | 2010-06-22 | 2014-09-16 | Zena Technologies, Inc. | Polarized light detecting device and fabrication methods of the same |
US8229255B2 (en) | 2008-09-04 | 2012-07-24 | Zena Technologies, Inc. | Optical waveguides in image sensors |
US8384007B2 (en) * | 2009-10-07 | 2013-02-26 | Zena Technologies, Inc. | Nano wire based passive pixel image sensor |
US8889455B2 (en) | 2009-12-08 | 2014-11-18 | Zena Technologies, Inc. | Manufacturing nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor |
US8274039B2 (en) | 2008-11-13 | 2012-09-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits |
US9299866B2 (en) | 2010-12-30 | 2016-03-29 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire array based solar energy harvesting device |
US8735797B2 (en) | 2009-12-08 | 2014-05-27 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor |
US9343490B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-05-17 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same |
US20110115041A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire core-shell light pipes |
US8507840B2 (en) | 2010-12-21 | 2013-08-13 | Zena Technologies, Inc. | Vertically structured passive pixel arrays and methods for fabricating the same |
US7646943B1 (en) | 2008-09-04 | 2010-01-12 | Zena Technologies, Inc. | Optical waveguides in image sensors |
US8299472B2 (en) | 2009-12-08 | 2012-10-30 | Young-June Yu | Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors |
US9082673B2 (en) | 2009-10-05 | 2015-07-14 | Zena Technologies, Inc. | Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same |
US20100304061A1 (en) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Zena Technologies, Inc. | Fabrication of high aspect ratio features in a glass layer by etching |
US8866065B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-21 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires |
US8519379B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-08-27 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire structured photodiode with a surrounding epitaxially grown P or N layer |
US8748799B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-10 | Zena Technologies, Inc. | Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors |
US8269985B2 (en) | 2009-05-26 | 2012-09-18 | Zena Technologies, Inc. | Determination of optimal diameters for nanowires |
US9515218B2 (en) | 2008-09-04 | 2016-12-06 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings |
US9000353B2 (en) | 2010-06-22 | 2015-04-07 | President And Fellows Of Harvard College | Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires |
US9406709B2 (en) | 2010-06-22 | 2016-08-02 | President And Fellows Of Harvard College | Methods for fabricating and using nanowires |
US8546742B2 (en) | 2009-06-04 | 2013-10-01 | Zena Technologies, Inc. | Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate |
KR20100057302A (ko) * | 2008-11-21 | 2010-05-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
US20100144084A1 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Doan Hung Q | Optical waveguide structures for an image sensor |
US9142586B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad design for backside illuminated image sensor |
US20100289065A1 (en) | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Pixart Imaging Incorporation | Mems integrated chip with cross-area interconnection |
US20100320552A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Pixart Imaging Inc. | CMOS Image Sensor |
US8330840B2 (en) * | 2009-08-06 | 2012-12-11 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with multilayer interference filters |
US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
CN103081128B (zh) | 2010-06-18 | 2016-11-02 | 西奥尼克斯公司 | 高速光敏设备及相关方法 |
US8476099B2 (en) | 2010-07-22 | 2013-07-02 | International Business Machines Corporation | Methods for improved adhesion of protective layers of imager microlens structures by forming an interfacial region |
US8753917B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating photoconductor-on-active pixel device |
US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
EP2732402A2 (en) | 2011-07-13 | 2014-05-21 | Sionyx, Inc. | Biometric imaging devices and associated methods |
US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
JP6146976B2 (ja) | 2012-09-24 | 2017-06-14 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 |
US9299638B2 (en) | 2012-12-06 | 2016-03-29 | Globalfoundries Inc. | Patterning transition metals in integrated circuits |
JP6466346B2 (ja) | 2013-02-15 | 2019-02-06 | サイオニクス、エルエルシー | アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジcmos画像センサおよび関連づけられた方法 |
US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
WO2014209421A1 (en) | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
FR3009629B1 (fr) | 2013-08-08 | 2015-09-11 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation d'un filtre optique multicouches epais au sein d'un circuit integre, et circuit integre comprenant un filtre optique multicouches epais |
JP6167740B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2017-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、および電子機器 |
CN104576662A (zh) * | 2013-10-23 | 2015-04-29 | 豪威科技(上海)有限公司 | 一种高量子转换效率的堆叠式cmos传感器及其制备方法 |
US9683890B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-06-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor pixels with conductive bias grids |
TWI800487B (zh) * | 2016-09-09 | 2023-05-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像元件及製造方法、以及電子機器 |
CN109685846B (zh) * | 2018-12-19 | 2023-03-10 | 吉林大学 | 一种基于Dijkstra的X光照片中金属物定位方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5695810A (en) * | 1996-11-20 | 1997-12-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization |
US6040592A (en) * | 1997-06-12 | 2000-03-21 | Intel Corporation | Well to substrate photodiode for use in a CMOS sensor on a salicide process |
US5859450A (en) * | 1997-09-30 | 1999-01-12 | Intel Corporation | Dark current reducing guard ring |
JP3452828B2 (ja) * | 1999-03-01 | 2003-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US6326652B1 (en) * | 1999-06-18 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc., | CMOS imager with a self-aligned buried contact |
US6407440B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-06-18 | Micron Technology Inc. | Pixel cell with high storage capacitance for a CMOS imager |
US6977072B2 (en) * | 2000-10-27 | 2005-12-20 | Irx Therapeutics, Inc. | Vaccine immunotherapy for immune suppressed patients |
US6504195B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-01-07 | Eastman Kodak Company | Alternate method for photodiode formation in CMOS image sensors |
US6765276B2 (en) * | 2001-08-23 | 2004-07-20 | Agilent Technologies, Inc. | Bottom antireflection coating color filter process for fabricating solid state image sensors |
JP4204824B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2009-01-07 | 新明和工業株式会社 | 光学系 |
US6815787B1 (en) * | 2002-01-08 | 2004-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Grid metal design for large density CMOS image sensor |
JP4182393B2 (ja) * | 2002-04-10 | 2008-11-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4117672B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像装置、並びにこれらの製造方法 |
JP4123415B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US6744109B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-06-01 | Agilent Technologies, Inc. | Glass attachment over micro-lens arrays |
US6861686B2 (en) * | 2003-01-16 | 2005-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Structure of a CMOS image sensor and method for fabricating the same |
US7215361B2 (en) * | 2003-09-17 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Method for automated testing of the modulation transfer function in image sensors |
JP4123060B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
KR100499174B1 (ko) * | 2003-06-17 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 이미지 소자 |
GB2403847B (en) * | 2003-07-01 | 2005-11-16 | Micron Technology Inc | Optical channels for multi-level metal optical imagers and method for manufacturing same |
US7193289B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Damascene copper wiring image sensor |
KR20090025818A (ko) * | 2007-09-07 | 2009-03-11 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
-
2004
- 2004-12-23 US US10/905,277 patent/US7342268B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-14 EP EP05854112A patent/EP1839338A4/en not_active Withdrawn
- 2005-12-14 JP JP2007548302A patent/JP2008526022A/ja active Pending
- 2005-12-14 WO PCT/US2005/045328 patent/WO2006071540A2/en active Application Filing
- 2005-12-14 KR KR1020077013528A patent/KR101020013B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-14 CN CNB2005800445004A patent/CN100552970C/zh active Active
-
2007
- 2007-12-19 US US11/959,841 patent/US7772028B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008526022A5 (ja) | ||
JP5037008B2 (ja) | イメージ素子の製造方法 | |
JP2008522408A5 (ja) | ||
US8169011B2 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
KR100860466B1 (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP4123060B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
US20100078746A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2006080522A (ja) | イメージ素子及びその製造方法 | |
CN1677643A (zh) | 具有含气隙的镶嵌结构的半导体器件的制造方法 | |
KR100524200B1 (ko) | 이미지 소자 및 그 제조 방법 | |
US7683411B2 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
US20080274580A1 (en) | Method for manufacturing image sensor | |
US7863073B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
JP2005303310A5 (ja) | ||
US20090072285A1 (en) | Cmos image sensor and method for fabricating the same | |
KR100791011B1 (ko) | 내부렌즈를 포함하는 이미지 소자 및 그 제조방법 | |
JP4682568B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
US7691738B2 (en) | Metal line in semiconductor device and fabricating method thereof | |
KR20070070430A (ko) | 에어갭가드링을 구비한 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
JP2005311015A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
US20090160004A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the device | |
US8003505B2 (en) | Image sensor and method of fabricating the same | |
KR100497776B1 (ko) | 반도체 소자의 다층배선 구조 제조방법 | |
KR20050059740A (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
KR100910510B1 (ko) | 하드 마스크 제거 방법 |