KR100894387B1 - 이미지센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 이미지 센서는 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판; 상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 트랜지스터; 상기 트랜지스터를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1보호막; 상기 제1보호막 상에 형성된 금속전절연막 및 금속배선층; 상기 금속배선층 및 금속전절연막 층을 관통하는 트렌치; 상기 트렌치의 측벽, 바닥면 및 상기 금속배선층 상에 형성된 제2보호막; 및 상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 형성된 감광성 물질을 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 트랜지스터, 제1보호막, 금속전 절연막 및 금속배선층을 차례로 형성하는 단계; 상기 금속배선층 및 금속전 절연막을 관통하는 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치의 측벽 및 상기 금속배선층 상에 제2보호막을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 감광성 물질을 형성하는 단계를 포함한다.
이미지 센서
Description
실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
실시예는 이미지 센서의 광특성을 향상시켜, 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판; 상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 트랜지스터; 상기 트랜지스터를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1보호막; 상기 제1보호막 상에 형성된 금속전절연막 및 금속배선층; 상기 금속배선층 및 금속전절연막 층을 관통하는 트렌치; 상기 트렌치의 측벽, 바닥면 및 상기 금속배선층 상에 형성된 제2보호막; 및 상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 형성된 감광성 물질을 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 트랜지스터, 제1보호막, 금속전 절연막 및 금속배선층을 차례로 형성하는 단계; 상기 금속배선층 및 금속전 절연막을 관통하는 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치의 측벽 및 상기 금속배선층 상에 제2보호막을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 감광성 물질을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 보호막이 형성된 트렌치를 감 광성 물질로 매립하여, 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 트렌치 형성을 위한 식각 공정시, 제1보호막이 포토다이오드의 식각을 방지하여, 상기 식각 공정에 의한 상기 포토다이오드의 손상(damage)을 방지할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 트렌치가 금속전 절연막까지 관통하여 형성되어, 빛이 감광성 물질 및 제1보호막을 거쳐 상기 포토다이오드에 입사되므로, 층간절연막에 의한 굴절 및 반사 등에 의한 광손실을 방지할 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서는 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판; 상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 트랜지스터; 상기 트랜지스터를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1보호막; 상기 제1보호막 상에 형성된 금속전절연막 및 금속배선층; 상기 금속배선층 및 금속전절연막 층을 관통하는 트렌치; 상기 트렌치의 측벽, 바닥면 및 상기 금속배선층 상에 형성된 제2보호막; 및 상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 형성된 감광성 물질을 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 트랜지스터, 제1보호막, 금속전 절연막 및 금속배선층을 차례로 형성하는 단계; 상기 금속배선층 및 금속전 절연막을 관통하는 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치의 측벽 및 상 기 금속배선층 상에 제2보호막을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 감광성 물질을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
실시예의 설명에 있어서 씨모스 이미지 센서(CIS)에 대한 구조의 도면을 이용하여 설명하나, 본 발명은 씨모스 이미지 센서에 한정되는 것이 아니며, CCD 이미지센서 등 모든 이미지센서에 적용이 가능하다.
도 1 내지 도 10은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법의 공정단면도이다.
우선, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)에 소자분리막(5) 및 게이트(20)를 형성한다.
반도체 기판(10)은 고농도의 p++형 실리콘 기판 상에 저농도의 p형 에피층(미도시)이 형성될 수 있다.
이는, 저농도의 p에피층이 존재하므로 포토다이오드의 공핍영역(Depletion region)을 크고, 깊게 증가시킬 수 있어 광전하를 모으기 위한 포토다이오드의 능력(ability)을 증가시킬 수 있다.
또한, p형 에피층의 하부에 고농도의 p++형 기판을 갖게 되면, 이웃하는 단위화소(pixel)로 전하가 확산되기 전에 상기 전하가 재결합(Recombination)되기 때문에 광전하의 불규칙 확산(Random Diffusion)을 감소시켜 광전하의 전달 기능 변화를 감소시킬 수 있기 때문이다.
상기 소자분리막(5)은 상기 반도체 기판(10)에 트렌치를 형성한 후, 절연물질을 매립하여 형성할 수 있다.
상기 게이트(20)는 상기 반도체 기판(10) 상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 형성한 후, 패터닝함으로써 형성된다.
상기 게이트 전극은 폴리실리콘 또는 실리사이드로 형성될 수 있다.
그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(10)에 포토 다이오드(17)를 형성한다.
포토 다이오드(17)는 상기 반도체 기판(10)에 제1포토레지스트 패턴(21)을 형성하고, 제1이온주입 공정 및 제2이온주입 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
상기 제1이온주입 공정은 n형 불순물을 이온주입하여 진행되며, 상기 제1이온주입 공정으로 제1이온주입층(14)을 형성할 수 있다.
그리고, 상기 제2이온주입 공정은 p형 불순물을 이온주입하여 진행되며, 상기 제2이온주입 공정으로 제2이온주입층(16)을 형성하여, 제1이온주입층(14) 및 제2이온주입층(16)으로 이루어진 포토 다이오드(17)를 형성할 수 있다.
이어서, 상기 제1포토레지스트 패턴(21)을 제거한 후, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(10)에 제3이온주입층(18)을 형성한다.
제3이온주입층(18)은 상기 반도체 기판(10)에 제2포토레지스트 패턴(23)을 형성하고, 제3이온주입 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
상기 제3이온주입 공정은 고농도의 n형 불순물을 이온주입하여 진행될 수 있다.
상기 포토 다이오드(17)에서 생성된 광전하가 상기 제3이온주입층(18)으로 전송되고, 상기 제3이온주입층(18)으로 전달된 광전하는 회로부로 전송된다.
그리고, 상기 제2포토레지스트 패턴(23)을 제거한 후, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 게이트(20)의 측벽에 스페이서(28)를 형성한다.
상기 스페이서(28)는 상기 게이트(20)가 형성된 상기 반도체 기판(10) 상에 옥사이드, 나이트라이드 및 옥사이드를 순차적으로 형성한 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)막을 형성하고, 식각 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 스페이서(28)가 ONO막으로 형성되는 구조를 가지는 것으로 설명하고 있으나 이에 한정하지 않고, 상기 스페이서(28)는 나이트라이드 및 옥사이드의 ON(Oxide-Nitride) 구조를 가질 수도 있다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 게이트(20) 및 스페이서(28)를 포함하는 상기 반도체 기판(10) 상에 제1보호막(30)을 형성한다.
상기 제1보호막(30)은 상기 반도체 기판(10)에 형성된 상기 포토 다이오드(17) 및 트랜지스터와 같은 소자를 후에 진행될 공정으로부터 보호하기 위해 형성된다.
상기 제1보호막(30)은 300~1000 Å의 두께를 가지는 SiN으로 형성될 수 있 다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1보호막(30) 상에 금속전절연막(35, Premetal dielectric; PMD)을 형성한다.
이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 금속전절연막(41) 상에 배선(42)이 형성된 금속배선층(40)을 형성한다.
상기 배선(42)은 상기 반도체 기판(10) 상에 형성된 트랜지스터를 포함하는 회로와 연결된다.
그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 금속배선층(40) 및 금속전 절연막(35)을 관통하는 트렌치(37)를 형성한다.
상기 트렌치(37)는 상기 금속배선층(40) 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 식각 공정을 진행하여 형성할 수 있다.
상기 트렌치(37)는 상기 금속배선층(40) 및 금속전 절연막(35)을 관통하여 상기 포토다이오드(17)와 대응되는 영역에 형성된다.
이때, 상기 트렌치(37) 형성을 위한 식각 공정으로 상기 제1보호막(30)의 일부가 식각될 수 있으나, 상기 제1보호막(30)이 상기 포토다이오드(17)의 상부에 위치하여 상기 포토다이오드(17)를 보호할 수 있다.
따라서, 상기 식각 공정으로 인해 상기 포토다이오드(17)에 손상(damage)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(37)를 포함하는 상기 금속배선층(40) 및 금속전 절연막(35) 상에 제2보호막(45)을 형성한다.
상기 제2보호막(45)은 SiN으로 형성될 수 있으며, 300~700 Å의 두께로 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1보호막(30)과 제2보호막(45)은 상기 포토다이오드(17)의 상부인 상기 트렌치(37)의 바닥면에서 접할 수 있다.
상기 제2보호막(45)은 입사되는 빛이 상기 금속배선층(40)으로 입사되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 빛이 상기 금속배선(42)을 향하여 입사될 때, 상기 트렌치(37)의 측벽에 형성된 상기 제2보호막(45)으로 인하여 상기 금속배선층(40) 내부로 입사되지 못하여 크로스 토크(cross talk)를 방지할 수 있기 때문에, 이미지 센서의 노이즈의 발생을 방지할 수 있다.
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(37)가 매립되도록 상기 금속배선층(40) 및 금속전 절연막(35) 상에 감광성 물질(50)을 형성한다.
상기 감광성 물질(50)은 광투과성이 뛰어난 산화막, 폴리머(polymer) 또는 포토 레지스트(Photo Resist) 등으로 형성될 수 있다.
이어서, 도시하지는 않았지만, 상기 감광성 물질(50) 상에 컬러필터 어레이(color filter array) 및 마이크로 렌즈(micro lens)를 형성할 수 있다.
도 10는 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서는 포토다이오드(17)를 포함하는 반도체 기판(10); 상기 포토다이오드(17)를 포함하는 상기 반도체 기 판(10) 상에 형성된 트랜지스터; 상기 트랜지스터를 포함하는 상기 반도체 기판(10) 상에 형성된 제1보호막(30); 상기 제1보호막(30) 상에 형성된 금속전절연막(35) 및 금속배선층(40); 상기 금속배선층(40) 및 금속전절연막(35)을 관통하는 트렌치(37); 상기 트렌치(37)의 측벽, 바닥면 및 상기 금속배선층(40) 상에 형성된 제2보호막(45); 및 상기 트렌치(37)가 매립되도록 상기 제2보호막(45) 상에 형성된 감광성 물질(50)을 포함한다.
상기 반도체 기판(10)에는 소자분리막(5) 및 포토다이오드(17)가 형성되고, 상기 반도체 기판(10) 상에는 트랜지스터를 포함하는 회로가 형성되며, 상기 금속배선층(40)은 상기 회로와 연결된 배선(42)을 포함한다.
그리고, 상기 트랜지스터는 게이트(20) 및 스페이서(28)를 포함하여 형성된다.
상기 트렌치(37)는 상기 반도체 기판(10)에 형성된 상기 포토다이오드(17)와 대응되는 영역에 형성된다.
상기 제1보호막(30)은 300~1000 Å의 두께를 가지는 SiN으로 형성되고, 상기 제2보호막(45)은 300~700 Å의 두께를 가지는 SiN으로 형성될 수 있다.
상기 포토다이오드(17)의 상부에 형성된 상기 제1보호막(30)과 제2보호막(45)은 서로 접하여 형성될 수 있다.
그리고, 상기 감광성 물질(50)은 산화막, 폴리머(polymer) 및 포토 레지스트(photo resist) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 보호막이 형성된 트렌치를 감광성 물질로 매립하여, 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 트렌치 형성을 위한 식각 공정시, 제1보호막이 포토다이오드의 식각을 방지하여, 상기 식각 공정에 의한 상기 포토다이오드의 손상(damage)을 방지할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법은 트렌치가 금속전 절연막까지 관통하여 형성되어, 빛이 감광성 물질 및 제1보호막을 거쳐 상기 포토다이오드에 입사되므로, 층간절연막에 의한 굴절 및 반사 등에 의한 광손실을 방지할 수 있다.
도 1 내지 도 10은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법의 공정 단면도.
Claims (11)
- 포토다이오드를 포함하는 반도체 기판;상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 트랜지스터;상기 트랜지스터를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 제1보호막;상기 제1보호막 상에 형성된 금속전절연막 및 금속배선층;상기 금속배선층 및 금속전절연막 층을 관통하는 트렌치;상기 트렌치의 측벽, 바닥면 및 상기 금속배선층 상에 형성된 제2보호막; 및상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 형성된 감광성 물질을 포함하며,상기 감광성 물질과 포토다이오드 사이에는 상기 제1보호막 및 제2보호막이 배치된 것을 포함하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 금속배선층 및 금속전절연막 층을 관통하는 상기 트렌치는 상기 반도체 기판에 형성된 상기 포토다이오드와 대응되는 영역에 형성된 것을 포함하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 제1보호막은 300~1000 Å의 두께를 가지는 SiN으로 형성되고, 상기 제2보호막은 300~700 Å의 두께를 가지는 SiN으로 형성되는 것을 포함하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 감광성 물질은 산화막, 폴리머(polymer) 및 포토 레지스트(photo resist) 중 어느 하나로 형성된 것을 포함하는 이미지 센서.
- 제 1항에 있어서,상기 제1보호막과 제2보호막은 상기 포토다이오드의 상부인 상기 트렌치의 바닥면에서 서로 접하는 것을 포함하는 이미지 센서.
- 반도체 기판에 포토다이오드를 형성하는 단계;상기 포토다이오드를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 트랜지스터, 제1보호막, 금속전 절연막 및 금속배선층을 차례로 형성하는 단계;상기 금속배선층 및 금속전 절연막을 관통하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 및 상기 금속배선층 상에 제2보호막을 형성하는 단계; 및상기 트렌치가 매립되도록 상기 제2보호막 상에 감광성 물질을 형성하는 단계를 포함하며,상기 감광성 물질과 포토다이오드 사이에는 상기 제1보호막 및 제2보호막이 배치된 것을 포함하는 이미지센서 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 트렌치는 상기 반도체 기판에 형성된 상기 포토다이오드와 대응되는 영 역에 형성되는 것을 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 제1보호막은 300~1000 Å의 두께를 가지는 SiN으로 형성되고, 상기 제2보호막은 300~700 Å의 두께를 가지는 SiN으로 형성되는 것을 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 제1보호막과 제2보호막은 상기 포토다이오드의 상부인 상기 트렌치의 바닥면에서 서로 접하는 것을 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 금속배선층 및 금속전 절연막을 관통하는 트렌치는 식각 공정을 진행하여 형성되며, 상기 식각 공정시 상기 제1보호막이 하부에 형성된 상기 포토다이오드를 보호하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 감광성 물질은 산화막, 폴리머(polymer) 및 포토 레지스트(photo resist) 중 어느 하나로 형성된 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101324087B1 (ko) | 2012-05-16 | 2013-10-31 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서와 그 제조 방법 |
| KR101801259B1 (ko) * | 2010-07-21 | 2017-11-27 | 삼성전자주식회사 | 광 유도 구조물, 상기 광 유도 구조물을 포함하는 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 프로세서 베이스드 시스템 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100101461A (ko) * | 2009-03-09 | 2010-09-17 | 삼성전자주식회사 | 절연층들의 경계면이 길어진 반도체 소자 |
| US8441052B2 (en) * | 2009-10-21 | 2013-05-14 | Hiok Nam Tay | Color-optimized image sensor |
| JP6151499B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2017-06-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
| US9349768B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor with epitaxial passivation layer |
| CN104637969B (zh) * | 2015-02-15 | 2020-12-25 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器 |
| JP2017130693A (ja) * | 2017-04-13 | 2017-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
| CN108321166A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-07-24 | 德淮半导体有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020055199A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 박종섭 | 광도파관을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR20040065963A (ko) * | 2003-01-16 | 2004-07-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20070073108A (ko) * | 2006-01-03 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
| JP2007317859A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7193289B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Damascene copper wiring image sensor |
| US7342268B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-03-11 | International Business Machines Corporation | CMOS imager with Cu wiring and method of eliminating high reflectivity interfaces therefrom |
| KR100752182B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-08-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020055199A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 박종섭 | 광도파관을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR20040065963A (ko) * | 2003-01-16 | 2004-07-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20070073108A (ko) * | 2006-01-03 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
| JP2007317859A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101801259B1 (ko) * | 2010-07-21 | 2017-11-27 | 삼성전자주식회사 | 광 유도 구조물, 상기 광 유도 구조물을 포함하는 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 프로세서 베이스드 시스템 |
| KR101324087B1 (ko) | 2012-05-16 | 2013-10-31 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서와 그 제조 방법 |
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